PEMBAHASAN

3.1 Semikonduktor
Semikonduktor merupakan elemen dasar dari komponen elektronika seperti dioda,
transistor dan sebuah IC (integrated circuit). Disebut semi atau setengah konduktor,
karena bahan ini memang bukan konduktor murni. Bahan-bahan logam seperti tembaga,
besi, timah disebut sebagai konduktor yang baik sebab logam memiliki susunan atom
yang sedemikian rupa, sehingga elektronnya dapat bergerak bebas.
Bahan semikonduktor yang banyak dikenal contohnya adalah Silicon (Si),
Germanium (Ge) dan Gallium Arsenida (GaAs). Germanium dahulu adalah bahan satusatunya yang dikenal untuk membuat komponen semikonduktor. Namun belakangan,
silikon menjadi populer setelah ditemukan cara mengekstrak bahan ini dari alam.
Silikon merupakan bahan terbanyak ke dua yang ada di bumi setelah oksigen (O 2). Pasir,
kaca dan batu-batuan lain adalah bahan alam yang banyak mengandung unsur silikon.
Struktur atom kristal silikon, satu inti atom (nucleus) masing-masing memiliki 4
elektron valensi. Ikatan inti atom yang stabil adalah jika dikelilingi oleh 8 elektron,
sehingga 4 buah elektron atom kristal tersebut akan membentuk ikatan kovalen dengan
ion-ion atom tetangganya. Pada suhu yang sangat rendah (0 oK), struktur atom silikon
divisualisasikan seperti pada gambar berikut.

Gambar 1. struktur dua dimensi kristal Silikon

Ikatan kovalen menyebabkan elektron tidak dapat berpindah dari satu inti atom ke
inti atom yang lain. Pada kondisi demikian, bahan semikonduktor bersifat isolator karena
tidak ada elektron yang dapat berpindah untuk menghantarkan listrik. Pada suhu kamar,
ada beberapa ikatan kovalen yang lepas karena energi panas, sehingga memungkinkan

elektron terlepas dari ikatannya. Namun hanya beberapa jumlah kecil yang dapat
terlepas, sehingga tidak memungkinkan untuk menjadi konduktor yang baik.
Ahli-ahli fisika terutama yang menguasai fisika quantum pada masa itu mencoba
memberikan doping pada bahan semikonduktor ini. Pemberian doping dimaksudkan
untuk mendapatkan elektron valensi bebas dalam jumlah lebih banyak dan permanen,
yang diharapkan akan dapat menghantarkan listrik.

Pita Energi
Berangkat dari teori atom, dinyatakan bahwa atom terdiri dari inti atom dan
elektron-elektron yang mengelilingi inti atom, elektron berada pada kulit-kulit atom
berdasarkan tingkat-tingkat energi tertentu. Semakin jauh dari inti kulit atom yang
ditempati oleh elektron, maka energi ikat lektron semakin besar, dan sebaliknya.
Tingkat-tingkat energi pada kristal dapat

seperti atom tunggal (lihat gambar 2).

Interaksi antar atom pada kristal hanya terjadi pada elektron dikulit terluar (elektron
valensi). Berdasarkan azas Paulli, pada suatu tingkat energi tidak boleh terdapat lebih
dari satu elektron pada keadaan yang sama. Jadi apabila terdapat lebih dari satu
elektron pada keadaan yang sama,akan terjadi pergeseran tingkat energi, sehingga tidak
pernah terjadi tingkat-tingkat energi yang bertindihan. Pita energi adalah kumpulan
garis pada tingkat energi yang sama akan saling berhimpit.

Gambar 2. Tingkat energi pada atom tunggal dan pita energi pada kristal
Penentuan pita energi secara rinci dibicarakan di fisika kuantum, namun secara
sederhana, akan ditunjukan sebagai contoh penentuan struktur pita energi pada bahan
padat kristal. Pada gambar 3 dapat dilihat ilustrasi struktur pita energi untuk kristal
isolator,

kristal semikonduktor, dan kristal isolator.

Dimana pada keadaan

kesetimbangan (equilibrium), pita energi tersplit menjadi dua bagian dan dipisahkan
oleh daerah dimana elektron tidak bisa bergerak atau beroperasi, daerah ini disebut

daerah terlarang (= forbidden gap atau band gap). Pita atas dinamakan pita konduksi,
dan pita bagian bawah dinamakan pita valensi.

