BAB 2

TEORI DIODA
3 x 180 menit
Mahasiswa memahami karakteristik dasar dioda baik dioda ideal ataupun tipe Silikon dan
Germanium., serta mengetahui macam-macam dioda yang ada di pasaran.

2-1 TEORI SEMIKONDUKTOR

Saudara sudah mengetahui sedikit tentang atom, elektron dan proton. Sub-bab ini akan me-
nambah pengetahuan saudara. Saudara akan melihat bagaimana atom-atom bergabung un-
tuk membentuk kristal-kristal (tulang punggung dari komponen-komponen semikonduktor).

STRUKTUR ATOM
Bohr membuat model atom yang ideal. Ia melihatnya sebagai sebuah inti yang dikelilingi
oleh elektron-elektron yang mengitarinya (Gambar 2-la). Intl atom mempunyai sebuah
muatan positip dan menarik elektron-elektron. Elektron-elektron akan jatuh pada inti bila
tidak ada gaya sentrifugal pada gerakannya. Agar sebuah elektron bergerak di dalam lintasan-
edar (orbit) yang stabil, maka is harus mempunyai kecepatan tertentu agar supaya gaya
sentrifugal seimbang dengan gaya tarik inti.

Penggambaran tiga dimensi seperti pada Gambar 2-la sukar untuk memperlihatkan atom-
atom yang kompleks. Oleh karena itu, kita akan menggambarkan atom dalam dua dimensi.
Sebagai contoh, sebuah atom silikon yang terisolasi (Gambar 2-lb) mempunyai 14 buah
proton di dalam intinya. Dua buah elektron bergerak di dalam lintasan edar yang pertama,
delapan elektron di dalam lintasan edar yang kedua, dan empat elektron di dalam lintasan
edar paling luar atau lintasan edar valensi. Ke-14 elektron tersebut me-netral-kan muatan dari
14 buah proton, sehingga dari jauh atom tersebut secara elektris adalah netral.

Patut diketahui bahwa lintasan yang paling luar mengandung empat elektron. Karena
ini, maka silikon disebut tetravalent ("tetra" di dalam bahasa Yunani berarti "empat").

Untuk memudahkan, inti atom bersama-sama dengan elektron-elektron pada lintasan yang
lebih dalam disebut pusat (core) dari suatu atom. Kita tidak mempersoalkan apa yang ter-jadi
di dalam pusat. Perhatian kita hampir selalu tertuju pada lintasan valensi yaitu tempat
terjadinya semua peristiwa di dalam semikonduktor.

15
 Gambar 2-1 (a) Model Bohr. (b) Atom Silikon.

TINGKATAN ENERGI (ENERGY LEVEL)

Saudara mungkin berfikir bahwa sebuah elektron dapat beredar di dalam suatu lintasan
dengan radius sembarang, sesuai dengan kecepatannya. Namun fisika moderen
mengatakan yang sebaliknya hanya beberapa ukuran lintasan yang diperbolehkan.
Sebagai contoh, di dalam Gambar 2-2a, elektron-elektron dapat beredar di dalam lintasan-
lintasan yang pertama, kedua, dan ketiga, tetapi mereka tidak dapat beredar di dalam
lintasan-lintasan di antaranya. Ini berarti bahwa semua radius antara r 1 •dan r2 adalah
terlarang; demikian juga, semua radius antara r 2 dan r3 adalah terlarang. (Jika saudara
ingin mengetahui alasannya, saudara harus belajar tentang fisika kuantum).
Di dalam Gambar 2-2a dibutuhkan energi untuk memindahkan sebuah elektron dari
lintasan yang lebih kecil ke lintasan yang lebih besar, sebab harus dilakukan kerja
untuk mengatasi gaya tarik dari inti atom. Sebagai akibatnya, semakin besar lintasan
dari sebuah elektron, akan semakin besar pula tingkatan energinya atau energi
potensialnya terhadap inti.
Untuk memudahkan dalam menggambar, maka orang menggambarkan lintasan-lintas-
an lengkung dengan garis-garis horisontal seperti pada Gambar 2-2b. Lintasan yang per-
tama menyatakan tingkatan energi yang pertama, lintasan yang kedua menyatakan ting-
katan energi yang kedua, dan seterusnya. Makin tinggi tingkatan energi, makin besar pula
lintasan dari elektron. Dengan kata lain, suatu tingkatan energi dapat dinyatakan dengan
radius lintasannya.

Gambar 2-2 (a) Atom yang diperbesar. (b) Tingkatan energi

Jika energi yang berasal dari luar seperti panas, cahaya, atau radiasi lainnya mengenai sebuah

16
atom, maka elektron akan memperoleh tambahan energi clan berpindah ke tingkatan energi
yang lebih tinggi (lintasan yang lebih besar). Maka atom tersebut dikatakan berada dalam
keadaan ter-eksitasi. Keadaan ini tidak berlangsung lama, karena elektron yang tereksitasi
tersebut segera akan jatuh kembali ke tingkatan energi yang semula. Pada saat jatuhnya,
elektron akan melepaskan kembali energi yang diperolehnya dalam bentuk panas, cahaya,
atau radiasi lainnya.

KRISTAL
Sebuah atom silikon yang terisolir mempunyai empat buah elektron di dalam lintasan va-
lensinya. Untuk menjadi stabil secara kimiawi, sebuah atom silikon membutuhkan delapan
elektron di dalam lintasan valensinya. Maka, setiap atom silikon akan bergabung dengan
atom silikon lainnya sedemikian rupa untuk menghasilkan delapan elektron di dalam lintasan
valensinya.
Bila atom-atom silikon bergabung untuk membentuk bends padat, mereka menyusun dirinya
di dalam suatu susunan teratur yang disebut kristal. Gaya-gaya yang mengikat atom-atom
satu sama lain disebut ikatan-ikatan kovalen (covalent bonds). Gambar 2-3a menggambarkan
keadaan di atas. Atom silikon tersebut menempatkan dirinya di antara empat atom silikon
yang lain. Setiap atom tetangga memberikan sebuah elektron sebagai milik bersama dengan
atom yang di tengah. Dengan demikian, atom yang di tengah dapat memperoleh empat buah
elektron tambahan, sehingga jumlah total elektron di dalam lintasan valensinya adalah
delapan.
Kedelapan elektron tersebut tidak semata-mata hanya dimiliki oleh atom yang di tengah,
melainkan dimiliki bersama oleh keempat atom di sekitarnya. Karena pusat-pusat yang
berdekatan mempunyai muatan total positif, mereka akan menarik elektron-elektron yang
dimiliki bersama tersebut, dan menciptakan gaya-gaya yang sama besar tetapi berlawanan
arah. Penarikan dalam arah berlawanan ini adalah ikatan kovalen, yaitu perekat yang
mengikat atom-atom satu sama lain.

HOLE

Bila energi luas mengangkat elektron valensi ke tingkatan energi yang lebih tinggi (lintasan
yang lebih besar), maka elektron yang lepas tersebut akan meninggalkan suatu kekosongan di
dalam orbit terluar (lihat Gambar 2-3b). Kekosongan ini kits sebut sebuah hole. Hole-hole ini
merupakan salah satu alasan mengapa diode dan transistor dapat bekerja sebagaimana adanya.
Sub-bab selanjutnya akan membahas lebih banyak lagi mengenai hole.

JALUR ENERGI (ENERGY BANDS)

Bila sebuah atom silikon terisolir, maka lintasan dari sebuah elektron dikontrol oleh muatan
dari atom tersebut. Tetapi bila atom-atom silikon bergabung di dalam suatu kristal, maka
lintasan elektron itu juga dipengaruhi oleh muatan dari atom-atom yang berdekatan. Karena
setiap elektron mempunyai kedudukan yang berbeda di dalam kristal, tidak ada dua elektron
yang melihat susunan muatan-muatan di sekitarnya secara tepat sama. Oleh sebab itu, lintasan
dari setiap elektron berbeda dengan yang lain.

