STRUKTUR PITA DAN

SIFAT LISTRIK BAHAN

(Pertemuan 10)

BAB 2
PITA ENERGI DAN MASSA EFEKTIF
Semikonduktor, isolator dan logam
Semikonduktor
Isolator
Logam
Konsep massa efektif

Prof. Dr. Beire GNL

Semikonduktor, Isolator dan Logam

Sifat-sifat kelistrikan dari logam dan
isolator telah sangat diketahui oleh kita
semua.
Pengalaman setiap hari telah banyak
mengajarkan kita tentang sifat kelistrikan
dari logam dan isolator.
Tapi berbeda dengan semikonduktor.
Apa yang terjadi jika kita menghubungkan
sebuah baterai pada sepotong silikon;
akankah ia menghantarkan listrik dengan
baik? atau
akankah ia berperan sebagai isolator?

Nama semikonduktor mengimplikasikan bahwa ia terjadi

di antara dua kasus (konduktor atau isolator)
Konduktivitas:

logam ~1010 /-cm

S/K

isolator ~ 10

-22

/-cm

Konduktivitas () dari
semikonduktor (S/K)
berada di antara kedua
kasus ekstrim ini.

.:: Teori pita zat padat ::.

Elektron mengelilingi inti

yang mempunyai tingkatan
energi yang jelas.

Elektron
tidak
suka
mempuyai energi yang
sama pada potensial sistem
yang sama.

Tingkatan energi sama

paling banyak yang bisa
didapatkan hanya dua,
dengan
syarat
arah
putarannya
berlawanan.
Inilah yang disebut Prinsip
Eksklusi Pauli.

Pita
terizin
Pita terlarang

Pita
terizin
Pita terlarang

Pita
terizin
1

4N

Nomor atom

Perbedaan energi antara setiap tingkatan yang lebih

kecil ini lebih masuk akal untuk mempertimbangkan tiap
set dari tingkatan energi yang lebih kecil sebagai pita
kontinyu dari energi, daripada tingkatan diskret.

Tiap pita terizin dipisahkan satu sama lain oleh sebuah

pita terlarang.
terlarang

Elektron dapat ditemukan di pita terizin tetapi elektron

tak bisa ditemukan di pita terlarang.
terlarang

.:: KALKULASI
Semisal pada 1 cm3 silikon. Ada berapa banyak atom yang terkandung di dalamnya?
Penyelesaian

Massa atom silikon yaitu 28.1 g di mana atom mengandung bilangan Avogadro.
Bilangan Avogadro N adalah 6.02 x 1023 atom/mol .
Massa jenis silikon : 2.3 x 103 kg/m3
sehingga 1 cm3 dari berat silikon 2.3 gram dan mengandung

6.02 1023
2.3 4.93 1022 atoms
28.1
Artinya pada setiap silikon tidak hanya punya volume sebesar
1 senti
meter kubik, tetapi setiap tingkatan energi elektron telah
terbelah

.:: Semikonduktor, Isolator, Konduktor ::.

Pita
penuh

Semua tingkatan
energi ditempati
oleh elektron

Pita
kosong
Semua tingkatan
energi kosong
(tidak ada elektron)

Keduanya baik pita penuh maupun kosong

tidak ikut serta dalam konduksi listrik

Energi Elektron

.:: Energi Pita Semikonduktor pada Suhu Rendah ::.

Pita
konduksi
kosong

Celah
Energi
Terlarang[E
g]

Pada suhu rendah pita valensi

penuh, dan pita konduksi kosong.

Ingat, pita penuh tidak dapat

menghantarkan listrik, begitupula
pita kosong.

Pada suhu rendah semikonduktor

tidak dapat menghantarkan listrik,
mereka bertindak seperti isolator.

Pita valensi
penuh

Energi termal elektron berada di

atas pita penuh di mana Eg-nya
lebih rendah dari pada saat kondisi
suhu rendah.

Konduksi Elektron :

Asumsikan beberapa jenis energi

disediakan untuk elektron (elektron
valensi) yang berada di bagian atas
pita valensi.
Elektron ini meningkatkan energi dari
medan yang diterapkan dan elektron
akan berpindah ke energi yang lebih
tinggi.
Elektron
ini
berkontribusi
pada
konduktivitas dan elektron ini disebut
sebagai elektron konduksi.
konduksi
Pada suhu 0 K, elektron berada di
tingkatan energi terendah. Pita valensi
adalah pita yang terisi penuh pada
suhu 0 Kelvin.