Gambar 3. Struktur pita energi untuk: a) bahan isolator, b) bahan semikonduktor,

c) bahan konduktor
Isolator memiliki struktur pita energi seperti pada gambar 3(a), dimana pita
konduksinya tidak terisi oleh elektron (kosong), sedang pada pita valensinya terisi
penuh oleh elektron, dan celah energinya cukup besar ~ 9 eV, sehingga bahan isolator
tidak bisa menghantarkan listrik. Dan agar elektron dari pita valensi untuk bisa pindah
ke pita konduksi dibutuhkan energi eksternal > 9 eV. Semikonduktor memiliki struktur
pita energi seperti ditunjukkan pada gambar 3(b), dimana sebagian dari elektron pada
pita valensi pindah menuju pita konduksi, sehingga meninggalkan hole pada pita
valensi. Kemudahan elektron pindah menuju pita konduksi ini dikarenakan energi gapnya kecil. Konduktor memiliki struktur kristal seperti ditunjukkan pada gambar 3(c),
dimana pita konduksinya terisi sebagian oleh elektron, dan tidak ada celah energi antara
pita valensi dan pita konduksi, sehingga elektron-elektron pada pita valensi sangat
mudah untuk pindah menuju pita konduksi. Hal inilah yang menyebabkan bahan
konduktor sangat mudah untuk menghantarkan listrik.
Sebagai gambaran besarnya energi ikat elektron pada kulit atom, telah
dirumuskan oleh model atom Bohr: sebagai atom tinjauan adalah atom hidrogen,
dimana energi ikat tersebut berbanding terbalik dengan kuadrat bilangan kuantum n
yang menunjukan nomor kulit lintasan elektron. Berdasarkan tingkat kemurnian bahannya bahan semikonduktor, dibedakan menjadi 2, yakni semikonduktor intrinsik (yang
belum mengalami pengotoran), semikonduktor ekstrinsik (yang sudah mengalami
pengotoran).
3.2 Fungsi Distribusi Fermi-Dirac pada Semikonduktor

Penerapan fungsi distribusi Fermi-Dirac pada semikonduktor terdapat pada

pengisian pita energi dalam semikonduktor. Dimana elektron dari pita konduksi yang
akan mengisi pita valensi pada semikonduktor harus memiliki besar energi melebihi
energi gap dari semikonduktor itu sendiri, sehingga bahan tersebut akan terkonduksi dan
akan menghantarkan arus listrik.
Diagram pita energi untuk material semikonduktor mirip dengan material
isolator akan tetapi berbeda pada lebar celah energinya. Celah energi pada
semikonduktor hanya sekitar 1 eV. Germanium dan silikon

adalah

material

semikonduktor. Konfigurasi atom Ge [Ar] 3d 10 4s2 4p2 dan Si [Ne] 3s2 3p2; kedua
macam atom ini memiliki 4 elektron di tingkat energi terluarnya. Tumpangtindih pita
energi di tingkat energi terluar akan membuat pita energi terisi penuh 8 elektron.
Karena celah energi sempit maka jika temperatur naik, sebagian elektron di pita
valensi naik ke pita konduksi dengan meninggalkan tempat kosong (hole) di pita
valensi. Keadaan ini digambarkan pada Gambar 4. Baik elektron yang telah berada di
pita konduksi maupun hole di pita valensi akan bertindak sebagai pembawa muatan
untuk terjadinya arus listrik. Konduktivitas listrik naik dengan cepat dengan naiknya
temperatur. Pada temperatur kamar, sejumlah electron terstimulasi thermis dan mampu
naik ke pita konduksi dan meninggalkan hole (tempat lowong) di pita valensi.
Konduktivitas listrik tersebut di atas disebut konduktivitas intrinksik.

Gambar 4. Diagram pita energi semikonduktor. Sejumlah elektron naik

Konduktivitas material semikonduktor juga dapat ditingkatkan dengan penambahan
atom asing tertentu (pengotoran, impurity). Jika atom pengotor memiliki 5 elektron

terluar (misalnya P atau As) maka akan ada kelebihan satu elektron tiap atom.
Kelebihan elektron ini akan menempati tingkat energi sedikit di bawah pita
konduksi (beberapa perpuluh eV) dan dengan sedikit tambahan energi akan sangat
mudah berpindah kepita konduksi dan berkontribusi pada konduktivitas listrik. Atom
pengotor seperti ini disebut donor (karena ia memberikan elektron lebih) dan
semikonduktor dengan donor disebut semikonduktor tipe n.
Jika atom pengotor memiliki 3 elektron terluar (misalnya B atau Al) maka akan ada
kelebihan satu hole tiap atom. Kelebihan hole ini akan menempati tingkat energi
sedikit di atas pita valensi dan dengan sedikit tambahan energi akan sangat mudah
elektron berpindah dari pita valensi ke hole di atasnya dan meninggalkan hole di pita
valensi yang akan berkontribusi pada konduktivitas listrik. Atom pengotor seperti
ini

disebut

akseptor

semikonduktor
perubahan

dengan

(karena

ia

akseptor

konduktivitas

menerima
disebut

yang memadai

elektron

dari

pita valensi)

dan

semikonduktor tipe p. Untuk membuat

di material semikonduktor, cukup

ditambahkan sekitar 1 pengotor per sejuta atom semikonduktor.

