MAKALAH

PITA ENERGI
Untuk Memenuhi Tugas Mata Kuliah Fisika dan Teknologi Semikonduktor

Di susun oleh,
Pradita Ajeng Wiguna (4211412011)
Rombel 1

JURUSAN FISIKA
FAKULTAS MATEMATIKA DAN ILMU PENGETAHUAN ALAM
UNIVERSITAS NEGERI SEMARANG
SEMARANG
2015

BAB I
PENDAHULUAN
A. Latar Belakang
Kemampuan menguasai teknologi tinggi merupakan syarat mutlak bagi suatu
negara untuk memasuki negara industri baru. Salah satu bidang teknologi tinggi yang
sangat mempengaruhi peradaban manusia di abad ini adalah teknologi semikonduktor
dan mikroelektronika. Kata Semikonduktor sangat identik dengan peralatan
Elektronika yang kita pakai saat ini. Hampir setiap peralatan Eletronika canggih seperti
Handphone, Komputer, Televisi, Kamera bahkan Lampu penerang LED juga
merupakan hasil dari Teknologi Semikonduktor. Komponen-komponen penting yang
membentuk sebuah Peralatan Elektronika seperti Transistor, Dioda dan Integrated
Circuit (IC) adalah komponen elektronika aktif yang terbuat bahan semikonduktor.
Oleh karena itu, bahan Semikonduktor memiliki pengaruh yang sangat besar terhadap
perkembangan Teknologi Elektronika.
Secara sederhana zat padat dikelompokkan sebagai isolator, semikondukor, dan
kondukor. Bahan Isolator adalah material yang susah menghantarkan arus lisrik,
sedangkan bahan konduktor adalah material yang dapat menghantarkan arus lisrik.
Bahan Semikondukor adalah sutau material dengan sifat konduktivitas di antara
konduktor dan isolator, contohnya silicon, germanium. Semikonduktor disebut juga
sebagai bahan setengah penghantar listrik. Suatu semikonduktor bersifat sebagai
insulator jika tidak diberi arus listrik dengan cara dan besaran arus tertentu, namun pada
temperatur, arus tertentu, tatacara tertentu dan persyaratan kerja semikonduktor
berfungsi sebagai konduktor, misal sebagai penguat arus, penguat tegangan dan
penguat daya. Untuk menggunakan suatu semikonduktor supaya bisa berfungsi harus
tahu spefikasi dan karakter semikonduktor itu, jika tidak memenuhi syarat operasinya
maka akan tidak berfungsi dan rusak.
Konduktivias bahan seringkali menggunakan konsep pita energi. Ada dua pita
energy yaitu pita valensi dan pita konduksi. Pita valensi adalah pita energy yang

mungkin diisi oleh electron dari zat padat hingga komplit. Setiap pita memiliki 2N
electron dengan N adalah jumlah atom. Bila masih ada elektron yang tersisa akan
mengisi pita konduksi. Pada suhu 0 K, pita konduksi terisi sebagian untuk bahan
konduktor, sedangkan untuk isolator dan semikonduktor tidak ada elektron yang
mengisi pita konduksi.
Dalam rangka untuk memahami bahan semikonduktor dapat digunakan untuk
membuat perangkat, penting untuk memiliki pemahaman tentang sifat dasar elektronik
semikonduktor. Bagian pertama dari makalah ini akan berkonsentrasi pada
menjelaskan teori dasar pita energi bahan semikonduktor.
B. Rumusan Masalah
Bagimana teori dasar pita energi dalam suatu bahan semikonduktor?

