Pokok Bahasan 5:

Field Effect Transistors

(FET)
 Pendahuluan
Bipolar Junction Transistor (BJT) bergantung pada dua jenis muatan:
elektron bebas dan hole. Inilah mengapa disebut bipolar: Prefiks bi
berarti "dua". Bab ini akan membahas transistor jenis lain yang disebut
Feld-Effect Transistor (FET). Alat ini bersifat unipolar karena
pengoperasiannya hanya bergantung pada satu jenis muatan, baik
elektron bebas maupun hole. Dengan kata lain, FET memiliki majority
carriers tetapi tidak memiliki minority carriers.
Untuk sebagian besar aplikasi, BJT adalah perangkat yang disukai.
Tetapi ada beberapa aplikasi di mana FET lebih cocok karena
impedansi masukannya yang tinggi dan sifat lainnya. Selain itu, FET
adalah perangkat pilihan untuk sebagian besar switching applications.
Mengapa? Karena tidak ada minority carriers di FET. Sehingga dapat
switch off lebih cepat karena tidak ada muatan yang disimpan harus
dikeluarkan dari area junction.
Ada dua jenis transistor unipolar: JFET dan MOSFET..
 Types of Field Effect Transistors
Bipolar junction transistor (BJT) adalah piranti yang dikendalikan
arus, yaitu karakteristik output dikendalikan oleh arus base dan
bukan oleh tegangan base.
Namun, dalam field effect transistor (FET), karakteristik output
dikendalikan oleh tegangan input (yaitu medan listrik) dan bukan
oleh arus input. Ini mungkin perbedaan terbesar antara BJT dan
FET.
Ada dua tipe transistor field effect transistors:
a) Junction field effect transistor (JFET)
b) Metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET)
Untuk memulainya, kita akan mempelajari tentang JFET dan
kemudian menyempurnakan bentuk JFET, yaitu; MOSFET.
 Constructional details
JFET terdiri dari batang silikon tipe-p atau tipe-n yang berisi dua pn-
junction di sisi-sisinya.
 Constructional details
Saluran konduksi bentuk batang untuk pembawa muatan.
Jika batang bertipe-n, maka disebut JFET n-channel sebaliknya batang
tipe-p, disebut JFET p-channel
Dua pn junction yang membentuk dioda dihubungkan secara internal
dan terhubung ke common terminal yang disebut gate.
Terminal lain adalah source dan drain, jadi JFET memiliki tiga terminal
yaitu, gate (G), source (S) dan drain (D).
 JFET polarities
Tegangan antara gate dan source sedemikian rupa sehingga gate di
bias reverse.
Ini adalah cara yang normal untuk koneksi JFET.
Terminal drain dan source dapat saling dipertukarkan, yaitu salah satu
ujung dapat digunakan sebagai source dan ujung lainnya sebagai
drain.
 JFET polarities

Poin-poin yang perlu diperhatikan :

a) Rangkaian input (gate - source) dari suatu JFET adalah di bias
reverse. Ini berarti bahwa piranti mempunyai impedansi input
yang tinggi.
b) Drain di bias sedemikian rupa sehingga mengalirkan arus ID dari
source ke drain.
c) Pada seluruh JFETs, arus source IS adalah sama dengan arus
drain, yaitu IS = ID.
.
 Principle and Working of JFET

Dua pn junction di sisi-sisinya membentuk dua depletion layers.

Konduksi arus oleh pembawa muatan (elektron bebas) melalui kanal antara
dua depletion layers, dan keluar dari kanal drain.
Lebar dan resistansi kanal ini dapat dikontrol dengan mengubah tegangan
input VGS.
Semakin besar tegangan reverse VGS, semakin lebar depletion layer, dan
kanal konduksi semakin sempit.
Kanal yang lebih sempit berarti resistansi yang lebih besar, sehingga arus
source ke drain berkurang.
Pembalikan akan terjadi jika VGS menurun.
Jadi JFET beroperasi dengan prinsip bahwa lebar dan resistansi kanal
konduksi dapat bervariasi dengan mengubah tegangan reverse VGS.
Dengan kata lain, besarnya arus drain (ID) dapat diubah dengan mengubah
VGS.
 Cara kerja JFET

a) Ketika tegangan VDS diberikan antara drain dan source dan

tegangan pada gate adalah nol, maka dua pn junction di sisi-
sisinya membentuk depletion layers. Elektron akan mengalir dari
source ke drain melalui kanal antara depletion layer. Ukuran layer
ini akan menentukan lebar kanal, dan karenanya konduksi arus
melalui bar.
 Cara kerja JFET

b) Ketika tegangan reverse VGS diberikan antara gate dan source,

maka lebar depletion layers meningkat. Hal ini akan mengurangi
lebar kanal konduksi, sehingga meningkatkan resistansi keping
tipe-n. Akibatnya arus dari source ke drain berkurang.
Di sisi lain, jika tegangan reverse pada gate berkurang, lebar
depletion layers juga berkurang. Hal ini akan meningkatkan lebar
kanal konduksi, dan karenanya, arus mengalir dari source ke
drain.
 Cara kerja JFET

Dari uraian diatas, bahwa arus dari source ke drain dapat di kontrol
oleh tegangan pada gate (medan listrik).
Dengan alasan ini, piranti disebut field effect transistor.
Dapat dicatat bahwa operasi p-channel JFET adalah sama
sebagaimana n-channel JFET, kecuali bahwa kanal pembawa arus
adalah holes dan polaritas VGS dan VDS dibalik.

Catatan. Jika tegangan reverse VGS pada gate terus meningkat,

sampai keadaan dimana kedua depletion layer saling bersentuhan dan
kanal cut off. Dalam kondisi seperti itu, kanal menjadi non-konduktor.
 Schematic Symbol
Garis vertikal pada simbol dapat dianggap sebagai kanal yang
menghubungkan source (S) dan drain (D) yang segaris.
Jika kanal tipe-n, panah pada gate menunjuk ke arah kanal.
Sebaliknya, untuk kanal tipe-p, panah pada gate menunjuk keluar
kanal.
 Importance of JFET
JFET bertindak seperti piranti yang dikendalikan tegangan, yaitu
tegangan input (VGS) mengontrol arus output.
Ini berbeda dengan transistor biasa (atau transistor bipolar) di mana
arus input mengontrol arus output.
JFET adalah piranti semikonduktor yang bertindak seperti vacum
tube.
Kebutuhan akan JFET muncul karena peralatan elektronik modern
menjadi semakin transistorised, dimana terdapat banyak fungsi yang
tidak tergantikan oleh transistor.
Berkat JFET, piranti elektronik saat ini sudah seluruhnya solid state.
Sebagai penguat, JFET memiliki impedansi input yang lebih tinggi,
menimbulkan noise yang lebih kecil dan memiliki ketahanan yang
lebih besar terhadap radiasi nuklir.
 Difference Between JFET and Bipolar Transistor

