Teori Semikonduktor

Pendahuluan
Dalam pengelompokan bahan-bahan listrik dikenal ada 3 jenis material yaitu konduktor,
isolator, dan semikonduktor. Suatu bahan dikatakan konduktor apabila memiliki hantaran listrik yang
besar. Suatu bahan dikatakan isolator apabila memiliki hantaran listrik (resistansi) yang kecil. Suatu
bahan dikatakan semikonduktor apabila dapat memiliki hantaran listrik yang nilainya bervariasi
diantara konduktor dan isolator.
Pada dasarnya setiap bahan memiliki kemampuan melewatkan arus listrik. Dalam ilmu
kelistrikan kemampuan tersebut dinyatakan sebagai konduktansi dan disimbolkan dengan G dalam
satuan mho (Ʊ) atau siemens (S). Suatu konduktor ideal dikenal dengan super konduktor yang
memiliki nilai G=0. Konduktansi (G) didefinisikan sebagai:
1
𝐺𝐺 =
𝜇𝜇𝜇𝜇
Dimana μ adalah mobilitas (kemampuan gerak muatan) dan n adalah konsentrasi pembawa muatan
Pembawa muatan (carier) adalah suatu partikel bermuatan yang memberikan kontribusi
terhadap pengaliran arus listrik. Semakin besar n, kemampuan untuk melewatkan arus listrik semakin
besar. Seperti yang diketahui golongan konduktor yang baik adalah bahan-bahan logam, elektrolit,
dan gas yang terionisasi. Pembawa muatan logam adalah sebagai elektron bebas, sedangkan pada
elektrolit dan gas berupa ion-ion positif dan negatif.
Semikonduktor merupakan elemen dasar dari komponen elektronika seperti dioda, transistor
dan sebuah IC (integrated circuit). Disebut semi atau setengah konduktor, karena bahan ini memang
bukan konduktor murni. Bahan-bahan logam seperti tembaga, besi, timah disebut sebagai konduktor
yang baik sebab logam memiliki susunan atom yang sedemikian rupa, sehingga elektronnya dapat
bergerak bebas.

Atom Semikonduktor

Struktur Atom
Bohr mengidealkan atom sebagai inti yang dikelilingi oleh elektron-elektron yang mengorbit
yaitu dengan mengelilingi inti pada orbitnya masing-masing (Gambar 1). Inti atom bermuatan positif
dan menarik elektron. Makin dekat elektron pada inti atom, elektron harus lebih cepat bergerak untuk
mengimbangi penarikan inti.

Gambar 1 Model atom Bohr

 Dalam elektronika semua masalah terdapat pada orbit paling luar yang disebut orbit valensi.
Orbit valensi ini mengontrol kemampuan kelistrikan dari atom sebagaimana yang terdapat pada atom
tembaga. Tembaga adalah penghantar yang baik dilihat dari struktur atomnya.
Gambar tiga dimensi seperti Gambar 1 sulit untuk untuk menunjukkan atom-atom yang rumit.
Oleh sebab itu, akan lebih mudah melambangkan atom dalam dua dimensi. Pada Gambar 2 dapat
dilihat atom tembaga memiliki 29 proton bermuatan positif pada intinya dan 29 elektron yang
bermuatan negatif pada orbitnya. Dua elektron bergerak pada orbit pertama, delapan elektron pada
orbit kedua, delapanbelas elektron pada orbit ketiga, dan satu elektron pada orbit keempat atau pada
orbit terluar yang disebut orbit valensi. 29 elektron yang berputar menetralkan muatan dari inti atom
sehingga dari luar atom (secara listrik) adalah netral.

Gambar 2 Atom Tembaga

Dibutuhkan energi yang sangat besar untuk dapat melepaskan ikatan elektron-elektron ini.
Dalam keadaan seperti ini atom dikatakan dalam keadaan stabil karena jumlah proton sama dengan
jumlah elektron. Satu buah elektron lagi yaitu elektron yang ke-29, berada pada orbit paling luar. Orbit
yang paling besar dari sebuah elektron akan mudah terlepas dari lintasannya, tentu mengalami
penarikan yang lebih kecil oleh inti atom. Oleh sebab itu, sebuah elektron pada orbit valensi ini akan
berjalan lebih lambat dan dapat dikatakan hampir tidak terasa ada tarikan dari inti atomnya. Karena
hanya ada satu elektron valensi, ikatannya tidaklah terlalu kuat sehingga hanya dengan energi yang
sedikit saja elektron terluar ini mudah terlepas dari ikatannya seperti terlihat pada Gambar 3.