BAB II
PEMBAHASAN
A. Teori Pita Energi
Semikonduktor adalah sebuah bahan dengan konduktivitas listrik yang berada
di antara insulator (isolator) dan konduktor. Semikonduktor disebut juga sebagai bahan
setengah penghantar listrik. Suatu semikonduktor bersifat sebagai insulator jika tidak
diberi arus listrik dengan cara dan besaran arus tertentu, namun pada temperatur, arus
tertentu, tatacara tertentu dan persyaratan kerja semikonduktor berfungsi sebagai
konduktor, misal sebagai penguat arus, penguat tegangan dan penguat daya. Untuk
menggunakan suatu semikonduktor supaya bisa berfungsi harus tahu spefikasi dan
karakter semikonduktor itu, jika tidak memenuhi syarat operasinya maka akan tidak
berfungsi dan rusak. Semikonduktor merupakan bahan yang dipakai dalam pembuatan
komponen elektronika seperti resistor, dioda, transistor, kapasitor, dan lain sebagainya.
Antara bahan yang satu dengan yang lainnya mempunyai sifat dasar dan karakteristik
yang berbeda.
Bahan semikonduktor yang sering digunakan adalah silikon, germanium, dan
gallium arsenide. Silikon dan Germanium adalah bahan semikonduktor yang paling
banyak digunakan dalam pembuatan komponen elektronika. Silikon lebih banyak
digunakan daripada Gemanium karena sifatnya yang lebih stabil pada suhu tinggi.
Silikon adalah material dengan struktur pita energi tidak langsung (indirect bandgap),
di mana nilai minimum dari pita konduksi dan nilai maksimum dari pita valensi tidak
bertemu pada satu harga momentum yang sama. Ini berarti agar terjadi eksitasi dan
rekombinasi dari pembawa muatan diperlukan perubahan yang besar pada nilai
momentumnya atau dapat dikatakan dibutuhkan bantuan sebuah partikel dengan
momentum yang cukup (seperti phonon) untuk mengkonservasi momentum pada
semua proses transisi. Dengan kata lain, silikon sulit memancarkan cahaya. Sifat ini
menyebabkan silikon tidak layak digunakan sebagai piranti fotonik/optoelektronik.
Bahan semikonduktor murni akan menjadi isolator pada suhu mutlak (-273C), hal ini

dikarenakan elektron valensi terikat erat pada tempatnya. Elektron valensi adalah
elektron-elektron yang terletak di kulit terluar sebuah unsur.
Ketika elektron valensi dari dua orbital atom dalam molekul sederhana seperti
hidrogen bergabung membentuk ikatan kimia, akan menghasilkan dua orbital molekul.
Satu molekul orbital diturunkan dalam energi relatif terhadap jumlah energi orbital
elektron individu, dan disebut sebagai 'ikatan' orbital. Molekul orbital lainnya
dinaikkan dalam energi relatif terhadap jumlah energi orbital elektron individu dan
disebut 'anti-ikatan' orbital.
Atom-atom zat pada umumnya mempunyai jarak berdekatan satu sama lain
sehingga atom-atom tidak dapat dipandang terisolasi. Untuk logam dan bahan
semikonduktor atom-atom tersebut membentuk kristal. Kristal adalah susunan atomatom molekul dalam ruang yang dibangun dengan mengadakan pengulangan struktur
satuan dasar dalam tiga dimensi. Karena jarak antar atom dalam zat padat berdekatan
satu sama lain maka antara atom yang satu dengan yang lain terjadi interaksi.
Akibatnya keadaan tingkat energi akan berbeda dengan keadaan tingkat energi atom
terisolasi. Untuk atom-atom yang membentuk kristal ternyata tingkat energi dari
elektron-elektron pada kulit dalam tidak berubah, tetapi tingkat tenaga elektron pada
kulit terluar berubah karena elektron-elektron tersebut menjadi milik bersama lebih
dari satu atom dalam kristal. Tingkat energi elektron pada kulit terluar tersebut berubah
menjadi pita, seperti ditunjukan pada Gambar 1.