Pita
konduksi
kosong
Celah
energi
terlarang
[Eg]

Pita
valensi
penuh

Pita Energi Semikonduktor di Suhu Ruangan

Ketika ada cukup energi yang

dipasok menuju e- di atas pita
valensi, e- dapat melakukan transisi
ke bawah pita konduksi.
Ketika elektron melakukan transisi
akan terjadi keadaan kehilangan
elektron.
Keadaan kehilangan elektron ini
disebut sebagai lubang.
Celah berlaku sebagai pembawa
muatan positif.
Besar muatannya sama dengan
elektron
tetapi
tandanya
berlawanan.

Pita
konduksi
kosong

Celah
energi
terlarang
[Eg]

energi

e+- e+- e+- e+Pita

valensi
penuh

Kesimpulan ::.

Celah-celah terkontribusi pada arus di pita valensi (VB)

sebagai e- dapat menciptakan arus di pita konduksi (CB).

Celah bukanlah partikel bebas. Celah hanya akan ada di

dalam kristal. Sebuah lubang adalah kondisi di mana tidak
ada elektron.

Sebuah hasil transisi jumlahnya sama dengan e- di CB dan

lubang di VB. Ini adalah ciri penting dari intrinsik, atau
semikonduktor undoped. Untuk ekstrinsik, atau
semikonduktor doped, ini tak lagi benar.

Konduksi Bipolar (dua pembawa)

Energi elektron

kosong

terisi

Usai transisi

Pita Valensi
(sebagian
adalah pita
yang terisi)

Usai transisi, pita valensi

tak lagi penuh, hanya
sebagian yang terisi dan
dapat
menghantarkan
arus listrik.
Konduktivitas disebabkan
oleh elektron dan celah,
dan alat ini disebut
konduktor bipolar atau
alat bipolar.

Apa jenis dari mekanisme eksitasi yang dapat menyebabkan sebuah e- bertransisi
dari daerah atas pita valensi (VB) ke daerah minimal/bawah pita konduksi (CB) ?

Jawaban :

Energi Termal ?
Medan Listrik ?
Radiasi Listrik Magnet ?

Bagian yang
berisi CB

Eg

Bagian yang
berisi VB
Diagram pita energi dari
s/k pada suhu berhingga.

Untuk memperoleh bagian konfigurasi pita medan pada s/k ,

salah satunya harus menggunakan mekanisme eksitasi.

1- Energi termal :
Energi termal = k x T = 1.38 x 10-23 J/K x 300 K =25 meV

Rata-rata eksitasi = konstanta x eksponensial(-Eg / kT)

Walaupun energi termal pada suhu ruang, RT, bernilai sangat kecil,
misal 25 meV, beberapa elektron dapat dinaikkan menjadi CB.

Elektron dapat dinaikkan menjadi CB melalui Energi termal.

Ini terjadi untuk kenaikan eksponensial dari rata-rata eksitensi dengan

kenaikan suhu..
Eksitansi rata-rata adalah sebuah fungsi kuat suhu.

2- Medan Listrik :

Untuk medan bawah, mekanisme ini tidak menaikkan

elektron ke CB pada kondisi umum semikonduktor seperti Si
and GaAs.

Sebuah medan listrik 1018 V/m dapat memberikan berordo 1

eV. Medan ini sangat besar.

Jadi, kegunaan medan listrik sebagai mekanisme

eksitasi bukan merupakan cara yang bermanfaat untuk
menaikkan elektron pada semikonduktor.

3- Radiasi listrik magnet :

c
1.24
34
8
E h h (6.62 x10 J s ) x(3x10 m / s) / (m) E (eV )

(in m)

h = 6.62 x 10-34 J-s

c = 3 x 108 m/s
1 eV=1.6x10-19 J

for Silicon

Eg 1.1eV

Dekat sinar
Inframerah

1.24
( m)
1.1 mn
1.1

Untuk menaikkan elektron dari VB ke Silikon CB, panjang

gelombang foton harus sebesar 1.1 m atau kurang

Pita Konduksi

e-

photon

Pita Valensi

Transisi yang berkebalikan bisa

juga terjadi.
Elektron pada CB ber-rekombinasi
dengan celah pada VB dan
menghasilkan sebuah foton.
Energi foton akan masuk dalam
golongan Eg.
Apabila hal ini terjadi pada celah
pita langsung s/k, maka
membentuk dasar dari LED dan
LASER.