Distribusi Fermi-Dirac
Kita anggap bahwa distribusi elektron mengikuti distribusi Fermi-Dirac.
.....................................................(7)
Dimana F disebut dengan Energi Fermi atau lever Fermi. Sebuah sistem noninteracting dengan kuantum state diskrit. Sistem tersebut dikontakkan dengan reservoir
pada temperatur T. Dengan i dan j sebgai energi total dari partikel pada state i dan j
berturut-turut. Dimana Wij merupakan probabilitas dari elekton dari state i berpindah
ke state j dalam satuan waktu. Rata-rata jumlah partikel yang membentuk transisi dari
state i ke state j adalah.

Temperatur (T) dimasukkan karena dalam transisi akan terjadi penyerapan atau
pemancaran energi dari atao oleh reservoir. Berturut-turut, jumlah rata-rata partikel
yang bergerak dari state j ke state i adalah.

Kita gunakan prinsip detailed balance yang menyebutkan bahwa dalam keadaan
kesetimbanagan termal (thermal equilibrium) kedua jumlah state tersebut harus
bersamaan, sehingga.
.............................................................(8)
Bila fi merupakan jumlah rata-rata dari elektron pada state i, berdasarkan prinsip
larangan Pauli (Pauli exclusion) dimana setiap state hanya boleh diisi oleh 0-1 elektron
pada waktu tertentu. Karenanya 0 fi 1, dan fi juga merupakan fraksi konfigurasi
yang ditempati state i. Dengan cara yangsama, 1-fi merupakan fraksi konfigurasi yang
dimana state i kosong (tidak ada elektron). Jumlah transisi dari state i ke state j dengan
besar M konfigurasi adalah

Karena transisi hanya terjadi bila state i penuh sedangkan state j kosong, maka.

Persamaan diatas sama dengan/setara dengan persamaan berikut.

atau dengan memasukkan persamaan (8), sehingga

Persamaan ini berlaku pada state i tertentu dan state j tertentu. Oleh karena itu, kedua ruas
adalah tidak terikat pada i dan j ;

Persamaan diatas merepresentasikan besarnya F, berikut merupakan hasil dari persaamaan di

atas untuk fi.

Berdasarkan persamaan (7), pada suhu 0 K semua state yang berada di bawah energi
tertentuakan terisi dengan elektron sedangkan semua state yang berada di atas energi akan
kosong. Dimana T0, yang diperoleh dari persamaan (7) dan f(F) = .

Hal ini berarti bahwa; untuk energi dibawah energi Fermi (level Fermi), state akan
terpenuhi oleh elektron (f() > for < F) dan untuk energi dibawah level Fermi,
state akan kosong (f() < for > F).
Untuk energi yang jauh lebih besar dari energi Fermi (-F >> kBT) dapat kita
selesaikan dengan distribusi Fermi-Dirac menggunakan pendekatan distribusi MaxwellBoltzmann.

Karena 1+ exp (-F)/ kBT) ~ exp ((-F)/ kBT) untuk -F >> kBT hal ini disebut dengan
kasus non-degenerate. Sebuah semikonduktor yang menggunakan penerapan statistik
Fermi-Dirac disebut degenerated.

Persamaan Kerapatan
Kita menggunakan distribusi Fermi-Dirac (7) pada persamaan berikut.

n
Sehingga untuk kerapatan elektron akan berlaku persamaan berikut.

Persamaan yang sama juga berlaku pada hole dengan kerapatan p untuk energi
dibawah valensi band minimum v.

Kerapatan elekton dan hole dapat dihitung lebih jelas dengan menggunakan pendekatan
parabolic band dengan massa efektif isotropic.

Dengan kerapatan efektif dari state sebagai berikut.

Dan dengan integral Fermi sebagai berikut.

Pada kasus non-degenerate c - F >> kBT dan F - v >> kBT, integral Fermi di atas
dapat diganti dengan fungsi yang lebih sederhana, yaitu.

Sehingga kerapatan elektron akan menjadi.

