Pokok Bahasan 3:

Special-Purpose
Diodes
 Special-Purpose Diodes

Selain dioda digunakan sebagai rectifier (penyearah),

sejumlah jenis dioda tertentu diproduksi untuk aplikasi
khusus, yaitu :
a) Dioda Zener
b) Light-emitting diode (LED)
c) Photo-diode
d) Tunnel diode
e) Varactor diode and
f) Shockley diode
 Dioda Zener
Dioda zener adalah jenis dioda khusus yang
dirancang untuk beroperasi pada daerah
reverse breakdown. Dioda biasa apabila
dioperasikan di daerah ini biasanya akan
hancur karena arus berlebih. Tetapi hal ini
tidak terjadi pada dioda zener.

Untuk mengurangi tegangan

reverse breakdown, dioda
zener didoping berat. Hal ini
menyebabkan depletion layer
yang sangat tipis. Akibatnya,
dioda zener memiliki tegangan
reverse breakdown VZ yang
tajam.
 Dioda Zener
Dari karakteristik reverse terlihat bahwa kurva turun hampir
vertikal pada tegangan reverse VZ.
Ketika VZ tercapai, ada dua hal yang terjadi :
a) Arus dioda meningkat dengan cepat.
b) Tegangan reverse VZ yang melintasi dioda hampir konstan.
Dengan kata lain, dioda zener yang dioperasikan di daerah
reverse ini akan memiliki tegangan yang relatif konstan, dengan
nilai arus yang berubah-ubah. Oleh karena itu dioda zener
digunakan sebagai regulator tegangan.
 Light-Emitting Diode (LED)

Light-emitting diode (LED) adalah dioda

yang mengeluarkan cahaya saat forward
bias.
LED tidak terbuat dari silikon atau
germanium tetapi dibuat dengan
menggunakan unsur-unsur seperti galium,
fosfor, dan arsen.
Dengan memvariasikan jumlah elemen ini, dimungkinkan untuk
menghasilkan cahaya dengan panjang gelombang yang berbeda
dengan warna yang meliputi merah, hijau, kuning dan biru.
Misalnya, ketika sebuah LED diproduksi dengan menggunakan gallium
arsenide, maka akan menghasilkan lampu merah. Tetapi kalau dibuat
dengan gallium phosphide, maka akan menghasilkan lampu hijau, dlsb.
 Light-Emitting Diode (LED)

Ketika LED diberikan forward bias, elektron dari bahan tipe-n melintasi
junction pn dan bergabung dengan hole pada bahan tipe-p.
Elektron bebas ini berada di pita konduksi dan pada tingkat energi
yang lebih tinggi daripada hole di pita valensi.
Ketika rekombinasi terjadi, elektron yang bergabung kembali
melepaskan energi dalam bentuk panas dan cahaya.
Dalam dioda germanium dan silikon, hampir seluruh energi yang
dilepaskan dalam bentuk panas dan cahaya yang dipancarkan tidak
signifikan.
Namun, dalam bahan seperti galium arsenida, jumlah energi cahaya
foton cukup untuk menghasilkan cahaya tampak.
Dari grafik antara radiasi cahaya dan
arus forward LED, Intensitas cahaya
yang dipancarkan berbanding lurus
dengan arus forward LED.
 Tegangan dan Arus LED

Besarnya tegangan forward sebagian besar

LED adalah dari 1V hingga 3V.
Besarnya arus forward berkisar dari 20 mA
hingga 100 mA.
Agar arus yang melalui LED tidak melebihi
nilai aman, maka dipasang resistor RS yang
terhubung seri.
Apabila tegangan input VS dan tegangan pada LED adalah VD, maka :

Tegangan melintasi resistor :

Arus rangkaian :
 Kegunaan LED

LED adalah sumber cahaya solid-state. LED telah menggantikan lampu

pijar dalam banyak aplikasi, karena memiliki keunggulan :
a) Tegangan rendah
b) Umur lebih panjang (lebih dari 20 tahun)
c) Pengalihan on-off cepat
 Melindungi LED dari reverse bias

LED memiliki tegangan reverse yang rendah.