Gambar 1. Skema Pita Energi

Jika ada satu elektron dari setiap atom yang terkait dengan masing-masing
orbital N yang digabungkan untuk membentuk pita, kemudian karena setiap tingkat
energi yang dihasilkan dapat ditempati secara ganda, pita valensi akan terisi penuh dan
pita konduksi akan kosong. Hal ini digambarkan secara skematis pada gambar di atas
dengan shading abu-abu dari pita valensi. Sebuah elektron hanya dapat tereksitasi dari
pita valensi ke pita konduksi jika diberikan energi setidaknya sama besarnya dengan
energi celah pita. Hal ini dapat terjadi jika, elektron menyerap energy foton yang cukup
tinggi.
Jika seperti dalam skema Gambar 1, sebuah pita benar-benar terisi penuh
dengan elektron, dan pita yang tepat di atasnya kosong, maka material tersebut
memiliki celah pita energi. Celah pita energi ini adalah perbedaan energi antara pita
valensi dan pita konduksi. Material yang baik untuk dijadikan material semikonduktor
jika material tersebut memiliki band gap relatif kecil, atau isolator jika band gap relatif
besar. Elektron dalam logam juga disusun dalam pita, tetapi dalam logam distribusi
elektron berbeda - elektron tidak terisolasi. Dalam logam sederhana dengan satu
elektron valensi per atom, seperti natrium, pita valensi tidak terisi penuh, sehingga
terdapat tempat tertinggi bagi elektron untuk menduduki tingkat keadaan tersebut.
Bahan tersebut merupakan konduktor listrik yang baik, karena ada keadaan energi
kosong yang tersedia, sehingga elektron dapat dengan mudah memperoleh energi dari
medan listrik dan melompat ke keadaan energi yang kosong.
Dengan konsep pita tenaga ini maka dapat diterangkan mengapa suatu nzat
mempunyai perbedaan daya hantar listrik. Perbedaan daya hantar listrik disebabkan
oleh perbedaan lebar pita terlarang (energy gap). Pada isolator lebar pita terlarang ini
besar 6ev sehingga sulit untuk terjadi elektron pada pita valensi pindah ke pita
konduksi, walaupun diberi tenaga medan listrik luar. Karena tidak ada elektron pada
pita konduksi, maka tidak ada elektron bebas sehingga tidak bisa menghantarkan
listrik. Pada semi konduktor lebar pita terlarang kecil 1 ev, sehingga pada suhu rendah
(0oK) tidak ada elektron pada pita konduksi, tetapi pada suhu kamar ada elektron yang
bisa meloncat dari pita valensi ke pita konduksi menjadi elektron bebas. Dengan

demikian bahan semikonduktor pada suhu rendah tidak bisa menghantarkan arus
listrik, pada suhu tinggi dapat menhantarkan arus listrik. Pada konduktor pita valensi
dan pita konduksi bertumpang tindih, sehingga tidak terdapat pita terlarang. Dengan
demikian elektron valensi mudah bergerak dalam pita konduksi, sehingga mudah
menghantarkan arus listrik. Gambar 2 berikut menunjukkan perbedaan pita terlarang
ketiga bahan tersebut.

Gambar 2. Skema Pita Energi Isolator, Semikonduktor, dan Konduktor

B. Distribusi Fermi Dirac
Elektron adalah contoh dari jenis partikel yang disebut fermion. Fermion
lainnya termasuk proton dan neutron. Selain muatan dan massanya, elektron memiliki
sifat dasar lain yang disebut spin. Sebuah partikel dengan spin berperilaku seolah-olah
memiliki beberapa momentum sudut intrinsik. Hal ini menyebabkan setiap elektron
memiliki dipol magnet kecil. Elektron memiliki spin , yang biasanya disebut sebagai
'spin up' atau 'spin down'. Semua fermion memiliki spin setengah. Sebuah partikel yang
memiliki spin bulat disebut boson. Foton, yang memiliki spin 1, adalah contoh dari
boson. Konsekuensi dari spin setengah dari fermion adalah suatu keadaan sistem yang
dapat mengandung lebih dari satu fermion. Konsekuensi ini adalah melanggar prinsip
eksklusi Pauli, yang menyatakan bahwa tidak ada dua fermion dapat menempati
keadaan yang sama persis dari bilangan kuantum. Karena alasan ini bahwa hanya dua
elektron dapat menempati setiap tingkat energi elektron - satu elektron dapat memiliki
spin up dan yang lain dapat memiliki spin down, sehingga mereka memiliki bilangan
kuantum spin yang berbeda, meskipun elektron memiliki energi yang sama. Hasilnya
6

adalah elektron akan didistribusikan ke tingkat energi yang tersedia sesuai dengan
Distribusi Fermi Dirac,

