Eka Astiayanti

Kamis, 10 Juli 2014

Pengaruh Pemberian Bias Pada Daerah Deplesi, Built in voltage
Pengertian Dioda
Dioda adalah merupakan jenis komponen pasif. Dioda memiliki dua kaki/kutub yaitu
kaki anoda dan kaki katoda . Dioda terbuat dari bahan semi konduktor tipe P dan semi
konduktor tipe N yang di sambungkan.
Semi konduktor tipe P berfungsi sebagai Anoda dan semi konduktor tipe N berfungsi
sebagai katoda. Pada daerah sambungan 2 jenis semi konduktor yang berlawanan ini
akan muncul daerah deplesi yang akan membentuk gaya barier.Gaya barier ini dapat
ditembus dengan tegangan + sebesar 0.7 volt yang dinamakan sebagai break down
voltage, yaitu tegangan minimum dimana dioda akan bersifat sebagai
konduktor/penghantar arus listrik.
Dioda bersifat menghantarkan arus listrik hanya pada satu arah saja, yaitu jika kutub
anoda kita hubungkan pada tegangan + dan kutub katoda kita hubungkan dengan
tegangan (kita beri bias maju dengan tegangan yang lebih besar dari 0.7 volt) maka
akan mengalir arus listrik dari anoda ke katoda (bersifat konduktor). Jika polaritasnya
kita balik (kita beri bias mundur) maka arus yang mengalir hampir nol atau dioda
akan bersifat sebagai isulator.
Karena sifat dioda yang bekerja sebagai konduktor jika kita beri bias maju dan
bekerja sebagai isulator pada bias mundur, maka dioda sering digunakan sebagai
penyearah (rectifier) arus bolak-balik. Contoh penggunaannya adalah pada rangkaian
adaptor, DC power supply (Catu Daya DC) dsb.
gambar simbol dioda
P-N junction
P-n junction terbentuk dengan menggabungkan semikonduktor tipe-N dan tipe-P
bersamaan dalam hubungan yang sangat dekat. Istilah junction menunjuk ke bagian
di mana kedua tipe semikonduktor tersebut bertemu. Dapat dilihat sebagai perbatasan
antara wilayah antara blok tipe-P dan tipe-N seperti yang diperlihatkan di diagram
bawah:
Daerah Deplesi

Daerah deplesi atau daerah transisi adalah daerah yang sangat tipis dekat sambungan
antara semikonduktor tipe p dan semikonduktor tipe n pada sebuah diode. Daerah ini
dapat membangkitkan pembawa muatan minoritas saat terdapat cukup energi termal
untuk membangkitkan pasangan lubang-elektron. Salah satu dari pembawa muatan
minoritas ini, misalnya elektron pada tipe-p, akan mengalami pengaruh dari proses
penolakan elektron difusi dari tipe-n. Dengan kata lain elektron minoritas ini akan
ikut tertarik ke semikonduktor tipe-n. Gerakan pembawa muatan akibat
pembangkitan termal ini lebih dikenal sebagaidrift. Situasi akan stabil saat arus
difusi sama dengan arus drift.
Pada daerah sambungan/daerah diplesi yang sangat tipis terjadi pengosongan
pembawa muatan mayoritas akibat terjadinya difusi ke sisi yang lain. Hilangnya
pembawa muatan mayoritas di daerah ini meninggalkan lapisan muatan positip di
daerah tipe-n dan lapisan muatan negatif di daerah tipe-p.
Karakteristik Arus dan tegangan
Forward Bias
Ketika kaki katoda disambungkan dengan kutub negatif batere dan anoda
disambungkan dengan kutub positif, maka dikatakan bahwa dioda sedang dibias
dengan tegangan maju. Bias maju ini diperlihatkan pada gambar berikut.
Dioda dengan bias tegangan maju Dalam bias maju, kutub negatif batere akan
menolak elekton-elektron bebas yang ada dalam semikonduktor tipe N, ika energi
listrik yang digunakan adalah melebihi tegangan barir, maka elektron yang tertolak
tersebut akan melintasi daerah deplesi dan bergabung dengan hole yang ada pada tipe
P, hal ini terjadi terus menerus selama rangkaian di gambar tersebut adalah tertutup.
Kondisi inilah yang menyebabkan adanya arus listrik yang mengalir dalam rangkaian.
Reverse Bias
Sebaliknya jika kaki katoda disambungkan dengan kutub positif batere dan anoda
disambungkan dengan kutub negatif batere, maka kondisi ini disebut sebagai bias
tegangan balik, seperti terlihat dalam gambar berikut.
Dioda dengan bias tegangan mundur Ketika dioda dibias mundur, maka tidak ada
aliran arus listrik yang melewati dioda. Hal ini dikarenakan elekton bebas yang ada
pada tipe N tertarik oleh kutub positif batere dan demikian juga hole pada tipe P
berekombinasi dengan elektron dari batere, sehingga lapisan pengosongan menjadi
semakin lebar. Dengan semakin lebarnya lapisan pengosongan ini, maka dioda tidak
akan mengalirkan arus listrik. Ketika tegangan bias mundur terus diperbesar, maka
pada suatu harga tegangan tertentu dioda akan rusak, karena adanya proses avalan
yang menyebabkan dioda rusak secara fisik.