Insulator :

Besarnya celah pita menentukan

perbedaan antara insulator, s/c dan
logam.
Proses mekanisme termal bukan
sebuah cara untuk menaikkan
sebuah elektron ke CB meskipun titik
leburnya dapat tercapai pada sebuah
insulator.
Medan listrik yang sangat besarpun
tidak dapat menaikkan elektron untuk
menyeberangi celah pita pada
sebuah insulator.

CB (kosong sempurna)

Eg~beberapa elektron volt

VB (penuh sempurna)

Luas celah pita antara VB dan CB

Logam :

CB

CB

VB

VB

VB dan CB bersentuhan

VB dan CB saling
bertumpukan

Dua pita tersebut

terlihat
seperti
seolah-olah sebagian
pita telah terisi dan
bagian yang terisi
mempunyai konduksi
yang baik.
Hal ini merupakan
alasan
mengapa
logam
mempunyai
konduktivitas
yang
tinggi.

Tidak ada celah antara pita valensi dan pita konduksi

Konsep dari Masa Efektif :

Perbandingan
e- bebas dalam vakum

Apabila besar medan listrik yang diberikan pada

elektron dalam ruang hampa dan di dalam kristal
sama, elektron akan melaju dengan kelajuan yang
berbeda akibat adanya perbedaan potensial di
dalam kristal.

Elektron di dalam kristal mencoba untuk membuat

jalurnya sendiri.

Jadi elektron di dalam kristal akan mempunyai

massa yang berbeda daripada elektron yang ada
di dalam vakum.

Massa yang berubah inilah yang disebut dengan

massa-efektif.

Pada sebuah medan

listrik
mo =9.1 x 10-31
Massa elektron bebas

e- dalam kristal
Pada sebuah medan
listrik
Pada sebuah kristal
m = ?

m*

massa efektif

Apakah arti lambang m*

Partikel elektron maupun celah elektron berperilaku sebagai gelomb

ang dalam kondisi tertentu. Jadi kita harus mempertimbangkan
panjang gelombang de Broglie untuk menghubungkan perilaku
partikel dengan perilaku gelombang.
Partikel seperti elektron dan gelombang dapat diuraikan dari kristal
sama seperti sinar X.
Momentum elektron tertentu tidak melewati kisi-kisi kristal.
Ini adalah asal-usul kesenjangan kumpulan energi.

n 2d sin

n = jumlah Difraksi
= panjang gelombang sinar X
d = jarak antara bidang
= sudut terjadinya sinar X-

n = 2 d

(1)

Gelombang tersebut adalah gelombang berdiri

2
=
k

adalah konstanta propagasi

Dengan menggunakan persamaan (1)

dan (2)
Momentum
elektron tertentu tidak diperbolehkan
oleh kristal. Kecepatan elektron pada nil
ai momentum ini adalah nol.

Momentum adalah

Energi

P = k

(2)

Energi elektron bebas yang dapat berhubungan

dengan momentum

E=

2m

P=

adalah masa bebas elektron

2 1
2 k2
h
h
E

2m 2
2m (2 )2
h
=
2

h2k 2 Energi elektron bebas berhubungan

E
dengan konstanta
2m

k
momentum

Diagram
E terhadap
k adalah berbentuk parabola.
Energi sebanding
dengan k, i,
e, semua nilai
energi (momentum)
diperbolehkan.
Diagram E terhadap k
atau
Diagram energi terhadap momentum

Menentukan massa efektif, m*

Kami akan mengambil turunan dari energi dengan memperhatikan k
dE
h2 k

dk
m
d2E
h2

2
m
dk

- m* ditentukan oleh kelengkungan kurva E-k

- m* berbanding terbalik dengan kelengkungan

Ubah menjadi m menjadi m*

2
h
m*
d 2 E dk 2

rumus ini adalah massa efektif

elektron dalam kristal.

Bahan-bahan celah pita langsung dan tak langsung :

Celah pita-langsung s/k (contoh GaAs, InP, AlGaAs)

CB

e-

VB

Untuk bahan celah pita langsung,

langsung nilai
minimum dari pita konduksi nilai
maksimum pita valensi berada di
momentum yang sama, yakni k.

Ketika sebuah elektron berada di bagian

bawah CB berekombinasi dengan celah
yang berada di bagian atas dari VB,
takkan ada perubahan nilai momentum.

Energi yang dikonservasikan Energy is

conserved dengan cara memancarkan
foton, transisi seperti ini disebut sebagai
transisi radiative.

