MATERI KULIAH

TRANSISTOR ( 1 )
PENGANTAR
Komponen semiconductor selanjutnya adalah transistor, komponen ini boleh dikata termasuk
komponen yang susunannya sederhana bila dibandingkan dengan Integrated Circuit. Pada
prinsipnya, suatu transistor terdiri atas dua buah dioda yang disatukan. Agar transistor dapat
bekerja, kepada kakikakinya harus diberikan tegangan, tegangan ini dinamakan bias voltage.
Basisemitor diberikan forward voltage, sedangkan basiskolektor diberikan reverse voltage. Sifat
transistor adalah bahwa antara kolektor dan emitor akan ada arus (transistor akan menghantar)
bila ada arus basis. Makin besar arus basis makin besar penghatarannya.

Berbagai bentuk transistor yang terjual di pasaran, bahan selubung kemasannya juga ada berbagai
macam misalnya selubung logam, keramik dan ada yang berselubung polyester. Transistor pada
umumnya mempunyai tiga kaki, kaki pertama disebut basis, kaki berikutnya dinamakan kolektor
dan kaki yang ketiga disebut emitor.
C1969
Suatu arus listrik yang kecil pada basis akan menimbulkan arus yang jauh lebih besar diantara
kolektor dan emitornya, maka dari itu transistor digunakan untuk memperkuat arus (amplifier).
Terdapat dua jenis transistor ialah jenis NPN dan jenis PNP. Pada transistor jenis NPN tegangan
basis dan kolektornya positif terhadap emitor, sedangkan pada transistor PNP tegangan basis dan
kolektornya negatif terhadap tegangan emitor.

Transistor dapat dipergunakan antara lain untuk :

1. Sebagai penguat arus, tegangan dan daya (AC dan DC)
2. Sebagai penyearah
3. Sebagai mixer
4. Sebagai osilator
5. Sebagai switch

UNI JUNCTION TRANSISTOR

Uni Junktion Transistor (UJT) adalah transistor yang mempunyai satu kaki emitor dan dua basis.
Kegunaan transistor ini adalah terutama untuk switch lektronis. Ada Dua jenis UJT ialah UJT
Kanal N dan UJT KanalP.

FIELD EFFECT TRANSISTOR

Field Effect Transistor (FET) adalah suatu jenis transistor khusus. Tidak seperti transistor biasa,
yang akan menghantar bila diberi arus basis, transistor jenis ini akan menghantar bila diberikan
tegangan (jadi bukan arus). Kakikakinya diberi nama Gate (G), Drain (D) dan Source (S).

Beberapa Kelebihan FET dibandingkan dengan transistor biasa ialah antara lain penguatannya
yang besar, serta desah yang rendah. Karena harga FET yang lebih tinggi dari transistor, maka
hanya digunakan pada bagianbagian yang memang memerlukan. Ujud fisik FET ada berbagai
macam yang mirip dengan transistor. Seperti halnya dengan transistor, ada dua jenis FET yaitu
KanalN dan KanalP. Kcuali itu
terdapat beberapa macam FET ialah Junktion FET (JFET) dan Metal Oxide Semiconductor FET
(MOSFET). MOSFET Metal Oxide Semiconductor FET (MOSFET) adalah suatu jenis FET
yang mempunyai satu Drain, satu Source dan satu atau dua Gate. MOSFET mempunyai input
impedance yang sangat tinggi. Mengingat harga yang cukup tinggi, maka MOSFET hanya
digunakan pada bagianbagian yang benarbenar memerlukannya. Penggunaannya misalnya
sebagai RF amplifier pada receiver untuk memperoleh amplifikasi yang tinggi dengan desah yang
rendah.
Dalam pengemasan dan perakitan dengan menggunakan MOSFET perlu diperhatiakan bahwa
komponen ini tidak tahan terhadap elektrostatik, mengemasnya menggunakan kertas timah,
pematriannya menggunakan jenis solder yang khusus untuk pematrian MOSFET. Seperti halnya
pada FET, terdapat dua macam MOSFET ialah KanalP dan KanalN