Gambar 3 Ikatan atom tembaga

Pada suhu kamar, elektron tersebut dapat bebas bergerak atau berpindah-pindah dari satu
inti ke inti lainnya. Jika diberi tegangan potensial listrik, elektron-elektron tersebut dengan mudah
berpindah ke arah potensial yang sama. Fenomena ini yang dinamakan sebagai arus listrik. Hal ini
jugalah yang mengakibatkan tembaga adalah konduktor atau penghantar listrik yang baik.
Sebaliknya isolator adalah atom yang memiliki elektron valensi sebanyak 8 buah, dan
dibutuhkan energi yang besar untuk dapat melepaskan elektron-elektron ini. Sedangkan
semikonduktor adalah unsur yang susunan atomnya memiliki elektron valensi lebih dari 1 dan kurang
dari 8. Maka material yang sangat baik dijadikan bahan semikonduktor adalah unsur yang atomnya
memiliki 4 elektron valensi.

Susunan Atom Semikonduktor

Bahan semikonduktor yang banyak dikenal contohnya adalah Silicon (Si), Germanium (Ge) dan
Galium Arsenida (GaAs). Germanium dahulu adalah bahan satu-satunya yang dikenal untuk membuat
komponen semikonduktor. Namun belakangan, silikon menjadi popular setelah ditemukan cara
mengekstrak bahan ini dari alam. Silikon merupakan bahan terbanyak ke dua yang ada dibumi setelah
oksigen (O2). Pasir, kaca dan batu-batuan lain adalah bahan alam yang banyak mengandung unsur
silikon. Selain alasan tersebut silikon juga memiliki sifat lebih tahan terhadap panas dibandingkan
dengan germanium. Selain itu, pada germanium arus baliknya sangat besar dibandingkan silicon.
Sebuah atom silikon terisolir mempunyai 14 proton dan 14 elektron seperti dapat dilihat pada
Gambar 4 di bawah ini. Orbit terdalam diisi oleh dua elektron, orbit kedua dari dalam diisi oleh 8
elektron dan orbit terluar atau orbit valensi diisi oleh empat elektron. Empat belas elektron yang
mengorbit pada inti silikon berputar menetralkan muatan dari inti atom. Dengan melihat elektron
valensinya menunjukkan silikon sangat baik dijadikan bahan semikonduktor ketimbang konduktor.

Gambar 4 Atom Silikon

Kristal-kristal Silikon
Ketika atom-atom silikon bergabung menjadi satu kesatuan, maka atom-atom tersebut
membentuk dirinya sendiri menjadi bentuk yang dinamakan sebuah kristal. Struktur atom kristal
silikon, satu inti atom masing-masing memiliki 4 elektron valensi. Ikatan inti atom yang stabil adalah
jika dikelilingi oleh 8 elektron, sehingga 4 buah elektron atom kristal membagi elektron-elektronnya
dengan 4 atom yang berdampingan dan membentuk ikatan kovalen. Pada suhu yang sangat rendah
(0°K), struktur atom silikon divisualisasikan seperti pada Gambar 5 berikut.