JFET berbeda dari transistor bipolar dalam beberapa hal berikut:

a) JFET hanya ada satu jenis carrier, holes pada channel p-type dan
electrons pada channel n-type. Sehingga JFET juga disebut unipolar
transistor. Meskipun pada transistor biasa, holes dan electrons
berperan bersama dalam konduksi.
b) Rangkaian input JFET (gate-source) di bias reverse, sehingga memiliki
impedansi input tinggi, sedangkan pada transistor di bias forward,
sehingga memiliki impedance input yang rendah.
 Difference Between JFET and Bipolar Transistor

c) Perbedaan fungsional utama antara JFET dan BJT adalah tidak ada
arus (sangat-sangat kecil sekali) masuk ke gate (IG = 0 A). Namun,
arus base pada BJT ada meskipun kecil orde µA, sementara arus gate
JFET seperseribu kali lebih kecil.
 Difference Between JFET and Bipolar Transistor

d) Transistor bipolar menggunakan arus base untuk mengontrol arus

yang besar antara collector dan emitter, sedangkan JFET
menggunakan tegangan gate (= base) untuk mengontrol arus antara
drain (= collector) and source (= emitter). Jadi gain transistor bipolar
ditandai dengan current gain, sedangkan gain pada JFET ditandai
dengan transconductance, yaitu rasio dari perubahan arus output
(arus drain) terhadap tegangan input (tegangan gate).
e) Pada JFET, tidak ada junction seperti pada transistor, konduksinya
melalui material semi-conductor n-type atau p-type. Hal ini
menyebabkan level noise pada JFET sangat kecil.
 JFET as an Amplifier
Signal yang lemah antara gate dan source, diperkuat ke rangkaian
output drain-source.
Rangkaian input harus di bias reverse, dengan menyelipkan battery VGG
pada gate, yang dikenal dengan rangkaian biasing.
Perubahan kecil pada bias reverse pada
gate akan menghasilkan perubahan yang
besar pada arus drain.
Selama setengah siklus positif
signal, bias reverse pada gate
berkurang.
Hal ini meningkatkan lebar kanal
dan arus drain.
 JFET as an Amplifier

Selama setengah siklus negatif signal, tegangan reverse pada

gate meningkat, dan arus drain berkurang.
Perubahan kecil tegangan di gate menghasilkan perubahan besar
arus drain.
Variasi yang besar dari arus drain menghasilkan output yang
besar pada beban RL.
Dengan cara ini, JFET bertindak sebagai amplifier.
 Karakteristik Output JFET

Karakteristik Output JFET adalah kurva antara arus drain (ID) dan
tegangan drain-source (VDS) pada tegangan gate source (VGS) konstan.
Gambar rangkaian dibawah adalah untuk menentukan karakteristik
output JFET.
Dengan menjaga VGS tetap pada beberapa harga, misalnya 1 V, 2 V dan
3 V, maka dapat digambarkan karakteristik output JFET.
 Karakteristik Output JFET

Berikut adalah beberapa hal terkait karakteristik :

a) Pertama, arus drain ID meningkat pesat dengan bertambahnya
tegangan drain-source VDS, tetapi kemudian menjadi constant.
Nilai tegangan drain-source dimana arus drain menjadi konstan
dikenal sebagai tegangan pinch off. Sehingga OA adalah
tegangan pinch off.
b) Setelah tegangan pinch off, lebar kanal menjadi sangat sempit
sehingga depletion layers hampir saling bersentuhan. Arus drain
melewati bagian kecil di antara layers. Oleh karena itu,
peningkatan arus drain sangat kecil dengan VDS diatas
tegangan pinch off. Alhasil, arus drain tetap konstan.
 Fitur Penting JFET
Berikut ini adalah beberapa fitur penting JFET:
a) JFET adalah perangkat semikonduktor tiga terminal yang dikendalikan
tegangan, yaitu tegangan input mengontrol karakteristik output.
b) JFET selalu dioperasikan pada bias reverse pada pn junction gate-source.
c) Pada JFET, arus gate adalah nol, yaitu IG = 0 A.
d) Karena tidak ada arus gate, maka ID = IS.
e) JFET harus dioperasikan antara VGS dan VGS (off). Untuk rentang tegangan
gate-ke-source ini, ID akan bervariasi dari maksimum IDSS hingga minimum
hampir nol.
f) Karena kedua gate berada pada potensial yang sama, maka kedua depletion
layers melebar atau menyempit dengan nominal yang sama.
g) Arus drain ID dikontrol dengan mengubah lebar kanal.
h) Karena JFET tidak memiliki arus gate, maka tidak ada peringkat β, dan ID
dapat ditentukan dengan persamaan.
 Istilah Penting
Dalam analisis rangkaian JFET, istilah penting berikut sering digunakan:
1. Arus drain shorted-gate (IDSS)
2. Tegangan Pinch off (VP)
3. Tegangan cut off gate-source [VGS (off)]

1. Arus drain shorted-gate (IDSS).

Adalah arus drain dimana source ke gate dihubung-singkat (VGS = 0),
dan tegangan drain-source (VDS) sama dengan tegangan pinch off.
Hal ini terkadang disebut juga arus zero-bias.
2. Tegangan Pinch off (VP).
Adalah tegangan drain-source minimum dimana arus drain menjadi
konstan.
3. Tegangan cut off gate-source VGS (off)
Adalah tegangan gate-source dimana kanal benar-benar terputus
dan arus drain menjadi nol.
Catatan:
a) Menarik untuk dicatat bahwa VGS (off) akan selalu memiliki nilai
magnitudo yang sama dengan VP. Misalnya jika VP = 6 V, maka
VGS (off) = − 6 V. Kedua nilai ini selalu sama dan berlawanan.
b) Ada perbedaan yang jelas antara VP dan VGS (off) . Perhatikan bahwa
VP adalah nilai VDS yang menyebabkan JFET menjadi piranti arus
konstan. Hal ini diukur pada VGS = 0 V dan akan memiliki arus drain
konstan = IDSS. Namun, VGS (off) adalah nilai VGS yang menyebabkan
ID drop mendekati nol.
 Expression for Drain Current (ID)
Hubungan antara IDSS dan VP, dengan catatan bahwa tegangan cut off
gate-source [VGS (off)] pada characteristic transfer adalah sama
dengan tegangan pinch off VP pada characteristic drain yaitu :

Misalnya jika : VGS (off) = - 4 V, maka VP = 4 V.

