Laporan

Elektronika Analog

Disusun Oleh :
Nama : Farel Bramasta
Nim : 19066007
Prodi : D3 Elektronika
Group : 1ED12

Jurusan Teknik Elektronika

FT UNP
2019
Soal Tugas Semikonduktor (13 Soal)
1. Jelaskan model bohr untuk atom ? dan jelaskan secara tertulis susunan atom Si dan Ge
dalam model atom bohr
2. Bagaimana hubungan antara jumlah electron valensi dan konduktivitas atom ?
3. Jelaskan hukum dasar tentang relasi antara electron dan kulit orbit?
4. Sebutkan tiga elemen semikonduktor yang digunakan untuk devais elektronika ?
5. Apakah yang disebut dengan celah energy ? Dan berapa besar celah energy pada
konduktor, semikonduktor, dan isolator ?
6. Bagaimana Terjadinya electron bebas pada semikonduktor instrinsik ? dan bagaimana
terjadinya lubang (hole)? Serta mekanisme konduksi oleh hole ?
7. Bagaimana relasi antara dua suhu dan konduktivitas pada semikonduktor instrinsic ?
8. Jelaskan bagaimana cara memperoleh semikonduktor tipe n dan semikonduktor tipe p
dan gambarkan dalam bentuk tetrahedron ?
9. Apakah arti atom aseptor dan atom donor?
10. Bandingkan konduktivitas semikonduktor instrinsic dan semikonduktor tipe P ?
11. Bagaimana terjadinya arus secara difusi dan drift terjadi didalam semikonduktor ?
12. Bagaimana terjadinya potensial kontak pada sambungan antara semikonduktor tipe p dan
tipe n ?
13. Anggaplah suatu diode hubungan p-n rangkaian terbuka pada 300˚K. apabila ND di rubah
dengan sebuah factor sebesar 10.000 dan NA tetap tak berubah , tentukan perubahan di
dalam perbedaan kontak dari potensial.
Jawaban Tugas Semikonduktor (13 Jawaban)
1. Di dalam fisika atom, model Bohr adalah model atom yang diperkenalkan oleh Niels
Bohr pada 1913. Model ini menggambarkan atom sebagai sebuah inti kecil bermuatan
positif yang dikelilingi oleh elektron yang bergerak dalam orbit sirkuler mengelilingi inti
mirip sistem tata surya, tetapi peran gaya gravitasi digantikan oleh gaya elektrostatik.
Model ini adalah pengembangan dari model puding prem (1904), model Saturnian
(1904), dan model Rutherford (1911). Karena model Bohr adalah pengembangan dari
model Rutherford, banyak sumber mengkombinasikan kedua nama dalam penyebutannya
menjadi model Rutherford-Bohr. Seperti sudah diketahui sebelumnya, Rutherford
mengemukakan teori atom Rutherford berdasarkan percobaan hamburan sinar alfa oleh
partikel emas yang dilakukannya.

Nilai magneton Bohr

Sistem satuan nilai satuan

SI[1] 9,274009994(57)×10−24 J·T−1

CGS[2] 9,274009994(57)×10−21 erg·G−1

eV[3] 5,7883818012(26)×10−5 eV·T−1

satuan atom 12 eħme

2. Dalam ilmu kimia, elektron valensi adalah elektron pada kelopak terluar yang terhubung
dengan suatu atom, dan dapat berpartisipasi dalam pembentukan ikatan kimia jika
kelopak terluar belum penuh. Dalam ikatan kovalen tunggal, kedua atom yang berikatan
menymbangkan satu elektron valensi untuk membentuk pasangan bersama. Kehadiran
elektron valensi dapat menentukan sifat kimia unsur, seperti valensinya—yang
menentukan apakah dapat berikatan dengan unsur lain dan, jika dapat, seberapa cepat dan
seberapa banyak ia dapat berikatan.

Elektron valensi juga bertanggung jawab terhadap konduktivitas listrik suatu unsur;
akibatnya, unsur dapat diklasifikasikan sebagai logam, nonlogam, atau semikonduktor
(atau metaloid).