MATERI KULIAH
TRANSISTOR 2

Pendahuluan
1. Transistor

adalah alat semikonduktor yang dipakai sebagai penguat, sebagai sirkuit pemutus
dan penyambung (switching), stabilisasi tegangan, modulasi sinyal atau sebagai
fungsi lainnya. Transistor dapat berfungsi semacam kran listrik, dimana
 berdasarkan arus inputnya (BJT) atau tegangan inputnya (FET), memungkinkan
pengaliran listrik yang sangat akurat dari sirkuit sumber listriknya.

Pada umumnya, transistor memiliki 3 terminal. Tegangan atau arus yang dipasang
di satu terminalnya mengatur arus yang lebih besar yang melalui 2 terminal
lainnya. Transistor adalah komponen yang sangat penting dalam dunia elektronik
modern. Dalam rangkaian analog, transistor digunakan dalam amplifier (penguat).
Rangkaian analog melingkupi pengeras suara, sumber listrik stabil, dan penguat
sinyal radio. Dalam rangkaian-rangkaian digital, transistor digunakan sebagai
saklar berkecepatan tinggi. Beberapa transistor juga dapat dirangkai sedemikian
rupa sehingga berfungsi sebagai logic gate, memori, dan komponen-komponen
lainnya.

2. Cara kerja semikonduktor

Untuk mengerti cara kerja semikonduktor, misalkan sebuah gelas berisi air murni.
Jika sepasang konduktor dimasukan kedalamnya, dan diberikan tegangan DC
tepat dibawah tegangan elektrolisis (sebelum air berubah menjadi Hidrogen dan
Oksigen), tidak akan ada arus mengalir karena air tidak memiliki pembawa
muatan (charge carriers). Sehingga, air murni dianggap sebagai isolator. Jika
sedikit garam dapur dimasukan ke dalamnya, konduksi arus akan mulai mengalir,
karena sejumlah pembawa muatan bebas (mobile carriers, ion) terbentuk.
Menaikan konsentrasi garam akan meningkatkan konduksi, namun tidak banyak.
Garam dapur sendiri adalah non-konduktor (isolator), karena pembawa muatanya
tidak bebas
Silikon murni sendiri adalah sebuah isolator, namun jika sedikit pencemar
ditambahkan, seperti Arsenik, dengan sebuah proses yang dinamakan doping,
dalam jumlah yang cukup kecil sehingga tidak mengacaukan tata letak kristal
silikon, Arsenik akan memberikan elektron bebas dan hasilnya memungkinkan
terjadinya konduksi arus listrik. Ini karena Arsenik memiliki 5 atom di orbit
terluarnya, sedangkan Silikon hanya 4. Konduksi terjadi karena pembawa muatan
bebas telah ditambahkan (oleh kelebihan elektron dari Arsenik). Dalam kasus ini,
sebuah Silikon tipe-n (n untuk negatif, karena pembawa muatannya adalah
elektron yang bermuatan negatif) telah terbentuk

Selain dari itu, silikon dapat dicampur dengan Boron untuk membuat
semikonduktor tipe-p. Karena Boron hanya memiliki 3 elektron di orbit paling
luarnya, pembawa muatan yang baru, dinamakan “lubang” (hole, pembawa
muatan positif), akan terbentuk di dalam tata letak kristal silikon.
Dalam tabung hampa, pembawa muatan (elektron) akan dipancarkan oleh emisi
thermionic dari sebuah katode yang dipanaskan oleh kawat filamen. Karena itu,
tabung hampa tidak bisa membuat pembawa muatan positif (hole).
Dapat disimak bahwa pembawa muatan yang bermuatan sama akan saling tolak
menolak, sehingga tanpa adanya gaya yang lain, pembawa-pembawa muatan ini
akan terdistribusi secara merata di dalam materi semikonduktor. Namun di dalam
sebuah transistor bipolar (atau diode junction) dimana sebuah semikonduktor tipe-
p dan sebuah semikonduktor tipe-n dibuat dalam satu keping silikon, pembawa-
pembawa muatan ini cenderung berpindah ke arah sambungan P-N tersebut
(perbatasan antara semikonduktor tipe-p dan tipe-n), karena tertarik oleh muatan
yang berlawanan dari seberangnya