17
 Gambar 2-3 (a) Ikatan Kovalen (b) Hole

Gambar 2-4 Jalur Energi

Gambar 2-4 memperlihatkan apa yang terjadi dengan tingkatan energi. Semua elektron
yang beredar di dalam lintasan-lintasan pertama mempunyai tingkatan energi yang
berbeda sedikit sebab tidak ada dua elektron yang melihat secara tepat sama muatan di
sekitarnya. Karena terdapat berjuta-juta elektron pada lintasan yang pertama, maka
tingkatan-tingkatan energi yang berbeda sedikit mengelompok di dalam suatu jalur
(band). Secara sama, berjuta-juta elektron pada lintasan yang kedua, semuanya dengan
tingkatan energi yang berbeda sedikit, akan membentuk jalur energi yang kedua. Dan
semua elektron pada lintasan yang ketiga akan membentuk jalur yang ketiga.

Di dalam Gambar 2-4 jalur-jalur energi diberi tanda gelap. Ini menunjukkan jalur-jalur yang
jenuh (saturated) atau terisi penuh; yaitu, jalur-jalur di mana semua lintasan yang ada telah
terisi penuh oleh elektron. Sebagai contoh, jalur valensi menjadi penuh karena lintasan
valensi dari setiap atom mempunyai delapan elektron di dalamnya.

Gambar 2-4 memperlihatkan jalur-jalur energi di dalam sebuah kristal silikon pada tern-
peratur nol absolut (— 273°C); ini adalah keadaan di mana getaran molekul menjadi terhenti,
yang berarti bahwa is telah mencapai tingkat kedinginan yang maksimal. Pada suhu nol
absolut arus sama sekali tidak ada.

2-2 KONDUKSI DI DALAM KRISTAL

Setiap atom tembaga mempunyai sebuah elektron bebas. Karena elektron ini beredar di
18
dalam suatu lintasan yang sangat besar (tingkatan energi tinggi), maka elektron tersebut
hampir tidak merasakan gaya tarik dari inti atom. Di dalam sepotong kawat tembaga elek -
tron-elektron bebas berada di dalam suatu jalur energi yang disebut jalur konduksi. Elek-
tron-elektron bebas ini dapat menghasilkan arus yang besar.

Sepotong silikon adalah berlainan. Gambar 2-5a memperlihatkan sebatang silikon dengan
lapisan logam pada ujung-ujungnya. Suatu sumber tegangan luar membangkitkan medan
listrik di antara ujung-ujung dari kristal tersebut. Apakah ada arus listrik mengalir? Hal
itu bergantung pada apakah ada elektron-elektron yang dapat bergerak bebas di dalam
kristal.

SUHU NOL MUTLAK

Pada suhu nol mutlak, elektron tidak dapat bergerak melalui kristal. Semua elektron valensi
diikat denganicuat oleh atom-atom silikon sebab mereka adalah bagian dari ikatan-ikatan
kovalen di antara atom-atom. Gambar 2-5b memperlihatkan diagram jalur-energi. Bila tiga
jalur yang pertama terisi penuh, elektron di dalam jalur-jalur ini tidak dapat bergerak dengan
mudah karena di situ tidak ada lintasan yang kosong.

Gambar 2-5 (a) Rangkaian Jalur (b) Jalur-jalur Energi pada Suhu

Tetapi di luar jalur valensi terdapat jalur konduksi. Jika sebuah elektron valensi dapat
dinaikkan ke dalam jalur konduksi, maka elektron tersebut bebas bergerak dari satu atom ke
atom di sekitarnya. Namun, pada suhu nol mutlak, jalur konduksi adalah kosong; ini berarti
bahwa arus tidak dapat mengalir di dalam kristal silikon.

SUHU DI ATAS NOL MUTLAK

Bila suhu dinaikkan di atas nol mutlak, maka akan terjadi perubahan. Energi panas yang
diberikan akan melepaskan beberapa ikatan kovalen, yaitu elektron-elektron valensi indah ke
jalur konduksi. Dengan cara ini, kita dapat memperoleh sejumlah terbatas elektron ada jalur
konduksi, diberi simbol dengan tanda minus pada Gambar 2-6a. Dengan pengaruh medan
listrik, elektron-elektron bebas ini bergerak ke kiri dan membangkitkan arus.

Di atas nol mutlak, kita menggambarkan jalur-jalur energi seperti yang diperlihatkan di
dalam Gambar 2-6b. Energi panas telah menaikkan beberapa elektron ke dalam jalur kon-
duksi, di mana mereka beredar di dalam lintasan-lintasan yang sangat besar. Di dalam lin-
tasan-lintasan jalur konduksi ini, elektron-elektron hanya sedikit merasakan penarikan dari
atom-atom dan dapat dengan mudah bergerak dari satu atom ke atom di sekitarnya.
Di dalam Gambar 2-6b, setiap kali sebuah elektron dipindahkan ke dalam jalur konduksi,
maka sebuah hole diciptakan di dalam jalur valensi. Akibatnya, jalur valensi tidak lagi
jenuh atau terisi penuh; setiap hole di dalam jalur valensi menyatakan tersedianya sebuah
19
lintasan edar.

Makin tinggi suhu, makin banyak pula elektron-elektron valensi yang dilempar ke jalur
konduksi dan semakin besar pula arus di dalam Gambar 2-6a. Pada suhu ruangan (sekitar
25°C), arus yang timbul terlalu kecil untuk dapat dimanfaatkan. Pada suhu ini, sepotong
silikon bukanlah isolator yang baik dan bukan pula konduktor yang baik. Karena alasan ini-
lah, silikon disebut semikonduktor.

Gambar 2-6 (a) Aliran Elektron (b) Jalur-jalur Energi pada suhu ruang

SILIKON TERHADAP GERMANIUM

Germanium, elemen tetravalent yang lain, digunakan secara luas pada awal ditemukannya
semikonduktor. Tetapi sekarang sudah jarang digunakan di dalam desain-desain yang baru.
Pada suhu ruangan kristal silikon hampir tidak memiliki elektron bebas dibandingkan dengan
kristal germanium. Ini adalah alasan utama mengapa silikon telah sepenuhnya menggantikan
germanium di dalam pembuatan diode, transistor dan komponen-komponen semikonduktor
lainnya. Di bagian lain akan dijelaskan mengapa kekurangan elektron bebas di dalam silikon
murni adalah suatu keuntungan besar.

ARUS HOLE

Hole di dalam semikonduktor dapat juga menghasilkan arus. Inilah yang membedakan
semikonduktor secara nyata dari kawat tembaga. Dengan kata lain, semikonduktor mem-
punyai dua lintasan untuk arus, yang satu melalui jalur konduksi (lintasan besar) dan yang
lainnya melalui jalur valensi (lintasan yang lebih kecil). Sebagai suatu analogi, kawat tern-
baga adalah seperti jalan satu jalur dan semikonduktor seperti jalan dua jalur.

Arus jalur konduksi di dalam semikonduktor sama seperti yang terjadi di dalam kawat
tembaga. Tetapi arus jalur valensi adalah suatu hal yang baru. Lihatlah pada hole di
sebelah ujung kanan dari Gambar 2-7a. Hole ini menarik elektron valensi pada A. Dengan
perubahan energi yang kecil, elektron valensi pada E dapat bergerak ke dalam hole. Bila
ini terjadi, hole yang semula hilang dan akan timbul hole yang baru pada A. Selanjutnya,
elektron valensi pada B dapat pindah ke dalam hole yang baru dengan mengalami sedikit
perubahan energi. Melalui cara ini, dengan sedikit perubahan energi, elektron-elektron
valensi dapat bergerak sepanjang lintasan yang ditunjukkan oleh tanda panah.

20
PASANGAN ELEKTRON-HOLE

Bila kita memberikan tegangan pada suatu kristal, maka tegangan tersebut akan memaksa
elektron-elektron untuk bergerak. Di dalam Gambar 2-8a, terdapat dua macam gerakan
elektron, yaitu elektron-elektron jalur konduksi dan elektron-elektron jalur valensi.
Gerakan ke kanan dari elektron-elektron valensi sama artinya dengan hole-hole yang
bergerak ke kiri.
Kebanyakan insinyur lebih banyak membahas gerakan hole daripada gerakan elektron. Di
dalam semikonduktor yang umum, adanya sebuah elektron pada jalur konduksi berarti
ada pula sebuah hole di dalam lintasan valensi dari suatu atom. Dengan kata lain, energi
panas akan menghasilkan pasangan-pasangan elektron-hole. Hole-hole berlaku sebagai
muatan positif dan karena alasan ini maka hole diberi tanda positif di dalam Gambar 2-
8b. (Suatu gejala yang dikenal sebagai Hall effect memperkuat dugaan bahvia hole
berlaku sebagai muatan positif). Seperti sebelumnya, kita menganggap elektron-elektron
jalur konduksi bergerak ke kanan. Tetapi sekarang, kita berpikir bahwa hole-hole
(muatan-muatan positif) bergerak ke kiri.