Misalnya, LED memiliki tegangan reverse
maksimum 3V.
Ini berarti bahwa jika tegangan reverse nya
lebih dari 3 V, maka LED akan rusak.
Salah satu cara untuk melindungi LED adalah
dengan menghubungkan dioda penyearah
secara paralel dengan LED.
Jika secara tidak sengaja tegangan reverse
lebih besar dari tegangan reverse LED, maka
dioda penyearah akan melindungi LED.
 Multicolour LEDs
Sebuah LED yang memancarkan satu warna ketika forward bias dan
warna lain ketika reverse bias disebut LED warna-warni.

LED warna-warni sebenarnya berisi dua pn junction yang dihubungkan

secara paralel-terbalik. Jika potensial positif terhubung ke terminal atas,
maka pn junction di sebelah kiri akan menyala. Jika polaritas sumber
tegangan dibalik, maka pn junction di sebelah kanan akan menyala.
 Applications of LEDs
LED adalah perangkat berdaya rendah.
Besaran daya LED adalah dalam miliwatt.
LED berguna sebagai indikator tetapi tidak baik untuk penerangan.
Aplikasi yang umum adalah sebagai power indicator dan seven-segment
display.
Indikator Daya
LED dapat digunakan untuk Indikator daya on atau off.
Saat sakelar S ditutup, daya dialirkan ke beban.
Pada saat yang sama arus
juga mengalir melalui LED
sehingga menyala.
Resistor RS dipasang seri dengan LED
untuk melindungi besaran arus yang masuk
ke LED agar tidak rusak.
Seven-segment display
Seven-segment display ini berisi tujuh LED (A, B, C, D, E, F dan G)
yang tersusun membentuk angka 8.
Setiap LED disebut segmen, jika LED tertentu forward bias, maka
segmen itu akan menyala.
Kombinasi tujuh LED tersebut dimungkinkan untuk menampilkan
angka dari 0 hingga 9.
Resistor dipasang seri untuk membatasi arus ke yang ke LED.
Anoda dari ketujuh LED dihubungkan ke sumber tegangan positif
bersama +5 V.
 Photo-diode

Photo-diode adalah suatu reverse

bias pn junction silikon atau
germanium, dimana arus reverse
akan meningkat ketika junction
tersebut terkena cahaya.
Arus reverse dalam Photo-diode
berbanding lurus dengan intensitas
cahaya pada pn junction nya.

Semakin besar intensitas cahaya pada pn junction photo-diode, maka

semakin besar arus reverse nya.
 Prinsip Photo-diode
Ketika dioda penyearah dibias reverse, maka arus bocor reverse nya sangat kecil.
Hal yang sama juga berlaku untuk photo-diode.
Dalam dioda penyearah, arus reverse meningkat dengan suhu, karena
peningkatan jumlah pasangan hole elektron.
Photo-diode berbeda dari dioda penyearah, karena bila pn junction-nya terkena
cahaya, arus reverse meningkat dan sebaliknya.
Ketika cahaya (foton) mengenai pn junction, energi diberikan oleh foton ke atom di
junction tersebut.
Hal ini akan menciptakan lebih banyak elektron bebas (dan lebih banyak hole).
Elektron bebas tambahan ini akan meningkatkan arus reverse.
Ketika intensitas cahaya pada pn junction meningkat, arus reverse juga
meningkat.
Dengan kata lain, saat intensitas cahaya meningkat, resistansi photo-diode
menurun.
Photo-diode package (Kemasan photo-diode)
Kemasan photo-diode ini terdiri dari pn junction yang dipasang pada
substrat berinsulasi dan disegel di dalam wadah logam.
Sebuah jendela kaca dipasang di atas casing untuk memungkinkan
cahaya masuk dan menyinari pn junction.
Anoda dan katoda nya berupa dua kawat yang memanjang dari casing.
Katoda biasanya diidentifikasi dengan tab yang memanjang dari sisi
casing.
 Photo-diode Operation
Pengoperasian dioda adalah sebagai berikut:
Jika tidak ada cahaya yang datang pada pn
junction photo-diode, arus reverse Ir sangat
kecil. Ini disebut dark current (arus gelap).
Hambatan photo-diode tanpa cahaya datang
disebut dark resistance (RR).