Kenaikan dari jumlah pencemar (doping level) akan meningkatkan konduktivitas

dari materi semikonduktor, asalkan tata-letak kristal silikon tetap dipertahankan.
Dalam sebuah transistor bipolar, daerah terminal emiter memiliki jumlah doping
yang lebih besar dibandingkan dengan terminal basis. Rasio perbandingan antara
doping emiter dan basis adalah satu dari banyak faktor yang menentukan sifat
penguatan arus (current gain) dari transistor tersebut.

Jumlah doping yang diperlukan sebuah semikonduktor adalah sangat kecil, dalam
ukuran satu berbanding seratus juta, dan ini menjadi kunci dalam keberhasilan
semikonduktor. Dalam sebuah metal, populasi pembawa muatan adalah sangat
tinggi; satu pembawa muatan untuk setiap atom. Dalam metal, untuk mengubah
metal menjadi isolator, pembawa muatan harus disapu dengan memasang suatu
beda tegangan. Dalam metal, tegangan ini sangat tinggi, jauh lebih tinggi dari
yang mampu menghancurkannya. Namun, dalam sebuah semikonduktor hanya
ada satu pembawa muatan dalam beberapa juta atom. Jumlah tegangan yang
diperlukan untuk menyapu pembawa muatan dalam sejumlah besar
semikonduktor dapat dicapai dengan mudah. Dengan kata lain, listrik di dalam
metal adalah inkompresible (tidak bisa dimampatkan), seperti fluida. Sedangkan
dalam semikonduktor, listrik bersifat seperti gas yang bisa dimampatkan.
Semikonduktor dengan doping dapat dirubah menjadi isolator, sedangkan metal
 tidak.
Gambaran di atas menjelaskan konduksi disebabkan oleh pembawa muatan, yaitu
elektron atau lubang, namun dasarnya transistor bipolar adalah aksi kegiatan dari
pembawa muatan tersebut untuk menyebrangi daerah depletion zone. Depletion
zone ini terbentuk karena transistor tersebut diberikan tegangan bias terbalik, oleh
tegangan yang diberikan di antara basis dan emiter. Walau transistor terlihat
seperti dibentuk oleh dua diode yang disambungkan, sebuah transistor sendiri
tidak bisa dibuat dengan menyambungkan dua diode. Untuk membuat transistor,
bagian-bagiannya harus dibuat dari sepotong kristal silikon, dengan sebuah daerah
basis yang sangat tipis.

3. Cara kerja transistor

Dari banyak tipe-tipe transistor modern, pada awalnya ada dua tipe dasar
transistor, bipolar junction transistor (BJT atau transistor bipolar) dan field-effect
transistor (FET), yang masing-masing bekerja secara berbeda.
Transistor bipolar dinamakan demikian karena kanal konduksi utamanya
menggunakan dua polaritas pembawa muatan: elektron dan lubang, untuk
membawa arus listrik. Dalam BJT, arus listrik utama harus melewati satu
daerah/lapisan pembatas dinamakan depletion zone, dan ketebalan lapisan ini
dapat diatur dengan kecepatan tinggi dengan tujuan untuk mengatur aliran arus
utama tersebut.
FET (juga dinamakan transistor unipolar) hanya menggunakan satu jenis
pembawa muatan (elektron atau hole, tergantung dari tipe FET). Dalam FET, arus
listrik utama mengalir dalam satu kanal konduksi sempit dengan depletion zone di
kedua sisinya (dibandingkan dengan transistor bipolar dimana daerah Basis
memotong arah arus listrik utama). Dan ketebalan dari daerah perbatasan ini dapat
dirubah dengan perubahan tegangan yang diberikan, untuk mengubah ketebalan
kanal konduksi tersebut. Lihat artikel untuk masing-masing tipe untuk penjelasan
yang lebih lanjut.
4. Jenis-jenis transistor