 Expression for Drain Current (ID)

Analisis matematis yang agak kompleks menghasilkan formula

untuk arus drain:
Contoh 1.
Gambar dibawah menunjukkan kurva characteristic transfer dari suatu
JFET. Tuliskan persamaan untuk arus drain.

Solution.
Dengan mengacu kurva characteristic
transfer tsb. maka:
Contoh 2.
Suatu JFET memiliki parameter sbb. : IDSS = 32 mA ; VGS (off) = – 8V ;
VGS = – 4.5 V. Carilah nilai dari arus drain.

Solution.
Contoh 3.
Suatu JFET mempunyai arus drain 5 mA. Jika IDSS = 10 mA dan VGS (off) =
– 6 V. Carilah (a) VGS dan (b) VP

Solusi.
Contoh 4.
Untuk JFET pada gambar dibawah, VGS (off) = – 4 V dan IDSS = 12 mA.
Tentukan nilai minimum VDD yang diperlukan untuk meletakkan piranti
pada daerah operasi arus konstan.

Solusi.
Karena VGS (off) = – 4 V, VP = 4 V. Nilai
minimum dari VDS JFET berada di
daerah arus konstan adalah :
VDS = VP = 4 V
Pada daerah arus konstan dengan
VGS = 0 V, maka : ID = IIDSS = 12 mA
Dengan hukum Kirchhoff’s tegangan didapat,
Contoh 5.
Tentukan besarnya arus drain untuk rangkaian gambar dibawah.

Solusi.
Arus drain untuk rangkaian tsb.
diberikan oleh;
Contoh 6.
JFET p-channel khusus memiliki VGS (off) = + 4 V. Bagaimana ID ketika
VGS = + 6 V ?

Solusi.

o JFET p-channel membutuhkan tegangan gate-source positif untuk

melewatkan arus drain ID.
o Semakin banyak tegangan positif, semakin sedikit arus drain.
o Ketika VGS = 4 V, ID = 0 dan JFET terputus.
o Setiap peningkatan lebih lanjut dalam VGS membuat JFET terputus.
o Oleh karena itu, pada VGS = + 6 V, ID = 0 A.
 Keuntungan JFET

Beberapa keuntungan JFET adalah:

a) Memiliki impedansi input yang sangat tinggi (order 100 MΩ). Hal ini
memungkinkan tingkat isolasi yang tinggi antara rangkaian input dan
output.
b) Pengoperasian JFET bergantung pada pembawa arus bulk material
yang tidak melintasi junction. Oleh karena itu, inherent noise pada
transistor (karena transisi junction) tidak ada dalam JFET.
c) JFET memiliki koefisien resistansi suhu negatif. Ini untuk menghindari
risiko termal dengan mudah.
d) JFET memiliki penguatan daya yang sangat tinggi.
e) JFET memiliki ukuran yang lebih kecil, masa pakai lebih lama, dan
efisiensi tinggi.
 Parameters of JFET
Parameter utama dari JFET adalah :
(a) resistansi a.c. drain
(b) transconductance
(c) amplification factor.

Resistansi a.c. drain (rd).

Resistansi a.c. drain pada JFET adalah ratio dari perubahan
tegangan drain-source (∆VDS) terhadap perubahan pada arus drain
(∆ID) pada tegangan constant gate-source, yaitu :

Misalnya jika perubahan pada tegangan drain 2 V menghasilkan

perubahan arus drain 0.02 mA, maka,
 Parameters of JFET
Mengacu pada karakteristik output JFET, bahwa di atas tegangan pinch
off, perubahan ID kecil untuk perubahan di VDS, karena kurva hampir
datar. Oleh karena itu, resistansi drain JFET memiliki nilai yang besar,
mulai dari 10 kΩ hingga 1 MΩ.
Transconductance (gm).
Transkonduktansi adalah ratio dari perubahan arus drain (∆ID)
terhadap perubahan tegangan gate-source (∆VGS) pada tegangan
konstan drain-source, yaitu :

Transkonduktansi dinyatakan dalam mA/volt atau micro Siemen.

Misalnya, jika perubahan tegangan gate 0,1 V menyebabkan perubahan
arus drain 0.3 mA, maka :
 Parameters of JFET

Amplification factor (µ).

Adalah ratio dari perubahan tegangan drain-source (∆VDS) terhadap
perubahan tegangan gate-source (∆VGS) pada arus drain konstan,
yaitu :

Faktor amplifikasi JFET menunjukkan seberapa besar kontrol

tegangan gate terhadap arus drain daripada tegangan drain.
Misalnya, jika faktor amplifikasi JFET adalah 50, itu berarti
tegangan gate adalah 50 kali lebih efektif dari tegangan drain
dalam mengendalikan arus drain.
 Variation of Transconductance (gm) of JFET

Transkonduktansi (gm) dari JFET merupakan faktor utama dalam

menentukan penguatan tegangan. Namun, kurva karakteristik transfer
untuk JFET adalah nonlinier sehingga nilai gm bergantung pada lokasi
pada kurva. Adapun nilai gm dapat ditentukan:

Dimana, gmo = nilai dari transconductance (maximum) pada

VGS = 0. Normally, data sheet memberikan nilai gmo. Ketika
nilai dari gmo is not available, maka dapat dihitung dengan
pendekatan :
Contoh 7.
Suatu JFET memiliki nilai gmo = 4000 µS dan VGS(off) = – 8V. Tentukan gm
pada VGS = – 3 V.

Solusi.
Contoh 8.
JFET data sheet memberikan informasi sbb.: IDSS = 3 mA, VGS (off) = – 6 V
dan gm (max) = 5000 µS. Tentukan transconductance untuk VGS = – 4 V dan
carilah arus drain ID pada titik tersebut.
Solusi.
Pada VGS = 0, besarnya gm adalah maksimum, yaitu gmo (gmo = 5000
µS), sehingga :
 JFET Connections
Seperti halnya pada transistor, JFET juga punya 3 kaki, yaitu, source, gate
dan drain. Untuk keperluan 2 terminal input dan 2 terminal output, maka
salah satu kaki JFET harus bisa dipakai bersama. Sehingga terdapat tiga
cara untuk dapat dihubungkan dalam rangkaian, yaitu :
a) Koneksi common source
b) Koneksi common gate
c) Koneksi common drain
Dari ketiga koneksi tsb. yang paling banyak digunakan adalah common
source, karena memberikan impedansi input yang tinggi, penguatan
tegangan yang baik, dan impedansi output yang moderat. Namun,
rangkaian common source menghasilkan output sinyal dengan beda phase
180o.
Rangkaian Penguat CS JFET ini mempunyai kemiripan dengan CE BJT,
yaitu menghasilkan output sinyal dengan beda phase 180o, meskipun cara
pengoperasiannya sangat berbeda.
 D.C. Load Line Analysis

Titik kerja dari amplifier JFET dapat ditentukan secara grafis dengan
menggambarkan garis beban dc pada karakteristik drain (kurva VDS –
ID). Metode ini identik seperti yang digunakan pada transistors.
Dari rangkaian diatas, dengan menggunakan Hk. Kirchoff tegangan
didapat :

Nilai VDS maksimum ketika ID = 0, atau maks. VDS = VDD (titik B).
Nilai ID maksimum ketika VDS = 0, atau :

(titik A).

