Transistor

Dari Wikipedia bahasa Indonesia, ensiklopedia bebas

Langsung ke: navigasi, cari

Transistor adalah alat semikonduktor yang dipakai sebagai penguat, sebagai sirkuit pemutus dan
penyambung (switching), stabilisasi tegangan, modulasi sinyal atau sebagai fungsi lainnya.
Transistor dapat berfungsi semacam kran listrik, dimana berdasarkan arus inputnya (BJT) atau
tegangan inputnya (FET), memungkinkan pengaliran listrik yang sangat akurat dari sirkuit
sumber listriknya.

Transistor through-hole (dibandingkan dengan pita ukur sentimeter)

Pada umumnya, transistor memiliki 3 terminal. Tegangan atau arus yang dipasang di satu
terminalnya mengatur arus yang lebih besar yang melalui 2 terminal lainnya. Transistor adalah
komponen yang sangat penting dalam dunia elektronik modern. Dalam rangkaian analog,
transistor digunakan dalam amplifier (penguat). Rangkaian analog melingkupi pengeras suara,
sumber listrik stabil, dan penguat sinyal radio. Dalam rangkaian-rangkaian digital, transistor
digunakan sebagai saklar berkecepatan tinggi. Beberapa transistor juga dapat dirangkai
sedemikian rupa sehingga berfungsi sebagai logic gate, memori, dan komponen-komponen lainnya.

Daftar isi
[sembunyikan]
 1 Cara kerja semikonduktor
 2 Cara kerja transistor

 3 Jenis-jenis transistor
o 3.1 BJT

o 3.2 FET

[sunting] Cara kerja semikonduktor

Pada dasarnya, transistor dan tabung vakum memiliki fungsi yang serupa; keduanya mengatur
jumlah aliran arus listrik.

Untuk mengerti cara kerja semikonduktor, misalkan sebuah gelas berisi air murni. Jika sepasang
konduktor dimasukan kedalamnya, dan diberikan tegangan DC tepat dibawah tegangan
elektrolisis (sebelum air berubah menjadi Hidrogen dan Oksigen), tidak akan ada arus mengalir
karena air tidak memiliki pembawa muatan (charge carriers). Sehingga, air murni dianggap
sebagai isolator. Jika sedikit garam dapur dimasukan ke dalamnya, konduksi arus akan mulai
mengalir, karena sejumlah pembawa muatan bebas (mobile carriers, ion) terbentuk. Menaikan
konsentrasi garam akan meningkatkan konduksi, namun tidak banyak. Garam dapur sendiri
adalah non-konduktor (isolator), karena pembawa muatanya tidak bebas.

Silikon murni sendiri adalah sebuah isolator, namun jika sedikit pencemar ditambahkan, seperti
Arsenik, dengan sebuah proses yang dinamakan doping, dalam jumlah yang cukup kecil
sehingga tidak mengacaukan tata letak kristal silikon, Arsenik akan memberikan elektron bebas
dan hasilnya memungkinkan terjadinya konduksi arus listrik. Ini karena Arsenik memiliki 5 atom
di orbit terluarnya, sedangkan Silikon hanya 4. Konduksi terjadi karena pembawa muatan bebas
telah ditambahkan (oleh kelebihan elektron dari Arsenik). Dalam kasus ini, sebuah Silikon tipe-n
(n untuk negatif, karena pembawa muatannya adalah elektron yang bermuatan negatif) telah
terbentuk.

Selain dari itu, silikon dapat dicampur dengan Boron untuk membuat semikonduktor tipe-p.
Karena Boron hanya memiliki 3 elektron di orbit paling luarnya, pembawa muatan yang baru,
dinamakan "lubang" (hole, pembawa muatan positif), akan terbentuk di dalam tata letak kristal
silikon.

Dalam tabung hampa, pembawa muatan (elektron) akan dipancarkan oleh emisi thermionic dari
sebuah katode yang dipanaskan oleh kawat filamen. Karena itu, tabung hampa tidak bisa
membuat pembawa muatan positif (hole).