Gambar 2-7 (a) Arus Hole (b) Diagram Energi Dari Arus Hole

Gambar 2-8 Dua macam lintasan arus

21
PENGGABUNGAN KEMBALI (REKOMBINASI)

Di dalam Gambar 2-8b, setiap tanda minus adalah sebuah elektron jalur konduksi yang ter-
letak di dalam lintasan yang besar, dan setiap tanda plus adalah sebuah hole yang terletak di
dalam lintasan yang lebih kecil. Kadang-kadang, lintasan pada jalur konduksi dari suatu
atom dapat memotong lintasan dari hole pada atom yang lain. Karena ini, sangat sering
terjadi suatu elektron pada jalur konduksi jatuh ke dalam hole. Penggabungan sebuah elek-
tron bebas dan sebuah hole ini disebut penggabungan kembali (rekombinasi). Bila terjadi
penggabungan kembali, maka hole akan menghilang.

Penggabungan kembali terjadi secara terus-menerus di dalam suatu semikonduktor. Ke-

adaan ini akan mengisi setiap hole kecuali untuk satu hal. Energi panas yang masuk terus-
menerus menghasilkan hole-hole yang baru dengan mengangkat elektron-elektron valensi
ke jalur konduksi. Lifetime (waktu hidup) adalah istilah yang diberikan pada waktu rata-
rata antara timbulnya dan menghilangnya sepasang elektron-hole. Lifetime berkisar dari
beberapa nano-detik sampai beberapa mikrodetik, bergantung pada bagaimana sempurna-
nya struktur dari suatu kristal dan faktor-faktor lainnya.

2-3 DOPING

Suatu kristal silikon yang murni (di mana setiap atomnya adalah atom silikon) disebut
sebagai semikonduktor intrinsik. Untuk kebanyakan aplikasi, tidak terdapat elektron dan
hole yang cukup banyak di dalam suatu semikonduktor intrinsik untuk dapat
menghasilkan arus yang berguna. Doping adalah penambahan atom-atom impuritas pada
suatu kristal untuk menambah jumlah elektron bebas maupun hole. Suatu kristal yang
telah di-dop disebut semikonduktor ekstrinsik.

SEMIKONDUKTOR TIPE-n
Untuk memperoleh tambahan elektron-elektron pada jalur konduksi, kita dapat menam-
bahkan atom-atom pentavalent; atom ini mempunyai lima buah elektron bebas di dalam
lintasan valensinya. Setelah kita menambahkan atom pentavalent pada kristal silikon yang
murni, kita tetap mempunyai atom-atom silikon yang jumlahnya jauh lebih banyak. Tetapi
sekali-sekali akan kita jumpai atom pentavalent di antara empat tetangga seperti terlihat di
dalam Gambar 2-9a. Atom pentavalent pada mulanya mempunyai lima elektron di dalam
lintasan valensinya. Setelah membentuk ikatan kovalen dengan empat buah tetangganya,
atom sentral ini mempunyai kelebihan sebuah elektron. Karena lintasan valensi dapat me-
nampung tidak lebih dari delapan buah elektron, maka kelebihan elektron harus beredar di
dalam lintasan jalur konduksi.

22
 Gambar 2-9 Doping dengan impuritas donor

Gambar 2-9b memperlihatkan jalur-jalur energi dari suatu kristal yang telah didoping
oleh sebuah impuritas pentavalent. Kita mempunyai sejumlah besar elektron pada jalur
konduksi, yang dihasilkan terutama melalui doping. Hanya ada sedikit hole yang
diperoleh melalui energi panas. Kita sebut elektron sebagai pembawa mayoritas dan hole
sebagai pembawa minoritas. Silikon yang di-dop seperti ini disebut semikonduktor type-
n, di mana n adalah singkatan dari negatif.
Hal yang terpenting adalah: Atom pentavalent sering disebut atom donor, sebab atom
tersebut menghasilkan elektron-elektron pada jalur konduksi. Contoh-contoh dari impuritas
donor adalah arsenik, antimon, dan fosfor.

SEMIKONDUKTOR TYPE-p

Bagaimana kita dapat men-dop suatu kristal untuk memperoleh tambahan hole? Dengan
menggunakan impuritas trivalent (yang memiliki tiga elektron di dalam lintasan
terluarnya). Setelah kita menambahkan impuritas, kita melihat setiap atom trivalent
dikelilingi empat atom tetangganya, seperti yang terlihat pada Gambar 2-10a. Karena
setiap atom trivalent hanya membawa tiga buah elektron lintasan valensi di dalam
dirinya, maka hanya tujuh buah elektron yang akan beredar di dalam lintasan valensinya.
Dengan kata lain, sebuah hole terjadi di dalam setiap atom trivalent. Dengan mengatur
jumlah penambahan impuritas, kita dapat mengatur jumlah dari hole di dalam kristal
yang di-dop.

Gambar 2-10 Doping dengan impuritas akseptor

23
Suatu semikonduktor yang di-dop oleh impuritas trivalent disebut semikonduktor tipe-p; p
adalah singkatan dari positif. Seperti terlihat di dalam Gambar 2-10b, hole dari
semikonduktor tipe-p jauh lebih banyak dari elektron pada jalur konduksi. Dengan alasan ini,
maka hole adalah pembawa mayoritas di dalam semikonduktor tipe-p, sedangkan elektron
pada jalur konduksi merupakan pembawa minoritas.

Atom-atom trivalent juga disebut sebagai atom-atom akseptor karena setiap hole yang
mereka sumbangkan dapat menerima sebuah elektron pada waktu penggabungan kembali.
Contoh-contoh dari impuritas akseptor adalah aluminium, boron, dan gallium.

TAHAN AN BULK

Suatu semikonduktor yang di-dop masih mempunyai tahanan. Tahanan ini disebut
tahanan bulk (bulk resistance). Suatu semikonduktor yang di-dop hanya sedikit,
mempunyai tahanan bulk yang tinggi. Bila doping bertambah, maka tahanan bulk akan
berkurang. Tahanan bulk disebut juga tahanan ohm sebab ia mengikuti hukum Ohm;
yaitu, tegangan yang diberikan sebanding dengan arus yang melaluinya.

2-4 DIODA TANPA BIAS (UNBIASED)

Adalah mungkin untuk meghasilkan kristal seperti pada Gambar 2 -11a yang terdiri dari
separuh tipa p dan separuh tipe n. Junction adalah daerah pertemuan antara tipe p dan
tipe n. Suatu kristal pn seperti ini umumnya disebut dioda.

Gambar 2-11a memperlihatkan kristal pn tersebut pada saat pembentukan. Sisi p mempunyai
banyak hole (pembawa mayoritas) dan sisi n mempunyai banyak elektron bebas (juga
pembawa mayoritas). Dioda pada Gambar 2-1 la adalah tanpa bias, yaitu tidak ada tegangan
luar yang diberikan padanya.

LAPISAN KOSONG (DEPLETION LAYER)

Disebabkan oleh gaya saling tolak menolak, elektron pada sisi n akan berdifusi atau
menyebar ke segala arah. Beberapa berdifusi melewati junction. Jika sebuah elektron
bebas meninggalkan daerah n, maka akan tercipta sebuah atom bermuatan positif (ion
positif) di dalam daerah n. Selanjutnya, bila ia memasuki daerah p, maka elektron tersebut
akan menjadi pembawa minoritas. Dengan demikian banyak hole di sekitarnya, pembawa
minoritas ini mempunyai waktu hidup (lifetime) yang singkat; segera setelah memasuki
daerah p, elektron bebas akan jatuh ke dalam hole. Bila ini terjadi, hole akan menghilang
dan atom yang bersangkutan menjadi bermuatan negatif (ion negatif).

