PERANGKAT ELEKTRONIKA

Transistor JFET (Junction Field Effect Transistor)

Disusun Oleh:
Kelompok IV
Muhammad Alim Abdillah (42122066)
Muhammad Syahrir (42122067)
Sugianto Linggi Allo (42122068)
Yosua Paraeng (42122069)
Sitti Aisyah Gafur (42122070)
1C D4 Teknik Listrik

Politeknik Negeri Ujung Pandang

Tahun Ajaran 2022/2023
 BAB I
ISI
1.1 Pengertian
Transistor efek medan sambungan (JFET atau JUGFET) adalah tipe paling
sederhana dari transistor efek medan. Ini dapat digunakan sebagai sebuah sakelar
terkendali elektronik atau resistansi terkendali tegangan. Muatan listrik mengalir
melalui kanal semikonduktor di antara saluran sumber dan cerat. Dengan
memberikan tegangan panjar ke saluran gerbang, kanal dijepit, jadi arus listrik
dihalangi atau dimatikan sepenuhnya.

JFET telah diramalkan oleh Julius Edgar Lilienfeld pada tahun 1925 dan
pertengahan tahun 1930-an, teori operasinya telah cukup untuk mendapatkan
paten. Tetapi, pada waktu itu tidak mungkin untuk membuat kristal terkotori
dengan ketelitian yang cukup untuk menunjukkan efek JFET. Pada tahun 1947,
peneliti John Bardeen, Walter Houser Brattain, dan William Shockley mencoba
untuk membuat JFET ketika mereka menemukan transistor titik kontak. JFET
praktis pertama dibuat beberapa tahun kemudian.
1.2 Prinsip Kerja
JFET kanal-n
Untuk menjelaskan prinsip kerja transistor JFET lebih jauh akan ditinjau
transistor JFET kanal-n. Drain dan Source transistor ini dibuat dengan
semikonduktor tipe n dan Gate dengan tipe p. Gambar berikut menunjukkan
bagaimana transistor ini diberi tegangan bias. Tegangan bias antara gate dan source
adalah teganganreverse bias atau disebut bias negatif. Tegangan bias negatif berarti
tegangan gate lebih negatif terhadap source. Perlu catatan, Kedua gate terhubung
satu dengan lainnya (tidak tampak dalam gambar).
 Gambar2 Lapisan deplex jika gue source hiberi bias negative
Dari gambar di atas, elektron yang mengalir dari source menuju drain harus
melewati lapisan deplesi. Di sini lapisan deplesi berfungsi semacan keran air.
Banyaknya elektron yang mengalir dari source menuju drain tergantung dari
ketebalan lapisan deplesi. Lapisan deplesi bisa menyempit, melebar atau membuka
tergantung dari tegangan gate terhadap source. Jika gate semakin negatif terhadap
source, maka lapisan deplesi akan semakin menebal. Lapisan deplesi bisa saja
menutup seluruh kanal transistor bahkan dapat menyentuh drain dan source. Ketika
keadaan ini terjadi, tidak ada arus yang dapat mengalir atau sangat kecil sekali.
Jadi jika tegangan gate semakin negatif terhadap source maka semakin kecil arus
yang bisa melewati kanal drain dan source.

Gambar 3: Lapisan deplesi pada saat tegangan gate sinurce-volt

Jika misalnya tegangan gate dari nilai negatif perlahan-lahan dinaikkan
sampai sama dengan tegangan Source. Temyata lapisan deplesi mengecil hingga
sampai suatu saat terdapat celah sempit. Arus elektron mulai mengalir melalui
celah sempit ini dan terjadilalt konduksi Drain dan Source. Arus yang terjadi pada
keadaan ini adalah arus maksimum yang dapat mengalir berapapun tegangan drain
terhadap source. Hal ini karena celah lapisan deplesi sudah maksimum tidak bisa
lebih lebar lagi. Tegangan gate tidak bisa dinaikkan menjadi positif, karena kalau
nilainya positif maka gate source tidak lain hanya sebagai dinda.
Karena tegangan hias yang negatif, maka arus gate yang disebut akan sangat
kecil sekali. Dapat dimengerti resistansi Input (input impedance) gate akan sangat
besar. Impedansi input transistor IET umumnya bisa mencapai satuan MOhm.
Sebuah transistor JFET diketahui arus gate 2 nA pada saat tegangan reverse gate 4
V, maka dari hukum Ohm dapat dihitung resistansi input transistor ini adalah: R-
4V/2nA 2000 Molim
 Karena struktur yang sama, terminal drain dan source untuk aplikasi
frekuensi rendah dapat dibolak balik. Namun biasanya tidak demikian untuk
aplikasi frekuensi tinggi. Umumnya JFFT untuk aplikasi frekuensi tinggi
memperhitungkan kapasitansi bahan antara gate dengan drain dan juga antara gate
dengan source. Dalam pembuatan JFET, umumnya ada perbedaan kapasitansi gate
terhadap drain dan antara gate dengan source.
JFET kanal-p
Transistor JFET kanal-p memiliki prinsip yang sama dengan JFET kanal-n,
hanya saja kanal yang digunakan adalah semikonduktor tipe p. Dengan demikian
polaritas tegangan dan arah arus berlawanan jika dibandingkan dengan transistor
JFLT kanal n. Simbol rangkaian untuk tipe p juga sama, hanya saja dengan arah
panah yang herbeda
1.3 Gambar Fisik

