KHARINA ANJANI

061640341527
2 ELA

1. Secara sederhana, bahan padat dapat dikelompokkan menjadi 3 bagian, yaitu

isolator, semikonduktor, dan konduktor. Jelaskan perbedaan antara ketiga jenis
bahan tersebut berdasarkan :

a. Elektron Valensi
Isolator memiliki elektron valensi yang stabil yaitu delapan sehingga bahan
ini tidak dapat menghantarkan listrik, karena didalamya tidak terdapat hole
untuk diisi oleh elektron bebas. Konduktor memiliki elektron valensi yang
kecil contohnya satu, dan memiliki banyak hole yang dapat diisi oleh
elektron, itulah mengapa bahan ini dapat menghantarkan arus listrik dengan
mudah. Perpaduan antara kedua bahan tersebut ialah Semikonduktor, yang
dapat menghantarkan listrik apabila digabungkan dengan unsur tertentu
seperti unsur golongan III dan V, memiliki elektron valensi sebanyak empat.

b. Gambar Pita Energi

Struktur pita energy Isolator memiliki pita larangan yang besar,

memisahkan pita valensi yang terisi dengan pita konduksi yang kosong.
Dalam Konduktor, pita konduksinya terisi sebagian, jika ada medan listrik,
elektron akan memperoleh tambahan energi sehingga dapat berpindah lalu
menimbulkan arus listrik. Lebar pita energi Semikonduktor relatif kecil,
dimana Eg 1 eV, pada suhu naik, elektron pada pita valensi mampu
berpindah ke pita konduksi. Karena adanya elektron di pita konduksi,
akibatnya bahan tersebut menjadi sedikit konduktif.

c. Energi Gap
Energi gap menunjukkan selang energi antara pita konduksi
minimum dan pita valensi maksimum. Pada Isolator, energi gapnya
 sangatlah jauh sehingga mengakibatkan elektron tidak dapat menyebrang.
Kemudian Konduktor, energi gapnya sangatlah dekat sehingga
memudahkan elektron untuk menyebrang dengan mudahnya. Yang terakhir
Semikonduktor, yang mana memiliki energi gap yang tidak terlalu jauh
ataupun dekat, sehingga butuh beberapa usaha agar elektron dapat
menyebrang.

2. Pada saat bahan semikonduktor yang berasal dari bahan bertipe P dan N
digabungkan, akan terjadi beberapa fenomena carrier transport.
a. Jelaskan fenomena apa saja yang terjadi, jika komponen yang kita tinjau
berupa :
(a.1) Dioda
Fenomena yang terjadi saat tipe-P dan tipe-N digabungkan adalah difusi dan
drift. Fenomena ini terjadi akibat ketidakseimbangan muatan di kedua belah pihak.
Sehingga mengakibatkan elektron dan hole terluar bergabung, dimana tipe-P
bermuatan negatif dan tipe-N bermuatan positif. Penggabungan ini menyebabkan
terbentuknya depletion area, area yang menghalangi elektron dan hole untuk
bergabung, kecuali dengan membutuhkan sejumlah energi. Setelah depletion area
terbentuk, maka terjadi kesetimbangan/equallibrium.
(a.2) Transistor
Dalam transistor, fenomena yang terjadi sama dengan dioda. Yaitu adanya
difusi dan drift yang menyebabkan terbentuknya depletion area, namun yang
membedakan adalah jumlahnya. Karena transistor memiliki tiga kutub yaitu P-N-P
atau N-P-N. Fenomena ini terjadi akibat ketidakseimbangan muatan di kedua belah
pihak. Sehingga mengakibatkan elektron dan hole terluar bergabung, dimana tipe-P
bermuatan negatif dan tipe-N bermuatan positif. Penggabungan ini menyebabkan
terbentuknya depletion area, area yang menghalangi elektron dan hole untuk
bergabung, kecuali dengan membutuhkan sejumlah energi. Setelah depletion area
terbentuk, maka terjadi kesetimbangan/equallibrium. Transistor memiliki dua
depletion area. Yang pertama terdapat pada basis-collector dan yang kedua terdapat
pada basis-emitor.

b. Bagaimanakah fenomena carrier transport yang terjadi, jika komponen-

komponen tersebut kita hubungkan ke sumber tegangan secara :
(b.1) Forward
Forward menyatakan keadaan dimana tipe-P semikonduktor bertemu dengan
terminal positif dan tipe-N bertemu dengan terminal negatif. Saat terhubung
dengan sumber tegangan, elektron-elektron di terminal negatif bergerak
menuju sumber tegangan positif. Ini menyebabkan elektron-elektron di tipe-
N menumpuk, belum bisa menembus depletion layer karena energi yang
diperlukan belumlah cukup. Karena terminal positif terus menarik elektron
dan terminal negatif terus menyuplai elektron, maka tertembuslah depletion
layer tersebut (silikon besarnya sekitar 0,7). Elektron yg menembus tadi
akan mengisi dulu hole-hole yang ada di tipe-P, setelah semua terisi,
 selanjutnya akan mengarah ke terminal positif. Fenomena ini menyebabkan
arus listrik mengalir.
(b.2) Reverse
Reverse menyatakan keadaan dimana tipe-P bertemu dengan terminal
negatif dan sebaliknya. Saat terhubung dengan sumber tegangan, elektron-
elektron di tipe-N akan tertarik ke terminal negatif. Dan hole-hole di tipe-P
akan tertarik pula ke terminal negatif. Akibat dari fenomena ini membuat
depletion layer melebar, sehingga elektron menjadi mustahil untuk
menembusnya. Fenomena ini menyebabkan arus listrik tidak mengalir.