Setiap kali sebuah elektron berdifusi melalui junction, akan tercipta sepasang ion.
Gambar 2-11b memperlihatkan ion-ion ini pada setiap sisi junction. Tanda plus yang di-
lingkari adalah ion positif dan tanda minus yang dilingkari adalah ion negatif. Ion -ion
tetap berada di dalam struktur kristal karena adanya ikatan kovalen dan tidak dapat ber-
gerak seperti elektron bebas dan hole. Jika jumlah ion bertambah banyak, maka daerah
di sekitar junction dikosongkan dari elektron bebas dan hole. Kita sebut daerah ini
sebagai lapisan kosong (depletion layer).

24
 Gambar 2-11 (a) Sebelum Difusi (b) Sesudah Difusi

POTENSIAL BARIER
Pada suatu saat, lapisan kosong akan berlaku sebagai penghalang (barrier) bagi elektron
bebas untuk berdifusi lebih lanjut melalui junction. Sebagai contoh, bayangkan sebuah
elektron bebas di dalam daerah n yang berdifusi ke kiri memasuki bagian dalam dari
lapisan kosong (lihat Gambar 2-1 lb). Di sini ia berhadapan dengan dinding ion-ion negatif
yang mendorongnya kembali ke kanan. Jika elektron bebas tersebut mempunyai energi
yang cukup besar, ia dapat menembus dinding tersebut dan memasuki daerah p, di mana ia
akan jatuh ke dalam hole dan menciptakan ion negatif yang lain. Kekuatan dari lapisan
kosong terus bertambah besar dengan semakin banyaknya elektron yang menyeberang
sampai suatu keseimbangan dicapai; pada keadaan ini penolakan dalam (internal
repulsion) dari lapisan kosong akan menghentikan difusi lebih lanjut dari elektron bebas
melalui junction.

Beda potensial pada lapisan kosong disebut potensial barier. Pada 25°C, potensial barier ini
adalab sekitar 0,7 V untuk dioda silikon. (Dioda germanium mempunyai potensial barier
sekitar 0,3 V).

2-5 FORWARD BIAS

Gambar 2-12a memperlihatkan suatu sumber tegangan dc pada sebuah dioda. Kutub positif
dihubungkan pada bahan tipe p, dan kutub negatif pada bahan tipe n. Hubungan ini kita rebut
forward bias. Untuk membantu mengingat, perhatikan bahwa kutub + dihubungkan pada sisi
p dan kutub — pada sisi n.

ARUS FORWARD YANG BESAR

Forward bias dapat menghasilkan arus yang besar. Mengapa? Kutub negatif dari sumber
menolak elektron bebas di dalam daerah n ke arah junction. Elektron yang mendapat tam-
bahan energi ini dapat melewati junction dan jatuh ke dalam hole. Rekombinasi terjadi
pada jarak-jarak yang ber-variasi dari junction, bergantung pada berapa lama suatu
elektron bebas dapat menghindari kejatuhannya ke dalam hole. Kemungkinan besar
terjadinya rekombinasi adalah di dekat junction.

25
Bila elektron bebas jatuh ke dalam hole, mereka akan menjadi elektron valensi. Kemudian,
sebagai elektron valensi, mereka terus bergerak ke kiri melalui hole di dalam bahan p. Bila
elektron valensi mencapai ujung kiri kristal, mereka meninggalkan kristal dan mengalir ke
dalam kutub positif dari sumber.
Di bawah ini adalah kejadian yang dialami sebuah elektron di dalam Gambar 2-12a bila ia
bergerak dari kutub negatif ke kutub positif dari suatu baterai:

1. Setelah meninggalkan kutub negatif, ia memasuki ujung kanan kristal.

2. Ia bergerak melalui daerah n sebagai selektron bebas.
3. Dekat junction ia bergabung dan menjadi elektron valensi.
4. Ia bergerak melalui daerah p sebagai elektron valensi.
5. Setelah meninggalkan ujung kiri kristal, ia mengalir ke dalam kutub positif sumber.

Gambar 2-12 (a) Forward Bias (b) Jalur-jalur

JALUR ENERGI
Gambar 2-12b memperlihatkan bagaimana menggambarkan arus dengan pertolongan jalur
energi. Untuk memulainya, potensial barier memberikan energi sedikit lebih banyak kepada
jalur p daripada jalur n; inilah sebabnya mengapa jalur p lebih tinggi dari jalur n. Forward
bias mendorong elektron jalur konduksi di dalam daerah n ke arah junction. Segera sesudah
memasuki daerah p, setiap elektron akan jatuh ke dalam hole (lintasan A). Sebagai elektron
valensi, ia dapat terus bergerak ke ujung kiri kristal.

Kadang-kadang, elektron jalur konduksi dapat jatuh ke dalam hole sebelum ia melewati
junction. Di dalam Gambar 2-12b sebuah elektron valensi dapat melewati junction dari
kanan ke kiri; ini akan meninggalkan sebuah hole tepat di sebelah kanan junction. Hol e
ini tidak bertahan lama. Suatu elektron jalur konduksi segera akan jatuh ke dalamnya
(lintasan B).
Tidak perduli di mana rekombinasi terjadi, hasilnya adalah sama. Suatu aliran yang tetap
dari elektron jalur konduksi bergerak ke arah junction dan jatuh ke dalam hole dekat
junction. Elektron yang ditangkap (sekarang elektron valensi) bergerak ke kiri di dalam
suatu aliran yang tetap melalui hole di dalam daerah p. Dengan cara ini, kita memperoleh
suatu aliran elektron yang kontinu melalui dioda.

Secara kebetulan, bila elektron bebas jatuh melalui lintasan A dan B, mereka jatuh dari
tingkatan energi yang lebih tinggi ke yang lebih rendah. Pada saat mereka jatuh, mereka
memancarkan energi dalam bentuk panas dan cahaya. Ingatlah ini. Ini akan memudahkan kita
pada waktu membahas light-emitting diode (dioda pemancar cahaya).

26
2-6 REVERSE BIAS

Bila saudara membalik polaritas dari sumber dc, ini berarti saudara me-reverse-bias-kan
diode tersebut, seperti terlihat di dalam Gambar 2-13a. Sekarang kutub + berhubungan
dengan sisi n dan kutub — dengan sisi p. Akibat apakah yang terjadi dengan hubungan
reverse bias?

LAPISAN KOSONG

Hubungan reverse bias pada Gambar 2-13a memaksa elektron bebas di dalam daerah n
berpindah dari junction ke arah terminal positif sumber; hole di dalam daerah p juga bergerak
menjauhi junction ke arah terminal negatif. Gerakan elektron akan meninggalkan lebih
banyak lagi ion negatif. Akibatnya lapisan kosong menjadi lebih lebar. Makin besar tegangan
reverse bias, makin lebar pula lapisan kosong yang terjadi. Lapisan kosong akan berhenti
melebar bila beda potensialnya menyamai tegangan sumber.

Gambar 2-13b adalah suatu cara lain untuk melihat ide yang sama. Bila diberikan reverse
bias, maka elektron jalur konduksi dan hole bergerak menjauhi junction.

Gambar 2-13 (a) Pergantian oleh reverse bias (b) Pergantian oleh jalur energi

Lapisan kosong menjadi semakin lebar sampai beda potensialnya sama dengan tegangan
sumber. Bila ini terjadi, elektron dan hole akan berhenti bergerak.

ARUS PEMBAWA MINORITAS

Apakah masih ada arus setelah lapisan kosong berada pada lebar yang baru? Ya, masih
ada arus yang sangat kecil. Inilah sebabnya. Energi thermal secara kontinu menciptakan
sejumlah elektron bebas dan hole pada kedua sisi dari junction. Disebabkan oleh
pembawa minoritas tersebut maka ada arus yang kecil di dalam rangkaian.