Secara umum, transistor dapat dibeda-bedakan berdasarkan banyak kategori:

 Materi semikonduktor: Germanium, Silikon, Gallium Arsenide

 Kemasan fisik: Through Hole Metal, Through Hole Plastic, Surface Mount,
IC, dan lain-lain
 Tipe: UJT, BJT, JFET, IGFET (MOSFET), IGBT, HBT, MISFET,
VMOSFET, MESFET, HEMT, SCR serta pengembangan dari transistor yaitu
IC (Integrated Circuit) dan lain-lain.
 Polaritas: NPN atau N-channel, PNP atau P-channel
 Maximum kapasitas daya: Low Power, Medium Power, High Power
 Maximum frekwensi kerja: Low, Medium, atau High Frequency, RF
transistor, Microwave, dan lain-lain
 Aplikasi: Amplifier, Saklar, General Purpose, Audio, Tegangan Tinggi, dan
lain-lain

5. MOSFET, singkatan dari Metal Oxyde Semi Conductor atau Transistor efek
medan
>> adalah jenis transistor yang bekerja dengan adanya modulasi dari medan listrik
di dalam bahan semikonduktor. Antara FET dan MOSFET tidak ada perbedaan,
hanya yang membedakan:
 Adanya lapisan S1O2 yang mambatasi gate dan channel.
Arus listrik yang masuk sangat kecil sekali. Jenis-jenis transistor efek medan
adalah MOSFET, JFET, MESFET, HEMT, dan TFT.

6. Transistor bipolar (BJT)

>> suatu jenis transistor, alat penguat atau pemilih yang dibuat dari
semikonduktor yang dikotori. Transistor bipolar adalah gabungan dari bagian
yang dikotori secara berbeda, bisa NPN atau PNP. N berarti negatif, dan P berarti
positif.

7. IGBT (Insulated-Gate Bipolar Transistor)

>> piranti semikonduktor yang setara dengan gabungan sebuah transistor bipolar
(BJT) dan sebuah transistor efek medan (MOSFET).

Input dari IGBT adalah terminal Gate dari MOSFET, sedang terminal Source dari
MOSFET terhubung ke terminal Basis dari BJT. Dengan demikian, arus drain
keluar dan dari MOSFET akan menjadi arus basis dari BJT. Karena besarnya
tahanan masuk dari MOSFET, maka terminal input IGBT hanya akan menarik
arus yang kecil dari sumber. Di pihak lain, arus drain sebagai arus keluaran dari
MOSFET akan cukuo besar untuk membuat BJT mencapai keadaan saturasi.
Dengan gabungan sifat kedua elemen tersebut, IGBT mempunyai perilaku yang
cukup ideal sebagai sebuah sakelar elektronik. Di satu pihak IGBT tidak terlalu
membebani sumber, di pihak lain mampu menghasilkan arus yang besar bagi
beban listrik yang dikendalikannya.

Komponen utama di dalam aplikasi elekronika daya (power electronics) dewasa

ini adalah sakelar zat padat (solid-state switches) yang diwujudkan dengan
peralatan semikonduktor seperti transistor bipolar (BJT),transistor efek medan
(MOSFET), maupun Thyristor. Sebuah sakelar ideal di dalam aplikasi elektronika
daya akan mempunyai sifat-sifat sebagai berikut:

1. pada saat keadaan tidak menghantar (OFF), sakelar mempunyai tahanan yang
besar sekali, mendekati nilai tak berhingga. Dengan kata lain, nilai arus bocor
struktur sakelar sangat kecil
2. Sebaliknya, pada saat keadaan menghantar (ON), sakelar mempunyai tahanan
menghantar (R_on) yang sekecil mungkin. Ini akan membuat nilai tegangan
jatuh (voltage drop) keadaan menghantar juga sekecil mungkin, demikian pula
dengan besarnya daya lesapan (power dissipation) yang terjadi, dan
(kecepatan pensakelaran (switching speed) yang tinggi.