Ttitik kerja (operating point) Q berada di perpotongan antara garis

beban dc dengan kurva drain pada VGS = – 2 V.
Contoh 9.
Gambarkan garis beban d.c. Untuk rangkaian amplifier JFET gambar
dibawah.
Solusi.
Contoh 10.
Gambarkan garis beban d.c. Untuk rangkaian amplifier JFET gambar
dibawah.
Solusi.
 JFET Applications
Impedansi input yang tinggi dan impedansi output yang rendah serta
level noise yang rendah, membuat JFET jauh lebih unggul daripada
transistor bipolar. Beberapa aplikasi rangkaian JFET adalah:
a) Sebagai Buffer Amplifier.
Amplifier buffer adalah tahapan amplifikasi yang melindungi
tahap sebelumnya dan sesudahnya. Karena Impedansi input
yang tinggi dan impedansi output yang rendah, JFETdapat
menjadi amplifier buffer yang excellent.
 JFET Applications

b) Phase-shift oscillators.
Impedansi input yang tinggi dari JFET sangat berharga
dalam phase-shift oscillators, yaitu untuk meminimalkan
efek pembebanan..
 JFET Applications

c) Sebagai RF Amplifier.
Dalam komunikasi elektronik, disisi penerima digunakan
penguat RF JFET daripada penguat BJT karena alasan berikut:
Level noise dari JFET sangat rendah. JFET tidak akan
menghasilkan noise dalam jumlah yang signifikan dan
karena itu berguna sebagai penguat RF.
Antena penerima menerima sinyal yang sangat lemah yang
memiliki arus yang sangat rendah. Karena JFET adalah
perangkat yang dikendalikan tegangan, JFET akan
merespon dengan baik sinyal arus rendah yang disediakan
oleh antena.
 Metal Oxide Semiconductor FET (MOSFET)

Field Effect Transistor (FET) yang dapat dioperasikan dalam

enhancement-mode disebut MOSFET.
MOSFET adalah piranti semikonduktor penting dan dapat
digunakan disetiap rangkaian yang dapat di covered oleh JFET.
Namun, MOSFET memiliki beberapa keunggulan dibandingkan
JFET termasuk impedansi input yang tinggi dan biaya produksi
yang rendah.
 Types of MOSFETs

Ada dua tipe dasar MOSFET yaitu.

1. Depletion-type MOSFET atau D-MOSFET. D-MOSFET dapat
dioperasikan baik dalam depletion-mode maupun enhancement-mode.
Untuk alasan ini, D-MOSFET kadang-kadang disebut depletion/
enhancement MOSFET.
2. Enhancement-type MOSFET atau E-MOSFET. E-MOSFET hanya
dapat dioperasikan dalam enhancement-mode. Cara pembuatan
MOSFET menentukan apakah itu D-MOSFET atau EMOSFET.
 D-MOSFET
n-channel D-MOSFET mirip dengan n-channel JFET kecuali hal-hal
berikut :
a) n-channel D-MOSFET adalah
bagian dari material tipe-n
dengan daerah tipe-p (disebut
substrat) di sebelah kanan
dan gate berinsulasi di
sebelah kiri. Elektron bebas
(kanal-n) yang mengalir dari
source ke drain harus
melewati kanal sempit antara
gate dan daerah tipe-p.
 D-MOSFET

b) Lapisan tipis oksida logam (biasanya silikon dioksida, SiO2)

diendapkan di sebagian kecil kanal. Sebuah gate logam
diendapkan di atas lapisan oksida. Karena SiO2 adalah isolator,
maka gate diisolasi dari kanal. Susunan tersebut membentuk
kapasitor, dengan masing-masing pelatnya adalah gate dan
kanal, dengan SiO2 sebagai dielektriknya.
c) Seperti biasa, dalam prakteknya untuk menghubungkan substrate
ke source (S) secara internal, maka MOSFET mempunyai tiga
terminal yaitu source (S), gate (G) and drain (D).
d) Karena gate diisolasi dari channel,maka gate bisa dicatu dengan
tegangan negatif atau positif. Oleh karena itu, D-MOSFET dapat
dioperasikan keduanya, depletion-mode dan enhancement-mode.
Meskipun JFET hanya dapat dioperasikan dalam depletion-mode.
 E-MOSFET
Konstruksi gatenya mirip dengan D-MOSFET. E-MOSFET tidak memiliki
kanal antara source dan drain. Substrat meluas sepenuhnya ke lapisan
SiO2 sehingga tidak ada kanal. E-MOSFET membutuhkan tegangan gate
yang tepat untuk membentuk kanal (disebut saluran induksi). :

E-MOSFET hanya dapat

dioperasikan dalam
enhancement mode.
Singkatnya, konstruksi E-
MOSFET sangat mirip
dengan D-MOSFET kecuali
tidak adanya kanal antara
terminal drain dan source.
 Symbols for D-MOSFET

Ada dua jenis D-MOSFET yaitu (a) n-channel D-MOSFET dan (b) p-
channel D-MOSFET.
 n-channel D-MOSFET
Substrat tipe-p menyempitkan kanal antara source dan drain,
sehingga hanya bagian kecil yang tersisa di sisi kiri.
Elektron yang mengalir dari source (ketika drain terhubung terminal
positif sumber) harus melewati kanal sempit ini.
Gate tampak seperti pelat kapasitor. Tepat di sebelah kanan gate
adalah garis vertikal tebal yang mewakili kanal.
Kaki drain datang dari atas kanal dan kaki source terhubung ke
bawah.
Panah ada di substrat dan menunjuk ke n-material, yang
selanjutnya disebut D-MOSFET n-channel.
Seperti biasa, dalam prakteknya untuk menghubungkan substrate
ke source secara internal memunculkan piranti tiga terminal
 p-channel D-MOSFET
Substrat tipe-n menyempitkan kanal antara source dan drain, sehingga
hanya bagian kecil yang tersisa di sisi kiri. Konduksi terjadi dengan aliran
hole dari source ke drain melalui kanal sempit ini. Seperti biasa, dalam
prakteknya untuk menghubungkan substrate ke source secara internal
memunculkan piranti tiga terminal.
 Circuit Operation of D-MOSFET
Gate tersebut membentuk kapasitor kecil. Satu pelat kapasitor ini adalah
gate dan pelat lainnya adalah channel dengan lapisan oksida logam
sebagai dielektriknya. Ketika tegangan gate diubah, medan listrik
kapasitor berubah yang pada gilirannya mengubah resistansi n-channel.
Karena gate diisolasi dari channel, maka tegangan negatif atau positif
dapat dicatukan ke gate. Operasi gate negatif disebut depletion mode,
sedangkan operasi gate positif dikenal sebagai enhancement mode.

