I.

Transistor

1.

Pengertian

Transistor adalah komponen elektronika yang dipakai sebagai penguat, sebagai sirkuit
pemutus dan penyambung (switching), stabilisasi tegangan, modulasi sinyal atau sebagai
fungsi lainnya . sedangkan apabila ditinjau dari segi bahasa transistor berasal dari dua kata
yang memiliki arti berbeda yaitu transfer yang berarti penyaluran atau pemindahan dan
resistor yang berarti penghambat.
Pada umumnya transistor memiliki tiga terminal, antara lain:
a. Basis (B) adalah bahan semikonduktor dengan doping yang sangat rendah.
b. Emitor (E) adalah bahan semikonduktor dengan doping yang sangat tinggi.
c. Kolektor (C) adalah bahan semikonduktor yang diberi doping dengan tingkat sedang.
Transistor ditemukan pertama kali oleh William Shockley, John Barden, dan W. H Brattain
pada tahun 1948. Mulai dipakai secara nyata dalam praktek mereka pada tahun 1958.
Sebelum transistor ditemukan, teknologi pada masa itu menggunakan sebuah alat berbentuk
tabung berukuran ibu jari tangan orang dewasa yang di dalamnya terdapat ruang vakum yang
disebut dengan vacum tubes. Teknologi tersebut sudah dipergunakan pada komputer pertama
di dunia.
Transistor terdiri dari dua macam dioda, dan banyak dibuat dari bahan-bahan seperti
germanium, silikon dan garnium arsenide. Sedangkan kemasan dari transistor itu sendiri
biasanya terbuat dari plastic, metal, surface mount, dan ada juga beberapa transistor yang
dikemas dalam wadah yang disebut IC (Integrated Circuit)
2. Fungsi
Transistor memiliki beberapa fungsi di antaranya adalah :
- Amplifier : Penguat
- Mixer : Mencampur Frekuensi
- Rectifier : Penyearah
- Switcher : Penghubung (saklar)
- Oscilater : Pembangkit getaran2.

3. Jenis

Dari awal mula transistor dibuat hingga saat ini ada 2 golongan besar transistor yaitu :
1. Transistor tegangan bias (Bias Junction Transistor (BJT)
Transistor BJT sering disebut transistor saja, transistor berdasarkan susunan semikonduktor
pembentuknya dapat dibagi menjadi 2 tipe transistor yaitu :
-

Tipe PNP (Positif Negatif Positif)

Tipe NPN (Negatif Positif Negatif )

Perbedaan simbol dan semikonduktor penyusun transistor NPN dan PNP

Kaki emitor (e) adalah kaki yang memiliki tanda anak panah.
Kaki basis (b) adalah kaki tengah pada simbol dan sisanya
kaki kolektor (c). Transistor terbuat dari gabungan 3 jenis semikonduktor.
Untuk Transistor NPN tersusun dari semikonduktor tipe P yang diapit oleh 2 buah
semikonduktor tipe N sedangkan Transistor PNP terbuat dari semikonduktor tipe N yang
diapit oleh 2 buah semikonduktor tipe P
Kedua tipe transistor ini dapat disamakan dengan gabungan 2 buah dioda

Transistor mempunyai 3 kaki yaitu kaki emitor, kaki kolektor dan kaki basis, artinya di dalam
transistor juga terdapat 3 buah area yaitu area emitor, area kolektor dan area basis.

2. Transistor Efek Medan - Field Effect Transistor (FET)

Jenis lain dari transitor adalah Field effect Transistor. Perbedaan utama antara BJT
dengan FET adalah pada pengontrol kerja dari transistor tersebut. Jika BJT kerjanya dikontrol
oleh arus pengontrol sedangkan FET bekerja dengan dikontrol oleh tegangan pengontrol.

FET terdiri dari dua jenis yaitu :

-

JFET (terdiri dari JFET kanal n dan JFET kanal P) dan

MOSFET (Terdiridari MOSFET Depletion Mode dn MOSFET Enhancement
Mode)

Transistor efek medan (Junction Field effect transistor (JFET)

Transistor efek medan - Junction Field effect transistor (JFET) juga memiliki 3
terminal, yaitu Drain, Source dan Gate. JFET terdiri dari suatu channel (saluran) yang terbuat
dari sekeping semikonduktor dan pada saluran ini di doping dua buah semikonduktor tipe lain
dan dihubungkan ke Gate. Bagian atas saluran dihubungkan dengan drain dan bagian bawah
dihubungkan dengan source.