Sifat nomor (1) umumnya dapat dipenuhi dengan baik oleh semua jenis peralatan
semikonduktor yang disebutkan di atas, karena peralatan semikonduktor
komersial pada umumnya mempunyai nilai arus bocor yang sangat kecil.
 Untuk sifat nomor (2), BJT lebih unggul dari MOSFET, karena tegangan jatuh
pada terminal kolektor-emitter, VCE pada keadaan menghantar (ON) dapat dibuat
sekecil mungkin dengan membuat transitor BJT berada dalam keadaan jenuh
(saturasi).

Sebaliknya, untuk unsur kinerja nomor (3) yaitu kecepatan switching, MOSFET
lebih unggul dari BJT, karena sebagai divais yang bekerja berdasarkan aliran
pembawa muatan mayoritas (majority carrier), pada MOSFET tidak dijumpai
aruh penyimpanan pembawa muatan minoritas pada saat proses pensakelaran,
yang cenderung memperlamnat proses pensakelaran tersebut.

Sejak tahun 1980-an telah muncul jenis divais baru sebagai komponen sakelar
untuk aplikasi elektronika daya yang disebut sebagai Insulated Gate Bipolar
Transistor (IGBT).

Sesuai dengan yang tercermin dari namanya, divais baru ini merupakan divais
yang menggabungkan struktur dan sifat-sifat dari kedua jenis transistor tersebut di
atas, BJT dan MOSFET. Dengan kata lain, IGBT mempunyai sifat kerja yang
menggabungkan keunggulan sifat-sifat kedua jenis transistor tersebut. Terminal
gate dari IGBT, sebagai terminal kendali juga mempunyai struktur bahan
penyekat (insulator) sebagaimana pada MOSFET.

Dengan demikian, terminal masukan IGBT mempunyai nilai impedansi yang

sangat tinggi, sehingga tidak membebani rangkaian pengendalinya yang
umumnya terdiri dari rangkaian logika. Ini akan menyederhanakan rancangan
rangkaian pengendali (controller) dan penggerak (driver) dari IGBT.

Di samping itu, kecepatan pensakelaran IGBT juga lebih tinggi dibandingkan

divais BJT, meskipun lebih rendah dari divais MOSFET yang setara. Di lain
pihak, terminal keluaran IGBT mempunyai sifat yang menyerupai terminal
keluaran (kolektor-emitter) BJT. Dengan kata lain, pada saat keadaan menghantar,
nilai tahanan menghantar (R_on) dari IGBT sangat kecil, menyerupai R_on pada
BJT.

Dengan demikian bilai tegangan jatuh serta lesapan dayanya pada saat keadaan
menghantar juga kecil. Dengan sifat-sifat seperti ini, IGBT akan sesuai untuk
dioperasikan pada arus yang besar, hingga ratusan amper, tanpa terjadi kerugian
daya yang cukup berarti. IGBT sesuai untuk aplikasi pada perangkat Inverter
maupun Kendali Motor Listrik (Drive).

8. Transistor Darlington

>> rangkaian elektronika yang terdiri dari sepasang transistor bipolar (dwi kutub)
yang tersambung secara tandem (seri). Sambungan seri seperti ini dipakai untuk
mendapatkan penguatan (gain) yang tinggi, karena hasil penguatan pada transistor
yang pertama akan dikuatkan lebih lanjut oleh transistor kedua. Keuntungan dari
 rangkaian Darlington adalah penggunaan ruang yang lebih kecil dari pada rangkaian
dua buah transistor biasa dengan bentuk konfigurasi yang sama. Penguatan arus listrik
atau gain dari rangkaian transistor Darlington ini sering dituliskan dengan notasi β
atau hFE.