Depletion mode.
Karena gate negatif, artinya elektron berada di gate. Elektron ini
menolak elektron bebas di n-channel, meninggalkan lapisan ion positif di
bagian channel. Dengan kata lain, n-channel telah dikosongkan dari
beberapa elektron bebasnya. Oleh karena itu, lebih sedikit elektron
bebas yang tersedia untuk konduksi arus melalui n-channel.
 Circuit Operation of D-MOSFET
Ini adalah hal yang sama seperti jika resistansi channel meningkat.
Semakin besar tegangan negatif pada gate, semakin kecil arus dari
source ke drain. Jadi dengan mengubah tegangan negatif pada gate,
dapat divariasikan resistansi n-channel dan karenanya arus dari source
ke drain. Perhatikan bahwa dengan tegangan negatif ke gate, aksi D-
MOSFET mirip dengan JFET. Karena aksi dengan gate negatif
bergantung pada depleting
(pengosongan) channel dari
elektron bebas, operasi gate
negatif disebut depletion mode.
 Circuit Operation of D-MOSFET
Enhancement mode.
Gate bertindak seperti kapasitor. Karena gate positif, itu menginduksi
muatan negatif di n-channel. Muatan negatif ini adalah elektron bebas
yang ditarik ke channel. Karena elektron bebas ini ditambahkan ke
elektron yang sudah ada di channel, jumlah total elektron bebas di
channel bertambah.
 Circuit Operation of D-MOSFET

Jadi tegangan gate positif meningkatkan konduktivitas dari channel.

Semakin besar tegangan positif pada gate, semakin besar pula
konduksi dari source ke drain.
Sehingga dengan mengubah tegangan positif pada gate, kita dapat
mengubah konduktivitas saluran. Perbedaan utama antara D-
MOSFET dan JFET adalah tegangan gate positif dapat dicatukan ke
D-MOSFET dan pada dasarnya masih memiliki arus nol . Karena aksi
dengan gate positif bergantung pada peningkatan konduktivitas
channel, maka operasi gate positif disebut enhancement mode.
 Circuit Operation of D-MOSFET
Hal-hal yang perlu diperhatikan tentang pengoperasian D-MOSFET:
a) Dalam D-MOSFET, source untuk mengalirkan arus dikendalikan oleh
medan listrik kapasitor yang terbentuk di gate.
b) Gate JFET berperilaku sebagai dioda reverse bias, sedangkan gate D-
MOSFET bertindak seperti kapasitor. Untuk alasan ini, dimungkinkan
untuk mengoperasikan D-MOSFET dengan tegangan gate positif atau
negatif.
c) Karena gate D-MOSFET membentuk kapasitor, oleh karena itu, arus
gate yang dapat diabaikan mengalir baik tegangan positif atau negatif
diterapkan ke gate. Untuk alasan ini, impedansi input D-MOSFET
sangat tinggi, berkisar antara 10.000 MΩ hingga 10.000.000 MΩ.
d) Dimensi yang sangat kecil dari lapisan oksida di bawah terminal gate
menghasilkan kapasitansi yang sangat rendah dan D-MOSFET
memiliki kapasitansi masukan yang sangat rendah. Karakteristik ini
membuat D-MOSFET berguna dalam aplikasi frekuensi tinggi.
 D-MOSFET Transfer Characteristic
Kurva karakteristik transfer (atau kurva transkonduktansi) untuk n-
channel D-MOSFET.
a) Titik pada kurva di mana VGS = 0,
ID = IDSS.
b) Ketika VGS menjadi negatif, ID
menurun di bawah nilai IDSS
sampai ID mencapai nol ketika
VGS = VGS (off)
c) Ketika VGS positif, ID
meningkat di atas nilai
IDSS.
 D-MOSFET Transfer Characteristic

Perhatikan bahwa kurva transkonduktansi untuk D-MOSFET sangat

mirip dengan kurva untuk JFET.
Karena kesamaan ini, JFET dan D-MOSFET memiliki persamaan
transkonduktansi yang sama, yaitu

Catatan:
Nilai ID maksimum yang diizinkan diberikan pada data sheet D-MOSFET.
Contoh 11.
Untuk D-MOSFET tertentu, diketahui, IDSS = 10 mA dan VGS (off) = – 8V.
a) Apakah ini n-channel atau p-channel ?
b) Hitunglah ID at VGS = – 3V.
c) Hitunglah ID at VGS = + 3V
Solusi.
a) Piranti ini memiliki VGS (off) negatif, maka n-channel D-MOSFET
b) Besarnya ID pada VGS = – 3V :

c) Besarnya ID pada VGS = + 3V :

Contoh 12.
Suatu D-MOSFET memiliki parameters VGS (off) = – 6 V dan IDSS = 1 mA.
Bagaimana menggambarkan kurva transkonduktansi untuk piranti ini ?
Solusi.
Ketika VGS = 0 V, ID = IDSS = 1 mA dan ketika VGS = VGS (off), ID = 0 A. Ini
adalah dua titik yaitu IDSS dan VGS (off) pada kurva transkonduktansi. Untuk
dapat menemukan lebih banyak titik kurva dengan mengubah nilai VGS.
 Transconductance & Input Impedance of D-MOSFET

a) Transconductance (gm) D-MOSFET.

Nilai gm untuk D-MOSFET dapat dicari dengan cara yang sama
seperti untuk JFET yaitu :

b) Input Impedansi D-MOSFET.

Impedansi gate dari D-MOSFET sangat tinggi. D-MOSFET pada
umumnya memiliki arus gate maksimum 10 pA ketika VGS = 35 V.