Gambar : Struktur dan symbol JFET kanal n dan JFET kanal p

Prinsip kerja JFET

JFET kanal-n

Transistor JFET kanal-n, Drain dan Source transistor ini dibuat dengan semikonduktor
tipe n dan Gate dengan tipe p. Tegangan bias antara gate dan source adalah tegangan reverse
bias atau disebut bias mundur atau bias negatif. Tegangan bias negatif berarti tegangan gate
lebih negatif terhadap source.
JFET memanfaatkan adanya efek medan yang muncul pada junction (sambungan) pn. Elektron yang mengalir dari source menuju drain harus melewati lapisan deplesi. Di sini
lapisan deplesi bisa dianalogikan sebagai keran air. Banyaknya elektron yang mengalir dari
source menuju drain tergantung dari ketebalan lapisan deplesi. Lapisan deplesi bisa
menyempit, melebar atau membuka tergantung dari tegangan gate terhadap source.
Jika gate semakin negatif terhadap source, maka lapisan deplesi akan semakin
menebal. Semakin tebal lapisan deplesi maka akan memperkecil kanal atau bahkan menutup
kanal transistor sehingga mempengaruhi arus listrik yang mengalir. Jadi jika tegangan gate
semakin negatif terhadap source maka semakin kecil arus yang bisa melewati kanal drain dan
source.

Gambar
Prinsip kerja
JFET kanal n

Lapisan deplesi pada saat tegangan gate-source = 0 vollt adalah keadaan dimana arus
maksimum dapat mengalir pada kanal transistor karena lapisan deplesi tidak bisa diperlebar
lagi. Tegangan gate tidak bisa dinaikkan menjadi positif, karena kalau nilainya positif maka
gate-source tidak lain hanya sebagai dioda.
-

JFET kanal p

Seperti Transisitor BJT, jenis Transistor JFET kanal n dan kanal p mempunyai struktur
yang sama namun berbeda pada susunan semikonduktor p dan semikonduktor n nya, oleh

karena itu Transistor JFET kanal-p memiliki prinsip yang sama dengan JFET kanal-n, hanya
saja kanal yang digunakan adalah semikonduktor tipe p. Dengan demikian polaritas tegangan
dan arah arus berlawanan jika dibandingkan dengan transistor JFET kanal-n. Simbol
rangkaian untuk tipe p juga sama, hanya saja dengan arah panah yang berbeda.
Daerah operasi JFET

Gambar Karakteristik keluaran JFET

JFET mempunyai empat daerah operasi antara lain:
Ohmic Region Ketika VGS = 0 celah deplesi dari kanal sangat kecil, pada daerah ini
karakteristik JFET mengikuti Hukum Ohm.
Cut-off Region Daerah ini juga dikenal dengan pinch-off region dimana tegangan
Gaete,pada daerah ini JFET bersifat seperti rangkaian terbuka (open circuit) dimana kanal
mencapai resistansi maksimum
Saturation or Active Region JFET menjadi konduktor yang dikontrol oleh tegangan GateSource, ( VGS ).
Breakdown Region Tegangan antara Drain dan Source, ( VDS ) sangat tinggi sehingga
bisa menyebabkan transistor rusak dan menyebabkan araus maksimal yang tidak terkontrol.

Gambar Kurva karakteristik Transfer dan Karakteristik Arus Drain

Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET)

Mirip seperti JFET, MOSFET juga memiliki drain, source dan gate. Namun
perbedaannya gate terisolasi oleh suatu bahan oksida. Gate sendiri terbuat dari bahan metal
seperti aluminium.. Karena gate yang terisolasi, jenis transistor ini disebut juga IGFET yaitu
insulated-gate FET.
Ada

dua

jenis

MOSFET,

depletion-mode

dan

enhancement-mode.

Jenis

enhancement-mode MOSFET adalah komponen utama dari gerbang logika dalam bentuk IC
(integrated circuit), uC (micro controller) dan uP (micro processor).