Unsur logam umumnya memiliki konduktivitas listrik yang tinggi ketika berada dalam
keadaan padat. Pada masing-masing baris tabel periodik, logam terletak di sebelah kiri
nonlogam, sehingga logam memiliki lebih sedikit elektron valensi yang mungkin
daripada nonlogam. Namun, elektron valensi atom logam memiliki energi ionisasi kecil,
dan dalam keadaan padat elektron valensi ini relatif bebas meninggalkan satu atom untuk
bergabung dengan atom lain di dekatnya. Elektron "bebas" semacam ini dapat
dipindahkan di bawah pengaruh medan listrik, dan gerakannya mengandung arus listrik;
ia bertanggung jawab terhadap konduktivitas listrik logam. Tembaga, aluminium, perak,
dan emas adalah contoh konduktor yang baik.

Unsur nonlogam memiliki konduktivitas listrik rendah; ia bertindak selaku isolator.

Unsur semacam ini dapat dijumpai di sebelah kanan tabel perodik, dan memiliki kelopak
valensi sekurang-kurangnya setengah penuh (terkecuali boron). Energi ionisasinya besar;
elektron tidak dapat meninggalkan atom dengan mudah ketika diberi perlakuan dengan
medan listrik, sehingga unsur semacam ini sangat kecil menghantarkan arus. Contoh
isolator unsur padat adalah intan (suatu alotrop karbon) dan belerang.

Senyawa padat yang mengandung logam dapat juga merupakan isolator jika elektron
valensi atom logam digunakan untuk membentuk ikatan ionik. Misalnya, meskipun unsur
 natrium adalah suatu logam, natrium klorida padat adalah isolator, karena elektron
valensi natrium ditransfer kepada klorin untuk membentuk ikatan ionik, sehingga
elektron tidak dapat bergerak bebas.

Semikonduktor memiliki konduktivitas listrik di antara logam dan nonlogam; suatu

semikonduktor juga berbeda dari logam dalam hal konduktivitas semikonduktor yang
meningkat seiring dengan kenaikan suhu. Unsur semikonduktor yang umum adalah
silikon dan germanium, masing-masing atom mempunyai empat elektron valensi. Sifat
semikonduktor dapat dijelaskan dengan baik menggunakan teori pita, sebagai
konsekuensi dari kesenjangan energi yang kecil antara pita valensi (yang mengandung
elektron valensi pada nol mutlak) dan pita konduksi (tujuan eksitasi elektron valensi
karena energi termal).

3. Elektron yaitu sebuah partikel sub-atom yang bermuatan negatif dan umumnya dapat
ditulis sebagai e-. Elektron tidak memiliki komponen dasar ataupun substruktur apapun
yang diketahui, sehingga ia dapat dipercayai sebagai partikel elementer. Elektron juga
memiliki massa sekitar 1/1836 massa proton.

Sebuah kulit elektron yaitu beberapa subkulit yang berbagi bilangan kuantum yang sama
yaitu n (nomor sebelum angka dalam sebuah orbital). Sebuah atom dengan kulit ke-n
dapat berisi 2n2 elektron.

Subkulit merupakan sebuah tempat di dalam kulit yang berisi bilangan azimuth yaitu ℓ.
Nilai dari ℓ (0, 1, 2, atau 3) sesuai dengan masing – masing label s, p, d, dan f. Jumlah
maksimum elektron yang bisa ditempatkan di sebuah subkulit dirumuskan sebagai
2(2ℓ+1). Pada subkulit s maksimum 2, 6 elektron pada subkulit p, 10 pada subkulit d, dan
14 pada subkulit f.
4. Terdapat bermacam-macam tipe elemen semikonduktor yang menggunakan
semikonduktor seperti silikon dan germanium, berikut ini penjelasan singkat beberapa
elemen yang berhubungan dengan sepeda motor.
Dioda

Dioda mempunyai karakteristik yang dapat mengalirkan arus listrik hanya satu arah karena
itu dioda digunakan pada rangkaian rectifier yang merubah arus listrik bolak balik menjadi
arus searah seperti ditunjukkan pada ilustrasi sebuah dioda mempunyai semikonduktor tipe
N dihubungkan dengan sebuah semikonduktor tipe P.

Jika tegangan positip diberikan pada tipe P gabungan ( junction ) PN dan tegangan negatip
diberikan pada tipe N rus akan mengalir dengan mudah melalui dioda tetapi jika tegangan
yang diberikan dibalik hampir tidak ada listrik yang mengalir.

Karakteristik tegangan dan arus pada dioda.

