Karakteristik

Dioda Semikonduktor

Danny Kurnianto, ST.,M.Eng

Institut Teknologi Telkom Purwokerto
Selasa, 13 Oktober 2020
 Timeline Learning

Section Section Section Section

4 3 2 1

Komponen linier Bias mundur Bias maju Dioda tanpa bias

Section Section Section

5 6 7

Grafik dioda Garis beban DC Pendekatan dioda dan

tahanan dioda
Dosen Pengampu
Danny Kurnianto, S.T.,M.Eng

Biografi: dosen pengampu merupakan lulusan sarjana dari

Teknik Elektro Universitas Brawijaya dan lulusan Magister dari
Teknik Elektro Universitas Gadjah Mada. Keminatan bidang riset
adalah pada bidang Internet of Things, Embedde System dan
Pemrosesan Sinyal.

Email

dannykurnianto@ittelkom- Channel = Danny Kurnianto

pwt.ac.id
 Dioda Tanpa Bias

- Dioda adalah merupakan salah satu komponen elektronika yang terbuat dari bahan
semikonduktor, yaitu penyampungan bahan semikonduktor tipe-N dan tipe-P.
- Di bawah ini ditunjukkan penampang diode dan gambar symbol diode.

- Terdapat 2 terminal atau kaki pada diode yaitu anoda dan katoda.
- Anoda adalah kaki diode dimana arus masuk ke dalam diode melalui kaki ini,
sedangkan katoda adalah kaki diode dimana arus keluar dari dioda.
Dioda Tanpa Bias
- Pada semikonduktor tipe-N memiliki pembawa
muatan mayoritas yaitu elektron sedangkan pada
tipe-P memiliki pembawa muatan mayoritas yaitu
hole.
- Diakibatkan gaya tolak menolak, maka elektron
pada sisi N akan berdifusi atau menyebar ke
segala arah, sebagiannya menyeberang melewati
junction ke sisi P.
- Elektron yang menyeberang ke daerah P akan
berekombinasi dengan hole di daerah sekitar
junction sehingga akan tercipta ion negatif di
sekitar junction pada sisi P, demikian juga saat
elektron meninggalkan sisi N, maka pada daerah
junction di sisi N akan tercipta ion negatif.
- Peristiwa di atas akan menyebabkan terciptanya
daerah pengosongan di sekitar junction.
- Daerah pengosongan memiliki beda potensial
yang disebut potensial barrier dg nilai 0,7 volt
untuk silikon dan 0,3 V untuk germanium.
 Dioda Bias Maju
- Jika suatu diode dihubungkan dengan sebuah
sumber tegangan DC, dimana kutub positif sumber
dihubungkan dengan tipe P dan kutub negatif
dihubungkan dengan tipe N, sambungan ini
dikatakan pembiasan maju.
- Kutub negatif sumber akan menolak atau
mendorong elektron bebas di tipe N ke arah
junction, adanya tambahan energi ini mendorong
elektron mampu melewati daerah junction dan
mengalami rekombinasi dengan hole menjadi
elektron valensi di tipe P.
- Elektron valensi ini akan terus bergerak ke arah
kutub positif sumber dan akhirnya keluar diode
menuju kutub positif sumber.
Energi

- Peristiwa ini yang menyebabkan aliran arus listrik

melewati diode, dimana arah alirannya berlawanan
dengan arah aliran elektron, masuk melalui anoda
dan keluar melalui katoda.
 Dioda Bias Mundur

- Bila sumber DC dibalik polaritasnya seperti pada

gambar di samping maka kondisi ini diode di bias
mundur.
- Elektron bebas pada tipe N akan ditarik ke arah
kutub positif sumber dan hole pada tipe P ditarik
ke arah kutub negatif sumber.
- Elektron dan hole akan bergerak menjauhi
junction sehingga lapisan pengosongan akan
semakin melebar.
- Semakin besar tegangan bias mundur maka
lapisan pengosongan juga akan semakin lebar.
- Lapisan pengosongan akan berhenti melebar jika
beda potensialnya mencapai tegangan sumber.
- Pada saat dibias mundur, sebenarnya terdapat arus listrik
yg mengalir dari pembawa muatan minoritas yaitu elektron
pada tipe P dan hole pada tipe N.
- Arus ini dinamakan arus jenuh balik atau Is. Besarnya arus
balik Is pada suhu ruang untuk germanium sebesar mikro
ampere dan untuk silikon sebesar nano ampere
Grafik Dioda