MOSFET Depletion-mode

Sama seperti JFET, untuk N-channel MOSFET, semakin positif tegangan gate VGS
maka semakin besar celah deplesi kanal (arus drain ID semakin besar). Namun untuk
MOSFET tegangan gate VGS boleh positif sehingga arus bisa semakin besar .

Gambar Karakteristik MOSFET Depletion-mode

-

MOSFET Enhancement-mode

Perbedaan MOSFET enhacement mode dengan MOSFET Depletion mode terletak

pada struktur nya, subtrat pada MOSFET enhacement mode dibuat hingga menyentuh gate,
sehingga saat VGS=0 Arus belum bisa mengalir.
Dengan menaikkan tegangan (semakin positif) akan membuat arus dapat mengalir.
Dengan kata lain untuk N-channel enhancement mode MOSFET, +V GS membuat transistor
ON dan VGS=0 transistor "OFF". Tentu ada tegangan minimum dimana Arus baru bisa
mengalir. Tegangan minimun ini disebut tegangan threshold V GS(th). Tegangan VGS(th) oleh
pabrik pembuat akan dicantumkan didalam datasheet.

Gambar Karakteristik MOSFET Enhacement-mode

Tabel. Perbedaan Antara Transistor FET dan Bipolar
Karakteristik
Penguat Tegangan
Penguat Arus
Impedansi Input
Impedansi Output
Noise
Switching Time
Rusak
Harga

Field Effect Transistor

Bipolar Junction Transistor

(FET)
Rendah
Tinggi
Tinggi
Tinggi
Rendah
Cepat
Mudah rusak oleh listrik statis
Mahal dari pada bipolar

(BJT)
Tinggi
Rendah
Rendah
Rendah
Medium
Medium
Robust
Murah

4. Karakteristik Transistor

Kurva karakteristik kolektor merelasikan IC dan VCE dengan IB sebagai parameter.

Parameter-parameter transistor tidaklah konstan, meskipun tipe sama namun parameter dapat
berbeda. Kurva kolektor terbagi menjadi tiga daerah yaitu jenuh, aktif dan cut- off.

Daerah jenuh (saturasi) adalah daerah dengan VCE kurang dari tegangan lutut (knee) VK.
Daerah jenuh terjadi bila sambungan emiter dan sambungan basis berprasikap maju. Pada
daerah jenuh arus kolektor tidak bergantung pada nilai I B. Tegangan jenuh kolektor emiter,
VCE(sat) untuk transistor silikon adalah 0,2 volt sedangkan untuk transistor germanium adalah
0,1 volt.
Daerah aktif adalah antara tegangan lutut VK dan tegangan dadal (break down) VBR serta
di atas IBICO. Daerah aktif terjadi bila sambungan emiter diberi prasikap maju dan sambungan
kolektor diberi prasikap balik. Pada daerah aktif arus kolektor sebanding dengan arus balik.
Penguatan sinyal masukan menjadi sinyal keluaran terjadi pada saat aktif.
Daerah cut-off (putus) terletak dibawah IB = ICO. Sambungan emiter dan sambungan
kolektor berprasikap balik. Pada daerah ini IE = 0 ; IC = ICO = IB.
5. Pengkodean dan Kelas-kelas Trransistor
a. Kelas Kelas Transistor
- Transistor frekuensi-rendah, Transistor yang dirancang secara spesifik untuk
aplikasi-aplikasi frekuensi audio (Di bawah 100 kHz).
- Transistor frekuensi-tinggi, Transistor yang dirancang secara spesifik untuk
aplikasi-aplikasi frekuensi radio (100 kHz ke atas).
- Transistor Daya (Power), Transistor yang bekerja pada level daya yang cukup
tinggi (perangkat semacam ini biasanya dikelompokkan ke dalam jenis daya
frekuensi audio dan frekuensi radio).
- Transistor saklar, Transistor yang dirancang untuk aplikasi-aplikasi pensaklaran.
- Transistor derau-rendah (low noise), transistor yang memiliki karakteristik deraurendah dan yang ditujukan terutama untuk penguat sinyal amplitudo rendah.
- Transistor tegangan-tinggi (high voltage), Transistor yang dirancang secara
spesifik untuk menangani tegangan tinggi.
- Transistor penggerak (driver), Transistor yang bekerja pada level daaya dan
tegangan menengah dan yang seringkali digunakan sebelum tahapan (daya) akhir
yang bekerja pada level daya yang cukup tinggi.
b. Pengkodean Transistor Sistem eropa untuk mengklasifikasi melibatkan
penggunaan kode alfanumerik yang terdiri dari dua huruf dan tiga angka
(transistor serbaguna) atau tiga huruf dan dua angka (transistor khusus).
Huruf pertama = Bahan Semikonduktor
Huruf kedua = Aplikasi Huruf ketiga Pada kasus transistor untuk aplikasiaplikasi khusus dan industri, huruf ketiga umumnya tidak memiliki arti penting.
A Germanium B Silikon C Daya-rendah, frekuensi-rendah D Daya-tinggi,
frekuensi-rendah E Daya-rendah, frekuensi-tinggi F Daya-tinggi, frekuensi-tinggi