Ketika cahaya datang ke pn junction, maka ada transfer energi dari

cahaya datang (foton) ke atom di junction tersebut. Hal ini akan
menciptakan lebih banyak elektron bebas (dan lebih banyak hole).
Elektron bebas tambahan ini akan meningkatkan arus reverse.
Saat intensitas cahaya meningkat, arus reverse IR terus meningkat
hingga menjadi maksimum. Ini disebut arus saturasi.
 Karakteristik Photo-diode

Ada dua karakteristik penting dioda.

1) Kurva arus-iluminasi reverse
Dari grafik antara arus balik (IR) dan iluminasi (E) dari photo-diode,
arus reverse pada sumbu vertikal, diukur dalam µA, sedangkan
iluminasi pada sumbu horizontal, diukur dalam mW/cm2 . Kurva nya
adalah garis lurus yang melewati titik asal, sehingga :
IR = m E
dimana besaran m adalah sensitivitas photo-diode yang berupa slope
(gradien) dari kurva.
2) Kurva arus dan tegangan reverse
Gambar berikut menunjukkan grafik antara arus dan tegangan
reverse untuk berbagai level iluminasi. Terlihat bahwa untuk tegangan
reverse bias VR yang diberikan, maka arus reverse IR meningkat saat
iluminasi (E) pada pn junction photo-diode meningkat
Karakteristik Photo-diode
 Applications of Photo-diodes
Ada banyak sekali aplikasi dari photo-diode. Berikut akan diberikan dua
aplikasi photo-diode beserta ilustrasinya.
1) Rangkaian alarm menggunakan photo-diode.

Gambar ini menunjukkan

penggunaan photo-diode dalam
sistem alarm. Cahaya dari sumber
dibiarkan mengenai photo-diode
yang dipasang di ambang pintu.
Arus reverse IR akan terus mengalir
selama berkas cahayanya tidak
putus.

Jika seseorang melewati pintu, berkas cahaya kabur dan arus reverse
turun ke level arus gelap (dark current). Akibatnya alarm berbunyi.
2) Rangkaian Counter menggunakan photo-diode.
Photo-diode dapat digunakan untuk menghitung item di conveyor
belt (ban berjalan).
Pada rangkaian ini, sumber cahaya mengirimkan berkas cahaya
melintasi conveyor ke photo-diode.
Saat objek lewat, berkas cahaya kabur, IR turun ke level arus gelap
(dark current) dan kemudian hitungannya bertambah satu.
Example 1.
Dari kurva reverse current-Illumination untuk suatu photo-diode seperti
gambar dibawah. Tentukan berapa dark resistance yang diperlukan.
Diasumsikan bahwa tegangan bias-reverse yang diberikan adalah 10 V.
Solusi :
Arus yang mengalir ketika cahaya dihilangkan dari photo-diode
disebut arus gelap.
Hambatan dari foto-dioda yang sesuai dengan arus gelap disebut
hambatan gelap.
Dari kurva tersebut jelas bahwa untuk cahaya nol, arus reverse
adalah 50 µA.
Dark current, Ir = 50 µA = 50 × 10-6 A
Tegangan reverse, VR = 10 V

Dark resistance,
Example 2.
Suatu photo-diode terkena cahaya dengan iluminasi 2.5 mW/cm2.
Jika sensitivitas photo-diode untuk kondisi yang diberikan adalah
37.4 µA/mW/cm2, tentukan arus reverse yang melalui device.

Solusi :
Reverse current = Sensitivity × Illumination
IR = m × E = 37.4 × 2.5 = 93.5 µA
 Optoisolator
Optoisolator (juga disebut optocoupler) adalah piranti yang
menggunakan cahaya untuk memasangkan sinyal dari inputnya
(misalnya, LED) ke outputnya (misalnya, photo-diode).