..(9)

Semikonduktor Intrinsik
Kristal semikonduktor murni yang belum terkontaminasi/ditambahkan oleh atomatom lain disebut dengan semikonduktor intrinsik. Dalam hal ini, pita konduksi elektron
hanya dapat terpenuhi oleh valensi sebelumnya dan elektron tersebut akan
meninggalkan lubang (hole) pada pita valensi. Jumlah elektron pita konduksi adalah
sama dengan jumlah hole pada pita valensi.

Kerapatan intrinsik ni pada kasus non-degenerated (pers (9) dapat dihitung dengan
persamaan berikut.
...(10)
Karena energi gap g = c - F. Berdasarkan persamaan (9) dan (10) maka energi Fermi
untuk semikonduktor intrinsik dapat dihitung dengan menggunakan persamaan berikut.

Hal ini menyatakan bahwa T0, energi Fermi terletak tepat di tengah-tengah
energi gap. Atau dengan kata lain pada semikonduktor intrinsik energi Fermi
berkedudukan tepat di tengah-tengah kedua pita energi karena mempunyai jumlah
elektron yang sama dengan jumlah hole. Pada kebanyakan semikonduktor pada suhu
kamar, energi gap g lebih besar dari pada kBT (Si ; 1,12 eV, kBT = 0,0259 eV pada suhu

kamar). Hal ini menunjukkan asumsi dari non-degeneracy dengan hasil yang sesuai
dengan asumsi.

Doping
Kerapatan intrinsik terlalu kecil untuk menghasilkan konduktivitas yang memadai
(Si: ni = 6,93 x 109 cm-3). Walau demikian, untuk menghasilkan kerapatan yang lebih
besar dapat dilakukan dengan memindahkan beberapa elektron ke dalam

kristal

semikonduktor, dimana atom tersebut memiliki lektron bebas pada pita konduksi atau
hole bebas pada pita valensi. Peristiwa ini disebut dengan doping. Ketidakmurnian ini
berkontribusi pada kerapatan dari carrier (pembawa) yang disebut dengan donor untuk
atom yang menyumbangkan elektronnya ke pita konduksi dan acceptor untuk atom
yang menyumbangkan hole (menangkap elektron) pada pita valensi.

Gambar 5. Ilustrasi energi gap g dan hubungannya dengan c, v, F.

Semikonduktor yang di doping/menerima donor disebut dengan semikonduktor tipe N,
dan semikonduktor yang menerima acceptor disebut dengan semikonduktor tipe P.
Ketika kita mendoping kristal Germanium (Ge) yang tiap atomnya memiliki 4 elektron
valensi dengan Arsenic (Ar) yang tiap atomnya memiliki 5 elektron valensi, maka
setiap atom Arsenic akan menyumbangkan 1 elektron valensinya pada Germanium.
Elektron bebas ini memiliki ikatan yang lemah dengan atom Arsenic, energi ikatny
sebesar 0,013 eV dan eksitasi termal menyediakan energi yang cukup untuk
mengeksitasi elektron bebas tersebut melewati energi gap menuju ke pita konduksi.
Misal, d dan a merupakan level energi dari elektron donor dan

hole acceptor.

Sehingga c - d dan a - v lebih kecil dari kBT. Hal ini berarti penambahan partikel
berkontribusi pada kerapatan elektron dan kerapat hole pada suhu kamar.

Gambar 6. Ilustrasi level energi donor dan acceptor (d, a)

BAB IV
PENUTUP
4.1 Simpulan
Berdasarkan uraian yang telah dipaparkan sebelumnya, maka diperoleh kesimpulan
sebagai berikut.

1. Semikonduktor adalah suatu material yang memiliki karakteristik diantara

konduktor dan isolator. Semikonduktor sangat bergantung dari temperatur. Pada
temperatur terntentu semikonduktor dapat menghantarkan listrik atau bertindak
sebagai konduktor, namun daya hantar atau konduktivitasnya lebih rendah
dibandingkan dengan konduktor. Pada temperatur yang sangat rendah, material
semikonduktor akan memiliki karakter seperti isolator. Penambahan jumlah
impuritas pada material semikonduktor juga dapat menambah sifat konduktivitas
listriknya.

2. Penerapan fungsi distribusi statistik Fermi-Dirac pada semikonduktor terdapat pada

pengisian pita energi. Energi Fermi dalam suatu semikonduktor merupakan suatu
titik berat energi dari elektron dan hole, atau bisa juga dikatakan sebagai tingkat
energi rata-rata dari elektron dan hole. Dimana tingkat energi pada bahan
semikonduktor tersebut akan mengikuti fungsi distribusi Fermi-Dirac berikut.