Pada dioda arus akan mengalir pada arah terbalik walaupun arus kecil hal ini disebabkan
semikonduktor tipe N mempunyai sangat sedikit lubang-lubang ( holes ) positip dan
semikonduktor tipe P mempunyai sangat sedikit elektron karena itu tegangan yang diberikan
pada arah kebalikan ( mundur ) akan menjadi tegangan maju memungkinkan arus dalam
jumlah kecil mengalir.

Dioda Zener

Dioda zener adalah tipe dioda yang mengalirkan arus sama seperti dioda biasa tetapi dengan
arah yang berlawanan, dengan memanfaatkan karakteristik yang merupakan kebalikan dari
dioda biasa dioda zener digunakan pada peralatan yang memerlukan tegangan tetap seperti
bentuk gelombang rangkaian rectifier dan regulator tegangan ( voltage regulator ).

Karakteristik tegangan dan arus pada dioda zenerPada dioda zener ketika tegangan diberikan
pada arah mundur arus mulai mengalir sesaat setelah mencapai tingkat tegangan tertentu (
voltage zener ) tercapai dan menghentikan arus jika tegangan turun walaupun sedikit saja.
Thyristor ( SCR )

Thyristor mampu mengalirkan arus anoda yang besarnya hanya beberapa ampere sampai
dengan beberapa ratus ampere saat sinyal gate yang sangat kecil diberikan biasanya thyristor
digunakan pada rangkaian CDI dan rangkaian lain sebagai elemen saklar ( switching
element ) thyristor tersusun atas sebuah anoda sebuah katoda dan sebuah gerbang ( gate ).

Pada dasarnya karakteristik kerja mundur sama dengan dioda biasa sehingga tidak ada arus
yang mengalir walaupun diberikan tegangan. Pada arah maju arus mulai mengalir saat sinyal
gate ( voltage ) diberikan pada gate ketika tegangan telah diberikan pada gate thyristor terus
mengalirkan arus bahkan saat tegangan gate menjadi O.

Biar bagaimanapun juga jika tegangan anoda dan katoda menjadi O arus tidak akan mengalir
lagi tegangan gate harus diberikan kembali pada gate agar dapat menyimpan aliran arus.

Transistor

Pada transistor perubahan sejumlah kecil arus yang mengalir ke basis digunakan dalam
rangkaian penguat untuk memperkuat arus mengalir ke kolektor agar dapat masuk dalam
arus yang lebih besar digunakan juga untuk aplikasi rangkaian generator.

Dengan sinyal yang dibangkitkan secara berulang dalam waktu tertentu digunakan juga
dalam rangkaian saklar ( switching circuit ) yang menghubungkan dan memutuskan aliran
arus dalam merespon ada atau tidaknya sinyal arus lemah.

Pengertian Dan Penjelasan Elemen Semikonduktor

Transistor tipe PNPTransistor terdiri sebuah emitor sebuah basis dan sebuah kolektor,
transistor PNP mempunyai semikonduktor tipe P dihubungkan dengan semikonduktor basis
arus kuat mengalir dari emitor ke kolektor.

Transistor tipe NPNTransistor NPN mempunyai konfigurasi N-P-N yang mengalirkan arus
berlawanan dari transistor PNP namun cara kerjanya sama seperti transistor PNP.

Thermistor
Thermistor adalah elemen semikonduktor yang mempergunakan karakteristik temperatur,
karakteristik listrik berubah secara signifikan dalam merespon perubahan temperatur.
Thermistor karakteristik negatip mempunyai sifat jika temperatur naik maka tahanan
listriknya rendah sehingga lebih banyak arus yang mengalir apabila tegangan yang diberikan
tetap.

5. Dalam Semikonduktor, celah pita energy (band gap) cukup kecil sehingga dengan energi
termal saja sudah dapat mengeksitasi electron ke pita induksi