di mana f () adalah probabilitas keadaan keadaan , kB adalah konstanta

Boltzman, adalah potensial kimia, dan T adalah suhu dalam Kelvin.
Distribusi Fermi Dirac menjelaskan probabilitas kedudukan untuk keadaan
kuantum energi E pada temperatur T. Jika energi dari keadaan elektron yang tersedia
dan keadaan degenerasi (jumlah keadaan energi elektron yang memiliki energi yang
sama) keduanya diketahui, distribusi ini dapat digunakan untuk menghitung sifat
termodinamika sistem elektron.
Pada nol mutlak nilai potensial kimia, , didefinisikan sebagai energi Fermi.
Pada suhu kamar potensial kimia untuk logam hampir sama dengan energi Fermi biasanya perbedaannya hanya dari urutan 0,01%. Tidak mengherankan, potensial kimia
untuk logam pada suhu kamar sering diambil menjadi energi Fermi. Untuk
semikonduktor undoped murni pada suhu yang terbatas, potensial kimia selalu terletak
setengah jalan antara pita valensi dan pita konduksi.
C. Pembawa Muatan dalam Semikonduktor
Ketika medan listrik diterapkan pada logam, elektron yang bermuatan negatif
mengalami percepatan dan menghasilkan arus. Dalam semikonduktor muatan tidak
hanya dilakukan secara khusus oleh elektron. Hole (lubang) yang bermuatan positif
juga sebagai pembawa muatan. Ini dapat dilihat baik sebagai kekosongan dalam pita
valensi lain, atau partikel ekuivalen sebagai muatan positif.
Karena distribusi Fermi-Dirac adalah fungsi pada nol mutlak, semikonduktor
murni akan memiliki semua keadaan bagian pada pita valensi yang terisi dengan
elektron dan akan menjai isolator pada nol mutlak. Hal ini digambarkan dalam diagram
E-k pada Gambar 3a, lingkaran yang diarsir mewakili keadaan momentum yang terisi
dan lingkaran kosong mewakili keadaan momentum yang kosong. Dalam diagram ini

k, daripada k, telah digunakan untuk menunjukkan bahwa vektor gelombang

sebenarnya adalah vektor, yaitu, sebuah tensor tingkat pertama, bukan skalar.

Gambar 3. Diagram E-k

Jika band gap cukup kecil dan suhu meningkat dari nol mutlak, beberapa
electron secara termal tereksitasi ke pita konduksi, dan menciptakan pasangan elektronlubang. Hal ini sebagai akibat dari distribusi Fermi-Dirac pada suhu yang terbatas.
Sebuah elektron juga dapat pindah ke pita konduksi dari pita valensi jika menyerap
foton yang sesuai dengan perbedaan energi antara keadaan penuh dan keadaan kosong.
Setiap foton tersebut harus memiliki energi yang lebih besar dari atau sama dengan
band gap antara pita valensi dan pita konduksi, seperti pada diagram Gambar 3b. Baik

induksi secara termal atau secara fotonik, hasilnya adalah sebuah elektron pada pita
konduksi dan keadaan kosong di pita valensi, seperti ditunjukan pada Gambar 3c.
Jika medan listrik kini diberikan dalam materi, semua elektron dalam padatan
akan mendapatkan gaya dari medan listrik. Namun, karena tidak ada dua elektron dapat
berada dalam keadaan kuantum yang sama, sebuah elektron tidak bisa mendapatkan
momentum apapun dari medan listrik kecuali ada keadaan momentum kosong yang
berdekatan dengan keadaan yang ditempati oleh elektron. Dalam skema Gambar 3c,
elektron pada pita konduksi dapat memperoleh momentum dari medan listrik, seperti
demikian juga elektron yang berdekatan dengan keadaan kosong yang ditinggalkan
dalam pita valensi. Dalam diagram Gambar 3d, kedua elektron ini ditampilkan
berpindah ke kanan. Keadaan kosong di pita valensi yang telah berpindah ke kiri dapat
dilihat sebagai sebuah partikel yang membawa muatan listrik positif yang besarnya
sama dengan muatan elektron. Hal ini disebut sebagai hole, terlihat pada Gambar 3e.
Proses berlawanan dengan penciptaan pasangan elektron-hole disebut
rekombinasi. Hal ini terjadi ketika sebuah elektron turun ke bawah energi dari pita
konduksi ke pita valensi. Sama seperti penciptaan pasangan elektron-hole dapat
disebabkan oleh foton, rekombinasi dapat menghasilkan foton. Ini adalah prinsip di
belakang semikonduktor perangkat optik seperti dioda pemancar cahaya (LED).
D. Semikonduktor Intrinsik dan Ekstrinsik
Dalam semikonduktor yang paling murni pada suhu kamar, pembawa muatan
yang tereksitasi sangat kecil. Seringkali konsentrasi pembawa muatan besarnya lebih
rendah daripada konduktor logam. Sebagai contoh, jumlah elektron yang tereksitasi
dalam silikon (Si) di 298 K adalah 1,5 1010 cm-3. Dalam gallium arsenide (GaAs)
hanya 1,1 106 cm-3 elektron. Hal ini dapat dibandingkan dengan densitas elektron
bebas dalam logam yang khas, yaitu dari urutan 1028 cm-3 elektron. Mengingat angkaangka ini dari pembawa muatan, maka tidak mengherankan bahwa, ketika
semikonduktor sangat murni, silikon dan bahan semikonduktor lainnya memiliki
resistivitas listrik yang tinggi, dan karena itu konduktivitas listriknya rendah. Masalah
ini dapat diatasi dengan doping bahan semikonduktor dengan atom pengotor. Bahkan
9

