PENERAPAN RANGKAIAN ELEKTRONIKA (PRE)

XI - TEKNIK AUDIO VIDEO

SMKN 7 BEKASI

BJT (BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR)

Pengertian Transistor adalah komponen elektronika aktif yang terbuat dari bahan
semikonduktor yang memiliki 3 kaki elektroda, yaitu Basis (Dasar), Kolektor
(Pengumpul) dan Emitor (Pemancar). Komponen ini berfungsi sebagai penguat,
pemutus dan penyambung (switching), stabilitasi tegangan, modulasi sinyal dan masih
banyak lagi fungsi lainnya. Selain itu, transistor juga dapat digunakan sebagai kran
listrik sehingga dapat mengalirkan listrik dengan sangat akurat dari sumber listriknya.

Transistor jenis BJT ini memiliki 2 tipe yaitu Transistor NPN dan Transistor PNP.
Berikut ini Gambar dan Bentuk Simbol dari jenis transistor BJT.

Gambar 1. Transistor BJT

1
PENERAPAN RANGKAIAN ELEKTRONIKA (PRE)
XI - TEKNIK AUDIO VIDEO
SMKN 7 BEKASI

FET (FIELD EFFECT TRANSISTOR)

1. PENGGOLONGAN FET (FIELD EFFECT TRANSISTOR)

Field Effect Transistor atau disingkat dengan FET adalah komponen Elektronika
aktif yang menggunakan Medan Listrik untuk mengendalikan Konduktifitasnya.
Field Effect Transistor (FET) dalam bahasa Indonesia disebut dengan Transistor
Efek Medan. Dikatakan Field Effect atau Efek Medan karena pengoperasian
Transistor jenis ini tergantung pada tegangan (medan listrik) yang terdapat pada
Input Gerbangnya.
FET merupakan Komponen Elektronika yang tergolong dalam keluarga Transistor
yang memilki Tiga Terminal Kaki yaitu Gate (G), Drain (D) dan Source (S).

Transistor Efek Medan (Field Effect Transistor) atau yang lebih dikenal dengan sebutan
FET merupakan salah satu komponen elektronika aktif yang biasa digunakan sebagai piranti
saklar dan penguat sinyal (baik untuk penguat sinyal kecil maupun sinyal besar). FET terbagi
menjadi 2 jenis, yakni JFET (Junction FET) dan MOSFET (Metal-Oxide Semiconductor
FET). Berikut ini merupakan keluarga dari FET :

FET

JFET MOSFET

Tipe Kanal Tipe Kanal D- E-

P N MOSFET MOSFET

Tipe Kanal Tipe Kanal Tipe Kanal Tipe Kanal

P N P N

Gambar 2. Jenis Jenis FET

2
PENERAPAN RANGKAIAN ELEKTRONIKA (PRE)
XI - TEKNIK AUDIO VIDEO
SMKN 7 BEKASI

1.1. JFET
JFET (Junction FET) merupakan sebuah transistor kutub tunggal. Dimana untuk
bekerjanya dia hanya memerlukan pembawa mayoritas (majority channel). Transistor
kutub tunggal ini lebih mudah dipahami dari pada transistor bipolar.
Berikut ini merupakan simbol skematis dan struktur untuk JFET tipe kanal p dan
JFET tipe kanal n.

Gambar 3. (a) JFET Tipe N . (b) JFET Tipe P

(a) (b)
Gambar 4. (a) Simbol JFET Tipe N . (b) Simbol JFET Tipe P

Ujung bagian bawah disebut sumber (source) dan ujung yang atas disebut cerat
(drain). Potongan semikonduktor antara sumber dan cerat merupakan kanal (channel).
Berikut in i merupakan contoh pembiasan JFET menggunakan tipe kanal-n.