Contoh:
AF115, sebuah tansistor germanium serbaguna, daya-rendah, frekuensi-tinggi.
BFY51, sebuah transistor silikon khusus, daya-rendah, frekuensi-tinggi.
BC109, sebuah transistor silikon serbaguna, daya-rendah, frekuensi-rendah.

6. Cara Kerja Transistor

Secara harfiah sendiri transistor merupakan gabungan dari dua kata yaitu transfer dan
resistor yang dapat diartikan secara bebas sebagai pengalir arus atau pengatur aliran arus.
Triode merupakan istilah yang memiliki arti tiga elektroda, dan didalam resistor sendiri
memang memiliki tiga elektroda tersebut, yaitu basis atau dasar, emitor atau pemancar dan
kolektor atau pengumpul. Transistor dapat mengalirkan arus listrik atau juga menguatkan
tegangan dikarenakan memiliki ketiga elektroda tersebut. Fungsi lain dari transistor adalah
sebagai saklar pemutus dan penyambung aliran listrik ketika pada dasar atau basis diberikan
arus yang sangat besar. untuk cara kerja dari transistor sendiri tergantung dari transistor jenis
apa yang digunakan.

Gambar Cara Kerja Transistor

Pada dasarnya transistor ada dua jenis atau tipe dari transistor. Ada transistor BJT atau
bipolar junction transistor atau juga lebih dikenal dengan istilah transistor bipolar dan
transistor FET atau field effect transistor atau juga lebih dikenal dengan istilah transistor
effect.
Berikut cara kerja transistor BJT. Sesuai dengan namanya transistor bipolar ( BJT )
menggunakan dua polaritas yang membawa muatan untuk membawa arus listrik pada kanal
produksinya. Di dalam transistor bipolar ( BJT ) juga terdapat suatu lapisan pembatas yang

dinamakan depletion zone, yang pada akhirnya setiap arus listrik yang akan masuk akan
melewati pembatas tersebut dan terbagi karena adanya depletion zone ini.

Transistor effect ( FET ) Sedikit berbeda dengan cara kerja pada transistor bipolar.
Dimana pada transistor effect ( FET ) ini hanya menggunakan satu jenis polaritar atau
pembawa muatan arus listrik. Hal ini jelas berbeda dengan transistor bipolar yang memiliki
dua polaritas pembawa muatan. Untuk transistor effect ( FET ), arus yang masuk tidak akan
terbagi menjadi dua aliran seperti pada transistor bipolar. Karena posisi letak depletion zone
dari resistor effect terdapat di kedua sisi bukan berada di tengah-tengah.

Sebenarnya untuk tipe atau jenis transistor dari BJT dan FET sendiri sama saja fungsinya,
yang membedakan adalah dari cara kerja transistornya saja.