penambahan yang sangat kecil dari atom pengotor pada tingkat 0,0001% dapat
membuat perbedaan yang sangat besar untuk konduktivitas semikonduktor.
Sebuah contoh khusus Silikon adalah kelompok unsur golongan IV, dan
memiliki 4 elektron valensi per atom. Dalam silikon murni pita valensi terisi penuh
pada nol mutlak. Pada suhu terbatas hanya pembawa muatan elektron pada pita
konduksi dan hole di pita valensi yang timbul sebagai akibat dari eksitasi termal
elektron ke pita konduksi. Pembawa muatan ini disebut pembawa muatan intrinsik, dan
tentu ada jumlah yang sama antara elektron dan hole. Oleh karena itu silikon murni
adalah contoh dari semikonduktor intrinsik. Jadi, Semikonduktor intrinsik merupakan
semikonduktor yang terdiri atas satu unsur saja, misalnya Si saja atau Ge saja

Gambar 4a. Struktur Kristal Si dan Ikatan Kovalen Si

Jika jumlah yang sangat kecil dari atom unsur golongan V seperti fosfor (P)
ditambahkan ke silikon sebagai atom substitusi dalam kisi, penambahan elektron
valensi dimasukkan ke dalam materi karena setiap atom fosfor memiliki 5 elektron
valensi. Elektron tambahan terikat lemah dengan atom induk pengotor mereka (energi
ikat berada pada orde ratusan eV), dan bahkan pada suhu yang sangat rendah elektron
tersebut dapat dieksitasi ke pita konduksi dari semikonduktor. Hal ini sering diwakili
skematik pada diagram pita dengan penambahan 'donor level' tepat di bagian bawah
pita konduksi, seperti pada skema Gambar 4b.

10

Gambar 4a. Diagram pita energi semikonduktor tipe-n

Kehadiran garis putus-putus dalam skema Gambar 4a tidak berarti bahwa kini
diperbolehkan keadaan energi di dalam band gap. Garis putus-putus mewakili
keberadaan elektron tambahan yang dapat dengan mudah tereksitasi ke pita konduksi.
Semikonduktor yang telah didoping dengan cara ini akan memiliki kelebihan elektron,
dan disebut semikonduktor tipe-n. Dalam semikonduktor seperti ini elektron sebagai
pembawa mayoritas.
Sebaliknya, jika unsur golongan III, seperti aluminium (Al), digunakan untuk
menggantikan beberapa atom silikon, akan ada kekurangan pada jumlah elektron
valensi dalam materi. Ini menunjukan tingkat penerima elektron tepat di bagian atas
pita valensi, dan menyebabkan lebih banyak hole yang dimasukkan ke dalam pita
valensi. Oleh karena itu, pembawa muatan mayoritas adalah hole yang bermuatan
positif dalam. Semikonduktor yang didoping dengan cara ini disebut semikonduktor
tipe-p, seperti ditunjukan pada Gambar 5. Semikonduktor yang didoping (baik tipe-n
atau tipe-p) dikenal sebagai semikonduktor ekstrinsik.

Gambar 5. Diagram pita energi semikonduktor tipe-p

E. Direct dan Indirect Band Gap Semiconductor
Band gap merupakan perbedaan energi minimum antara bagian atas pita valensi
dan bagian bawah pita konduksi. Namun, bagian atas pita valensi dan bagian bawah

11

pita konduksi umumnya tidak pada nilai yang sama dari momentum elektron. Dalam
direct band gap semiconductor, bagian atas pita valensi dan bagian bawah pita
konduksi terjadi pada nilai yang sama dari momentum, seperti pada skema Gambar 6.