Dengan impedansi input dalam kisaran ini, D-MOSFET hampir tidak

akan menghadirkan beban ke rangkaian source.
 Zero bias D-MOSFET

Karena D-MOSFET dapat dioperasikan dengan nilai VGS positif atau

negatif, dan bisa di-set Q-pointnya pada VGS = 0 V. Kemudian signal
input a.c. ke gate dapat menghasilkan variasi diatas dan dibawah Q-
point.
 Zero bias D-MOSFET

Dengan memberikan bias nol pada rangkaian sederhana dari gambar

diatas, maka rangkaian ini memiliki VGS = 0 V dan ID = IDSS.
Selanjutnya dapat dicari besarnya VDS sebagai berikut:

Perhatikan bahwa untuk rangkaian bias nol D-MOSFET, resistor

source (RS) tidak diperlukan. Tanpa resistor source, nilai VS adalah =
0 V. Ini memberikan nilai VGS = 0 V. Ini bias rangkaian pada ID = IDSS
dan VGS = 0 V. Untuk bias titik tengah, nilai RD dipilih sehingga VDS =
VDD / 2.
Contoh 13.
Tentukan tegangan drain-to-source (VDS) pada gambar rangkaian
dibawah, jika VDD = +18 V dan RD = 620 Ω. Data sheet MOSFET
memberikan VGS (off) = – 8 V dan IDSS = 12 mA.
Solusi.

Karena ID = IDSS = 12 mA, maka :

VDS = VDD − IDSS ⋅ RD
VDS = 18 V − (12 mA) ⋅ (0,62 kΩ)
VDS = 10,6 V
 Common-Source D-MOSFET Amplifier

Rangkaian penguat diberi bias Zero dengan input sinyal (a.c.) diumpankan
ke gate melalui kapasitor kopling C1. Tegangan gate mendekati 0 Vdc,
terminal source di-ground, sehingga membuat VGS = 0V.
Langkah-langkah operasi.
Sinyal input (Vin) dengan kapasitor diumpankan ke gate. Jika tidak ada
sinyal, VGS = 0 V. Ketika ada sinyal (Vin), Vgs berayun di atas dan di bawah
titik Q dari VGS = 0, yang menghasilkan ayunan arus drain Id.
a) Perubahan kecil pada tegangan gate menghasilkan perubahan besar
arus drain, sehingga bertindak sebagai amplifier.
b) Selama setengah siklus positif sinyal, tegangan positif pada gate
meningkat dan menghasilkan enhancement-mode, yang meningkatkan
konduktivitas channel.
c) Selama setengah siklus negatif sinyal, tegangan positif pada gate
menurun dan menghasilkan depletion-mode, yang menurunkan
konduktivitas.
Kesimpulannya bahwa perubahan kecil pada tegangan gate menghasilkan
perubahan besar pada arus drain. Variasi yang besar arus drain ini
menghasilkan tegangan output a.c. pada resistansi drain RD.
 Voltage gain

Analisis a.c. dari D-MOSFET mirip dengan JFET. Oleh karena itu,
persamaan penguatan tegangan yang diturunkan untuk JFET juga
berlaku untuk D-MOSFET.

Penguatan tegangan tidak berbeban :

Penguatan tegangan berbeban :

Contoh 14.
Dari gambar rangkaian amplifier D-MOSFET, memiliki IDSS = 12 mA dan
gm = 3200 µS. Tentukan :
a) Tegangan drain-to-source VDS
b) Tegangan output a.c., jika vin = 500 mV
Solusi.
a)

b)
D-MOSFETs Versus JFETs
 E-MOSFET

Dua hal yang perlu diperhatikan tentang E-MOSFET.

1) E-MOSFET hanya beroperasi dalam enhancement mode dan
tidak memiliki depletion mode.
2) E-MOSFET tidak memiliki channel fisik dari source ke drain
karena substrat meluas sepenuhnya ke lapisan SiO2.
Hanya dengan penerapan VGS dengan besaran dan polaritas yang
tepat, piranti starts conducting. Nilai minimum VGS dengan polaritas
yang tepat untuk turns on E-MOSFET disebut tegangan Ambang
[VGS(th)]. Piranti n-channel membutuhkan VGS positif (≥ VGS(th)) dan
piranti p-channel membutuhkan VGS negatif (≥ VGS(th)).
 E-MOSFET
Langkah-langkah operasi.
1) Ketika VGS = 0 V, tidak ada channel yang menghubungkan source dan
drain. Substrat p hanya memiliki sedikit elektron bebas yang dihasilkan
secara termal (minority carriers) sehingga arus drain sama dengan nol.
Oleh karena itu E-MOSFET biasanya OFF ketika VGS = 0 V. Perilaku E-
MOSFET ini sangat berbeda dengan JFET atau D-MOSFET.
 E-MOSFET
2) Ketika gate dibuat positif (VGS positif), ia menarik elektron bebas ke p
region. Elektron bebas bergabung dengan hole lanjut ke lapisan SiO2.
Jika VGS sudah cukup positif, semua hole yang menyentuh lapisan SiO2
terisi dan elektron bebas mulai mengalir dari source ke drain. Efeknya
sama seperti membuat lapisan tipis bahan tipe-n (yaitu menginduksi
saluran-n tipis) yang berdekatan dengan lapisan SiO2.. Dengan
demikian E-MOSFET turn on dan ID mulai mengalir dari source ke
drain. Nilai minimum VGS yang turn on E-MOSFET disebut tegangan
ambang [VGS(th)].
3) Ketika VGS lebih kecil dari VGS(th), tidak ada channel yang diinduksi dan
ID = 0. Ketika VGS = VGS(th), E-MOSFET turn ON, channel yang diinduksi
mengalirkan arus dari source ke drain. Diatas VGS(th), jika nilai VGS
dinaikkan, channel yang baru terbentuk menjadi lebih lebar,
menyebabkan ID meningkat.
 E-MOSFET

Jika nilai VGS berkurang [tidak lebih kecil dari VGS(th)], channel menjadi
lebih sempit dan ID akan berkurang. Hal ini diungkapkan oleh kurva
transkonduktansi E-MOSFET n-channel. Terlihat ID = 0 ketika VGS = 0.
Oleh karena itu, nilai IDSS untuk E-MOSFET adalah nol. Perhatikan
bahwa tidak ada arus drain sampai VGS mencapai VGS(th)
 Schematic Symbols

Gambar (i) adalah simbol n-channel E-MOSFET, sedangkan gambar (ii)

adalah simbol p-channel E-MOSFET. Ketika VGS = 0, E-MOSFET dalam
keadaan OFF karena tidak ada channel penghantar antara source dan
drain. Garis channel yang putus pada simbol menunjukkan kondisi
biasanya MATI.
 Equation for Transconductance Curve
Kurva transkonduktansi untuk n-channel E-MOSFET ini berbeda dari
kurva transkonduktansi untuk n-channel JFET atau n-channel D-
MOSFET. Itu karena ini dimulai pada VGS(th) daripada VGS(off) pada sumbu
horizontal dan tidak pernah memotong sumbu vertikal. Persamaan untuk
kurva transkonduktansi E-MOSFET (untuk VGS > VGS(th)) adalah :

Konstanta K bergantung pada E-MOSFET

tertentu dan nilainya ditentukan dari
persamaan berikut:

Data sheet E-MOSFET menyertakan arus ID(on) dan tegangan VGS(on)

untuk satu titik yang jauh di atas tegangan ambang.
Contoh 15.
Data sheet E-MOSFET memberikan nilai ID(on) = 500 mA pada VGS = 10 V
and VGS(th) = 1 V. Tentukan arus drain untuk VGS = 5V.
Solusi.
Dari ID(on) = 500 mA, maka VGS(on) = 10 V
Contoh 16.
Data sheet E-MOSFET memberikan nilai ID(on) = 3 mA pada VGS = 10 V
dan VGS(th) = 3 V. Tentukan nilai K yang dihasilkan untuk piranti, kemudian
tentukan ID untuk keperluan memplot kurva transkonduktansi MOSFET
ini?