3
PENERAPAN RANGKAIAN ELEKTRONIKA (PRE)
XI - TEKNIK AUDIO VIDEO
SMKN 7 BEKASI

Gambar 5. (a) Bias Normal dari FFET kanal-n . (b) Lapisan Pengosongan (depletion
layers)

Gambar (a) merupakan polaritas normal untuk bias suatu JFET kanal-n. Caranya
adalah menggunakan tegangan negatif antara gerbang dan sumber, hal ini untuk
membias reverse gerbang tersebut. karena gerbang dibias reverse, arus yang mengalir
dalam penghubung gerbang hanyalah suatu arus yang kecil atau dianggap nol.
Gambar (b) menunjukkan lapisan-lapisan pengosongan tersebut. arus dari sumber
ke cerat (drain) harus mengalir melalui kanal sempit antara lapisan-lapisan
pengosongan. Ukuran dari lapisan-lapisan pengosongan tersebut menentukan lebar dari
saluran konduksi. Makin negatif tegangan gerbang, saluran konduksi menjadi semakin
sempit, karena lapisan-lapisan pengosongan satu sama lain menjadi lebih dekat.
Dengan perkataan lain, tegangan gerbang mengendalikan arus antara sumber dan cerat.
Semakin negatif tegangan gerbang, arusnya semakin kecil. Berikut ini merupakan
kurva cerat untuk suatu JFET kanal-n yang tipikal.

Gambar 6. Kurva Cerat JFET Kanal-n

4
PENERAPAN RANGKAIAN ELEKTRONIKA (PRE)
XI - TEKNIK AUDIO VIDEO
SMKN 7 BEKASI

1.2. MOSFET
MOSFET (Metal-Oxide Semiconductor FET) mempunyai sumber, gerbang dan
cerat (drain). Tegangan gerbang mengendalikan arus cerat. Perbedaan utama antara
sebuah JFET dan MOSFET adalah bahwa kita dapat menggunakan tegangan gerbang
positif dan pada dasarnya masih mempunyai arus gerbang nol.
Berikut ini gambar simbol dan struktur dari MOSFET.

Gambar 7. Simbol dari Jenis-Jenis MOSFET

Gambar 5. (a) Kanal-n . (b) Penambahan Substrat . (c) Penambahan Oksida Logam .
(d) Penambahan Gerbang.

5
PENERAPAN RANGKAIAN ELEKTRONIKA (PRE)
XI - TEKNIK AUDIO VIDEO
SMKN 7 BEKASI

Pada gambar (a) suatu tegangan positif yang dikerjakan pada terminal cerat
sumber memaksa elektron pita konduksi mengalir dari sumber ke cerat. Tidak seperti
JFET, MOSFET hanya mempunyai satu daerah p seperti pada gambar (b). Daerah ini
disebut dengan substrat. Daerah p menarik kanal antara sumber dan cerat sehingga yang
tinggal hanyalah kanal yang sempit pada sisi kiri dari (b). Elektron yang mengalir dari
sumber ke cerat harus melalui kanal yang sempit ini.
Suatu lapisan oksida logam yang tipis (biasanya silikon dioksida) diendapkan di
atas sisi kiri dari kanal seperti pada gambar (c). Oksida logam ini adalah isolator.
Tahap terakhir adalah gambar (d) dimana sebuah gerbang logam dipasang di atas
isolator. Karena gerbang diisolasi dari kanal, MOSFET dikenal juga sebagai IGFET
(insulated gate FET FET dengan gerbang terisolasi).

MACAM-MACAM MOSFET
MOSFET dibedakan menjadi 2 jenis, yaitu tipe Depletion MOSFET (D-MOSFET)
dan Enhancement MOSFET (E-MOSFET). Kedua jenis mosfet ini dibedakan
berdasarkan cara pemberian lapisan substratnya. Pada Depletion MOSFET, lapisan
substrat dipasang dalam kanal dengan tidak menyentuh oksida logam (Si O2) sehingga
ada sisa kanal yang sempit. Sedangkan pada Enhancement MOSFET, lapisan substrat
dipasang pada kanal langsung menembus lapisan oksida logam (Si O2) sehingga kanal
tertutup sedang antara Drain dan Source terpisah oleh Substrat.

Gambar 6. Struktur Bahan D-MOSFET Kanal N

6
PENERAPAN RANGKAIAN ELEKTRONIKA (PRE)
XI - TEKNIK AUDIO VIDEO
SMKN 7 BEKASI

BIAS MOSFET
Untuk mengoperasikan hidup dan mati dari sebuah mosfet diperlukan bias
tegangan pada Gate dan Source (UGS) dan tegangan catu antara drain dan Source (UDD).
Bias UGS dibedakan menjadi 2 macam:
1. Bias Peningkatan (Enhancement) Mosfet UGS + (Positif)
2. Bias Pengosongan (Depletion) Mosfet UGS (Negatif)

Berikut ini merupakan penjelasan cara memberi bias pada mosfet:

CARA KERJA D-MOSFET

D-MOSFET dapat dioperasikan dengan memberi bias Depletion (UGS Negatif)
maupun bias Enhancement (UGS Positif) pada gatenya.
1. D-MOSFET dengan Depletion Mode
Tegangan catu Drain dan Source (UDS) akan menyebabkan arus mengalir dari
Drain ke Source (ID) melalui kanal yang sempit tersebut. tegangan UGG yang
mencatu Gate dan Source (UGS) akan mengontrol lebar sempitnya kanal. Bila
kanal lebar jumlah elektron yang melewati kanal dari Source ke Drain semakin

7
PENERAPAN RANGKAIAN ELEKTRONIKA (PRE)
XI - TEKNIK AUDIO VIDEO
SMKN 7 BEKASI

banyak dan arus listrik ID besar. Dan sebaliknya bila kanal makin sempit jumlah
elektron yang melewati akan sedikit dan arus ID semakin kecil.
Jadi besar kecilnya arus Drain (ID) akan dikendalikan oleh tegangan Gate dan
Source (UGS). Jika tegangan UGS makin negatif maka arus ID semakin kecil. Bila
tegangan UGS mendekati nol (hubung singkat) arus Drain ID semakin besar.

2. D-MOSFET dengan Enhancement Mode

Bila Gate makin positif terhadap Source maka daya hantar kanal mosfet akan
semakin besar. Hal ini menyebabkan arus Drain yang menuju Source (ID)
mencapai maksimum.

E-MOSFET
Mosfet jenis Enhancement tipe kanal-n ini hanya bekerja pada bias Enhancement
Mode atau UGS + (Positif). Sedangkan untuk Mosfet jenis Enhancement tipe kanal-p
hanya bekerja pada UGS (Negatif)

Bila UGS mendekati nol, tegangan UDD akan memaksa elektron dari Source ke
Drain atau arus listrik dari Drain ke Source. Akan tetapi karena lapisan Substrat
menutup kanal dan bermuatan positif, maka akan menahan / menyekat arus tersebut dan
menyebabkan tidak ada arus mengalir sehingga arus Drain (ID) mendekati nol.

8
PENERAPAN RANGKAIAN ELEKTRONIKA (PRE)
XI - TEKNIK AUDIO VIDEO
SMKN 7 BEKASI

KARAKTERISTIK KURVA MOSFET

9
PENERAPAN RANGKAIAN ELEKTRONIKA (PRE)
XI - TEKNIK AUDIO VIDEO
SMKN 7 BEKASI

2. MOSFET SEBAGAI PENGUAT dan PIRANTI SAKLAR

a. Contoh Penggunaan Mosfet Sebagai Penguat Sinyal Kecil

b. Contoh Penggunaan Mosfet Sebagai Penguat Sinyal Besar

10
PENERAPAN RANGKAIAN ELEKTRONIKA (PRE)
XI - TEKNIK AUDIO VIDEO
SMKN 7 BEKASI

c. Contoh Penggunaan Mosfet Sebagai Piranti Saklar

Salah satu jenis transistor yang memiliki impedansi masukan (gate) sangat
tinggi (Hampir tak berhingga) sehingga dengan menggunakan MOSFET sebagai
saklar elektronik, yang memungkinkan untuk menghubungkan dengan semua jenis
gerbang logika. MOSFET sebagai saklar dapat digunakan untuk mengendalikan
beban dengan arus yang tinggi dan biaya yang lebih murah daripada transistor
bipolar. Untuk membuat MOSFET sebagai saklar maka hanya menggunakan
MOSFET pada kondisi saturasi (ON) dan kondisi cut-off (OFF).

Saat kondisi MOSFET ON, tegangan input gate (Vgs) tinggi, dan lebih besar
dari tegangan threshold (Vgs>Vth), tegangan drain dan source ideal (Vds) pada
daerah saturasi adalah 0V, resistansi drain dan source sangat rendah, dan tegangan
output Vout = 0.2 V. Gambar rangkaian sebagai berikut.

Saat kondisi MOSFET OFF, tegangan input gate tidak mendapat tegangan bias
karena terhubung ke ground, tegangan gate lebih rendah dibandingkan tegangan
threshold, arus drain tidak mengalir pada MOSFET, Vout = VDS = VDD, dan pada
daerah cut-off MOSFET dalam kondisi open circuit.

11