Gambar 6. Skema direct band gap semiconductor

Dalam indirect band gap semiconductor, energi maksimum dari pita valensi
terjadi pada nilai yang berbeda dari momentum ke energi minimum pita konduksi.,
ditunjukan pada Gambar 7.

Gambar 7. Skema indirect band gap semiconductor

Perbedaan penting antara keduanya adalah pada perangkat optik. Seperti yang
telah disebutkan pada bagian pembawa muatan dalam semikonduktor, foton dapat
memberikan energi untuk menghasilkan pasangan elektron-hole.
Setiap energi foton E memiliki momentum, di mana c adalah kecepatan cahaya.
Sebuah foton memiliki energi dengan orde 10-19 J, dan, karena c = 3 108 ms-1, foton

12

khas memiliki jumlah yang sangat kecil dari momentum. Sebuah energi foton Eg, di
mana Eg adalah band gap energi, dapat menghasilkan pasangan elektron-hole pada
direct band gap semiconductor, karena elektron tidak perlu diberikan sangat banyak
momentum. Namun, sebuah elektron juga harus mengalami perubahan yang signifikan
dalam momentum untuk energi foton. Misalnya untuk menghasilkan pasangan
elektron-hole di sebuah inirect band gap semiconductor. Hal ini dimungkinkan, tetapi
membutuhkan sebuah elektron untuk berinteraksi tidak hanya dengan foton untuk
mendapatkan energi, tetapi juga dengan getaran kisi disebut fonon baik baik untuk
meningkatan atau menghilangkan momentum. Proses indirect berlangsung pada
tingkat yang lebih lambat, karena membutuhkan tiga entitas yang berpotongan yaitu,
elektron, foton dan fonon. Hal ini analog dengan reaksi kimia, di mana dalam langkah
reaksi tertentu, reaksi antara dua molekul akan diikuti pada tingkat yang jauh lebih
besar dari proses yang melibatkan tiga molekul.
Prinsip yang sama berlaku untuk rekombinasi elektron dan hole untuk
menghasilkan foton. Proses rekombinasi jauh lebih efisien untuk direct band gap
semiconductor daripada indirect band gap semiconductor, di mana proses tersebut
harus diperantarai oleh fonon. Sebagai hasil dari pertimbangan tersebut, gallium
arsenide dan direct band gap semiconductor lain yang digunakan untuk membuat
perangkat optik seperti LED dan laser semiconductor, sedangkan silikon, yang
merupakan indirect band gap semiconductor, tidak gunakan untuk itu.

13

BAB III
PENUTUP
A. Kesimpulan
Pita energi digunakan untuk menjelaskan konduktivitas suatu bahan, ada 2
macam pita energi yaitu pita valensi dan pita konduksi. Pita valensi adalah pita energi
yang mungkin diisi oleh elektron dari zat padat hingga lengkap. Setiap pita memiliki
2N electron dengan N adalah jumlah atom. Bila masih ada elektron yang tersisa akan
mengisi pita konduksi. Pada suhu 0 K, pita konduksi terisi sebagian untuk bahan
konduktor, sedangkan untuk isolator dan semikonduktor tidak ada elektron yang
mengisi pita konduksi. Konsep pita energi dapat digunakan untuk menerangkan
mengapa suatu zat memiliki perbedaan daya hantar listrik. Bahan Isolator adalah
material yang susah menghantarkan arus lisrik, sedangkan bahan konduktor adalah
material yang dapat menghantarkan arus lisrik. Bahan Semikondukor adalah sutau
material dengan sifat konduktivitas di antara konduktor dan isolator.

14

DAFTAR PUSTAKA
DoITPoMS. 2014. Introduction to Energy Bands. University Of Cambrigde.
http://www.doitpoms.ac.uk/tlplib/semiconductors/energy_band_intro.php
(online). Di akses 18 Maret 2015
Morales, Arturo-Acevedo. 2009. Variable Band-Gap Semiconductors as The Basis of
New Solar Cells. Journal of Solar Energy, 83:1466-1471
Solymar, L dan D. Walsh. Electrical Properties of Materials. New York : Oxford
University Press
Sze, S.M. 1969. Physics of Semiconductor Devices. New York: John & Willey, Inc.

15