Assalamualaikum.wr.

wb
 JFET
(Junction Field Effect Transistor)

Angga Prasetya (11555102919)

Anggie Putty Triani (11555202552)
Deswita Adlyani Siregar (11555202576)
Ella Rahma Ziana (11555201921)
Fadhli Syaifurrahman (11555102596)
Ficko Andrean (11555102819)
Gallardo Lengena S.S.V (11555102800)
 Pengertian JFET (Junction Field
Effect Transistor )
JFET adalah tipe dari transistor jenis FET. Field Effect
Transistor (FET) atau Transistor Efek Medan ini diciptakan
dan dipatenkan oleh Julius Edgar Lilienfeld pada tahun
1926 dan juga oleh Oscar Hell di tahun 1934.

FET adalah salah satu jenis transistor menggunakan

medan listrik untuk mengendalikan konduktifitas suatu
kanal dari jenis pembawa muatan tunggal dalam bahan
semikonduktor. FET kadang-kadang disebut sebagai
transistor ekakutub untuk membedakan operasi pembawa
muatan tunggal yang dilakukannya dengan operasi dua
pembawa muatan pada transistor dwikutub (BJT).
 Pengertian JFET (Junction Field
Effect Transistor )
Field Effect atau Efek Medan karena pengoperasian Transistor
jenis ini tergantung pada tegangan (medan listrik) yang terdapat pada
Input Gerbangnya. FET merupakan Komponen Elektronika yang
tergolong dalam keluarga Transistor yang memilki Tiga Terminal Kaki
yaitu Gate (G), Drain (D) dan Source (S).

Field Effect Transistor atau FET memiliki fungsi yang hampir sama
dengan Transistor bipolar pada umumnya. Perbedaannya adalah pada
pengendalian arus Outputnya. Arus Output (IC) pada Transistor Bipolar
dikendalikan oleh arus Input (IB) sedangkan Arus Output (ID) pada FET
dikendalikan oleh Tegangan Input (VG) FET. Perbedaan yang paling
utama antara Transistor Bipolar (NPN & PNP) dengan Field Effect Transistor
(FET) adalah terletak pada pengendalinya (Bipolar menggunakan Arus
sedangkan FET menggunakan Tegangan).
Simbol dan Komponen JFET
 Simbol dan Komponen JFET

Saluran atau Kanal pada jenis ini terbentuk dari bahan

semikonduktor tipe N dengan satu ujungnya adalah Source (S) dan
satunya lagi adalah Drain (D). Mayoritas pembawa muatan atau
Carriers pada JFET jenis Kanal-N ini adalah Elektron.
Gate atau Gerbang pada JFET jenis Kanal-N ini terdiri dari bahan
semikonduktor tipe P. Bagian lain yang terbuat dari Semikonduktor
tipe P pada JFET Kanal-N ini adalah bagian yang disebut dengan
Subtrate yaitu bagian yang membentuk batas di sisi saluran
berlawanan Gerbang (G).
Tegangan pada Terminal Gerbang (G) menghasilkan medan listrik
yang mempengaruhi aliran pada pembawa muatan yang melalui
saluran tersebut. Semakin Negatifnya VG, semakin sempit pula
salurannya yang akhirnya mengakibatkan semakin kecil arus pada
outputnya (ID).
Simbol dan Komponen JFET
 Simbol dan Komponen JFET

Saluran pada JFET jenis Kanal-P terbuat dari Semikonduktor tipe P.

Mayoritas pembawa muatannya adalah Hole. Bagian Gate atau
Gerbang (G) dan Subtrate-nya terbuat dari bahan Semikonduktor tipe
N.
Di JFET Kanal-P, semakin Positifnya VG, semakin sempit pula
salurannya yang akhirnya mengakibatkan semakin kecilnya arus
pada Output JFET (ID).
Dari Simbolnya, kita dapat mengetahui mana yang JFET Kanal-N
dan JFET Kanal-P. Anak Panah pada simbol JFET Kanal-N adalah
menghadap ke dalam sedangkan anak panah pada simbol JFET
Kanal-P menghadap keluar.
 Karakteristek JFET
1. Dibuat saluran tipis dari sumber (source) S ke saluran/pembuangan D
(drain).
2. Sekeliling saluran (channel) berupa sambungan p-n dengan panjar
mundur pada daerah deplesi.
3. Lebar daerah deplesi akan bertambah jika tegangan sambungan
dibuat lebih negatif.
4. Kemampuan saluran untuk menghantar (dalam hal ini saluran-n)
tergantung lebarnya.
5. Lebar saluran dapat diubah-ubah dengan mengatur lebar daerah
deplesi yaitu sepanjang sambungan panjar-mundur.
 Karakteristek JFET
6. Lebar dari daerah deplesi atau kemampuan menghantar pada
saluran dapat dikontrol dengan memberikan tegangan eksternal
pada gerbang (gate) G.
7. Arus yang mengalir pada saluran adalah berupa pembawa
muatan yang bergerak (mobile), yaitu dalam hal ini berupa
elektron. Tanda panah pada simbol selalu mengarah ke material
tipe-n; dengan demikian dapat dibuat juga jenis saluran-p. Dengan
> 0 DS v , ujung D akan positif terhadap S dan elektron akan
mengalir dari S ke D atau muatan positif mengalir dari D ke S dan
arus drain D i berharga positif
Cara Kerja
 Cara Kerja