Arus balik (reverse) yang disebabkan oleh pembawa minoritas disebut arus saturasi,
yang disebut Is. Istilah saturasi mengingatkan kita bahwa kita tidak dapat memperoleh

27
arus balik yang lebih besar dari yang dihasilkan oleh energi thermal. Dengan kata lain,
menambah tegangan reverse tidak akan menambah jumlah pembawa minoritas yang
dihasilkan secara thermal. Hanya kenaikan suhu yang dapat menambah Is. Berdasarkan
percobaan, suatu aturan yang praktis untuk semua dioda silikon adalah ini: I s mendekati
dua kali lebih besar untuk setiap kenaikan suhu 10 °C. Sebagai contoh, jika Is adalah 5 nA
(nano ampere) pada 25 °C, ia akan mendekati 10 nA pada 35 °C, 20 nA pada 45 ° C, 40 nA
pada 55°C, dan sebagainya. Diode silikon mempunyai Is yang jauh lebih kecil dibanding-
kan dengan diode Germanium. Ini adalah salah satu alasan mengapa silikon
mendominasi bidang peralatan semikonduktor.

ARUS BOCOR PERMUKAAN

Di samping arus balik melalui kristal, ada lagi arus kecil pada permukaan kristal. Kompo -
nen arus balik ini disebut arus bocor permukaan, yang diberi simbol ISL. Ia disebabkan
oleh impuritas permukaan yang mengakibatkan lintasan arus yang memenuhi hukum
Ohm. Sebagaimana arus yang dihasilkan secara thermal, arus bocor permukaan adalah
sangat kecil.

ARUS BALIK (REVERSE CURRENT)

Pada lembaran data untuk dioda I s dan IsL digabung menjadi satu arus yang disebut arus
balik IR; ia biasanya ditentukan pada suatu tegangan batik VR dan temperatur ruang TA
tertentu. Karena IS peka terhadap temperatur dan /sz, peka terhadap tegangan, maka IR
menjadi peka baik terhadap temperatur maupun tegangan. Sebagai contoh, I R untuk
dioda 1N914 (yang sering dipakai) adalah 25 nA untuk tegangan balik V R sebesar 20 V
dan temperatur ruang TA sebesar 25°C. Jika tegangan atau temperatur naik, arus batik
akan naik pula. Sebagai suatu patokan, seorang perancang (designer) memilih dioda yang
arus baliknya cukup kecil untuk diabaikan di dalam pemakaian tertentu.

TEGANGAN BREAKDOWN

Jika saudara naikkan tegangan balik, pada suatu saat saudara akan mencapai titik pendo-
brakan (breaking point), yang disebut tegangan breakdown dari dioda. Untuk dioda
penyearah (yang di-optimasi untuk konduk ke satu arah lebih baik dari arah sebaliknya),
tegangan breakdown biasanya lebih besar dari 50 V. Pada saat tegangan breakdown
dicapai, dioda dapat konduk secara hebat. Dad manakah pembawa tiba-tiba muncul?
Gambar 2-14a memperlihatkan suatu elektron bebas dan hole yang dihasilkan secara
thermal di dalam lapisan kosong. Karena reverse bias, elektron bebas didorong ke kanan.
Bila ia bergerak, kecepatannya akan membesar. Makin besar reverse bias, makin cepatlah
elektron bergerak (yang sama dengan mengatakan bahwa ia memperleh energi tambahan).
Setelah beberapa saat,-elektron bebas dapat bertabrakan dengan elektron valensi, seperti
yang terlihat di dalam Gambar 2-14b.

28
 Gambar 2-14 Breakdown (a) Pembawa minoritas di dalam lapisan kosong
(b) Elektron bebas menabrak elektron valensi
(c) Dua elektron bebas

Jika elektron bebas mempunyai energi yang cukup besar, ia dapat melepaskan elektron
valensi, sehingga terdapat dua elektron bebas (lihat Gambar 12-14c). Keduanya sekarang
dapat mempercepat dirt dan melepaskan elektron valensi yang lain sampai seluruh pelepasan
terjadi. Dengan demikian banyaknya elektron bebas, dioda pada Gambar 2-14a akan konduk
dengan hebat dan dapat menjadi rusak oleh disipasi daya yang berlebihan.
Kebanyakan dioda tidak diperkenankan untuk breakdown. Dengan kata lain, pada waktu
disain diusahakan agar tegangan balik pada dioda penyearah lebih kecil dart tegangan
breakdownnya. Tidak ada simbol yang tetap (standard) untuk tegangan breakdown. Ia telah
diberi simbol pada berbagai lembaran data sebagai berikut:

voltage breakdown (tegangan breakdown)

breakdown voltage (tegangan breakdown)
peak reverse voltage (tegangan balik puncak)
peak inverse voltage (tegangan balik puncak
voltage reverse working maximum (tegangan kerja balik maksimum)
voltage reverse maximum (tegangan balik maksimum)

dan lain-lain. Beberapa daripadanya adalah nilai batas (rating) dc dan beberapa lainnya adalah
nilai batas ac. Saudara harus melihat pada lembaran data yang bersangkutan yang memuat
syarat-syarat bagi nilai batas breakdown di atas.

2-7 KOMPONEN LINIER

Hukum Ohm mengatakan bahwa arus yang melewati tahanan biasa adalah sebanding de-
giFielrigan pada tahanan tersebut. Jadi grafik dart arus tahanan terhadap tegangannya adalah
garis lurus (linier). Sebagai contoh, untuk tahanan 500 S2, grafik arus-tegangannya adalah
seperti pada Gambar 2-15. Perhatikan beberapa titik sampel. Arusnya adalah 1 mA untuk
tegangan 0,5 V dan 2 mA untuk 1 V. Di dalam keduanya, perbandingan tegangan terhadap
arus adalah 500 1-2. Pembalikan tegangan tidak mempunyai akibat pada ke-linier-
an dart grafik. Arus balik 1 mA adalah untuk tegangan balik — 0,5 V; arus bertambah
menjadi — 2 mA untuk — 1 V.

29
Tahanan biasa sering disebut komponen linier karena karakteristik arus-tegangannya yang
linier. Tahanan hanyalah satu contoh dart komponen yang linier. Saudara akan menjumpai
yang lain pada bab-bab berikut. Suatu tahanan biasa dikatakan sebagai komponen pasif sebab
ia hanya dapat menyerap daya (power); ia tidak dapat membangkitkan daya. '-Sebaliknya,
baterai adalah komponen aktif karena ia dapat membangkitkan daya untuk suatu komponen
pasif seperti tahanan. Bab 5 akan mengawali pembahasan transistor, suatu komponen aktif
yang lain.

Gambar 2-15 Grafik arus terhadap tegangan di dalam tahanan linear

Gambar 2-16 (a) Simbol Dioda (b) Rangkaian Dioda

2-8 GRAFIK DIODA

Gambar 2-16a memperlihatkan simbol skematis dari penyearah dioda. Sisi p disebut anoda,
dan sini n katoda. Seperti telah kita ketahui, forward bias dapat menghasilkan arus elektron
yang besar dari sisi n ke sisi p; ini ekivalen dengan arus konvensional yang besar dari sisi p
ke sisi n. Sebagai petunjuk, tanda panah pada simbol dioda menunjukkan arah yang mudah
untuk arus konvensional.

Jika saudara menyukai arus elektron, saudara harus berfikir secara terbalik; arah yang mudah
untuk arus elektron adalah berlawanan dengan tanda panah. Ia dapat menolong untuk
mengingat bahwa tanda panah menunjukkan arah dari mana datangnya elektron bebas.

30
DATA PERCOBAAN (EXPERIMENTAL DATA)

Gambar 2-16b memperlihatkan rangkaian yang dapat dipasang di laboratorium untuk

mengukur arus dan tegangan dari sebuah dioda. Pada polaritas sumber terlihat bahwa dioda
diberikan forward bias. Makin besar tegangan sumber, makin besar pula arus dioda. Dengan
mengubah-ubah tegangan sumber, saudara dapat mengukur arus dioda (hubungkan ampere-
meter secara seri) dan tegangan dioda (hubungan voltmeter paralel dengan dioda). Dengan
menghubungkan titik-titik yang menyatakan pasangan arus dan tegangan, saudara akan
memperoleh grafik dari daerah forward seperti terlihat pada Gambar 2-17. Jika saudara
membalik tegangan sumber, saudara akan memperoleh pembacaan untuk daerah reverse.
Pembacaan ini akan sangat kecil di bawah titik breakdown.