Gambar 5 Struktur dua dimensi kristal Silikon

 Ikatan kovalen inilah yang memadu atom-atom silikon menjadi Kristal dan memberi sifat
padat. Ikatan ini menyebabkan elektron tidak dapat berpindah dari satu inti atom ke inti atom yang
lain. Pada kondisi demikian, bahan semikonduktor bersifat isolator karena tidak ada elektron yang
dapat berpindah untuk menghantarkan listrik.
Oleh karena pengaruh lingkungan dan energi panas yang mengelilingi pada suhu kamar
(temperature ambient) akan terjadi energi dalam udara yang menyebabkan atom-atom di dalam
kristal silikon bergetar. Suhu kamar yang lebih tinggi (pengaruh udara) menyebabkan getaran lebih
besar dan kadang-kadang terdapat beberapa ikatan kovalen yang lepas, sehingga memungkinkan
elektron terlepas dari ikatannya. Jika hal ini terjadi, elektron yang dilepaskan memperoleh cukup
energi untuk memasuki lintasan yang lebih tinggi. Dalam lintasan yang lebih tinggi ini elektron menjadi
bebas bergerak dalam kristal. Elektron yang lepas dari lintasan valensi ini akan meninggalkan
kekosongan yang disebut hole (lubang). Hole ini berprilaku sebagai muatan positif dalam arti lubang
tersebut dapat menarik dan menangkap setiap elektron yang ada di sekitarnya.
Dalam sebuah Kristal silikon murni, elektron bebas bergerak secara acak dalam kristal.
Kadang-kadang elektron bebas bergerak mendekati lubang dan mengalami tarikan serta memasuki
lubang. Penggabungan elektron dengan lubang tersebut disebut Rekombinasi. Jangka waktu antara
muncul dan hilangnya elektron bebas dinamakan life time (umur hidup). Umur hidup berubah dengan
waktu yang sangat singkat dalam waktu nano-detik hingga mikro-detik bergantung kesempurnaan
struktur kristal dan faktor-faktor lain.
Ketika energi panas membangkitkan elektron bebas, energi tersebut juga membangkitkan
hole dalam waktu yang sama. Jadi untuk silikon murni selalu sama jumlah elektron bebas dan hole.
Jika terdapat 1 juta elektron bebas maka banyaknya hole yang terbentuk juga adalah 1 juta.
Temperatur tinggi mengakibatkan getaran (gelombang) pada level atom sehingga elektron-elektron
lebih bebas bergerak dan hole-hole terbentuk.

Konduksi Dalam Kristal

Gambar 6 menunjukkan sebatang silikon yang dihubungkan dengan sumber tegangan listrik.
Tegangan luar tersebut membentuk medan listrik antara ujung-ujung kristal. Semikonduktor murni
memiliki elektron-elektron dan hole yang sama jumlahnya. Sumber tegangan yang dipasang akan
memaksa elektron-elektron bebas untuk bergerak ke kiri dan lubang bergerak ke kanan. Ketika
elektron bebas sampai di ujung kiri kristal, elektron bebas ini akan masuk lewat kabel luar dan
bergerak menuju positif baterai. Di sisi lain elektron bebas pada negatif baterai akan bergerak menuju
kanan sisi kristal dan memasuki kristal dan bergabung dengan hole hingga pada bagian kanan kristal.

Gambar 6 Aliran elektron dan hole

 Pada saat itu sebuah gerakan tetap dari elektron bebas dan hole terjadi. Tidak ada hole
mengalir / bergerak di luar kristal semikonduktor. Dari sini dapat di lihat terdapat 2 pembawa muatan
yaitu elektron bebas dan hole karena keduanya membawa muatan dari satu tempat ke tempat
lainnya. Tetapi jumlah elektron dan hole tidak berkurang pada semi konduktor murni. Pada kondisi ini
arus terlalu kecil untuk digunakan untuk aplikasi umumnya. Saat ini sebatang silikon tidak merupakan
isolator maupun konduktor yang baik. Dengan alasan ini, silikon disebut sebagai semikonduktor.

Pita Energi
Setiap elektron mempunyai kedudukan yang berbeda di dalam kristal sehingga orbit tiap
elektron berbeda-beda. Karena terdapat jutaan elektron pada orbit pertama, level energi yang sedikit
berbeda membentuk kelompok atau pita. Juga pada orbit kedua, ada jutaan elektron dengan level
energi yang sedikit berbeda membentuk pita energi kedua. Dan semua elektron orbit ketiga
membentuk pita ketiga sebagai pita valensi. Di atas pita valensi terdapat pita konduksi seperti terlihat
pada Gambar 7.

Gambar 7 Pita Energi

Pada suhu nol mutlak tidak ada elektron bergerak dalam kristal. Semua elektron dipegang
kuat oleh atom-atom silikon. Elektron orbit terdalam tertanam didalam atom. Gambar 8 menunjukkan
diagram pita energi untuk atom silikon. Pita valensi dan pita di bawahnya terisi dan elektron tidak
dapat bergerak dengan mudah di dalam pita-pita ini.