7. Cara Mengukur Nilai Transistor

Kita dapat menggunakan Multimeter Analog maupun Multimeter Digital untuk mengukur
ataupun menguji apakah sebuah Transistor masih dalam kondisi yang baik. Perlu diingatkan
bahwa terdapat perbedaan tata letak Polaritas (Merah dan Hitam) Probe Multimeter Analog
dan Multimeter Digital dalam mengukur/menguji sebuah Transistor.
Berikut ini adalah Cara untuk menguji atau mengukur Transistor dengan Mengunakan
Multimeter Analog dan Multimeter Digital.
A. Mengukur Transistor dengan Multimeter Analog

Cara Mengukur Transistor PNP dengan Multimeter Analog

1. Atur Posisi Saklar pada Posisi OHM () x1k atau x10k
2. Hubungkan Probe Merah pada Terminal Basis (B) dan Probe Hitam pada Terminal
Emitor (E), Jika jarum bergerak ke kanan menunjukan nilai tertentu, berarti Transistor
tersebut dalam kondisi baik
3. Pindahkan Probe Hitam pada Terminal Kolektor (C), jika jarum bergerak ke kanan
menunjukan nilai tertentu, berarti Transistor tersebut dalam kondisi baik.
Cara Mengukur Transistor NPN dengan Multimeter Analog
1. Atur Posisi Saklar pada Posisi OHM () x1k atau x10k
2. Hubungkan Probe Hitam pada Terminal Basis (B) dan Probe Merah pada Terminal
Emitor (E), Jika jarum bergerak ke kanan menunjukan nilai tertentu, berarti Transistor
tersebut dalam kondisi baik
3. Pindahkan Probe Merah pada Terminal Kolektor (C), jika jarum bergerak ke kanan
menunjukan nilai tertentu, berarti Transistor tersebut dalam kondisi baik.
Catatan : Jika Tata letak Probe dibalikan dari cara yang disebutkan diatas, maka Jarum pada
Multimeter Analog harus tidak akan bergerak sama sekali atau Open.

B. Mengukur Transistor dengan Multimeter Digital

Pada umumnya, Multimeter Digital memiliki fungsi mengukur Dioda dan Resistansi
(Ohm) dalam Saklar yang sama. Maka untuk Multimeter Digital jenis ini, Pengujian
Multimeter adalah terbalik dengan Cara Menguji Transistor dengan Menggunakan
Multimeter Analog.

Cara Mengukur Transistor PNP dengan Multimeter Digital

1. Atur Posisi Saklar pada Posisi Dioda
2. Hubungkan Probe Hitam pada Terminal Basis (B) dan Probe Merah pada Terminal
Emitor (E), Jika Display Multimeter menunjukan nilai Voltage tertentu, berarti
Transistor tersebut dalam kondisi baik
3. Pindahkan Probe Merah pada Terminal Kolektor (C), jika Display Multimeter nilai
Voltage tertentu, berarti Transistor tersebut dalam kondisi baik.
Cara Mengukur Transistor NPN dengan Multimeter Digital
1. Atur Posisi Saklar pada Posisi Dioda
2. Hubungkan Probe Merah pada Terminal Basis (B) dan Probe Hitam pada Terminal
Emitor (E), Jika Display Multimeter menunjukan nilai Voltage tertentu, berarti
Transistor tersebut dalam kondisi baik
3. Pindahkan Probe Hitam pada Terminal Kolektor (C), jika Display Multimeter
menunjukan nilai Voltage tertentu, berarti Transistor tersebut dalam kondisi baik.
Catatan : Jika Tata letak Probe dibalikan dari cara yang disebutkan diatas, maka Display
Multimeter Digital harus tidak akan menunjukan Nilai Voltage atau Open

8. Hal-hal Penting Mengenai Transistor

-

Transistor yang mempunyai fisik lebih besar biasanya mampu bekerja pada daya
yang lebih besar
Pada tipe-tipe transistor dikenal adanya persamaan karakteristik, jadi jika sulit
mendapatkan sebuah transistor cobalah mencari persamaannya
Urutan kaki transistor antara tipe satu dengan yang lain tidak selalu sema.
Untuk pemakaian dengan daya yang tinggi sebaiknya tambahkan pendingin pada
bodi transistor.
Panas yang berlebih pada transistor dapat berakibat kerusakan transistor.
Pada transistor dikenal istilah HFE, yaitu menunjukkan besarnya penguatan arus
dari transistor tersebut
Tegangan antara basis (B) dan emitor (E) besarnya selalu tetap, yaitu berkisar
antara 0.6Volt untuk jenis transistor dari bahan silikon.
Untuk bisa bekerja, sebuah transistor memerlukan bias sekitar 0.6Volt untuk jenis
silikon. Pada transistor PNP basis harus lebih negatif 0.6Volt dan pada transistor
NPN basis harus lebih positif 0.6Volt.