Hal pertama yang perlu diperhatikan adalah ketidak-linieran dari dioda. Kita tidak lagi
melihat suatu garis lurus seperti yang dihasilkan oleh tahanan. Sebagai gantinya, kita peroleh
suatu grafik arus-tegangan yang sangat tidak linier. Arus tidak lagi sebanding dengan
tegangan. Seperti akan dibahas kemudian, sifat tidak linier inilah yang membuat dioda
sebagai komponen yang berguna.

Gambar 2-17 Kurva Dioda

TEGANGAN LUTUT (KNEE VOLTAGE)

Apa yang kita peroleh dari Gambar 2-17 ? Bila diberikan forward bias, dioda menjadi
sangat tidak konduk sebelum kita melampaui potensial barier. Inilah sebabnya mengapa
arus menjadi kecil untuk beberapa persepuluhan volt yang pertama. Bila kita mendekati
potensial barier (sekitar 0,7 V untuk dioda silikon), elektron bebas dan hole mulai
melintasi junction dalam jumlah yang lebih besar. Ini adalah alasan dimulainya
pertambahan arus dengan cepat. Di atas 0,7 V, pertambahan tegangan yang kecil
menghasilkan pertambahan arus yang besar.

Tegangan di mana arus mulai bertambah secara cepat disebut tegangan lutut (knee) atau(Sset.
Untuk dioda silikon, tegangan ini sama dengan potensial barier, sekitar Q,7 V. (Dickla
germanium mempunyai tegangan ofset 0,3 V).

31
TAHANAN BULK (BULK RESISTANCE)

Di atas tegangan lutut, arus dioda bertambah secara cepat; pertambahan tegangan dioda
yang besar. Alasannya adalah: Setelah potensial barier dilewati, yang menahan arus
hanyalah tahanan bulk (bulk resistance) atau tahanan ohm dari daerah p dan n. Tahanan
ini adalah linier. Dengan kata lain, dioda adalah gabungan dari tahanan non linier yang
tinggi (junction) dan tahanan bulk yang linier (daerah p dan n di hiar lapisan kosong). di
bawah 0,7 V yang dominan adalah ketidaklinieran dari junction; di atas 0,7 V beralih
pada kelinieran tahanan badan.

DAERAH REVERSE

Bila saudara me-reverse-bias dioda pada Gambar 2-17, saudara memperleh arus balik yang
sangat kecil (kadang-kadang disebut arus bocor). Jika saudara menambah tegangan balik
cukup besar, pada suatu saat saudara akan mencapai tegangan breakdown dioda (beberapa
dioda mempunyai tegangan breakdown ratusan volt). Seperti saudara ketahui, dioda pe-
nyearah seharusnya beroperasi di bawah tegangan breakdown. Untuk memastikan hal ini,
perancang memilih tipe dioda yang tegangan breakdownnya lebih besar dari tegangan balik
maksimum yang dapat timbul selama operasi yang normal.

NILAI BATAS DAYA DAN ARUS

Dioda penyearah di-optimasi untuk bekerja dalam saiu arah. Saudara dapat membayangkan
dioda sebagai suatu konduktor satu arah sebab is mempunyai tahanan forward yang kecil dan
tahanan reverse yang besar. Cara untuk merusak dioda adalah dengan melampaui tegangan
breakdownnya.

Cara lain untuk merusaknya adalah dengan melampaui nilai batas maksimum dayanya
(maximum power rating). Setiap komponen mempunyai disipasi daya, yaitu perkalian
tegangan dan arusnya. Jika disipasi daya ini terlampaui tinggi, komponen tersebut akan
terbakar, menyebabkan rangkaian terbuka (open) atau terhubung singkat (short). Biasanya,
tegangan yang merupakan titik rusak dioda cukup besar di atas tegangan lutut, satu volt
atau lebih. Perkalian tegangan dan arusnya menghasilkan sejumlah besar panas sehingga
dioda musnah terbakar.

Pabrik pembuat kadang-kadang menentukan nilai batas daya dioda pada lembaran data.
Sebagai contoh, 1N914 mempunyai nilai batas day-kniimum 250 mW. Seringkali,
lembaran data hanya mencantumkan arus maksimum yang dapat dilewati dioda. Ini lebih
memudahkan untuk mengukur dan mendisain.

Sebagai contoh, lembaran data dari 1N4003 tidak memberikan nilai batas daya maksimum,
tetapi ia mencantumkan arus forward dc maksimum 1 A. Dari sini kita tahu bahwa jika kita
memberikan arus yang tetap di atas 1 A melalui 1 N4003, ia dapat rusak atau umurnya
dipersingkat.

Kadang-kadang lembaran data menentukan dua golongan dioda penyearah: dioda sinyal kecil
(dengan nilai batas daya kurang dari 0,5 W) dan dioda penyearah (dengan nilai batas daya di
atas 0,5 W). 1N914 adalah dioda sinyal kecil karena nilai batas dayanya adalah 0,25 W;
1N4003 adalah penyearah karena nilai batas dayanya adalah 1 W.

32
TAHANAN PEMBATAS ARUS

Ini adalah jawaban mengapa tahanan hampir selalu dihubungkan seri dengan dioda.
Kernbali pada Gambar 2-16b, Rs disebut tahanan pembatas arus. Makin besar Rs, makin
kecil arus dioda. Di dalam rangkaian dioda lainnya yang akan dibahas, hampir selalu
terdapat tahanan pembatas arus yang terhubung seri dengan dioda. Disainer memilih nilai
Rs yang menjaga arus forward maksimum di bawah nilai batas arus maksimum dari dioda.

Seringkali di dalam rangkaian di mana saudara tidak dapat melihat suatu tahanan (seperti
sebuah kotak hitam yang menggerakkan dioda), tahanan Thevenin yang terhubung seri
dengan dioda dapat cukup besar untuk membatasi arus di bawah nilai batas arus
maksimum dari dioda. Yang terpenting adalah bahwa harus selalu ada tahanan seri yang
cukup besar untuk membatasi arus di bawah nilai batas arus maksimum.

2-9 GARIS BEBAN

Sub-bab ini memperkenalkan saudara dengan jaris be ban , yang digunakan untuk menen-
tukan nilai sebenarnya dari arus dan tegangan dioda. Sub-brab yang lain akan menunjukkan
saudara bagaimana menggunakan metoda garis beban pada transistor dan komponen semi-
konduktor lainnya.

PERSAMAAN GARIS BEBAN

Bagaimana kita mendapatkan arus dan tegangan dioda yang sebenarnya dari Gambar 2-18? Di
dalam rangkaian seri ini, sumber tegangan Vs mem-forward-bias dioda melalui tahanan
pembatas arus R.

Gambar 2-18 Menganalisa rangkaian dengan Garis Beban

Tegangan dari sebelah kiri tahanan ke ground adalah Vs, yaitu sumber tegangan. Tegangan
dari ujung kanan tahanan ke ground adalah V, yaitu tegangan dioda.. Jadi, perbedaan potensial
pada tahanan adalah Vs - V, dan arusnya adalah

( 2-1 )

Karena rangkaian terhubung seri, arus ini sama di setiap bagian dari rangkaian.

33
SEBUAH CONTOH

Jika tegangan sumber dan tahanan pembatas arus diketahui, maka hanya arus dan tegangan
dioda yang tidak diketahui. Sebagai contoh, jika tegangan sumber 2 V dan tahanan pembatas
arus 100 Ω, maka persamaan (2-1) menjadi

( 2-2 )

Persamaan (2-2) menyatakan hubungan yang linier antara arus dan tegangan. Jika kita
menggambar persamaan ini, kita akan memperoleh sebuah garis lurus. Sebagai contoh, am-
billah V sama dengan nol. Maka

Menggambarkan titik inti (I = 20 mA, V = 0) akan diperoleh suatu titik pada sumbu tegak
pada Gambar 2-19. Titik ini disebut jenuh (saturation) karena ia merupakan arus maksimum.

Marilah kita can titik yang lain. Ambil V sama dengan 2 V. Maka persamaan (2-2)
memberikan

Bila kita gar bar titik ini (I = 0, V = 2 V), kita akan peroleh suatu titik pada sumbu mendatar
(Gambar 2-19). Titik ini disebut cutoff karena ia merupakan arus minimum.