Gambar 8 Diagram Pita Energi Silikon

 Dengan menaikkan suhu di atas nol mutlak, energi panas memutuskan ikatan kovalen
sehingga energi ini memindahkan elektron valensi ke dalam pita konduksi. Di atas nol mutlak energi
panas telah mengangkat beberapa elektron ke dalam pita konduksi sehingga mereka bergerak dalam
orbit dengan jari-jari besar dan elektron ini dapat dengan mudah bergerak dari satu atom ke atom
lain. Setiap kali atom menembus pada pita konduksi dihasilkan hole pada pita valensi. Oleh sebab itu,
pita valensi tidak lagi terisi. Makin tinggi suhu, makin besar jumlah elektron tertendang ke pita
konduksi dan makin besar arus mengalir.
Pita hantaran dengan pita valensi dipisahkan oleh pita terlarang (forbidden gap). Lebar pita
terlarang yaitu selisih antara tenaga terendah dari pita hantaran (konduksi) dengan tenaga tertinggi
dari pita valensi. Besarnya energy gap (celah energi) ini dinyatakan dalam eV (elektron Volt) yaitu
tenaga yang besarnya sama dengan perubahan tenaga elektron yang berpindah tempat dengan beda
potensial 1 V.
Bahan yang memiliki celah energi lebih besar dari 6 eV tergolong bahan isolator. Artinya 1
elektron dapat berpindah ke tempat lain menggunakan beda potensial sebesar 6 Volt. Bahan dengan
celah energi sekitar 1 eV tergolong bahan semikonduktor. Untuk silikon besar tegangan
penghalangnya sekitar 0,7 V dan Germanium sebesar 0,3 V. Pada bahan konduktor (penghantar yang
baik) tidak ada energy gap (EG=0), dapat dilihat susunan pita energi pada Gambar 9 di bawah ini.

Level Fermi
overlap

Isolator Semikonduktor Konduktor

Gambar 9 Pita-Pita Energi Zat Padat

Doping
Semikonduktor terbagi menjadi 2 jenis menurut asalnya, yaitu semi konduktor instrinsik dan
ekstrinsik. Semikonduktor instrinsik disebut juga semikonduktor murni, bersifat sebagai isolator dan
memiliki 2 macam carrier yaitu hole (bermuatan positif) dan elektron (bermuatan negative. Seperti
telah diulas sebelumnya bahwa pada suhu kamar, hanya beberapa jumlah kecil ikatan kovalen pada
semikonduktor murni yang terlepas karena energi panas, sehingga tidak memungkinkan untuk
menjadi konduktor yang baik.
Ahli-ahli fisika terutama yang menguasai fisika quantum pada masa itu mencoba memberikan
doping pada bahan semikonduktor ini. Pemberian doping dimaksudkan untuk mendapatkan elektron
valensi bebas dalam jumlah lebih banyak dan permanen, yang diharapkan akan dapat menghantarkan
listrik. Pemberian doping pada semikonduktor murni menghasilkan semikonduktor baru yang disebut
semikonduktor ekstrinsik. Semikonduktor Ekstrinsik diperoleh dengan memberi atom-atom asing
(impuritas) non tetravalen kedalam semikonduktor murni. Atom-atom impuritas ada 2 macam :
1. Atom Donor
2. Atom Aseptor

Semikonduktor Tipe-N
Apabila semikonduktor instrinsik diberi donor, maka akan menjadi semikonduktor ekstrinsik,
dengan carier berupa electron dan disebut semikonduktor tipe N. Misalnya pada bahan silikon seperti
pada Gambar 10 diberi doping phosphorus atau arsenic yang pentavalen yaitu bahan kristal dengan
inti atom memiliki 5 elektron valensi. Dengan doping, Silikon yang tidak lagi murni ini (impurity
semiconductor) akan memiliki kelebihan elektron. Kelebihan elektron membentuk semikonduktor
tipe-N. Semikonduktor tipe-N disebut juga donor yang siap melepaskan elektron.

Gambar 10 Doping Atom Pentavalen

Dinamakan semikonduktor tipe N karena elektron-elektron bebas melebihi jumlah lubang

(hole) dalam sebuah semikonduktor tipe N. Berdasarkan kondisi ini elektron bebas dapat disebut
sebagai pembawa mayoritas pada tipe N dan hole sebagai pembawa minoritas (Gambar 11). Ketika
dihubungkan dengan sumber tegangan, elektron-elektron bebas yang ditunjukkan pada Gambar 11
mengalir ke ujung sebelah kiri kristal lalu memasuki kabel penghantar dan mengalir ke terminal positif
baterai. Sementara itu hole pada kristal bergerak ke kanan. Ketika sebuah hole sampai di ujung kanan
kristal, satu elektron bebas yang berasal dari terminal negatif baterai memasuki semikonduktor dan
bergabung dengan hole.