Dapat disimak bahwa pembawa muatan yang bermuatan sama akan saling tolak menolak,
sehingga tanpa adanya gaya yang lain, pembawa-pembawa muatan ini akan terdistribusi secara
merata di dalam materi semikonduktor. Namun di dalam sebuah transistor bipolar (atau diode
junction) dimana sebuah semikonduktor tipe-p dan sebuah semikonduktor tipe-n dibuat dalam
satu keping silikon, pembawa-pembawa muatan ini cenderung berpindah ke arah sambungan P-
N tersebut (perbatasan antara semikonduktor tipe-p dan tipe-n), karena tertarik oleh muatan yang
berlawanan dari seberangnya.

Kenaikan dari jumlah pencemar (doping level) akan meningkatkan konduktivitas dari materi
semikonduktor, asalkan tata-letak kristal silikon tetap dipertahankan. Dalam sebuah transistor
bipolar, daerah terminal emiter memiliki jumlah doping yang lebih besar dibandingkan dengan
terminal basis. Rasio perbandingan antara doping emiter dan basis adalah satu dari banyak faktor
yang menentukan sifat penguatan arus (current gain) dari transistor tersebut.

Jumlah doping yang diperlukan sebuah semikonduktor adalah sangat kecil, dalam ukuran satu
berbanding seratus juta, dan ini menjadi kunci dalam keberhasilan semikonduktor. Dalam sebuah
metal, populasi pembawa muatan adalah sangat tinggi; satu pembawa muatan untuk setiap atom.
Dalam metal, untuk mengubah metal menjadi isolator, pembawa muatan harus disapu dengan
memasang suatu beda tegangan. Dalam metal, tegangan ini sangat tinggi, jauh lebih tinggi dari
yang mampu menghancurkannya. Namun, dalam sebuah semikonduktor hanya ada satu
pembawa muatan dalam beberapa juta atom. Jumlah tegangan yang diperlukan untuk menyapu
pembawa muatan dalam sejumlah besar semikonduktor dapat dicapai dengan mudah. Dengan
kata lain, listrik di dalam metal adalah inkompresible (tidak bisa dimampatkan), seperti fluida.
Sedangkan dalam semikonduktor, listrik bersifat seperti gas yang bisa dimampatkan.
Semikonduktor dengan doping dapat dirubah menjadi isolator, sedangkan metal tidak.

Gambaran di atas menjelaskan konduksi disebabkan oleh pembawa muatan, yaitu elektron atau
lubang, namun dasarnya transistor bipolar adalah aksi kegiatan dari pembawa muatan tersebut
untuk menyebrangi daerah depletion zone. Depletion zone ini terbentuk karena transistor tersebut
diberikan tegangan bias terbalik, oleh tegangan yang diberikan di antara basis dan emiter. Walau
transistor terlihat seperti dibentuk oleh dua diode yang disambungkan, sebuah transistor sendiri
tidak bisa dibuat dengan menyambungkan dua diode. Untuk membuat transistor, bagian-
bagiannya harus dibuat dari sepotong kristal silikon, dengan sebuah daerah basis yang sangat
tipis.

[sunting] Cara kerja transistor

Dari banyak tipe-tipe transistor modern, pada awalnya ada dua tipe dasar transistor, bipolar
junction transistor (BJT atau transistor bipolar) dan field-effect transistor (FET), yang masing-
masing bekerja secara berbeda.

Transistor bipolar dinamakan demikian karena kanal konduksi utamanya menggunakan dua
polaritas pembawa muatan: elektron dan lubang, untuk membawa arus listrik. Dalam BJT, arus
listrik utama harus melewati satu daerah/lapisan pembatas dinamakan depletion zone, dan
ketebalan lapisan ini dapat diatur dengan kecepatan tinggi dengan tujuan untuk mengatur aliran
arus utama tersebut.