1.4 Gambar Simbol

Untuk mengambarkan JFFT pada skema rangkaian elektronika, bisa dipakai
simbol seperti pada gambar di bawah berikut.

Gambar 4: Simbol komponen (a)JFET-n (b)JFET-p

 Simbol JFET (junction field-effect transistor) untuk kanal-N dan kanal-P
ditunjukkan pada gambar diatas. Dalam simbol tersebut, arah tanda panah pada
gate merupakan arah arus pada persambungan seandainya diberi bias maju. Tetapi
perlu diingat bahwa daerah kerja JFET adalah bila persambungan tersebut diberi
bias mundur. Oleh karena itulah, maka arus gate IG adalah nol (sangat kecil) dan
akibatnya resistansi input dari JFET adalah tinggi sekali (dalam orde puluhan
megaohm).
1.5 Daerah Kerja
Empat wilayah operasi yang berbeda untuk Transistor Efek Medan
Persimpangan dijelaskan sebagai berikut:
 Wilayah Ohmic
Jika tegangan Gerbang nol (VGS = 0) maka lapisan deplesi sangat minimal
dan Junction Field Effect Transistor berfungsi sebagai resistor yang dikendalikan
tegangan.
 Wilayah Cut-off
Selama wilayah Cut-off, VGS - Tegangan gerbang, cukup untuk
menyebabkan Junction Field Effect Transistor bertindak sebagai rangkaian terbuka
karena resistansi saluran maksimum. Wilayah cut-off kadang-kadang juga disebut
sebagai daerah pinch-off.
 Saturasi atau Wilayah Aktif
Selama wilayah Saturasi, Junction Field Effect Transistor bertindak sebagai
konduktor yang baik dan dikendalikan oleh V.GS- tegangan Sumber Gerbang.
Sedangkan selama periode tersebut mengalirkan ke sumber tegangan, (VDS)
memiliki pengaruh yang kecil atau dapat diabaikan.
 Wilayah Perincian
Di Wilayah Kerusakan, The VDS - tegangan antara Drain dan Source, harus
cukup tinggi untuk menyebabkan Junction Field Effect Transistor bertindak
sebagai lintasan resistif untuk rusak dan untuk memungkinkan arus yang tidak
terkendali.
1.6 Aplikasi Transistor JFET
Aplikasi JFET:
 JFET digunakan sebagai sakelar
 Junction Field Effect Transistor digunakan sebagai penguat.
 JFET ini juga bisa digunakan sebagai buffer
 Transistor Efek Medan Persimpangan (JFET) digunakan dalam elektronik
digital sirkuit karena ukuran dan penerapannya.
Pertanyaan dari kelompok 1 (Transistor BJT)
1. Bagian transistor FET berfungsi sebagai terminal, dimana pembawa muatan
memasuki kanal untuk menyediakan arus dalam kanal?
Jawab : FET memiliki 3 terminal yaitu Source(S), Drain(D), dan Gate(G).
Source adalah terminal tempat pembawa muatan mayoritas masuk ke kanal
untuk menyediakan arus melalui kanal.
2. Mengapa FET disebut transistor unipolar?
Jawab : Hal ini dikarenakan FET adalah transistor yang bekerja bergantung
dari satu pembawa muatan saja, apakah itu Elektron maupun Hole.
3. Apa kelebihan FET dibandingkan dengan transistor bipolar?
Jawab : Arus listrik yang digunakan untuk mengoperasikannya dapat dibuat
jauh lebih kecil daripada arus listrik yang digunakan untuk mengoperasikan
transistor bipolar, sehingga lebih ekonomis
Pertanyaan dari kelompok 2 (Dioda)
1. Ada berapa jenis rangkaian pembiasaan pada JFET?
Jawab : Ada 3 rangkaian pembiasan pada Transistor J-FET, yaitu:
1. Pembiasan Tetap (Fixed-Biasing).
2. Pembiasan Diri (Self Bias).
3. Pembiasan Pembagi Tegangan.
2. Apa yang dimaksud kondisi Drain dan Source pada JFET?