Gambar diatas adalah optoisolator photo-diode LED. LED di sebelah

kiri dan photo-diode di sebelah kanan.
Susunan ini disebut sebagai optocoupling, karena output dari
rangkaian LED digabungkan melalui cahaya ke rangkaian photo-
diode.
 Optoisolator
Saat arus mengalir melalui LED, cahaya dari LED mengenai photo-
diode dan mengatur arus reverse melalui resistor R2.
Tegangan yang melintasi photo-diode diberikan oleh:

Tegangan output bergantung pada seberapa besar arus reverse nya.

Apabila suplai LED divariasi, jumlah cahaya berubah dan ini
menyebabkan arus photo-diode berubah, akibatnya Vout berubah.
Keuntungan optoisolator adalah isolasi listrik antara rangkaian input
dan output; satu-satunya kontak antara rangkaian input dan output
adalah aliran cahaya.
 Tunnel Diode
Tunnel Diode adalah pn junction yang menunjukkan resistansi
negatif antara dua nilai tegangan forward (yaitu, antara tegangan
puncak dan lembah).
Dioda konvensional menunjukkan resistansi positif ketika forward
bias atau reverse bias.
Namun, jika dioda junction semikonduktor banyak dikotori, maka
akan menunjukkan resistansi negatif (yaitu arus berkurang saat
tegangan dinaikkan) di daerah tertentu.
Dioda seperti itu disebut tunnel diode.
 Tunnel Diode
Secara Teori
Tunnel Diode pada dasarnya adalah pn junction dengan doping yang
berat dari bahan semikonduktor tipe-p dan tipe-n.
Faktanya, tunnel diode didoping sekitar 1000 kali lebih berat dari dioda
konvensional.
Doping yang berat ini menghasilkan sejumlah besar majority carriers.
Karena banyaknya jumlah carriers, sebagian besar tidak digunakan
selama rekombinasi awal yang menghasilkan menyempitnya depletion
layer.
Akibatnya depletion layer sangat sempit. Dibandingkan dengan dioda
konvensional, depletion layer tunnel diode 100 kali lebih sempit.
Pengoperasian tunnel dioda tergantung pada tunneling effect dan
karenanya dipakai sebagai nama diodenya.
 Tunnel Diode

Tunneling effect
Doping berat memberikan sejumlah besar majority carriers.
Karena jumlah pembawa yang banyak, ada banyak aktivitas
penyimpangan di bagian p dan n.
Hal ini menyebabkan banyak elektron valensi dinaikkan tingkat
energinya mendekati daerah konduksi.
Oleh karena itu, hanya dibutuhkan tegangan forward yang sangat
kecil untuk menyebabkan konduksi.
Pergerakan elektron valensi dari pita energi valensi ke pita konduksi
dengan sedikit atau tanpa tegangan forward disebut tunneling.
Elektron valensi tampaknya menerobos melalui pita energi
terlarang.
 Tunnel Diode

Tunneling effect
Saat tegangan forward pertama kali dinaikkan, arus dioda naik
dengan cepat karena efek tunneling.
Segera efek tunneling berkurang dan aliran arus mulai berkurang,
saat tegangan forward dioda meningkat.
Tunnel diode dikatakan telah memasuki wilayah resistansi negatif.
Ketika tegangan dinaikkan lebih lanjut, efek tunneling semakin
berkurang hingga titik lembah tercapai.
Setelah itu dan seterusnya, tunnel dioda berperilaku sebagai dioda
biasa, yaitu, arus dioda meningkat dengan kenaikan tegangan
forward.
 Karakteristik V-I Tunnel Diode