Solusi.
Nilai dari K dapat ditentukan oleh persamaan :
Untuk memplot kurva transkonduktansi, ditentukan dulu beberapa titik
untuk kurva dengan mengubah nilai VGS dan mencatat nilai ID yang
sesuai.

Dengan demikian dapat di-plot-kan kurva transkonduktansi untuk E-

MOSFET dari titik VGS dan ID ini.
 Drain-feedback bias
Gambar (i) menunjukkan rangkaian bias drain-feedback untuk E-MOSFET
n-channel.
 Drain-feedback bias
RG resistansi tinggi dihubungkan antara drain dan gate. Karena resistansi
gate sangat tinggi, tidak ada arus yang mengalir (yaitu IG = 0). Oleh
karena itu, tidak akan ada penurunan tegangan pada RG. Karena tidak
ada penurunan tegangan di RG, gate akan memiliki potensi yang sama
dengan drain. Hal ini diilustrasikan pada gambar (ii), yaitu rangkaian
ekivalen d.c. bias drain-feedback. Sehingga :
VD = VG dan VDS = VGS
Nilai tegangan drain-source (VDS) untuk rangkaian drain-feedback adalah
:
VDS = VDD − ID ⋅ RD
Karena VDS = VGS maka VGS = VDD − ID ⋅ RD
Karena pada rangkaian ini VDS = VGS ; ID = ID(on)
Sehingga titik kerja (Q-point) dari rangkaian dapat ditentukan.
Contoh 17.
Tentukan nilai dari ID dan VDS untuk rangkaian gambar dibawah. Data
sheet MOSFET ini memberikan nilai ID(on) = 10 mA, ketika VGS = VDS.
Solusi.
Karena pada rangkaian drain-feedback VGS = VDS, maka :
ID = ID(on) = 10 mA
Nilai dari VDS (dan juga VGS) diberikan oleh;
D-MOSFETs Versus E-MOSFETs
 Pertanyaan Pilihan Ganda
1. A JFET has three terminals, namely …
(i) cathode, anode, grid (iii) source, gate, drain
(ii) emitter, base, collector (iv) none of the above

2. A JFET is similar in operation to … valve.

(i) diode (iii) triode
(ii) Pentode (iv) tetrode

3. A JFET is also called … transistor.

(i) unipolar (iii) unijunction
(ii) bipolar (iv) none of the above

4. A JFET is a … driven device.

(i) current (iii) both current and voltage
(ii) Voltage (iv) none of the above
 Pertanyaan Pilihan Ganda

5. The gate of a JFET is … biased.

(i) reverse (iii) reverse as well as forward
(ii) forward (iv) none of the above
6. The input impedance of a JFET is … that of an ordinary transistor.
(i) equal to (iii) more than
(ii) less than (iv) none of the above
7. In a p-channel JFET, the charge carriers are …
(i) electrons (iii) both electrons and holes
(ii) holes (iv) none of the above
8. When drain voltage equals the pinch-off voltage, then drain current
… with the increase in drain voltage.
(i) decreases (iii) remains constant
(ii) increases (iv) none of the above
 Pertanyaan Pilihan Ganda
9. If the reverse bias on the gate of a JFET is increased, then width of
the conducting channel …
(i) is decreased (iii) remains the same
(ii) is increased (iv) none of the above
10. A MOSFET has ....... terminals.
(i) two (iii) four
(ii) five (iv) three
11. A MOSFET can be operated with …
(i) negative gate voltage only
(ii) positive gate voltage only
(iii) positive as well as negative gate voltage
(iv) none of the above
12. A JFET has … power gain.
(i) small (iii) very small
(ii) very high (iv) none of the above
 Pertanyaan Pilihan Ganda
13. The input control parameter of a JFET is …
(i) gate voltage (iii) drain voltage
(ii) source voltage (iv) gate current
14. A common base configuration of a pnp transistor is analogous to … of
a JFET.
(i) common source configuration (iii) common gate configuration
(ii) common drain configuration (iv) none of the above
15. A JFET has high input impedance because …
(i) it is made of semiconductor material (iii) of impurity atoms
(ii) input is reverse biased (iv) none of the above
16. In a JFET, when drain voltage is equal to pinch-off voltage, the
depletion layers …
(i) almost touch each other (iii) have moderate gap
(ii) have large gap (iv) none of the above
 Pertanyaan Pilihan Ganda
17. In a JFET, IDSS is known as …
(i) drain to source current
(ii) drain to source current with gate shorted
(iii) drain to source current with gate open
(iv) none of the above

18. The two important advantages of a JFET are …

(i) high input impedance and square-law property
(ii) inexpensive and high output impedance
(iii) low input impedance and high output impedance
(iv) none of the above

19. …. has the lowest noise-level.

(i) triode (iii) tetrode
(ii) ordinary transistor (iv) JFET
 Pertanyaan Pilihan Ganda
20. A MOSFET is sometimes called ....... JFET.
(i) many gate (iii) insulated gate
(ii) open gate (iv) shorted gate

21. Which of the following devices has the highest input impedance ?
(i) JFET (iii) crystal diode
(ii) MOSFET (iv) ordinary transistor

22. A MOSFET uses the electric field of a …. to control the channel current.
(i) capacitor (iii) generator
(ii) battery (iv) none of the above

23. The pinch-off voltage in a JFET is analogous to ....... voltage in a

vacuum tube.
(i) anode (iii) grid cut off
(ii) cathode (iv) none of the above
 Pertanyaan Pilihan Ganda

24. The formula for a.c. drain resistance of a JFET is ….

25. In class A operation, the input circuit of a JFET is .... biased.

(i) forward (iii) not
(ii) reverse (iv) none of the above

26. If the gate of a JFET is made less negative, the width of the
conducting channel ....
(i) remains the same (iii) is increased
(ii) is decreased (iv) none of the above
 Pertanyaan Pilihan Ganda