3. Transistor dikembangkan menjadi beberapa jenis komponen, diantaranya adalah

JFET dan MOSFET. Jelaskan perbedaan diantara kedua komponen tersebut
ditinjau dari:
a. Prinsip Kerja
1. JFET
Transistor JFET dibagi menjadi dua, yaitu JFET kanal-n dan kanal-p. Kanal n
dibuat dari bahan semikonduktor tipe n dan kanal p dibuat dari semikonduktor
tipe p. Ujung atas dinamakan Drain dan ujung bawah dinamakan Source. Pada
kedua sisi kiri dan kanan terdapat implant semikonduktor yang berbeda
tipe. Terminal kedua sisi implant ini terhubung satu dengan lainnya secara
internal dan dinamakan Gate.
Istilah field efect (efek medan listrik) sendiri berasal dari prinsip kerja transistor
ini yang berkenaan dengan lapisan deplesi (depletion layer). Lapisan ini
terbentuk antara semikonduktor tipe n dan tipe p, karena bergabungnya elektron
dan hole di sekitar daerah perbatasan. Sama seperti medan listrik, lapisan deplesi
ini bisa membesar atau mengecil tergantung dari tegangan antara gate dengan
source.
Karena struktur yang sama, terminal drain dan source untuk aplikasi frekuensi
rendah dapat dibolak balik. Namun biasanya tidak demikian untuk aplikasi
frekuensi tinggi. Umumnya JFET untuk aplikasi frekuensi tinggi
memperhitungkan kapasitansi bahan antara gate dengan drain dan juga antara
gate dengan source. Dalam pembuatan JFET, umumnya ada perbedaan
kapasitansi gate terhadap drain dan antara gate dengan source.
JFET kanal-n memiliki daerah p sebagai gate, dan daerah n sebagai drain dan
source. Sumber tegangan akan mengalirkan electron bebas dari source ke
drain. Tegangan gate akan mengontrol lebar kanal dimana electron mengalir
sehingga dapat mengatur besarnya aliran ini.
Transistor JFET kanal-p memiliki prinsip yang sama dengan JFET kanal-n, hanya
saja kanal yang digunakan adalah semikonduktor tipe p. Dengan demikian
polaritas tegangan dan arah arus berlawanan jika dibandingkan dengan transistor
JFET kanal-n. Simbol rangkaian untuk tipe p juga sama, hanya saja dengan arah
panah yang berbeda.
Arus drain (ID) yang melalui JFET dikontrol oleh tegangan antara gate dan
source (VGS). Pengontrolan ID dilakukan dengan memberikan tegangan reverse
 antara gate dan source. Pembawa muatan negative pada kanal-n akan bergerak
menuju terminal positif VDD. Dan electron dari terminal negative VDD akan
bergerak menuju source ke kanal-n. Dengan menambah tegangan VGG maka
lebar kanal-n akan menyempit hingga tidak ada arus yang lewat.

2. MOSFET
Mirip seperti JFET, transistor MOSFET (Metal oxide FET) memiliki drain,
source dan gate. Namun perbedaannya gate terisolasi oleh suatu bahan
oksida. Gate sendiri terbuat dari bahan metal seperti aluminium. Oleh karena
itulah transistor ini dinamakanmetal-oxide. Karena gate yang terisolasi, sering
jenis transistor ini disebut juga IGFETyaitu insulated-gate FET.
Ada dua jenis MOSFET, yang pertama jenis depletion-enhancement dan yang
kedua jenis enhancement. Jenis MOSFET yang kedua adalah komponen utama
dari gerbang logika dalam bentuk IC (integrated circuit), uC (micro controller)
dan uP (micro processor) yang tidak lain adalah komponen utama dari komputer
modern saat ini.
MOSFET tersusun dari material tipe n, sebagian daerah p, dan gate yang
teisolasi.Daerah p dinamakan substrat. Sumber tegangan akan mengalirkan
electron bebas dari source ke drain. Aliran electron ini mengalir melalui sebelah
kiri/substrat P. Tegangan gate akan mengontrol lebar kanal dimana electron
mengalir.
Garis putus-putus pada simbol transistor MOSFET menunjukkan struktur
transistor yang terdiri drain, source dan subtrat serta gate yang terisolasi. Arah
panah pada subtrat menunjukkan type lapisan yang terbentuk pada subtrat ketika
transistor ON sekaligus menunjukkan type kanal transistor tersebut.

b. Aplikasi di Lapangan
1. JFET
Banyak digunakan pada amplifier pada sound, contohnya bass, fm radio.
2. MOSFET
Mosfet daya biasa digunakan pada penguatan audio wifi. Mosfet gerbang
ganda biasa digunakan pada piranti isyarat kecil pada penggunaan frekuensi
radio.

4. Dari gambar band diagram PN junction di samping, diketahui ND = 1016 cm-3 dan
NA = 1017 cm-3 . Tentukan Height Barrier B pada suhu 300K dalan satuan J dan
eV!

B = Eg + Kb. T ln [NAND / NCNV]

= 1,79 x 10-19 + 1,38 x 10-23 (300) ln [1017x1016 / (2,81 x 1019)(1,83 x 1019)]
= 1,79 x 10-19 + 414 x 10-23 ln [1033 / (5,14 x 1038)]
= 1,79 x 10-19 + 414 x 10-23 ln [1 / (5,14 x 105)]
= 1,79 x 10-19 + 414 x 10-23 (-13,14998)
= 1,79 x 10-19 - 5444,0917 x 10-23
= 1,79 x 10-19 - 0,54440917 x 10-19
= 1,24559083 x 10-19 Joule
= 1,24559083 x 10-19 / 1,602 x 10-19 = 0,77752236579 eV