FET (juga dinamakan transistor unipolar) hanya menggunakan satu jenis pembawa muatan
(elektron atau hole, tergantung dari tipe FET). Dalam FET, arus listrik utama mengalir dalam
satu kanal konduksi sempit dengan depletion zone di kedua sisinya (dibandingkan dengan
transistor bipolar dimana daerah Basis memotong arah arus listrik utama). Dan ketebalan dari
daerah perbatasan ini dapat dirubah dengan perubahan tegangan yang diberikan, untuk
mengubah ketebalan kanal konduksi tersebut. Lihat artikel untuk masing-masing tipe untuk
penjelasan yang lebih lanjut.

[sunting] Jenis-jenis transistor

PNP P-channel
 NPN N-channel

BJT JFET

Simbol Transistor dari Berbagai Tipe

Secara umum, transistor dapat dibeda-bedakan berdasarkan banyak kategori:

 Materi semikonduktor: Germanium, Silikon, Gallium Arsenide

 Kemasan fisik: Through Hole Metal, Through Hole Plastic, Surface Mount, IC, dan lain-
lain
 Tipe: UJT, BJT, JFET, IGFET (MOSFET), IGBT, HBT, MISFET, VMOSFET,
MESFET, HEMT, SCR serta pengembangan dari transistor yaitu IC (Integrated Circuit)
dan lain-lain.
 Polaritas: NPN atau N-channel, PNP atau P-channel
 Maximum kapasitas daya: Low Power, Medium Power, High Power
 Maximum frekwensi kerja: Low, Medium, atau High Frequency, RF transistor,
Microwave, dan lain-lain
 Aplikasi: Amplifier, Saklar, General Purpose, Audio, Tegangan Tinggi, dan lain-lain

[sunting] BJT

BJT (Bipolar Junction Transistor) adalah salah satu dari dua jenis transistor. Cara kerja BJT
dapat dibayangkan sebagai dua dioda yang terminal positif atau negatifnya berdempet, sehingga
ada tiga terminal. Ketiga terminal tersebut adalah emiter (E), kolektor (C), dan basis (B).

Perubahan arus listrik dalam jumlah kecil pada terminal basis dapat menghasilkan perubahan
arus listrik dalam jumlah besar pada terminal kolektor. Prinsip inilah yang mendasari
penggunaan transistor sebagai penguat elektronik. Rasio antara arus pada koletor dengan arus
pada basis biasanya dilambangkan dengan β atau hFE. β biasanya berkisar sekitar 100 untuk
transistor-transisor BJT.

[sunting] FET

FET dibagi menjadi dua keluarga: Junction FET (JFET) dan Insulated Gate FET (IGFET)
atau juga dikenal sebagai Metal Oxide Silicon (atau Semiconductor) FET (MOSFET). Berbeda
dengan IGFET, terminal gate dalam JFET membentuk sebuah dioda dengan kanal (materi
semikonduktor antara Source dan Drain). Secara fungsinya, ini membuat N-channel JFET
menjadi sebuah versi solid-state dari tabung vakum, yang juga membentuk sebuah dioda antara
antara grid dan katode. Dan juga, keduanya (JFET dan tabung vakum) bekerja di "depletion
mode", keduanya memiliki impedansi input tinggi, dan keduanya menghantarkan arus listrik
dibawah kontrol tegangan input.