- Hubungan antara arus yang mengalir pada diode

dengan tegangan bias VA-K dapat dilihat pada
grafik di samping.
- Pada saat dibias maju, arus pada diode akan
dapat mengalir dengan besar saat tegangan bias
VA-K mencapai nilai 0,7 V untuk silikon dan 0,3 V
untuk Germanium. Tegangan ini merupakan nilai
beda potensial pada lapisan pengosongan
(potensial barrier).
- Pada sisi sebelah kiri grafik diperlihatkan daerah
bias mundur. Pada saat ini tidak ada arus yg
mengalir secara signifikan di diode. Arus yg
mengalir adalah arus jenus balik (Is) yg besarnya
10 nA untuk silikon dan 1 uA untuk Germanium.
- Arus signifikan akan muncul pada saat di bias
mundur jika tegangan bias VA-K melebihi nilai
tegangan breakdown atau sebesar 50 V
Grafik Dioda

- Suhu dapat mempengaruhi tegangan knee diode

serta arus jenuh balik (Is).
- Jika suhu naik maka tegangan knee diode akan
turun dan jika suhu turun maka tegangan knee
diode akan naik.
- Jika suhu naik 10o C maka arus jenuh balik diode
akan naik 2x dari sebelumnya.
 Resistensi Dioda
Resistensi DC
- Karena kurva karakteristik diode tidak linier,
maka resistensi diode akan berubah-ubah antara
satu titik operasi dengan titik operasi lainnya.
- Jika diode dibias dengan tegangan DC maka
akan terdapat resistensi DC sebesar

- Sebagai contoh, tentujan nilai resistensi diode

pada grafik di samping untuk nilai ID=2mA,
ID=20mA, dan VD= -10V.
 Resistensi Dioda
Resistensi AC
- Apabila tegangan AC atau sinyal sinus diberikan
di sekitar titik kerja diode, maka titik kerja akan
berayun dari atas ke bawah.
- Perbandingan antara perubahan tegangan dan
perubahan arus di sekitar titik kerja disebut
sebagai resistensi AC.
 Garis Beban Dioda

- Garis beban digunakan untuk menentukan nilai

sebenarnya dari tegangan dan arus diode.
- Untuk mendapatkan arus dan tegangan yang
sebenarnya pada dioda, maka rangkailah dioda
seperti gambar di samping.
- Arus yang mengalir di diode didapat dari
persamaan berikut ini.

- Arus jenus atau saturasi (Isat) = arus maksimum

dari diode saat tegangan diode sama degan nol.
I = arus dioda
V = tegangan dioda
Vs = sumber tegangan
- Tegangan cut-off (Vcut) = tegangan maksimum Rs = resistor pembatas arus
Dioda saat arus diode sama dengan nol.
 Garis Beban Dioda

Jika Rs = 100 Ohm dan

Vs = 2 Volt, maka

- Arus saturasi (Is) = 20 mA

- Tegangan cut-off (Vcut) = 2 Volt
Garis Beban Dioda

- Pada gambar di samping menunjukkan garis

beban diode dan kurva karakteristik diode.
- Koordinat-koordinat titik Q adalah arus dan
tegangan diode untuk tegangan sumber 2 Volt
dan tahanan pembatas arus 100 ohm.
- Titik Q atau titik kerja diode berada di titik
perpotongan antara kurva karakteristik dan garis
beban diode yaitu untuk arus diode sebesar 12,5
mA dan tegangan diode sebesar 0,75 Volt.
- Atau dengan menggunakan rumus berikut untuk
menentukan titik Q diode.
 Pendekatan Dioda

Pendekatan Pertama yaitu Dioda Ideal
- Dioda ideal akan bersifat konduktor jika di beri
bias maju dan bersifat isolator jika diberi bias
mundur.
- Pendekatan diode ideal menyerupai saklar
tertutup.
- Pendekatan ini dipakai terutama pada kondisi
tegangan dan tahanannya sangat besar seperti
di power supply.
 Pendekatan Dioda

Pendekatan Kedua - Pendekatan kedua adalah model diode

sederhana.
- Rangkaian ekivalennya terdiri dari diode ideal
yang di seri dengan baterai sebesar 0,7 Volt.
Tegangan baterai ini adalah tegangan knee
diode.
- Dari grafik terlihat bahwa tidak ada arus yang
mengalir melewati diode sampai tegangan diode
mencapai 0,7 Volt. Pada titik ini diode mulai
konduk.
- Jika tegangan sumber lebih besar dari 0,7 Volt,
maka saklar tertutup dan tegangan diode adl 0,7
Volt.
- Jika tegangan sumber kurang dari 0,7 Volt atau
bernilai negatif maka saklar membuka.
 Pendekatan Dioda

Pendekatan Ketiga - Pendekatan ketiga adalah model pendekatan

diode paling komplek.
- Pada pendekatan ketiga ini diperhitungkan
tahanan bulk (rb).
- Dioda akan konduk pada tegangan 0,7 Volt.
Selanjutnya tegangan selebihnya tampak pada
tahanan bulk.
- Tegangan pada tahanan bulk akan semakin
besar saat arus diode makin besar pula dan
kenaikan tegangan bersifat linier.
- Tegangan total diode silikon adalah sebesar:

VD = 0,7 + ID.rB
Pendekatan Dioda
Lembar Spesifikasi Dioda
Penutup

SEKIAN