Dengan memiliki beberapa tegangan yang lain, kita dapat menghitung dan menggambar titik-
titik tambahan. Karena persamaan (2-2) linier, semua titik akan terletak pada garis lurus yang
dapat dilihat pada Gambar 2-19. (Cobalah gambar titik-titik yang lain bila saudara idak
mempercayainya). Garis lurus tadi disebut garis beban.

TITIK Q

Gambar 2-19 memperlihatkan gambar grafik dari garis beban dan kurva dioda. Titik potong
menyatakan suatu jawaban simultan. Dengan kata lain, koordinat-koordinat dari titik Q adalah
arus dan tegangan dioda untuk tegangan sumber 2 V dan tahanan pembatas arus 100 a Dengan
membaca koordinat-koordinat titik Q, kita peroleh arus dioda sekitar 12,5 mA dan tegangan
dioda 0,75 V. Titik Q disebut sebagai titik operasi (operating point) karena ia merupakan arus
yang melalui tahanan dan dioda.

GARIS BEBAN YANG LAIN

Persamaan (2-1) adalah linier untuk setiap tegangan sumber dan tahanan beban. Dua titik
menentukan sebuah garis lurus, maka kita selalu dapat menggambar garis beban dengan

34
menarik garis lurus yang melalui titik-titik potong tegak dan mendatar (titik-titik di mana
garis tersebut memotong sumbu tegak dan mendatar).

Gambar 2-19 Garis beban memotong kurva dioda pada titik operasi

Karena tegangan adalah nol pada ujung atas dari garis beban, Pers. (2-1) menghasilkan
Arus

(jenuh) ( 2-3 )

Secara sama, karena arus adalah nol pada ujung bawah dari garis beban, Pers. (2-1) meng-
hasilkan
( 2-4 )

MENGINGAT TITIK-TITIK UJUNG DARI GARIS BEBAN

Satu cara untuk mengingat titik-titik ujung dari garis beban adalah sebagai berikut.
Lihatlah kembali pada Gambar 2-18, sebagai awal dari semua ini. Menyamakan V dengan
nol adalah sama dengan menghubung singkat dioda dan kemudian menghitung arus
rangkaian. Jika saudara membayangkan ini dengan betul, jawabnya adalah VsIRs; ini
adalah arus jenuh, yaitu pada bagian atas dari garis beban. Sebaliknya, menyamakan I
dengan nol adalah sama dengan membuka rangkaian dioda dan hitunglah tegangan pada
dioda. Jawabnya adalah Vs; ini adalah tegangan pada cutoff, yaitu bagian bawah dari garis
beban.

35
2-10 PENDEKATAN DIODA

Tahanan biasanya mempunyai toleransi ± 5 persen; tegangan lutut dioda dapat mempunyai
toleransi sampai ± 10 persen; komponen lain yang akan kita bahas mempunyai toleransi
dari ± 20 sampai ± 50 persen, atau lebih. Marilah kita bijaksana dan menyadari bahwa
jawaban matematis yang eksak terhadap soal-coal rangkaian tidak begitu berarti jika
toleransi komponen berkisar pada 5, 10, 20 persen atau lebih. Yang mempunyai arti di
dalam dunia nyata elektronika sehari-hari adalah jawaban-jawaban pendekatan.

Gambar 2-20 (a) Dioda Ideal (b) Saklar adalah ekivalen dengan dioda ideal

Marilah kita dekati kelakuan dioda. Apa yang dilakukan oleh dioda? la konduk dengan
baik dalam arah forward dan buruk dalam arah reverse. Jika diambil inti sarinya, inilah
yang kita peroleh: Suatu dioda ideal berlaku sebagai konduktor yang sempurna (berte-
gangan nol) bila diberi forward. bias dan berlaku sebagai isolatir yang sempurna (berarus
nol) bila diberi reverse bias seperti yang diperlihatkan di dalam Gambar 2-20a.

Dalam istilah rangkaian, dioda ideal berlaku seperti saklar (switch). Bila dioda diberi forward
bias, is bertindak sebagai saklar yang tertutup (Gambar 2-20b). Jika dioda diberi reverse bias,
saklar terhuka.

Pendekatan dioda ideal pada mulanya terasa ekstrim, tetapi ini mengawali pemahaman
kita bagaimana dioda bekerja; kita tidak perlu khawatir tentang pengaruh dari tegangan
offset atau tahanan bulk. Ada saat-saat di mana pendekatan ideal sangat tidak akurat; ka-
rena alasan ini, kita memerlukan pendekatan kedua dan ketiga.

PENDEKATAN KEDUA

Kita membutuhkan tegangan offset sekitar 0,7 V sebelum dioda silikon konduk dengan baik.
Bila tegangan sumber besar, 0,7 V ini tidak menjadi persoalan. Tetapi bila tegangan sumber
tidak besar, kita harus memperhitungkan adanya tegangan lutut tersebut.

Gambar 2-21a memperlihatkan gambar grafik untuk pendekatan kedua. Dari grafik terlihat
tidak ada arus mengalir sampai tegangan dioda mencapai 0,7 V. Pada titik ini dioda inulai
konduk. Tidak perduli pada besarnya arus, kita menganggap bahwa tegangan dioda adalah
0,7 V.

Gambar 2-21 b adalah rangkaian ekivalen untuk pendekatan kedua. Dioda dianggap sebagai
sebuah saklar yang diseri dengan baterai 0,7 V. Jika tegangan sumber lebih besar dari 0,7 V,
saklar menutup dan tegangan dioda adalah 0,7 V. Jika tegangan sumber kurang dari 0,7 V
atau jika tegangan sumber negatif, maka saklar akan membuka.

36
PENDEKATAN KETIGA

Pada pendekatan ketiga dari dioda, kita perhitungkan tahanan bulk rB. Seperti yang lalu,
dioda konduk pada:0,7 V. Kemudian tegangan selebihnya tampak pada tahanan bulk,
sehingga tegangan dioda total lebih besar dari 0,7 V. Gambar 2-22a menunjukkan pengaruh
dari rB. Setelah dioda silikon konduk, arus menghasilkan tegangan pada rB. Makin besar arus,
makin besar tegangan itu. Karena rB linier, tegangan naik secara linier mengikuti kenaikan
arus.

Gambar 2-21 (a) Pendekatan kedua (b) Rangkaian ekivalen terdiri dari saklar dan baterai

Gambar 2-22 (a) Pendekatan ketiga (b) Rangkaian ekivalen

Rangkaian ekivalen untuk pendekatan ketiga adalah sebuah saklar yang diseri dengan baterai
0,7 V dan tahanan rB (lihat Gambar 2-22b). Setelah rangkaian luar melewati potensial barier,
arus dioda menghasilkan tegangan jatuh IR pada tahanan bulk. Jadi, tegangan total pada
dioda silikon adalah

VF = 0,7 + IF.rB (2-5)

PENDEKATAN YANG DIPAKAI

Untuk kebanyakan hal praktis, pendekatan yang kedua adalah kompromi yang terbaik; inilah
yang akan kita gunakan di seitiruh buku ini kecuali ada catatan lain. Selanjutnya bila saudara
mengerjakan soal-soal di akhir setiap bab, gunakanlah pendekatan kedua kecuali ada petunjuk
lain bahwa tegangan tersebut diukur terhadap ground.

37
 CONTOH 2-1

Pakailah pendekatan kedua untuk memperoleh arus dioda pada Gambar 2-23a.

PENYELESAIAN

Dioda dalam keadaan forward bias; maka tegangan jatuhnya adalah 0.7 V.
Tegangan pada tahanan adalah selisih antara tegangan sumber dan tegangan
dioda (10 V - 0,7 V), yaitu 9,3 V. Jadi, arus dioda adalah

9,3 𝑉
𝐼= = 1,86 𝑚𝐴
5 𝐾Ω

Gambar 2-23 Pendekatan kedua yang sering dipakai

Gambar 2-23c adalah rangkaian ekivalen yang menunjukkan pendekatan kedua beserta
pengaruhnya. Seperti terlihat, 9,3 V adalah tegangan jatuh pada tahanan dan 0,7 V pada dioda.