Band Gap (pita energi) merupakan kumpulan pita yang saling bertindih membentuk suatu
pita energi.Band Gap (pita energi) suatu bahan berbeda-beda seperti pada halnya
semikonduktor yang memiliki band gap yang dapat dipengaruhi oleh suhu dimana ketika
suhu 0°c semikonduktor akan bersifatsebagai isolator sedangkan ketika suhunya berada
pada suhu ruang akan memiliki sifat sebagaikonduktor. Lain halnya dengan konduktor
yang memiliki band gap kecil dan isolator yang memiliki band gap lebih lebar. Maka
pada percobaan ini melakukan eksperimen untuk memperoleh bandgap(pita energi)
germanium, menghubungkan konsep band gap (pita energi) semikonduktor
dengankonduksi intrinsik dan kondisi ekstrinsik, menghitung nilai band gap dari
semikonduktor(Germanium) dari hasil eksperimen. Diperoleh nilai Eg saat I= 5mA, Eg
suhu naik =0 eV dan Eg suhuturun = -0,02 eV, saat I= 6mA, Eg suhu naik = 0,04eV dan
Eg suhu turun = 0,02 eV, saat I= 7mA, Egsuhu naik =0,05 eV dan Eg suhu turun = 0,03
eV.
.
Besarnya energi yang diperlukan untukmemindahkan elektron adalah sebesar energi
gapnya. Nilai energi gap akan berbanding terbalikdengan perubahan suhu dimana ketika
suhu dinaikan energi gap akan semakin kecil karena perpindahan elektron dibantu oleh
kenaikan suhu yang menyebabkan eksitasi termal
6. Kalau satu elektron dilepaskan dari tempatnya, selalu terdapat satu elektron bebas dan
satu lowong bersama-sama. Oleh sebab itu melepaskan satuelektron dari tempatnya
disebut ciptaan pasangan atau generasi (dari generation). Setelah terjadi ciptaan
pasangan, terdapat dua partikel bermuatanyang bisa bergerak dan membawa arus listrik,
berarti terdapat konduktivitasdalam kristal ini. Konduktivitas yang terjadi oleh ciptaan
pasangan disebut konduktivitas diri ( self conductivity)dari semikonduktor. Kalau satu
elektron bebas di satu lowong, elektron dan lowong bisa bergabung kembali, berarti
elektrok masuk ke dalam lowong dan menjadi elektron terikat lagi. Proses inidisebut
Rekombinasi ( dari recombination ). Dengan terjadinya prosesrekombinasi muatan yang
bisa bergerak dan membawa arus berkurang satuelektron dan satu lowong. Dalam
keadaan keseimbangan termis, jumlah ciptaan pasangan per waktu dan jumlah
rekombinasi per waktu adalah sama.

Kalau satu elektron dilepaskan dari tempatnya, selalu terdapat satu elektron bebas dan
satu lowong bersama-sama. Oleh sebab itu melepaskan satuelektron dari tempatnya
disebut ciptaan pasangan atau generasi (dari generation).

Semikonduktor ini dibuat dengan penambahan bahan Gallium (Ga) , phosporus (P) ,dan
Boron (Br), memiliki tiga valence electron intrinsik semikonduktor. Melalui empat
lapisan luar elektron yang dimilikinya, bila kedua jenis material ini dengan bertemu satu
lainnya, maka atom silikon dari kedua jenis atom ini tidak bisa berbagi elektron, sehingga
arus listrik dapat mengalir dengan mudah dimana lowongan ini disebut hole

Setelah terjadi ciptaan pasangan, terdapat dua partikel bermuatanyang bisa bergerak dan
membawa arus listrik, berarti terdapat konduktivitasdalam kristal ini. Konduktivitas yang
terjadi oleh ciptaan pasangan disebut konduktivitas diri (self conductivity )dari
semikonduktor. Kalau satu electron bebas tiba di satu lowong, elektron dan lowong
bias bergabung kembali, berartielektrok masuk ke dalam lowong dan menjadi elektron
terikat lagi. Proses inidisebut rekombinasi ( dari recombination ). Dengan terjadinya
prosesrekombinasi muatan yang bisa bergerak dan membawa arus berkurang satuelektron
 dan satu lowong. Dalam keadaan keseimbangan termis, jumlah ciptaan pasangan per
waktu dan jumlah rekombinasi per waktu adalah sama.

7. Keadaan pada gambar 2a melukiskan keadaan pada suhu amat rendah,yaitu mendekati
0˚C. pada suhu kamar banyak electron valensi yang terlepasdari ikatan kovalen oleh
karena terjadinya getaran atom. Dikatakan electronvalensi ini menjadi electron bebas
oleh eksitasi termal. Makin tinggi suhumakin banyak pula electron bebas. Jika di dalam
bahan diberi medan listirk,yaitu dengan memberikan beda potensial antara kedua ujung
Kristal, electron bebas ini akan bergerak menjadi aliran atau arus
listrik. Makin tinggi suhumakin banyak electron bebas yang terjadi dan makin besar pula
arus yang mengalir untuk beda potensial yang sama, yang berarti makin
rendahhambatannya.