Gambar 11 Level Energi Semikonduktor Tipe-N

Semikonduktor Tipe-P
Jika semikonduktor instrinsik diberi atom akseptor, maka akan menjadi semikonduktor
ekstrinsik, dengan carier berupa hole dan disebut semikonduktor tipe-P. Hal ini terjadi saat silikon
diberi doping Boron, Gallium atau Indium. Kondisi ini menunjukkan bahwa untuk mendapatkan silikon
tipe-P, bahan dopingnya adalah bahan trivalen yaitu unsur yang memiliki 3 elektron pada pita valensi.
Karena atom silikon memiliki 4 elektron, dengan demikian ada ikatan kovalen yang bolong (hole)
seperti terlihat pada Gambar 12. Hole ini digambarkan sebagai akseptor yang siap menerima elektron.
Dengan demikian, kekurangan elektron menyebabkan semikonduktor ini menjadi tipe-P.

Gambar 12 Doping Atom Trivalen

Hole yang terdapat semikonduktor tipe P jauh lebih besar jumlahnya dari elektron pada pita
konduksinya seperti terlihat pada Gambar 13. Karena jumlah hole melebihi elektron-elektron bebas,
maka hole berhubungan dengan pembawa mayoritas dan elektron-elektron bebas sebagaipembawa
minoritas. Karena pemasangan tegangan, elektron-elektron bebas bergerak ujung ke kiri dan hole
bergerak ke kanan. Hole pada ujung kanan kristal yang akan bergabung dengan elektron-elektron
bebas yang datang dari negatif (-) sumber tegangan. Batas antara tipe P dan tipe N disebut sambungan
(junction) PN.

Gambar 13 Level Energi Semikonduktor Tipe-P

Junction PN
Jika dua tipe bahan semikonduktor ini dilekatkan, maka akan didapat sambungan PN (pn
junction) yang dikenal sebagai dioda. Kata dioda adalah singkatan yang berarti dua elektroda dimana
di berarti dua. Pada pembuatannya memang material tipe P dan tipe N bukan disambung secara
harpiah, melainkan dari satu bahan (monolitik) dengan memberi doping (impurity material) yang
berbeda.

Dioda Tanpa Bias

Gambar 14 menyajikan sambungan PN pada dioda tanpa bias artinya tidak ada tegangan luar
yang dipasang. Sisi P mempunyai banyak hole pada pita valensinya sedangkan sisi N mempunyai
banyak elektron pita konduksi. Sebenarnya terdapat beberapa elektron pada sisi P dan sedikit hole
berada pada sisi N sebagai pembawa minoritas
Akan terjadi pergerakan hole kearah tipe N dan pergerakan electron ke arah tipe P, melalui
mekanisme difusi (pergerakan partikel yang disebabkan oleh perbedaan konsentrasi). Elektron pada
sisi N cenderung berdifusi ke segala arah. Beberapa elektron berdifusi menyebar dan melewati
junction dan masuk ke daerah P seperti Gambar 14a di bawah ini. Jika elektron masuk ke sisi P, ia akan
menjadi pembawa minoritas. Dengan banyaknya hole yang berada di sekitarnya, elektron ini akan
masuk ke hole. Jadi umur elektron ini sangat singkat. Jika elektron ini sudah masuk ke dalam hole, hole
lenyap dan elektron pita konduksi menjadi elektron valensi pada sisi P. Hilangnya hole pada daerah P
akibat difusi elektron dari sisi N ini sama halnya dengan berpindahnya hole dari sis P ke sisi N.