Ketika tegangan forward dinaikkan dari nol, maka elektron dari "tunnel"
wilayah n melalui potensial barrier ke daerah-p.
Ketika tegangan forward meningkat, arus dioda juga meningkat hingga
titik puncak P.
Arus puncak dioda IP (= 2,2 mA) pada sekitar tegangan puncak VP (=
0,07 V).
 Karakteristik V-I Tunnel Diode
Sampai dengan kondisi (OP) ini dioda menunjukkan resistansi positif.
Saat tegangan dinaikkan melebihi VP, aksi tunneling mulai berkurang dan
arus dioda menurun saat tegangan forward dinaikkan hingga titik lembah
(valley-point) Vv tercapai (= 0.7 V).
Di wilayah antara titik puncak dan lembah (yaitu, antara titik P dan V),
dioda menunjukkan resistansi negatif yaitu, saat forward bias meningkat,
arus berkurang.
Sehingga tunnel diode ketika dioperasikan di daerah resistansi negatif,
dapat digunakan sebagai osilator atau sakelar.
Ketika forward bias ditingkatkan melebihi tegangan valley-point (titik
lembah) VV = 0,7 V, tunnel diode berperilaku sebagai dioda normal.
Dari titik V dan seterusnya, arus dioda meningkat dengan kenaikan
tegangan forward, yaitu dioda menunjukkan resistansi positif lagi.
Dapat dicatat bahwa tunnel diode memiliki arus reverse yang tinggi,
tetapi operasi kondisi ini umumnya tidak digunakan.
 Tunnel Diode Oscillator

Tunnel diode selalu dioperasikan pada daerah resistansi negatif.

Saat dioperasikan di wilayah ini, akan bekerja dengan baik pada osilator.
Dari rangkaian resonansi paralel, RP paralel dengan resistansi ekuivalen
dari coil (kumparan).
Ketika tank circuit di set menjadi osilasi, maka akan dihasilkan osilasi
teredam (damped oscillations), karena energi terserap oleh resistansi RP.
 Tunnel Diode Oscillator
Jika tunnel diode ditempatkan secara seri dengan tank circuit dan
dibiaskan di tengah bagian resistansi negatif dari karakteristiknya,
maka akan dihasilkan output osilasi undamped.

Hal ini karena karakteristik resistansi negatif dari tunnel diode melawan
karakteristik resistansi positif dari tank circuit.
 Tunnel Diode Oscillator

Rangkaian itu disebut osilator tunnel diode atau osilator resistansi

negatif.
Rangkaian bekerja sangat baik pada frekuensi tinggi yang ekstrim
(diatas range MHz), rangkaian tidak dapat digunakan secara efisien
pada frekuensi rendah.
Osilator frekuensi rendah umumnya menggunakan transistor.
 Varactor Diode
Junction dioda yang bertindak sebagai kapasitor variabel, dengan
mengubah-ubah reverse bias dikenal sebagai dioda varactor.
Ketika pn junction terbentuk, depletion layer dibuat di area junction.
Karena tidak ada pembawa muatan (charge carriers) dalam depletion
zone, maka zona tersebut bertindak sebagai isolator.
Bahan tipe-p dengan hole (dianggap +) sebagai majority carriers dan
material tipe-n dengan elektron (muatan −ve) sebagai majority carriers
bertindak sebagai pelat bermuatan.
 Varactor Diode
Jadi dioda dapat dianggap sebagai kapasitor dengan region-n dan
region-p membentuk pelat bermuatan berlawanan dan dengan
depletion zone di antara mereka bertindak sebagai dielektrik.
Dioda varactor dibuat khusus untuk memiliki kapasitansi tinggi dengan
reverse bias.
Kisaran nilai kapasitansi varactor diode adalah dalam picofarad.
Dioda varactor selalu dioperasikan dengan reverse bias, karena
forward bias tidak akan berguna.
Kapasitansi dioda varactor ditentukan sebagai:

Dimana CT = Kapasitansi total dari junction, ε = Permittivitas material

semiconductor, A = Luas penampang junction dan Wd = Lebar dari
depletion layer
 Varactor Diode