Macam-macam Dioda dan penggunaannya

Menurut bahan semi konduktor yang digunakan dalam pembuatannya, dioda ada 2
jenis yaitu :

Dioda silikon: Dibuat dari bahan silikon (si)

Dioda germanium: Dibuat dari bahan germanium (ge)

Jenis-jenis dioda dan penggunaannya :

Dioda silikon: Banyak digunakan pada peralatan catu daya sebagai penyearah
arus,. Contoh : 1N4001, 1N4007, 1N5404 dsb.

Dioda zener: Digunakan untuk membatasi/mengatur tegangan. Contoh : zener

6.2 volt, zener 3.2 volt dsb. Dioda Zener dibuat sedemikian rupa sehingga
arus dapat mengalir ke arah yang berlawanan jika tegangan yang diberikan
melampaui batas tegangan rusak (breakdown voltage) atau tegangan
Zener.

Dioda Bridge: 4 buah dioda yang dirangkai menjadi rangkaian

jembatan/bridge. Banyak digunakan pada rangkaian catu daya sebagai
penyearah gelombang penuh (full wave rectifier). Contoh : B40C800, kiprox
pada kendaraan bermotor dsb.

Light Emitting Diode Disingkat dengan LED. Dikenal juga dengan Dioda
cahaya, karena perangkat elektronik ini mampu menghasilkan cahaya.Light
Emitting Diode adalah suatu semikonduktor yang memancarkan cahaya ketika
diberi tegangan maju.

Dioda foto adalah jenis dioda yang berfungsi mendeteksi cahaya. Berbeda
dengan dioda biasa, komponen elektronika ini akan mengubah cahaya
menjadi arus listrik.

Dioda - Breakdown
Gambar 3.17 di bawah ini menunjukkan karakteristik reverse-bias dari dioda,
termasuk area breakdown. Dioda-dioda yang dibuat khusus untuk bekerja pada
daerah ini memiliki kemampuan untuk menstabilkan tegangan melalui disipasi daya.
Pada gambar 3.17b, tegangan RL akan konstan walaupun tegangan input V diubahubah (> 5V). Dioda jenis ini dinamakan dioda avalanche, dioda breakdown, atau
dioda Zener.

Kemampuan dioda-breakdown ini timbul karena dua mekanisme, yaitu multiplikasi

avalanche dan efek Zener (telah diterangkan sebelumnya).
Efek Zener terjadi pada saat medan di sekitar junction mendekati nilai 2 x 107 V/m.
Medan sebesar ini terjadi pada tegangan di bawah 6 V pada semikonduktor terdoping berat.
Nama dioda Zener lebih umum digunakan untuk dioda-dioda-breakdown, walaupun
tegangan operasinya tinggi. Dioda silikon yang beroperasi pada breakdown avalance
mampu mempertahankan tegangan dari beberapa volt hingga ratusan volt, dengan
daya sekitar 50 W.
Karakteristik Temperatur. Sensitivitas dioda Zener terhadap suhu merupakan hal
yang menarik. Koefisien temperatur dioda zener dinyatakan dalam prosentase
perubahan tegangan per derajat celsius perubahan suhu. Koefisien bisa bernilai
positif maupun negatif dengan nilai sekitar + 0,1 persen/C.
Di daerah zener murni (di bawah 6 V) koefisien bernilai negatif, karena kenaikan
suhu akan meningkatkan energi elektron valensi, sehingga lebih mudah lepas dari
ikatan. Jadi di daerah ini, semakin tinggi suhu, tegangan breakdown akan semakin
rendah.
Di daerah avalanche (tegangan operasi tinggi, > 6V) , kenaikan suhu akan
meningkatkan vibrasi atom yang berarti akan meningkatkan peluang terjadinya
tumbukan antara partikel intrinsik dengan atom. Hal ini memperkecil peluang partikel
intrinsik untuk menembus junction. Berarti, tegangan breakdown semakin tinggi jika
suhu dinaikkan (koefisien positif).
Resistansi Dinamis dan Kapasitansi. Jika gradien-resiprokal VZ/IZ adalah
resistansi dinamis, maka perubahan arus sebesar IZ pada dioda akan menghasilkan
perubahan tegangan sebesar VZ = r IZ. Idealnya, r = 0 (sehingga garis pada area
breakdown benar-benar vertikal).
Nilai minimum r pada dioda-breakdown adalah beberapa ohm saja. Namun untuk VZ
di bawah 6 V atau di atas 10 V serta arus yang cukup kecil ( 1 mA), r dapat
memiliki nilai beberapa ratus ohm.
Sejumlah produsen dioda menentukan nilai arus minimum IZK (gambar 3.17a) yang
harus diperhatikan. Di bawah arus minimum ini, resistansi dinamis menjadi besar dan
efek regulasi tegangan akan memburuk.
Kapasitansi pada dioda-breakdown adalah kapasitansi transisi. Karena CT
proporsional dengan luas penampang dioda, dioda avalanche daya tinggi memiliki

kapasitansi yang sangat besar, karena penampangnya yang besar. Nilai umum untuk
CT adalah antara 10 hingga 10.000 pF.