A.TUJUAN
1. Menyelidiki hubungan antara kuat arus dengan tegangan bias dari diode penyearah dan diode
zener
2. Mengetahui besar tegangan potong dan bahan pembentuk dari diode persambungan pn
3. Mengetahui daerah tegangan balik puncak dari diode zener(Vpiv).
B.KAJIAN TEORI
Karakteristik dioda menyatakan hubungan antara arus diode dengan beda tegangan yang
diberikan antara ujung dioda.Secara teoritis hubungan antara arus dan tegangan bias maju dari diode p-n
dinyatakan dengan persamaan :
𝑞𝑣
ID = IS ( 𝑒 𝑘𝑇 −1)
Sementara itu hubungan antara arus dan tegangan bias maju dari diode p-n dapat ditulis
dalam bentuk :
𝑞𝑣
ID = IS ( 𝑒¯ 𝑘𝑇 −1)
Karakteristik statik dari diode secara pengukuran dapat diperoleh dengan cara
memvariasikan tegangan sumber(VDD) , mengukur tegangan diode(VD ) dan arus yang melalui
dioda (ID) pada saat diode dalam keadaan bias maju dan bias mundur seperti gambar :
Bila harga tegangan VDD diubah,maka arus ID dan tegangan VD akan berubah
pula.Hubungan antara tegangan sumber,tegangan diode, dan arus yang mengalir pada diode
dapat ditulis :
Bila karakteristik static dari suatu diode telah diketahui,maka akan dapat ditentukan garis
lurus dengan kemiringan (I / RL ).Garis ini disebut garis beban(load line) yang didapat dari
karakteristik diode dengan mengetahui harga arus ID dan VD.(ASRIZAL)
Dioda adalah gabungan bahan semikonduktor tipe n yang merupakan bahan dengan
kelebihan elektron dan tipe p adalah kekurangan satu elektron sehingga membentuk
hole.Hole dalam hal ini berfungsi sebagai pembawa muatan. Apabila kutub p pada dioda
(anoda) dihubungkan dengan kutub positif sumber maka akan terjadi pengaliran arus listrik
dimana elektron bebas pada sisi n (katoda) akan berpindah mengisi hole sehingga terjadi
pengaliran arus. Sebaliknya apabila sisi p dihubungkan dengan negatif baterai/sumber,
maka elektron akan berpindah ke arah terminal positif sumber. Didalam dioda tidak akan
terjadi perpindahan elektron.
Sisi positif (p) disebut anoda dan sisi negatif (n) disebut katoda.Lambang dioda seperti
anak panah yang arahnya dari sisi p ke sisi n. Karenanya ini mengingatkan kita pada arus
konvensional dimana arus mudah mengalir dari sisi p ke sisi n.
1. Pada sistem amerika sebuah dioda ditandai dengan 1n, diikuti dengan sebuah nomor tipe
yang sama sekali tidak mempunyai arti teknis. Angka 1 berarti, elemen yang bersangkutan
itu merupakan sebuah dioda. Huruf n berarti non-heating, yang berarti bukan kawat pijar,
jadi sebuah penghantar tanggung.
2. Sistim jepang adalah sama seperti sistim amerika, tetapi yang ditulis ialah 1 s, bukan 1 n. S
ini berarti semi-conduktor = penghatar tanggung.
3. Pada sistim eropa dipakai pengkodean yang diterapkan baik untuk dioda penghatar
tanggung, maupun untuk transistor. Pengkodean pada sistim eropa terdiri dari dua atau
tiga huruf, diikuti oleh sebuah nomor seri, misalnya bdy33; ac121; afy67.
Huruf pertama menyatakan bahan apa yang digunakan pada dioda pengahantar tanggung,
atau transistor yang bersangkutan dibuatnya. A = germanium ; b = silium.huruf kedua
menyatakan fungsinya, misalnya a = dioda pada umumnya ; y = dioda daya. Huruf ketiga
dipakai untuk apa yang disebut tipe-tipe indusri.
Ada terdapat tegangan tertentu yan disebut tegangan pelulusan atau tegangan ambang.
Tegangan ambang pada diode si ialah kira-kira 0,6 v tegangan ambang pada diode ge ialah
kira-kira 0,2 v. Arah penghalangan bila arah anak panah pada tanda bagan berlawanan
dengan arah ke mana arus konvensional itu ingin mengalir, diodanya menghalangi.
Bias diode adalah cara pemberian tegangan luar ke terminal diode. Apabila a diberi
tegangan positif dan k diberi tegangan negative maka bias tersebut dikatakan bias maju
(forward bias). Pada kondisi bias ini akan terjadi aliran arus dengan ketentuan beda
tegangan yang diberikan ke diode atau va-vk > vj dan selalu positif. Sebaliknya apabila a
diberi tegangan negative dan k diberi tegangan positif, arus yang mengalir (ir) jauh lebih
kecil dari pada kondisi bias maju. Bias ini dinamakan bias mundur (reverse bias) pada arus
maju (if) diperlakukan baterai tegangan yang diberikan dengan if tidak terlalu besar
maupun tidak ada peningkatan ir yang cukup significant.
(SDAA)
Karakteristik dasar dioda dikenal dengan karakteristik v-i.Karakterisik ini penting untuk
dipahami agar tidak terjadi kesalahan dalam aplikasi dioda. Dalam karakteristik ini dapat
diketahui keadaan-keadaan yang terjadi pada dioda ketika mendapat tegangan bias maju
dan tegangan bias mundur.
Jika kedua terminal dioda disambungkan ke sumber tegangan dimana tegangan anoda
lebih positif dibandingkan dengan tegangan katoda, maka dioda dikatakan dalam keadaan
bias maju.Sebaliknya, bila tegangan anoda lebih negatif dari katoda, dioda dikatakan dalam
keadaan bias mundur.
Hubungan arus dioda (ID) dengan tegangan dioda (VD) dapat dinyatakan dalam persamaan
matematis yang dikembangkan oleh W. Shockley, yaitu :
dimana:
ID = arus dioda (amper)
Harga Is suatu dioda dipengaruhi oleh temperatur, tingkat doping dan geometri
dioda.Dan konstanta n tergantung pada sifat konstruksi dan parameter fisik dioda.
Sedangkan harga VT ditentukan dengan persamaan :
dimana:
k = konstanta Boltzmann, 1.381 x 10-23 J/K (J/K artinya joule per derajat kelvin)
Hubungan antara besar hambatan dengan temperatur suatu bahan semikonduktor didekati
dengan persamaan:
RT = R0 𝑒 ℎ∆𝑇
Untuk nilai pendekatan banyak buku data memberikan nilai referensi VT=25mV
atau VT=26mV.Sebagaimana telah disebutkan bahwa arus jenuh mundur, Is, dipengaruhi
oleh beberapa faktor seperti: doping, persambungan, dan temperatur. Namun karena dalam
pemakaian suatu komponen dioda, faktor doping dan persambungan adalah tetap, maka
yang perlu mendapat perhatian serius adalah pengaruh temperatur dioda.
(IJCKCS)