Ketika tegangan bias reverse pada diode varactor meningkat, maka

lebar Wd dari depletion layer bertambah, sehingga total kapasitansi
CT dari junction berkurang.
Disisi lain, jika tegangan reverse pada diode rendah, maka lebar Wd
dari depletion layer berkurang, sehingga total kapasitansi CT dari
junction bertambah.
Dari uraian diatas, diode varactor terkadang
disebut juga voltage-controlled capacitor.
 Aplikasi Diode Varactor
Menambah atau mengurangi kapasitansi junction dioda varactor
hanya dengan mengubah tegangan reverse bias.
Ini membuat diode varactor ideal
digunakan pada rangkaian yang
membutuhkan voltage-controlled
tuning.
Pada gambar ditunjukkan aplikasi
diode varactor pada suatu tuned
circuit.
Kapasitansi diode varactor dengan
induktor membentuk rangkaian
paralel LC.
 Aplikasi Diode Varactor
Resistansi belitan induktor RW dan potensiometer R1 membentuk
pembagi tegangan yang digunakan untuk menentukan besarnya
tegangan reverse bias pada dioda varactor.
Dengan mengatur R1, bearti dapat memvariasikan besarnya
kapasitansi dioda, yang selanjutnya memvariasikan frekuensi
resonansi rangkaian LC.

Jika tegangan reverse bias berkurang, maka nilai C dari varactor

meningkat.
Peningkatan C akan menyebabkan frekuensi resonansi rangkaian
menurun.
Dengan demikian, penurunan reverse bias menyebabkan penurunan
frekuensi resonansi dan sebaliknya.
Contoh. Tank circuit LC dari gambar diatas, L = 1 mH dan
kapasitansi varactor C = 100 pF ketika reverse bias nya 5 V (dc).
Tentukan resonant frequency dari rangkaian.

Solusi :
 Shockley Diode
Diode Shockley, sesuai dengan nama penemunya Willian Bradford
Shockley Jr., adalah piranti PNPN yang mempunyai 2 terminal.
Diode Shockley adalah piranti yang bertindak
sbg sakelar yg terdiri dari empat lapisan
alternatif P-type dan N-type dlm satu kristal.
Untuk identifikasi, variasi lapisan itu diberi
label P1, N1, P2 and N2.
Karena daerah-P yang berdekatan dengan
daerah-N dapat dianggap sebagai junction
dioda, maka dioda Shockley setara dengan
tiga junction dioda yang dihubungkan secara
seri.

Symbol diode Shockley :

 Shockley Diode
Prinsip Kerja :
Ketika diode Shockley di forward bias, maka diode D1 dan D3 akan
menjadi forward-bias, sedangkan D2 akan menjadi reverse-bias.
Karena dioda D2 reverse-bias, maka resistansinya sangat tinggi.
Meskipun D1 dan D3 resistansinya rendah karena forward bias, tetapi
ketiga dioda tersebut terhubung seri, sehingga secara keseluruhan
dioda Shockley resistansinya sangat tinggi.
Ketika tegangan forward meningkat, reverse bias di D2 juga meningkat.
Pada saat tegangan forward mencapai breakover VBO, reverse
breakdown D2 terjadi, mengakibatkan resistansinya menurun, sehingga
secara keseluruhan resistansi dioda Shockley rendah.
Selanjutnya dioda Shockley berperilaku sebagai dioda forward bias
konvensional; arus forward ditentukan oleh tegangan eksternal yang
diberikan dan resistansi beban.
 Shockley Diode

Ketika diode Shockley

reverse bias, maka
diode D1 dan D3 akan
reverse bias, sementara
dioda D2 akan forward
bias.
Jika tegangan reverse
dinaikkan, maka
tegangan breakdown
dioda Shockley
tercapai.
Pada kondisi ini, dioda D1 dan D3 akan mencapai tegangan reverse
breakdown, shg arus reverse akan meningkat dengan cepat dan panas
yang dihasilkan oleh aliran arus ini dapat merusak device.
 Shockley Diode