Rangkaian transistor Darlington ditemukan pertama kali oleh Sidney Darlington yang
bekerja di Laboratorium Bell di Amerika Serikat. Jenis rangkaian hasil penemuannya
ini telah mendapatkan hak paten, dan banyak dipakai dalam pembuatan Sirkuit
terpadu (IC atau Integrated Circuits) chip. Jenis rangkaian yang mirip dengan
transistor Darlington adalah rangkaian pasangan Sziklai yang terdiri dari sepasang
transistor NPN dan PNP. Rangkaian Sziklai sering dikenal sebagai rangkaian
‘Complementary Darlington’ atau ‘rangkaian kebalikan dari Darlington’.

Transistor Darlington bersifat seolah-olah sebagai satu transistor tunggal yang

mempunyai penguatan arus yang tinggi.

Nilai penguatan total dari transistor Darlington bisa mencapai 1000 kali atau lebih.
Dari luar transistor Darlington nampak seperti transistor biasa dengan 3 buah kutub:
B (basis), C (Kolektor), dan E (Emitter). Dari segi tegangan listriknya, voltase base-
emitter rangkaian ini juga lebih besar, dan secara umum merupakan jumlah dari
kedua tegangan masing-masing transistornya, seperti nampak dalam rumus berikut:

VBE = VBE1 + VBE2

2. Kontruksi transistor
MATERI KULIAH
 Transistor Circuits ( 3 )

Transistor currents

The diagram shows the two current paths through a transistor. You can build this
circuit with two standard 5mm red LEDs and any general purpose low power
NPN transistor (BC108, BC182 or BC548 for example).

The small base current controls the larger collector current.

When the switch is closed a small current flows into the base (B) of the
transistor. It is just enough to make LED B glow dimly. The transistor amplifies
this small current to allow a larger current to flow through from its collector (C) to
its emitter (E). This collector current is large enough to make LED C light brightly.

When the switch is open no base current flows, so the transistor switches off
the collector current. Both LEDs are off.

A transistor amplifies current and can be used as a switch.

This arrangement where the emitter (E) is in the controlling circuit (base current) and in the
controlled circuit (collector current) is called common emitter mode. It is the most widely used
arrangement for transistors so it is the one to learn first.

Functional model of an NPN transistor

The operation of a transistor is difficult to explain and understand in terms of its

internal structure. It is more helpful to use this functional model:
 The base-emitter junction behaves like a diode.
 A base current IB flows only when the voltage VBE across the base-emitter
junction is 0.7V or more.
 The small base current IB controls the large collector current Ic.
 Ic = hFE × IB   (unless the transistor is full on and saturated)
hFE is the current gain (strictly the DC current gain), a typical value for h FE
is 100 (it has no units because it is a ratio)
 The collector-emitter resistance RCE is controlled by the base current IB:
o IB = 0   RCE = infinity   transistor off
o IB small   RCE reduced   transistor partly on
o IB increased   RCE = 0   transistor full on ('saturated')

Additional notes:
 A resistor is often needed in series with the base connection to limit the
base current IB and prevent the transistor being damaged.
 Transistors have a maximum collector current Ic rating.
 The current gain hFE can vary widely, even for transistors of the same
type!
 A transistor that is full on (with RCE = 0) is said to be 'saturated'.
  When a transistor is saturated the collector-emitter voltage V CE is reduced
to almost 0V.
 When a transistor is saturated the collector current Ic is determined by the
supply voltage and the external resistance in the collector circuit, not by
the transistor's current gain. As a result the ratio Ic/I B for a saturated
transistor is less than the current gain hFE.
 The emitter current IE = Ic + IB, but Ic is much larger than I B, so roughly IE =
Ic.

There is a table showing technical data for some popular transistors on the
transistors page.