(a)

(b) (c)

(d)
Gambar 14 Sambungan PN

Setiap kali elektron berdifusi melalui junction, ia menciptakan sepasang ion. Ion-ion ini
terdapat pada masing-masing sisi junction. Ion-ion ini tidak bergerak tetapi tetap dalam struktur kristal
dan tidak dapat berkeliling seperti elektron pita konduksi atau hole. Pasangan ion positif dan negatif
ini disebut dipole. Jadi jika terbentuk sejumlah dipole, maka daerah dekat junction dikosongkan dari
muatan-muatan yang bergerak. Daerah yang kosong muatan ini disebut juga dengan lapisan
pengosongan (depletion layers) seperti terlihat pada Gambar 14b.
 Tiap-tiap dipole mempunyai medan listrik ditunjukkan pada Gambar 14c. Jika elektron
memasuki lapisan pengosongan, medan mencoba mendorong elektron kembali ke posisi dalam
daerah N. Dengan adanya medan diantara ion, hal ini adalah ekivalen dengan perbedaan potensial
barrier (tegangan penghalang). Untuk silikon besarnya potensial barrier = 0,7 V dan untuk Germanium
besarnya = 0,3 V. Gambaran seluruhnya dari apa yang terjadi pada sambungan PN diperlihatkan pada
Gambar 14d.

Bias Dioda
Terdapat 2 cara memberi bias pada diode yaitu :
1. Forward Bias (bias arah maju)
2. Reverse Bias (bias arah terbalik)

Forward Bias (Bias Maju)

Gambar 15 menunjukkan pemberian tegangan pada dioda dimana bahan tipe-P dihubungkan
dengan kutub (+) sumber tegangan searah, sedangkan bahan tipe-N dihubungkan dengan kutub (-)
sumber. Hubungan seperti ini disebut bias maju (forward bias). Jika diberi tegangan maju (forward
bias), dimana tegangan sisi P lebih besar dari sisi N, elektron dengan mudah dapat mengalir dari sisi N
mengisi kekosongan elektron (hole) di sisi P. Proses yang terjadi dalam kristal ini adalah sebagai
berikut.

Gambar 15 Bias Maju (Forward Bias)

Tegangan (+) sumber mendorong hole pada bahan jenis P menuju persambungan (junction)
dan teganagan negatif sumber akan mendorong elektron pada bahan jenis N menuju persambungan
(junction). Dengan demikian lapisan pengosongan semakin tipis, sehingga tegangan penghalang
(potensial barrier) pada bidang pertemuan (junction) menjadi hilang (netral). Akibatnya pembawa
muatan mayoritas akan menembus junction dan menghasilkan arus yang cukup besar.

Reverse Bias (Bias Mundur)

Saat polaritas sumber dibalik seperti ditunjukkan pada Gambar 16 disebut bias mundur
(reverse bias). Ketika tegangan reverse diberikan, hole dan elektron bergerak menjauhi sambungan
(junction). Selama elektron bebas dan hole bergerak keluar dari sambungan, mengakibatkan
meningkatnya ion (+) dan ion (-) di belakangnya. Oleh sebab itu lapisan pengosongan menjadi melebar
dan arus dapat dikatakan tidak dapat mengalir.

Gambar 16 Bias Mundur (Reverse Bias)

Sifat Dioda
Dari uraian di atas dapat ditarik kesimpulan bahwa terdapat beberapa sifat dioda yang perlu
diketahui:
1. Arus listrik DC dapat mengalir dari bahan tipe-P ke tipe-N, dengan kata lain arus dapat
mengalir apabila dioda mendapat bias maju (forward).
2. Hanya dapat menghantarkan arus ke satu arah saja.
3. Jika sumbernya tegangan listrik AC, maka arus yang dapat dilewatkan adalah bagian
positifnya saja.
4. Dioda bersifat seperti saklar tertutup jika dibias maju dan seperti saklar terbuka apabila dibias
mundur.
Berdasarkan uraian tersebut dapat digambarkan hubungan arus dan tegangan yang diberikan
pada dioda seperti terlihat pada Gambar 17.

Gambar 17 Hubungan Arus Dioda Dengan Tegangan Dioda

Pada Gambar 17 terlihat arus dioda sangat kecil sebelum tegangan dioda mencapai harga
tegangan lutut (Knee Voltage) VK. Harga ini merupakan tegangan yang memisahkan daerah arus maju
kecil dari daerah maju besar. Nilai tegangan lutut merupakan besar potensial barrier yang terdapat
pada bahan semikonduktor yang digunakan dimana pada silikon kira-kira sebesar 0,7 V sedangkan
untuk germanium sekitar 0,3 V.
Pada saat dioda mendapat bias reverse, hampir tidak ada arus mengalir sampai tegangan
dioda mencapai tegangan putus (break down). Bila tegangan reverse terus dinaikkan akan membuat
arus balik besar dan dapat merusak dioda.