FET lebih jauh lagi dibagi menjadi tipe enhancement mode dan depletion mode. Mode
menandakan polaritas dari tegangan gate dibandingkan dengan source saat FET menghantarkan listrik.
Jika kita ambil N-channel FET sebagai contoh: dalam depletion mode, gate adalah negatif dibandingkan
dengan source, sedangkan dalam enhancement mode, gate adalah positif. Untuk kedua mode, jika
tegangan gate dibuat lebih positif, aliran arus di antara source dan drain akan meningkat. Untuk P-
channel FET, polaritas-polaritas semua dibalik. Sebagian besar IGFET adalah tipe enhancement mode,
dan hampir semua JFET adalah tipe depletion mode.

http://id.wikipedia.org/wiki/Transistor

TRANSISTOR
3.1 Karakteristik Input

Transistor adalah komponen aktif yang menggunakan aliran electron sebagai prinsip kerjanya
didalam bahan. Sebuah transistor memiliki tiga daerah doped yaitu daerah emitter, daerah basis
dan daerah disebut kolektor. Transistor ada dua jenis yaitu NPN dan PNP. Transistor memiliki
dua sambungan: satu antara emitter dan basis, dan yang lain antara kolektor dan basis. Karena
itu, sebuah transistor seperti dua buah dioda yang saling bertolak belakang yaitu dioda emitter-
basis, atau disingkat dengan emitter dioda dan dioda kolektor-basis, atau disingkat dengan dioda
kolektor.

Bagian emitter-basis dari transistor merupakan dioda, maka apabila dioda emitter-basis dibias
maju maka kita mengharapkan akan melihat grafik arus terhadap tegangan dioda biasa. Saat
tegangan dioda emitter-basis lebih kecil dari potensial barriernya, maka arus basis (Ib) akan
kecil. Ketika tegangan dioda melebihi potensial barriernya, arus basis (Ib) akan naik secara
cepat.

3.2 Percobaan Karakteristik Input

Tujuan dari percobaan ini adalah untuk mengukur arus basis Ib sebagai fungsi Vbe (karakteristik
input transistor).

Dari tujuan percobaan diatas, maka langkah-langkah yang harus dilakukan adalah sebagai
berikut :
 Langkah pertama yaitu gunakan transistor NPN kemudian rangkailah seperti pada
Gambar 3.1 dimana sumber tegangan diberikan setelah rangkaian selesai.
 Gambar 3.1 Rangkaian percobaan karakteristik input transistor NPN
 Setelah diberi sumber tegangan maka akan terbentuk grafik Ib fungsi Vbe pada layar
oscilloscope, dapat dilihat pada Gambar 3.2.

Gambar 3.2 Grafik Ib fungsi Vbe pada transistor NPN

 Grafik diatas terlihat seperti grafik dioda biasa, hal ini dikarenakan dioda emitter-basis
dibias maju sehingga perubahan arus emitter menurut tegangan emitter ke basis akan
serupa dengan karakteristik maju dari dioda hubungan p-n.
 Saat tegangan dioda emitter-basis lebih kecil dari potensial barriernya, maka arus basis
(Ib) akan kecil. Ketika tegangan dioda melebihi potensial barriernya, arus basis (Ib) akan
naik secara cepat.
  Setelah mengetahui karakteristik input transistor NPN, sekarang gunakan transistor PNP
dan rangkailah seperti pada Gambar 3.3 dimana sumber tegangan diberikan setelah
rangkaian selesai.

Gambar 3.3 Rangkaian percobaan karakteristik input transistor PNP

 Setelah diberi sumber tegangan maka akan terbentuk grafik Ib fungsi Vbe yang serupa
dengan grafik transistor NPN tetapi arahnya berlawanan.

3.3 Karakteristik Output

Sebuah transistor memiliki empat daerah operasi yang berbeda yaitu daerah aktif, daerah
saturasi, daerah cutoff, dan daerah breakdown. Jika transistor digunakan sebagai penguat,
transistor bekerja pada daerah aktif. Jika transistor digunakan pada rangkaian digital, transistor
biasanya beroperasi pada daerah saturasi dan cutoff. Daerah breakdown biasanya dihindari
karena resiko transistor menjadi hancur terlalu besar.