Darlington pair

This is two transistors connected together so that the current amplified by the first
is amplified further by the second transistor. The overall current gain is equal to
the two individual gains multiplied together:

Darlington pair current gain, hFE = hFE1 × hFE2

(hFE1 and hFE2 are the gains of the individual transistors)

This gives the Darlington pair a very high current gain, such as 10000, so that
only a tiny base current is required to make the pair switch on.

A Darlington pair behaves like a single transistor with a very high current
gain. It has three leads (B, C and E) which are equivalent to the leads of a
standard individual transistor. To turn on there must be 0.7V across both the
base-emitter junctions which are connected in series inside the Darlington pair,
therefore it requires 1.4V to turn on.

Darlington pairs are available as complete packages but you can make up your
own from two transistors; TR1 can be a low power type, but normally TR2 will
need to be high power. The maximum collector current Ic(max) for the pair is the
same as Ic(max) for TR2.
 Touch switch circuit

A Darlington pair is sufficiently sensitive to respond to the small current passed

by your skin and it can be used to make a touch-switch as shown in the
diagram. For this circuit which just lights an LED the two transistors can be any
general purpose low power transistors. The 100k resistor protects the
transistors if the contacts are linked with a piece of wire.
Using a transistor as a switch

When a transistor is used as a switch it must be either OFF or fully ON. In the
fully ON state the voltage VCE across the transistor is almost zero and the
transistor is said to be saturated because it cannot pass any more collector
current Ic. The output device switched by the transistor is usually called the
'load'.

The power developed in a switching transistor is very small:

 In the OFF state: power = Ic × VCE, but Ic = 0, so the power is zero.

 In the full ON state: power = Ic × V CE, but VCE = 0 (almost), so the power is
very small.

This means that the transistor should not become hot in use and you do not need
to consider its maximum power rating. The important ratings in switching circuits
are the maximum collector current Ic(max) and the minimum current gain
hFE(min). The transistor's voltage ratings may be ignored unless you are using a
supply voltage of more than about 15V. There is a table showing technical data
for some popular transistors on the transistors page.

For information about the operation of a transistor please see the functional
model above.

Connecting a transistor to the output from an IC

Most ICs cannot supply large output currents so it may be necessary to use a
transistor to switch the larger current required for output devices such as lamps,
motors and relays. The 555 timer IC is unusual because it can supply a relatively
large current of up to 200mA which is sufficient for some output devices such as
low current lamps, buzzers and many relay coils without needing to use a
transistor.

A transistor can also be used to enable an IC connected to a low voltage supply

(such as 5V) to switch the current for an output device with a separate higher
voltage supply (such as 12V). The two power supplies must be linked, normally
this is done by linking their 0V connections. In this case you should use an NPN
transistor.

A resistor RB is required to limit the current flowing into the base of the transistor
and prevent it being damaged. However, R B must be sufficiently low to ensure
that the transistor is thoroughly saturated to prevent it overheating, this is
particularly important if the transistor is switching a large current (> 100mA). A
safe rule is to make the base current I B about five times larger than the value
which should just saturate the transistor.

Choosing a suitable NPN transistor

The circuit diagram shows how to connect an NPN transistor, this will switch on
the load when the IC output is high. If you need the opposite action, with the load
switched on when the IC output is low (0V) please see the circuit for a
PNP transistor below.

Using units in calculations

Remember to use V, A and or V, mA and k . For more details please see the Ohm's Law
page.
 1. The transistor's maximum collector current Ic(max) must be greater than
the load current Ic.
supply voltage Vs
load current Ic =  
load resistance RL
2. The transistor's minimum current gain h FE(min) must be at least five times
the load current Ic divided by the maximum output current from the IC.
  load current Ic  
hFE(min)  >   5 ×  
max. IC current
3. Choose a transistor which meets these requirements and make a note of
its properties: Ic(max) and hFE(min).
There is a table showing technical data for some popular transistors on the transistors
page.
4. Calculate an approximate value for the base resistor:
Vc × hFE    where Vc = IC supply voltage
RB =  
5 × Ic   (in a simple circuit with one supply this is Vs)
5. For a simple circuit where the IC and the load share the same power supply (Vc = Vs)
you may prefer to use: RB = 0.2 × RL × hFE

6. Then choose the nearest standard value for the base resistor.

7. Finally, remember that if the load is a motor or relay coil a protection diode
is required.

Example
The output from a 4000 series CMOS IC is required to operate a relay with a 100 coil.
The supply voltage is 6V for both the IC and load. The IC can supply a maximum current of 5mA.