Untuk itu, dioda Shockley tidak boleh dioperasikan dengan tegangan

reverse yang mencapai breakdown.
Dioda Shockley juga dikenal sebagai dioda PNPN atau dioda empat
lapisan atau diode thyristor reverse-blocking

Kesimpulan :
Dari uraian diatas, bahwa dioda Shockley berperilaku seperti sakelar.
Selama tegangan forward kurang dari tegangan break-over, dioda
Shockley mempunyai resistansi yang sangat tinggi (sakelar terbuka)
dan praktis tidak mengalirkan arus.
Pada tegangan di atas break-over, dioda Shockley menghasilkan
resistansi yang sangat rendah (sakelar tertutup).
 Shockley Diode

Catatan :
Satu-satunya cara untuk meng OFF kan (“saklar”) dioda Shockley
yang sedang aktif, adalah dengan mengurangi tegangan yang
diberikan, hingga arus yang mengalir melalui dioda Shockley turun di
bawah nilai holding current (IH).
Selanjutnya diode D2 keluar dari reverse-breakdown dan kembali
resistansi nya menjadi tinggi, yang pada gilirannya, menyebabkan
seluruh dioda Shockley kembali ke status resistansi tinggi (sakelar
terbuka)
Karena dioda Shockley mempunyai kelebihan tegangan hidup
rendah, Waktu pemulihan cepat dan kapasitansi junction yang
rendah, maka sering digunakan untuk aplikasi switching kecepatan
tinggi.
 Pertanyaan Pilihan Ganda

1) Zener diodes are used primarily as

(i) amplifiers (iii) rectifiers
(ii) voltage regulators (iv) oscillators
2) A pn junction that radiates energy as light instead of as heat is called a
(i) LED (iii) photocell
(ii) photo-diode (iv) Zener diode
3) The capacitance of a varactor diode increases when reverse voltage
across it
(i) decreases (iii) breaks down
(ii) increases (iv) stores charge
4) To display the digit 8 in a seven-segment indicator
(i) C must be lighted (iii) F must be on
(ii) G must be off (iv) All segments must be lighted
 Pertanyaan Pilihan Ganda

5) A photo-diode is normally
(i) forward-biased (iii) Neither forward nor reverse biased
(ii) reverse-biased (iv) Emitting light
6) When the reverse voltage increases, the junction capacitance
(i) Decreases (iii) increases
(ii) stays the same (iv) has more bandwidth
7) The device associated with voltage-controlled capacitance is a
(i) LED (iii) varactor diode
(ii) photo-diode (iv) Zener diode
8) The varactor is usually
(i) forward-biased (iii) unbiased
(ii) reverse-biased (iv) in the breakdown region
 Pertanyaan Pilihan Ganda

9) When the light increases, the reverse current in a photo-diode

(i) increases (iii) is unaffected
(ii) decreases (iv) none of the above

10) To display the digit 0 in a seven segment display

(i) A must be lighted
(ii) F must be off
(iii) G must be on
(iv) all segments except G should be lighted
 Review Topics
1. What is a LED ?
2. Explain the working of a LED.
3. Give two applications of LEDs.
4. Why do LEDs need series current-limiting resistors ?
5. How does LED differ from an ordinary diode ?
6. What is a photo-diode ?
7. How does photo-diode work ?
8. Give two applications of photo-diodes.
9. What is an optoisolator ?
10. What is a tunnel diode ?
11. Explain the V-I characteristics of a tunnel diode.
12. Explain the working of tunnel diode oscillator.
13. What is a varactor diode ?
14. Explain the working of varactor diode.
15. Give one application of varactor diode.
16. Explain the working of Shockley diode.
 Discussion Questions

1. Why is LED not made of silicon or germanium ?

2. Where do we use seven-segment display ?
3. How do we protect LED from large reverse voltage ?
4. How does photo-diode differ from an ordinary diode ?
5. What is dark resistance of photo-diode ?
6. What do you mean by the sensitivity of photo-diode ?
7. What is the use of optoisolator ?
8. How does the width of depletion layer change the capacitance
of a varactor ?