8. Semiconductor tipe P
Semiconductor ini dibuat dengan penambahan bahan (Ga : gallium; In :phosporous; B:
boron)Memiliki tiga valence electron intrinsic semiconductor. Melalui empat lapisan luar
electron yang dimilikinya, bila kedua jenis material ini bertemu satu dengan lainnya,
maka atom silicon dari kedua jenis atom tidak ini tidak bisa berbagi electron, sehingga
arus listrik dapat mengalir dengan mudah dimana lowongan ini disebut hole. Tipe
semiconductor ini biasa disebut dengan P (positive) karena diasumsikan muatan
listriknya adalah positif karena elektronnya lebih sedikit. Saat mendapat tegangan,
electron mengisi sisi hole kemudian hole tersebut secara terus menerus bergerak
menurun. Arus listriknya mengalir melalui hole yang ada di dalam semiconductor tipe P
ini.
Semiconductor tipe N
Semiconductor ini dibuat dengan menambahkan material (P: phosphorus; As: arsenic; Sb:
antimony) memiliki 5 lapisan luar electron dalam intrinsic semiconductor. Bila lima
valenci element ini ditambahkan untuk mengikat dengan silicon, maka satu electron tetap
bertahan sebagai kelebihan di dalam octet, sehingga daya hantar electron tersebut bisa
baik melalui gerak bebas elektron yang tertinggal. Semiconductor ini disebut dengan tipe
N (negatif) karena arus listriknya diasumsikan adalah negatif. Arus listrik ini mengalir
melalui semiconductor tipe N (penghantar : elektron).
9. Kotoran akseptor adalah suatu unsur trivalen (unsur yang mempunyai 3 elektron valensi)
yang dipakai untuk mengotori semikonduktor murni agar menciptakan semikonduktor
tipe-P. Setiap atom kotoran akseptor hanya dapat membentuk ikatan-ikatan kovalen
dengan tiga elektron dari atom-atom semikonduktor disampingnya.

Kotoran donor adalah suatu unsur pentavalen (unsur yang mempunyai 5 elektron valensi)
yang dipakai untuk mengotori semikonduktor intrinsik sehingga menjadi semikonduktor
tipe-N. Setiap atom kotoran donor membentuk empat ikatan kovalen dengan empat atom
semikonduktor di sampingnya, menyisakan elektron kelima yang terikat lemah dan
mudah berpindah jika ada medan listrik yang dikenakan. Elektron-elektron yang
dimasukkan untuk mengotori semikonduktor murni dengan kotoran donor membuat tipe-
N ini resistivitasnya rendah. Taraf pengotoran yang umum dalam semikonduktor adalah
0,01 ppm. Kotoran donor yang banyak dipakai adalah fosfor, arsen, dan antimon.

10. Apabila bahan semikonduktor murni (intrinsik) didoping dengan bahan impuritas (ke-
tidak-murnian) bervalensi tiga, maka akan diperoleh semikonduktor type p. Bahan dopan
yang bervalensi tiga tersebut misalnya boron, galium, dan indium. Struktur kisi-kisi
kristal semikonduktor (silikon) type p adalah seperti gambar 4. Karena atom dopan
mempunyai tiga elektron valensi, dalam gambar 1.8 adalah atom Boron (B) , maka hanya
tiga ikatan kovalen yang bisa dipenuhi. Sedangkan tempat yang seharusnya membentuk
ikatan kovalen keempat menjadi kosong (membentuk hole) dan bisa ditempati oleh
elektron valensi lain. Dengan demikian sebuah atom bervalensi tiga akan
menyumbangkan sebuah hole.Atom bervalensi tiga (trivalent) disebut juga atom
akseptor, karena atom ini siap untuk menerima elektron.

Seperti halnya pada semikonduktor type n, secara keseluruhan kristal semikonduktor type
n ini adalah netral. Karena jumlah hole dan elektronnya sama. Pada bahan type p, hole
merupakan pembawa muatan mayoritas. Karena dengan penambahan atom dopan akan
meningkatkan jumlah hole sebagai pembawa muatan. Sedangkan pembawa minoritasnya
adalah electron.