Celah pita-tak langsung s/k (Contoh. Si dan Ge)

E
CB

e-

Untuk sebuah bahan celah pita tak

langsung;
minimum
CB
and
maksimum
VB berhenti (hampir)
pada nilai-k berbeda
Ketika sebuah e- dan celah bergabung
kembali pada sebuah jarak pita tak
langsung s/k, fonon-fonon
harus
dilibatkan
untuk
mengekalkan
moomentum.

Fonon
Eg

VB

Atom-atom bergetar di sekitar posisi

rata-rata pada suatu batas suhu.
Getaran-getaran ini menghasilkan
gelombang-gelombang yang bergetar
di dalam kristal.
Fonon-fonon merupakan gelombanggelombang yang bergetar ini. Fonon
melaju dengan kecepatan suara.
Panjang gelombangnya ditentukan
oleh konstanta kisi kristal. Fonon
hanya bisa nampak di dalam kristal.

Transisi yang melibatkan fonon-fonon tanpa menghasilkan foton

disebut transisi nonradiasi.

Transisi ini diamati pada sebuah celah pita tidak langsung s/k dan
berakibat pada ketidakefisienan produksi foton.

Jadi agar mendapatkan LED dan LASER yang efisien, kita harus
memilih bahan yang memiliki celah pita langsung seperti senyawa
s/k untuk GaAs, AlGaAs, dll...

.:: KALKULASI

Untuk GaAs, hitunglah energi dan momentum foton (celah pita), dan bandingkan
dengan energi dan momentum fonon yang bisa diharapkan dari bahan ini.

foton

fonon

E (foton) = Eg(GaAs) = 1.43 ev

E (foton) = h = hc /

= hvs / a0
(fonon) ~ a0 = konstanta kisi = 5.65x10-10 m

c = 3x108 m/s
P=h/

= hv

E (fonon) = h

h=6.63x10-34 J-s

(foton) = 1.24 / 1.43 = 0.88 m

P (foton) = h / = 7.53 x 10-28 kg-m/s

Vs= 5x103 m/s (kecepatan suara)

E (fonon) = hvs / a0 = 0.037 eV
P (fonon)= h / = h / a0 = 1.17x10-24 kg-m/s

Energi foton= 1.43 eV

Energi fonon= 37 meV
Momentum foton = 7.53 x 10-28 kg-m/s
Momentum fonon= 1.17 x 10-24 kg-m/s

Foton-foton membawa energi yang besar tetapi jumlah momentumnya

dapat dianggap tidak ada

Pada sisi lain, fonon-fonon membawa energi yang sangat kecil tetapi
jumlah mometumnya sangat signifikan

Positif dan Negatif Massa Efektif

Celah pita-langsung s/k (contoh GaAs, InP, AlGaAs)

CB

e-

VB

2
h
m*
d 2 E dk 2

Tanda massa efektif ditentukan secara langsung

dari tanda kelengkungan kurva E-k.
Kelengkungan grafik pada titik minimum nilainya
positif dan kelengkungan grafik pada titik
maksimum yang nilainya negatif.
Partikel (elektron) yang berada di dekat minimum
memiliki massa efektif positif.
Partikel (celah) yang berada di dekat maksimum
pita valensi memiliki massa efektif negatif.
Suatu massa efektif negatif menyiratkan bahwa
partikel akan pergi 'dengan cara yang salah'
ketika kekuatan eksternal diterapkan.

Pita
konduksi

GaAs

2
Energi (eV)

Energi (eV)

E=0.31

1
Eg

Eg

-1

-1

-2

[111]

[100]

Pita
konduksi

Pita
valensi

Si

-2

Pita
valensi

[111]

Struktur pita energi dari GaAs dan Si

[100]

Pita
konduksi

GaAs

Celah pita adalah pemisahan

energi terkecil antara tepi pita
valensi dan pita konduksi

Energi (eV)

2
E=0.31

Perbedaan energi terkecil terjadi

pada nilai momentum yang sama

Eg

0
-1
-2

Pita
Valensi

[111]

Celah pita langsung semikonduktor

0

[100]

Struktur pita energi dari GaAs

Celah Energi terkecil berada di

antara bagian atas VB k = 0 dan
salah satu CB minimum dari k =
0

Struktur pita dari AlGaAs?

Massa efektif dari satelit CB?
Berat dan ringannya massa celah
di VB?

3
2
Energi (eV)

Celah pita tak langsung semikonduktor

Pita
Konduksi

Si

1
Eg

0
-1
-2

Pita
valensi

[111]

Struktur pita energi dari Si

[100]

Eg

Transisi
langsung

Eg

transisi
langsung

Eg

Eg

Transisi tak
langsung

Eg

Transisi tak
langsung