Jawab : Drain (D) merupakan terminal tempat keluarnya pembawa
mayoritas dari semikonduktor.
Source (S) merupakan terminal masukan dimana pembawa mayoritas
(majority carrier) masuk dan melintas pada semikonduktor.
3. Mengapa tegangan gate source N-JFET harus selalu negatif atau (0)?
Jelaskan!
Jawab : Karena untuk mengaktifkan JFET N channel perlu memberikan
bias positif pada terminal Drain dan memberikan tegangan 0 Volt pada
terminal Gate (VG = 0 Volt). Tegangan gate tidak bisa dinaikkan menjadi
positif, karena kalau nilainya positif maka gate source tidak lain hanya
sebagai dioda.
Pertanyaan dari kelompok 3 (Depletion Mode)
1. Perbedaan kapasitansi gate terhadap drain dan antara drain gate source pada
pembuatan JFET?
 Jawab : Jadi perbedaan kapasitansi gate terhadap drain dan antara gate
dengan source pada pembuatan jfet adalah ukuran jumlah tegangan antara
gate terhadap drain dengan ukuran jumlah tegangan gate dengan source.
2. Adakah kelebihan transistor JFET dibandingkan transistor yang lain?
Jawab : - Hambatan dalam input sangat besar
- Noisenya kecil, karena pembawa muatan pada FET tidak melewati
hubungan p-n sama sekali
- Densitas FET sangat tinggi sehingga dapat dibentuk rangkaian integrasi
lebih padat
- Lebih stabil terhadap suhu
3. Apa yang dimaksud dengan tegangan cut off gate source pada JFET?
Jawab : Tegangan yang dimana keadaan lapisan deplesi sudah
bersinggungan satu sama lain, sehingga arus yang bisa melewati kecil sekali
atau hampi nol.
Pertanyaan dari kelompok 5 (Dioda Zener)
1. Apa itu buffer?
Jawab : Penyangga tegangan atau rangkaian buffer adalah rangkaian
common collector yang mempunyai nilai penguatan = 1, di mana rangkaian
ini akan menghasilkan tegangan output yang sama dengan tegangan
inputnya.
2. Apa perbedaan kanal N dan kanal P?
Jawab : - Saluran atau Kanal pada jenis kanal-N terbentuk dari bahan
semikonduktor tipe N dengan satu ujungnya adalah Source (S) dan satunya
lagi adalah Drain (D).Mayoritas pembawa muatan atau Carriers pada JFET
jenis Kanal-N ini adalah Elektron.
- Saluran pada JFET jenis Kanal-P terbuat dari Semikonduktor tipe
P.Mayoritas pembawa muatannya adalah Hole.
3. Apa itu Lapisan deplesi?
Jawab : Lapisan deplesi adalah daerah yang akan terjadi penumpukan
muatan positif (holes) di sekitar daerah batas tipe-n dan penumpukan muatan
negatif pada batas tipe-p.
Pertanyaan dari kelompok 6 (MOSFET enhancement mode)
1. Jelaskan apa itu Lapisan deplesi?
 Jawab : Lapisan deplesi adalah daerah yang akan terjadi penumpukan
muatan positif (holes) di sekitar daerah batas tipe-n dan penumpukan muatan
negatif pada batas tipe-p.
2. Sebutkan 3 jenis rangkaian pembiasaan pada JFET?
Jawab : 1. Pembiasan Tetap (Fixed-Biasing).
2. Pembiasan Diri (Self Bias).
3. Pembiasan Pembagi Tegangan.
3. Apa yang dimaksud dengan tegangan pinch up (VP) dan FGS (Off)?
Jawab : VP: Apabila tegangan VDS JFET Kanal N dinaikkan terus hingga
daerah pengosongan sebelah kiri dan kanan bersentuhan maka aliran
elektron akan jenuh yang disebut dengan kondisi pinch-off . Pada kondisi ini
(arus mulai jenuh dan VGS = 0) tegangan VDS disebut dengan tegangan
pinch-off (Vp)
VGS: Vgs=0 ialah keadaan dimana tidak dapat mengalirkan listrik sehingga
umum disebut sebagai off