3.4 Percobaan Karakteristik Output

Tujuan dari percobaan ini adalah untuk mengukur arus kolektor Ic sebagai fungsi Vce
(karakteristik output)

Dari tujuan percobaan diatas, maka langkah-langkah yang harus dilakukan adalah sebagai
berikut :
 Langkah pertama yaitu gunakan transistor NPN dan rangkailah seperti pada Gambar 3.4
dimana sumber tegangan diberikan setelah rangkaian selesai.
 Gambar 3.4 Rangkaian percobaan karakteristik output transistor NPN
 Setelah diberi sumber tegangan maka akan terbentuk grafik Ic fungsi Vce pada layar
oscilloscope, dapat dilihat pada Gambar 3.5.

Gambar 3.5 Grafik Ic fungsi Vce pada transistor NPN

 Grafik diatas memiliki daerah yang berbeda dimana kerja transistor berubah. Pertama,
terdapat bagian naik diawal kurva. Bagian miring kurva ini disebut dengan daerah
saturasi. Pada daerah ini, dioda kolektor tidak memiliki tegangan positif yang cukup
untuk mengumpulkan semua elektron bebas yang diinjeksikan ke basis. Pada daerah ini,
arus basis Ib lebih besar daripada normalnya dan gain arus �dc lebih kecil daripada
normalnya.
 Kedua, ada daerah ditengah dimana daerah ini merupakan daerah kerja normal transistor.
Pada daerah ini, dioda emitter terbiasmajukan dan dioda kolektor terbiasbalikkan. Lebih
lanjut, kolektor mengumpulkan hampir semua elektron yang dikirimkan emitter ke basis.
Inilah mengapa perubahan pada tegangan kolektor tidak berpengaruh pada arus kolektor.
Daerah ini disebut sebagai daerah aktif. Secara grafis, daerah aktif adalah bagian
horizontal dari kurva. Dengan katalain, arus kolektor konstan pada daerah ini.
 Ada juga daerah operasi lain yang disebut sebagai daerah breakdown. Transistor tidak
boleh beroperasi pada daerah ini karena akan rusak. Tidak seperti dioda zener yang
teroptimasisasi pada operasi breakdown, transistor tidak dimaksudkan untuk bekerja di
daerah breakdown.
 Setelah mengetahui karakteristik output transistor NPN, sekarang gunakan transistor PNP
dan rangkailah seperti pada Gambar 3.6 dimana sumber tegangan diberikan setelah
rangkaian selesai.
 Gambar 3.6 Rangkaian percobaan karakteristik output transistor PNP
 Setelah diberi sumber tegangan maka akan terbentuk grafik Ic fungsi Vce yang serupa
dengan grafik transistor NPN tetapi arahnya berlawanan.

3.5 Karakteristik Transfer Transistor (�)

Parameter � dari transistor merupakan perolehan arus maksimum yang dapat diperoleh kalau
transistor bekerja dalam ragam umum emitter (CE). Beta dc (disimbolkan �dc) sebuah
transistor didefinisikan sebagai rasio arus kolektor dc dengan arus basis dc. Beta dc juga dikenal
sebagai gain arus karena arus basis yang kecil dapat menghasilkan arus kolektor yang jauh lebih
besar.

3.6 Percobaan Karakteristik Transfer Transistor

Tujuan dari percobaan ini adalah untuk mengukur arus kolektor Ic sebagai fungsi Ib
(karakteristik transfer transistor).

Dari tujuan percobaan diatas, maka langkah-langkah yang harus dilakukan adalah sebagai
berikut :
 Langkah pertama yaitu merangkai rangkaian seperti pada Gambar 3.7 dimana sumber
tegangan diberikan setelah rangkaian selesai.
 Gambar 3.7 Rangakaian karakteristik transfer transistor
 Saat sumber tegangan di berikan pada rangkaian tersebut kondisi transistor pada saat itu
belum aktif, hal ini disebabkan transistor belum terpicu.
 Setelah diberi sumber tegangan, untuk mengaktifkan transistor dilakukan pemicuan
dengan mengatur potensiometer sampai didapatkan arus Ic.
 Kemudian ukurlah arus Ic dengan mengubah-ubah arus basisnya (Ib). Arus Ib diubah-
ubah dengan potensiometer.