27. The pinch-off voltage of a JFET is about ....

(i) 5 V (iii) 15 V
(ii) 0.6 V (iv) 25 V

28. The input impedance of a MOSFET is of the order of ....

(i) Ω (iii) k Ω
(ii) a few hundred Ω (iv) several M Ω

29. The gate voltage in a JFET at which drain current becomes zero is
called .... voltage.
(i) saturation (iii) active
(ii) pinch-off (iv) cut-off
 Pertanyaan Pilihan Ganda

30. The drain current ID in a JFET is given by ....

31. In a FET, there are ............... pn junctions at the sides.

(i) three (iii) five
(ii) four (iv) two

32. The transconductance of a JFET ranges from ....

(i) 100 to 500 mA/V (iii) 0.5 to 30 mA/V
(ii) 500 to 1000 mA/V (iv) above 1000 mA/V
 Pertanyaan Pilihan Ganda
33. The source terminal of a JFET corresponds to .... of a vacuum tube.
(i) plate (iii) grid
(ii) cathode (iv) none of the above
34. The output characteristics of a JFET closely resemble the output
characteristics of a .... valve.
(i) pentode (iii) triode
(ii) tetrode (iv) diode
35. If the cross-sectional area of the channel in n-channel JFET
increases, the drain current ....
(i) is increased (iii) remains the same
(ii) is decreased (iv) none of the above
36. The channel of a JFET is between the ....
(i) gate and drain (iii) gate and source
(ii) drain and sourc (iv) input and outpute
 Pertanyaan Pilihan Ganda
37. For VGS = 0 V, the drain current becomes constant when VDS exceeds
...
(i) cut off (iii) VP
(ii) VDD (iv) 0 V
38. A certain JFET data sheet gives VGS(off) = − 4 V. The pinch-off voltage
VP is ....
(i) + 4 V (iii) dependent on VGS
(ii) − 4 V (iv) data insufficient
39. The constant-current region of a JFET lies between ....
(i) cut off and saturation (iii) 0 and IDSS
(ii) cut off and pinch-off (iv) pinch-off and breakdown
40. At cut-off, the JFET channel is ....
(i) at its widest point (iii) extremely narrow
(ii) completely closed by the depletion region (iv) reverse biased
 Pertanyaan Pilihan Ganda

41. A MOSFET differs from a JFET mainly because ....

(i) of power rating (iii) the JFET has a pn junction
(ii) the MOSFET has two gates (iv) none of above
42. A certain D-MOSFET is biased at VGS = 0V. Its data sheet specifies
IDSS = 20 mA and VGS(off) = – 5V. The value of the drain current is ....
(i) 20 mA (iii) 40 mA
(ii) 0 mA (iv) 10 mA
43. An n-channel D-MOSFET with a positive VGS is operating in ....
(i) the depletion-mode (iii) cut off
(ii) the enhancement-mode (iv) saturation
44. A certain p-channel E-MOSFET has a VGS(th) = – 2V. If VGS = 0 V, the
drain current is ....
(i) 0 mA (iii) maximum
(ii) ID(on) (iv) IDSS
 Pertanyaan Pilihan Ganda
45. In a common-source JFET amplifier, the output voltage is ....
(i) 180° out of phase with the input
(ii) in phase with the input
(iii) 90° out of phase with the input
(iv) taken at the source
46. In a certain common-source D-MOSFET amplifier, Vds = 3.2 V r.m.s.
and Vgs = 280 mV r.m.s. The voltage gain is ....
(i) 1 (iii) 8.75
(ii) 11.4 (iv) 3.2
47. In a certain CS JFET amplifier, RD = 1 kΩ, RS = 560Ω, VDD = 10 V and
gm = 4500 µS. If the source resistor is completely bypassed, the
voltage gain is ....
(i) 450 (iii) 2.52
(ii) 45 (iv) 4.5
 Pertanyaan Pilihan Ganda
48. A certain common-source JFET has a voltage gain of 10. If the source
bypass capacitor is removed, ....
(i) the voltage gain will increase
(ii) the transconductance will increase
(iii) the voltage gain will decrease
(iv) the Q-point will shift
49. A CS JFET amplifier has a load resistance of 10 kΩand RD = 820Ω. If
gm = 5 mS and Vin = 500 mV, the output signal voltage is ....
(i) 2.05 V (iii) 0.5 V
(ii) 25 V (iv) 1.89 V
50. If load resistance in Q. 49 is removed, the output voltage will ....
(i) increase (iii) stay the same
(ii) decrease (iv) be zero
 Review Topics
1. Explain the construction and working of a JFET.
2. What is the difference between a JFET and a bipolar transistor ?
3. How will you determine the drain characteristics of JFET ? What do
they indicate?
4. Define the JFET parameters and establish the relationship between
them.
5. Briefly describe some practical applications of JFET.
6. Explain the construction and working of MOSFET.
7. Write short notes on the following :
8. (i) Advantages of JFET (ii) Difference between MOSFET and JFET
 Discussion Questions

1. Why is the input impedance of JFET more than that of the transistor ?
2. What is the importance of JFET ?
3. Why is JFET called unipolar transistor ?
4. What is the basic difference between D-MOSFET and E-MOSFET ?
5. What was the need to develop MOSFET ?
 Problems

1. A JFET has a drain current of 5 mA. If IDSS = 10 mA and VGS(off) is −

6 V, find the value of (i) VGS and (ii) VP.
[(i) − 1.5 V (ii) 6 V]
2. A JFET has an IDSS of 9 mA and a VGS(off) of − 3V. Find the value of
drain current when VGS = −1.5V.
[2.25 mA]
3. In the JFET circuit shown in Fig. (1) if ID = 1.9 mA, find VGS and VDS
.[− 1.56 V; 13.5 V]
4. For the JFET amplifier shown in Fig. (2), draw the d.c. load line.
.[20 V; 40 mA]
 Problems

Fig. (1) Fig. (2)

 Problems

5. For a JFET, IDSS = 9 mA and VGS = −3.5 V. Determine ID when (i)

VGS = 0 V (ii) VGS = − 2V.
[(i) 9mA (ii) 1.65 mA]
6. Sketch the transfer curve for a p-channel JFET with IDSS = 4 mA and
VP = 3 V.
7. In a D-MOSFET, determine IDSS, given ID = 3 mA, VGS = – 2 V and
VGS(off) = – 10V.
[4.69 mA]
8. Determine in which mode each D-MOSFET in Fig. (3) is biased.
[(i) Depletion (ii) Enhancement (iii) Zero bias]
9. Determine VDS for each circuit in Fig. (3). Given IDSS = 8 mA.
[(i) 4V (ii) 5.4V (iii) – 4.52V]
Problems

Fig. (3)
 Problems

10. If a 50 mV r.m.s. input signal is applied to the amplifier in Fig. (4),

what is the peak-to-peak output voltage? Given that gm = 5000 µS.
[920 mV]