1. Load current = Vs/RL = 6/100 = 0.06A = 60mA, so transistor must have Ic(max) > 60mA.
2. The maximum current from the IC is
5mA, so transistor must have hFE(min) >
60 (5 × 60mA/5mA).
3. Choose general purpose low power
transistor BC182 with Ic(max) = 100mA
and hFE(min) = 100.
4. RB = 0.2 × RL × hFE = 0.2 × 100 × 100 =
2000 . so choose RB = 1k8 or 2k2.
5. The relay coil requires a protection diode.

Choosing a suitable PNP

transistor
The circuit diagram shows how to
connect a PNP transistor, this will PNP transistor switch
switch on the load when the IC output is (load is on when IC output is low)
low (0V). If you need the opposite action, with
the load switched on when the IC output is
high please see the circuit for an
NPN transistor above.

The procedure for choosing a suitable PNP

transistor is exactly the same as that for an NPN
transistor described above.

LED lights when the LDR is dark

Using a transistor switch with
sensors

The top circuit diagram shows an LDR (light

sensor) connected so that the LED lights
when the LDR is in darkness. The variable
resistor adjusts the brightness at which the
transistor switches on and off. Any general
purpose low power transistor can be used in
this circuit.

The 10k fixed resistor protects the transistor

from excessive base current (which will
LED lights when the LDR is bright
destroy it) when the variable resistor is  
reduced to zero. To make this circuit switch at
a suitable brightness you may need to experiment with different values for the
fixed resistor, but it must not be less than 1k .

If the transistor is switching a load with a coil, such as a motor or relay,

remember to add a protection diode across the load.

The switching action can be inverted, so the LED lights when the LDR is
brightly lit, by swapping the LDR and variable resistor. In this case the fixed
resistor can be omitted because the LDR resistance cannot be reduced to zero.

Note that the switching action of this circuit is not particularly good because there
will be an intermediate brightness when the transistor will be partly on (not
saturated). In this state the transistor is in danger of overheating unless it is
switching a small current. There is no problem with the small LED current, but the
larger current for a lamp, motor or relay is likely to cause overheating.

Other sensors, such as a thermistor, can be used with this circuit, but they may
require a different variable resistor. You can calculate an approximate value for
the variable resistor (Rv) by using a multimeter to find the minimum and
maximum values of the sensor's resistance (Rmin and Rmax):
Variable resistor, Rv = square root of (Rmin × Rmax)

For example an LDR: Rmin = 100 , Rmax = 1M , so Rv = square root of (100 × 1M) = 10k .

You can make a much better switching circuit with sensors connected to a
suitable IC (chip). The switching action will be much sharper with no partly on

state.

A transistor inverter (NOT gate)

Inverters (NOT gates) are available on logic ICs but if you only require one
inverter it is usually better to use this circuit. The output signal (voltage) is the
inverse of the input signal:
 When the input is high (+Vs) the output is low (0V).
 When the input is low (0V) the output is high (+Vs).

Any general purpose low power NPN transistor can be used. For general use
RB = 10k and RC = 1k , then the inverter output can be connected to a device
with an input impedance (resistance) of at least 10k such as a logic IC or a 555
timer (trigger and reset inputs).
If you are connecting the inverter to a CMOS logic IC input (very high impedance) you
can increase RB to 100k and RC to 10k , this will reduce the current used by the
inverter.
This page explains the operation of transistors in circuits. Practical matters such as testing,
precautions when soldering and identifying leads are covered by the Transistors page.