11. Bayangkan sebuah medan listrik diberikan pada suatu semikonduktor. Medan listrik ini
akan menghasilkan gaya yang bekerja baik pada elektron bebas ataupun hole, yang lalu
akan mengalami pergerakan dan kecepatan drift. Perhatikan sebuah semikonduktor tipe-n
dengan sejumlah besar elektron bebas seperti terlihat pada Gambar 1. Medan listrik E lalu
diberikan pada semikonduktor ini pada suatu arah tertentu sehingga menghasilkan gaya
pada elektron – yang karena bermuatan negatif – dalam arah yang berlawanan. Elektron
tersebut akan memperoleh kecepatan drift vdn (dalam cm/s) yang besarnya
Dimana μn adalah konstanta mobilitas elektron dan diukur dalam cm^2/V-s. Untuk
silikon yang terdadah-rendah (low-doped) nilai μn ini biasanya berkisar sekitar 1350
cm^2/V-s. Mobilitas ini dapat dipandang sebagai sebuah parameter yang
mengindikasikan seberapa baik sebuah elektron dapat bergerak didalam semikonduktor.
Tanda negatif pada persamaan menandakan bahwa kecepatan drift elektron berlawanan
arah dengan medan listrik yang diberikan. Kecepatan drift ini sendiri lalu akan
menghasilkan kerapatan arus drift Jn (dalam A/cm^2), yang besarnya adalah
Dimana n adalah konsentrasi elektron, dan e adalah besar (magnitude) muatan listriknya.
Arus drift konvensional memiliki arah yang berlawanan dengan aliran muatan negatif,
yang berarti arus drift pada sebuah semikonduktor tipe-n akan memiliki arah yang sama
dengan medan listrik yang diberikan.

Selanjutnya, perhatikan sebuah semikonduktor tipe-p dengan sejumlah besar hole seperti
terlihat pada Gambar 2. Medan listrik E lalu diberikan pada suatu arah tertentu sehingga
menghasilkan gaya pada hole-hole tersebut – yang karena bermuatan positif – dalam arah
yang sama. Hole tersebut akan memperoleh kecepatan drift vdp (dalam cm/s), yang
besarnya adalah
Dimana μp adalah konstanta mobilitas proton dan -sekali lagi- diukur dalam satuan
cm^2/V-s. Untuk silikon yang terdadah-rendah (low-doped) nilai μp ini biasanya berkisar
sekitar 480 cm^2/V-s, atau tidak sampai setengahnya dari nilai mobilitas elektron up.
Tanda positif pada persamaan menandakan bahwa kecepatan drift hole searah dengan
medan listrik yang diberikan. Kecepatan drift ini sendiri akan menghasilkan kerapatan
arus drift Jp (kembali, dalam A/cm^2), yang besarnya adalah Dimana p adalah
konsentrasi hole, dan e adalah besar (magnitude) muatan listriknya. Arus drift
konvensional akan searah dengan aliran muatan positif, yang berarti arus drift pada
sebuah semikonduktor tipe-n akan memiliki arah yang sama dengan medan listrik yang
diberikan. Karena sebuah material semikonduktor selalu mengandung baik elektron
maupun hole, kerapatan arus drift total ditentukan sebagai jumlah dari kedua komponen
 arus tersebut, sehingga Dan Dimana σ ini sering disebut sebagai konduktifitas dari
semikonduktor dan ρ=1/σ sebagai resistifitas dari semikonduktor. Konduktifitas ini
berhubungan erat dengan konsentrasi elektron dan hole. Apabila medan listrik yang
timbul dihasilkan akibat sebuah perbedaan potensial (tegangan), maka persamaan diatas
akan menghasilkan hubungan yang linier antara arus dan tegangan, sehingga akan sesuai
dengan hukum Ohm.

12. Pada daerah sambungan/daerah diplesi yang sangat tipis terjadi pengosongan
pembawa muatan mayoritas akibat terjadinya difusi ke sisi yang lain. Hilangnya
pembawa muatan mayoritas di daerah ini meninggalkan lapisan muatan positip di daerah
tipe-n dan lapisan muatan negatif di daerah tipe-p.
Lapisan muatan pada daerah diplesi ini dapat dibandingkan dengan kapasitor
keping sejajar yang termuati. Karena terjadi penumpukan muatan yang berlawanan pada
masing-masing keping, maka terjadi perbedaan potensial yang disebut sebagai “potensial
kontak”atau “potensial penghalang” Vo (lihat gambar 7.3). Keadaan ini disebut diode
dalam keadaan rangkaian terbuka.

26,85𝑥
13. Np=(0,16)(103 )(0,26)

Np=0,000111696