3.7 Transistor sebagai saklar

Bias basis berguna didalam rangkaian-rangkaian digital karena rangkaian tersebut biasanya
dirancang untuk beroperasi didaerah jenuh dan cutoff. Oleh sebab itu, mereka memiliki tegangan
keluaran rendah ataupun tegangan keluran tinggi. Rangkaian digital sering dinamakan rangkaian
saklar karena titik Q berubah diantara dua titik pada garis beban yaitu daerah jenuh dan cutoff.

3.8 Percobaan Transistor sebagai saklar

Tujuan dari percobaan ini adalah untuk mengaplikasikan transistor sebagai saklar.

Dari tujuan percobaan diatas, maka langkah-langkah yang harus dilakukan adalah sebagai
berikut :
 Langkah pertama yaitu merangkai rangkaian seperti pada Gambar 3.8 dimana sumber
tegangan diberikan setelah rangkaian selesai.
 Gambar 3.8 Rangkaian percobaan transistor sebagai saklar
 Saat sumber tegangan di berikan pada rangkaian tersebut kondisi transistor pada saat itu
belum aktif, hal ini disebabkan transistor belum terpicu. Transistor belum terpicu karena
saklar off sehingga tidak ada arus yang mengalir (transistor dalam keadaan cut off).
 Untuk mengaktifkan transistor, dilakukan pemicuan dengan menggunakan saklar
sehingga lampu akan menyala. Pada saat saklar on maka akan ada arus yang mengalir ke
basis yang kemudian akan dikuatkan oleh transistor sehingga dapat menyalakan lampu.

http://elka.brawijaya.ac.id/praktikum/de/de.php?page=3

Transistor Darlington
Dari Wikipedia bahasa Indonesia, ensiklopedia bebas

Langsung ke: navigasi, cari

Artikel ini perlu dirapikan agar memenuhi standar Wikipedia
Merapikan artikel bisa berupa membagi artikel ke dalam paragraf atau wikifikasi artikel. Setelah dirapikan,
tolong hapus pesan ini.

Transistor Darlington adalah rangkaian elektronika yang terdiri dari sepasang transistor bipolar
(dwi kutub) yang tersambung secara tandem (seri). Sambungan seri seperti ini dipakai untuk
mendapatkan penguatan (gain) yang tinggi, karena hasil penguatan pada transistor yang pertama
akan dikuatkan lebih lanjut oleh transistor kedua. Keuntungan dari rangkaian Darlington adalah
penggunaan ruang yang lebih kecil dari pada rangkaian dua buah transistor biasa dengan bentuk
konfigurasi yang sama. Penguatan arus listrik atau gain dari rangkaian transistor Darlington ini
sering dituliskan dengan notasi β atau hFE.

Rangkaian transistor Darlington ditemukan pertama kali oleh Sidney Darlington yang bekerja di
Laboratorium Bell di Amerika Serikat. Jenis rangkaian hasil penemuannya ini telah mendapatkan
hak paten, dan banyak dipakai dalam pembuatan Sirkuit terpadu (IC atau Integrated Circuits)
chip. Jenis rangkaian yang mirip dengan transistor Darlington adalah rangkaian pasangan Sziklai
yang terdiri dari sepasang transistor NPN dan PNP. Rangkaian Sziklai sering dikenal sebagai
rangkaian 'Complementary Darlington' atau 'rangkaian kebalikan dari Darlington'.