JFET kanal-n memiliki daerah p sebagai gate, dana daerah n

sebagai drain, dan source. Sumber tegangan akan mengalirkan
electron bebas dari source ke drain. Tegangan gate akan mengontrol
lebar kanal dimana electron mengalir sehingga dapat mengatur
besarnya aliran ini.
JFET kanal-p memiliki prinsip yang sama dengan JFET kanal-n ,
hanya saja kanal yang digunakan adalah semikonduktor tipe p.
dengan demikian polaritas tegangan dan arah arus berlawanan jika
dibandingkan dengan transistor JFET kanal-n. Simbol rangkaian yang
digunakan juga sama, hanya saja dengan arah panah yang
berbeda.
 Kelebihan dan Kelemahan jFET

Jika dibandingkan dengan Transistor Bipolar, FET memiliki beberapa

kelebihan dan kelemahan. Salah satu kelebihan FET adalah dapat bekerja
dengan baik di rangkaian elektronika yang bersinyal rendah seperti pada
perangkat komunikasi dan alat-alat penerima (receiver). FET juga sering
digunakan pada rangkaian-rangkaian elektronika yang memerlukan
Impedansi yang tinggi. Namun pada umumnya, FET tidak dapat digunakan
pada perangkat atau rangkaian Elektronika yang bekerja untuk penguatan
daya tinggi seperti pada perangkat Komunikasi berdaya tinggi dan alat-alat
Pemancar (Transmitter).
 Rumus
𝑽𝑮𝑺 2
𝑰𝑫𝑺 = 𝑰𝑫𝑺𝑺 𝟏 −
𝑽𝑷

𝑽𝑫𝑫 = 𝑰𝑫 𝑹𝑫 + 𝑽𝑫𝑺
VGSQ = - VGG atau VDSQ = VDD-ID.RD
Dimana:
ID (Arus Drain) adalah arus maksimal yang mengalir pada Drain.
VDS (Tegangan Drain-Source) adalah besar tegangan maksimum
antara Drain dan Source.
VDG (Tegangan Drain-Gate) adalah besar tegangan maksimum
antara Drain dan Gate
VGS (Tegangan Gate-Source) adalah batasan jangka tegangan
diantara Gate dan Source. Biasanya dinyatakan dalam batasan –
(negative) dan + (positif).
 Contoh Soal

Diketahui :
suatu rangkaian yang menggunakan JFET n-channel
dengan IDSS=12mA dan VP=-4V seperti ditunjukkan
gambar di samping. Antara VDD dengan Drain
terdapat RD= 1Kohm

Ditanya:
Berapakah arus IDS dan tegangan VDS yang terjadi?
 Contoh Soal
Sesuai dengan persamaan arus pada JFET n-channel bahwa :
𝑽𝑮𝑺 2
𝑰𝑫𝑺 = 𝑰𝑫𝑺𝑺 𝟏 −
𝑽𝑷
−𝟐𝑽 2
𝑰𝑫𝑺 = 𝟏𝟐𝒎𝑨 𝟏 −
−𝟒𝑽
𝟏𝑽 2 𝟏
𝑰𝑫𝑺 = 𝟏𝟐𝒎𝑨 𝟏 − = 𝟏𝟐𝒎𝑨 × = 𝟑
𝟐𝑽 𝟒

Loop tegangan yang dibentuk oleh VDD, RD, FET, dan Ground mempunyai
persamaan:
𝑽𝑫𝑫 = 𝑰𝑫 𝑹𝑫 + 𝑽𝑫𝑺
𝟏𝟎𝑽 = 𝟑𝒎𝑨 × 𝟏𝒌𝜴 + 𝑽𝑫𝑺
𝑽𝑫𝑺 = 𝟏𝟎𝒗 − 𝟑𝒎𝑨 × 𝟏𝒌𝜴 = 𝟕𝑽
Aplikasi Transistor Junction Field
Effect Transistor
Jfet P Channel PADA RANGKAIAN
Aplikasi Transistor Junction Field
Effect Transistor
Jfet N Channel PADA RANGKAIAN
 ...THE END...

Wassalamualaikum.wr.wb