Biasanya, gambar skematis industri tidak memberikan rangkaian yang lengkap seperti pada
Gambar 2-23a. Sebagai gantinya, saudara akan melihat suatu rangkaian yang ringkas seperti
pada Gambar 2-23b. Karena sumber di ground pada satu sisi, biasanya dalam praktek hanya
potensial pada sisi lain terhadap ground yang ditunjukkan. Dalam Gambar 2-23a, potensial
dari sisi positif terhadap ground adalah + 10 V. Bila saudara melihat gambar skematis industri
seperti pada Gambar 2-23b dengan tegangan pada suatu titik, ingatlah selalu.

Gambar 2-24
38
 CONTOH 2-2

Hitunglah arus yang rnelalui tahanan 1 k2 pada gambar 2-24a.

PENYELESAIAN

Apa yang saudara perbuat bila saudara melihat lebih dari satu loop? Benar! Ingatlah
Thevenin, atau setidaknya pertimbangkan pemakaian teori Thevenin. Cara termudah
muntuk menyelesaikan soal ini adalah dengan men-thevenin-kan pembagi tegangan
(voltage divider) untuk mendapatkan rangkaian ekivalen pada Gambar 2-24b. Karena
diode diberi forward bias, tegangan jatunya adalah 0,7 V. Sisa tegangan sumber jatuh pada
tahanan total 3 kΩ. Jadi arus di dalam rangkaian seri adalah

4 − ,7 𝑉
𝐼= = 1,1 𝑚𝐴
3 𝐾Ω

Jika saudara tidak memahami logika di atas, gunakanlah persamaan tegangan Kirchhoff
untuk Gambar 2-24b berikut ini

- 4 + 2000 I + 0,7 + 1000 I = 0

Jika saudara selesaikan I, saudara peroleh 1,1 mA.

Gambar 2-24c adalah rangkaian ekivalen. Tahanan di bagian atas mempunyai tegangan
jatuh 2,2 V. dioda bertegangan jatuh 0,7 V, dan tahanan di bawah bertegangan jatuh 1,1 V.

2-11 TAHANAN DC DARI DIODA

Mica saudara menghitung perbandingan dari tegangan total dioda terhadap arus total dioda,
saudara akan memperoleh tahanan dc dioda tersebut. Dalam arah forward tahanan dc ini
diberi simbol RF; dalam arah reverse diberi simbol RR.

TAHANAN FORWARD

Karena dioda adalah tahanan yang nonlinier, maka tahanan dc-nya bervariasi dengan arus
yang melaluinya. Sebagai contoh, ini adalah beberapa pasang arus dan tegangan forward
untuk tipe 1N914 : 10 mA pada 0,65 V, 30 mA pada 0,75 V, dan 50 mA pada 0,85 V. Pada
titik pertama tahanan dc-nya adalah

,65
= = 65 Ω
1

Pada titik kedua,

,75
= = 5Ω
3

39
Dan pada titik ketiga,
,85
= = 17 Ω
5

Perhatikan bahwa tahanan dc berkurang bila arus naik. Dalam setiap hal, tahanan forward
adalah kecil.

TAHANAN REVERSE

Secara sama, ini adalah dua pasang arus dan tegangan reverse untuk 1N914; 25 nA pada
20 V: 5 µA pada 75 V. Pada titik pertama, tahanan dc-nya adalah

= =8 Ω
5
Pada titik kedua,

75
= = 15 Ω
5

Perhatikanlah bahwa tahanan dc berkurang bila kita mendekati tegangan breakdown (75 V).
Walaupun demikian, tahanan reverse dioda tetap tinggi, masih dalam ukuran megaohm.

PEMECAHAN KESULITAN

Saudara dapat dengan cepat memeriksa kondisi dari suatu dioda dengan sebuah ohmmeter.
Ukurlah tahanan dc dioda dalam salah satu arah, kemudian ukur lagi tahanan dc pada arah
sebaliknya. Arus forward akan bergantung pada range ohmmeter yang dipakai, yang berarti
saudara akan memperoleh hasil pembacaan yang berbeda untuk range yang berbeda. Tetapi
hal yang terpenting adalah besarnya perbandingan dari tahanan reverse terhadap tahanan
forward. Seberapakah besarnya? Untuk dioda silikon yang digunakan di dalam alat elektro-
nik, perbandingan itu seharusnya lebih tinggi dari 1000 : 1.

Penggunaan ohmmeter untuk memeriksa dioda adalah suatu contoh dari penge-tes-an bekerja
baik atau tidaknya suatu komponen. Kita biasanya tidak tertarik dengan tahanan dc yang
eksak dari dioda; yang ingin kita ketahui adalah apakah dioda berlaku seperti konduktor satu
arah tidak — yaitu, apakah tahanannya kecil dalam arah forward dan besar dalam arah
reverse. Dioda rusak jika kita menemukan salah satu dari berikut ini: tahanan yang rendah
dalam kedua arah (dioda terhubung singkat); tahanan yang tinggi dalam kedua arah (dioda
terbuka); tahanan yang agak rendah dalam arah reverse (disebut dioda bocor).

Pemeriksaan biasanya dilakukan dengan dioda berada di luar rangkaian. Bahkan bila dioda
berada di dalam rangkaian, suatu pemeriksaan dengan ohmmeter (matikan dahulu daya dari
rangkaian) seharusnya menunjukkan tahanan yang rendah dalam satu arah dibandingkan
dengan arah yang lain.

Hal yang terakhir: beberapa ohmmeter dapat menghasilkan arus yang cukup besar pada range
yang rendah untuk merusak dioda sinyal kecil (small signal diode). Karena alas-an ini, kita
sebaiknya men-test dioda sinyal kecil pada range yang lebih besar dari R X 10. Pada skala
yang lebih tinggi ini, tahanan dalam dari ohmmeter mencegah arus dioda yang berlebihan.

40
SOAL-SOAL

2-1 Dalam Gambar 2-25, berapakah disipasi power pendekatan dari dioda jika arusnya 50
mA? Berapakah disipasinya bila arusnya 100 mA?

Gambar 2-25

2-2 Suatu sumber tegangaii 8 V menggerakkan dioda melalui tahanan pembatas arus 100 Ω
Jika dioda mempunyai karakteristik I-V seperti pada Gambar 2-25, berapakah arus pada
ujung atas dari garis beban? Berapakah pendekatan arus dan tegangan pada titik Q?
Berapakah disipasi daya dari dioda?

2-3 Dalam Gambar 2-26a tegangan sumber adalah 9 V dan tahanan sumber 1 kΩ. Hitung
arus dioda.

Gambar 2-26

2-4 Vs adalah 12 V dan Rs 47 kΩ di dalam Gambar 2-26b. Berapakah arus dioda?

2-5 Dalam Gambar 2-26c, Vs = 15 V, R1 = 68 kΩ, R2 = 15 kΩ, dan R3 = 33 kΩ. Hitunglah

41
 arus dioda. Apakah pembagi tegangan tetap konstan?

2-6 Misalkan dalam Gambar 2-26c sumber tegangan dibalik. Jika Vs = 100 V, berapakah
tegangan reverse dioda? (Gunakan nilai tahanan pada Soal 2-5).

2-7 Ini adalah beberapa dioda dengan tegangan breakdownnya dan nilai batas arusnya:

Dioda PRV I maks

1N914 75 V 200 mA
1N4001 50 V 1A
1N1185 120 V 35 A

Dalam Gambar 2-26c polaritas sumber dibalik. Jika Vs = 200 V, R1 = 10 kΩ, dan R2 =
10 kΩ, yang mana dari dioda di atas akan breakdown bila dipasang di dalam rangkaian
tersebut?

2-8 Dalam Gambar 2-26b, sumber tegangan adalah 100 V dan tahanan sumber 220 Ω.
Dioda yang mana pada Soal 2-7 yang boleh digunakan di dalam rangkaian tersebut?

2-9 Hitung tahanan forward pendekatan di dalam Gambar 2-25 untuk setiap arus ber-
ikut: 10 mA, 50 mA, dan 100 mA.

2-10 Di sini ada beberapa dioda dan nilai spesifikasi terburuknya:

Dioda IF IR .
1N914 10 mA pada 1 V 25 nA pada 20 V
1N4001 1 A pada 1,1 V 10µA pada 50 V
1N1185 10 A pada 0,95 V 4,6mA pada 100 V

Hitung perbandingan tahanan reverse/ forward untuk setiap dioda di atas.

42