Transistor Darlington bersifat seolah-olah sebagai satu transistor tunggal yang mempunyai
penguatan arus yang tinggi. Penguatan total dari rangkaian ini merupakan hasil kali dari
penguatan masing-masing transistor yang dipakai:

Dan

Jika rangkaian dipakai dalam moda tunggal emitor maka RE adalah nol dan Nilai

dan

penguatan total dari transistor Darlington bisa mencapai 1000 kali atau lebih. Dari luar transistor
Darlington nampak seperti transistor biasa dengan 3 buah kutub: B (basis), C (Kolektor), dan E
(Emitter). Dari segi tegangan listriknya, voltase base-emitter rangkaian ini juga lebih besar, dan
secara umum merupakan jumlah dari kedua tegangan masing-masing transistornya, seperti
nampak dalam rumus berikut:

VBE = VBE1 + VBE2

http://id.wikipedia.org/wiki/Transistor_Darlington

Transistor
Ditulis oleh Shato pada 26 December 2008
1 komentar saja
Item ini ditulis di dalam Electronics
Bagikan  ShareThis
Transistor berasal dari kata trans-fer dan re-sistor yang kurang lebih artinya adalah pengubahan

tahanan atau menjadikan bahan yang bukan penghantar menjadi penghantar yaitu dari bahan

setengah penghantar menjadi penghantar pada temperatur tertentu .

Setelah diketahui sifat dioda semikonduktor yaitu arus melaluinya dapat dikontrol oleh suatu

elektroda yang ditambahkan pada junction-nya. Dengan penambahan tadi, maka dioda

semikonduktor dapat dianggap menjadi dua dioda yang mempunyai satu elektroda sebagai

elektroda bersama. Penambahan elektroda pengontrol terhadap dioda menghasilkan transistor

bipolar dan biasanya dilakukan dengan cara mempertemukan dua buah dioda semikonduktor

yang titik temunya harus pada elektroda sejenis, sehingga dapat dianggap sebagai dua dioda yang

salig berhadapan atau bertolak belakang. Dengan memilih elektroda pengontrol dari tipe N atau

tipe P sebagai elektroda persekutuan antara dua buah dioda yang dipertemukan maka

menghasilkan transistor PNP atau transistor NP

http://shatomedia.com/2008/12/transistor/

Aplikasi transistor tidak hanya dibatasi pada penguatan sinyal saja. Tetapi dapat juga
diaplikasikan sebagai sebuah saklar (switch) pada komputer atau peralatan kontrol lainnya. Saat
transistor berada dalam kondisi saturasi, berarti transistor tersebut merupakan saklar tertutup
dari kolektor ke emitor. Jika transistor tersumbat (cut off) berarti transistor seperti sebuah
saklar yang terbuka”. Rangkaian switching transistor ditunjukkan pada gambar berikut ini :
Gambar (a) Rangkaian Transistor sebagai Penyaklar
(b) Penggambaran Transistor yang Lazim
(c) Garis Beban DC

Tegangan disekitar loop input memberikan :

IB.RB + VBE – VBB = 0 Persamaan (1)
sehingga diperoleh :
IB = (VBB - VBE)/ RB Persamaan (2)

Gambar (b) menjelaskan karakteristik transistor sebagai saklar. Pada saat VBB / VS yang
masuk melalui RB negatif, maka sambungan basis-emitor mendapat bias mundur dan
mengakibatkan transistor menjadi cut off sehingga secara ideal tidak ada arus kolektor yang
mengalir. Hal ini juga terjadi bila VS sama dengan nol. Jika VS positif dan lebih besar dari turn-
on voltage, maka sambungan basis-emitor akan mendapat bias maju. Pada saat VS mencapai
tegangan sekitar 0,5 – 0,7 V, transistor akan aktif, dan jika dinaikkan terus transistor akan
mengalami kejenuhan/saturasi. Dalam kondisi ini secara ideal besarnya VCE sama dengan nol
dan dalam kondisi jenuh, penambahan VS tidak akan berpengaruh lagi pada nilai VCE.
Berdasarkan prinsip kerja tersebut, maka switching transistor dapat digunakan sebagai
pengemudi aliran arus listrik untuk mengendalikan motor.

http://tutorial-elektronika.blogspot.com/2009/03/rangkaian-aplikasi-transistor-sebagai.html