Contoh soal :

Elektron atom hidrogen jatuh dari M ke kulit L. Berapa panjang gelombang cahaya yang dipancarkan?

Jika perhitungannya :

ΔW = W1 − W2 = 12.1eV − 10.2eV = 1.9eV =h.f

1.9𝑒𝑉 1.9𝑉 . 1.6 . 10−9 𝐴𝑠
=> f = = = 0.461 . 1015 12
𝑠 = 461 . 10 Hz
ℎ 6.6 . 10−34 𝑊𝑠2
Jadi panjang gelombang cahaya yang didapatkan :

𝑐0 3 . 108 𝑚/𝑠
λ= = = 6.508 . 10−7 m = 650.8 . 10−9 m ≈ 651 nm
𝑓 461 . 1012 𝐻𝑧
Lampu memancarkan pada 651nm dan dengan demikian di wilayah merah.

Tabel 3.1 menunjukkan bagian dari Tabel Periodik unsur-unsur. Baris tabel menyediakan cangkang
tertinggi yang ditempati oleh elektron. Nilai juga diperoleh dari kolom masing-masing elemen. Ini
dipahami sebagai jumlah elektron di kulit terluar dan sering disebut valensi. Sebagai contoh, kami
menyadari bahwa helium gas mulia (He) memiliki dua elektron dan dengan demikian sepenuhnya
menempati K-Shell. Dalam litium (Li) berikut, K-shell juga ditempati; elektron ketiga terletak di L-shell.
Elektron dari kulit terluar disebut elektron valensi karena mereka menentukan ikatan atom.
11 Gambar 3.7 menunjukkan perbandingan skema pita isolator, semikonduktor dan logam. Dalam
kasus isolator, zona terlarang sangat besar. Insulator biasanya bahan yang celah pita-nya lebih besar dari
sekitar 3eV. Ini berarti sebagian besar elektron tidak ada tersedia pada suhu yang tepat saat ini.
Konduktor panas pada suhu rendah juga bertindak sebagai isolator. Namun, pada suhu sedang,
konduktivitas meningkat hingga pada suhu yang sangat tinggi (mis., Lebih dari 200 ° C) mereka menjadi
konduktor yang baik (dengan demikian istilah semikonduktor).

12 Dengan ini kita dapat mengatakan dalam istilah yang disederhanakan bahwa pita valensi dan
konduksi mereka tumpang tindih sehingga mereka memiliki tingkat konduktivitas yang tinggi bahkan
pada suhu rendah.

13 Kami sekarang akan mempelajari proses dalam kristal semikonduktor lebih dekat. Gambar 3.8
menunjukkan generasi elektron bebas dalam kristal serta dalam model pita. Segera setelah sebuah
elektron dilepaskan dari ikatannya, ada celah dalam kristal yang disebut lubang. Proses lubang disebut
generasi pasangan lubang elektron. Proses kebalikannya dapat dilihat pada gambar kanan Gambar 3.8:
Elektron bebas jatuh kembali ke dalam lubang dan ini disebut rekombinasi pasangan lubang elektron.

Generasi dan rekombinasi pasangan lubang elektron terjadi terus menerus di dalam kristal. Tergantung
pada bahan semikonduktor dan suhu saat ini ada rata-rata jumlah elektron bebas serta lubang, yang
dikenal sebagai konsentrasi pembawa intrinsik ni.

Judul gambar : Pembangkitan termal dan rekombinasi pasangan lubang elektron: Dalam rata-rata waktu
terdapat rata-rata jumlah elektron bebas dan juga lubang, konsentrasi pembawa intrinsic

14 Transportasi dalam Semikonduktor

Gambar 3.9 menunjukkan kristal silikon yang memiliki tegangan listrik V yang diterapkan padanya.
Seperti pada kapasitor pelat, tegangan ini mengarah ke medan listrik F dalam kristal:

15 Melalui bidang ini, bidang elektron negatif berlisrik berbaris ke arah kutub positif dari sumber
tegangan. Dengan demikian ada aliran arus melalui semikonduktor, yang disebut arus medan (kadang-
kadang arus melayang). Namun, elektron dalam kristal berulang kali bertabrakan dengan inti atom,
diperlambat dan dipercepat lagi oleh medan. Dalam rata-rata waktunya mereka mencapai kecepatan
drift rata-rata tertentu vD.

F V/I

16 Transportasi arus melalui lubang. Elektron-elektron bergerak ke kanan satu demi satu. Karena
itu ada “hole hole” di arah yang berlawanan. Situasi ini sebanding dengan pergerakan orang di
sepanjang deretan kursi
17 medan listrik, sebuah elektron melompat ke ruang tetangga yang berdekatan. Di jalan masuk ini,
pada dasarnya bergerak ke arah yang berlawanan. Perbandingan serupa, misalnya, adalah stadion sepak
bola. Jika ada kursi kosong di ujung baris dan satu penonton setelah yang lain bergerak ke kursi kosong
berikutnya, maka kursi kosong "bergerak" ke arah yang berlawanan.

18 Prinsip kerja sel surya adalah karena perpindahan elektron atau hole akibat adanya sinar
matahari, perpindahan elektron atau hole ini dibedakan menjadi dua proses yaitu proses drift dan difusi.
• Arus drift adalah arus yang ditimbulkan karena adanya medan listrik akibat adanya pembelokan pada
semikonduktor tipe p-n. Arus drift hole bergantung pada seberapa besar medan listrik lokal.

19 Arus difusi adalah arus yang terjadi akibat adanya perbedaan konsentrasi muatan dalam
semikonduktor. Sehingga tanpa adanya medan listrik pun muatan akan mengalir sesuai dengan prinsip
difusi yaitu mengalir dari konsentrasi tinggi ke konsentrasi rendah. Arus difusi hole bergantung kepada
perubahan densitas atau konsentrasi muatan.

20 SEMIKONDUKTOR

• Semikonduktor intrinsik merupakan semikonduktor yang terdiri atas satu unsur saja, misalnya Si saja
atau Ge saja. Pada kristal semikonduktor Si, 1 atom Si yang memiliki 4 elektron valensi berikatan
dengan 4 atom Si lainnya.

• Semikonduktor yang telah terkotori (tidak murni lagi) oleh atom dari jenis lainnya dinamakan
semikonduktor ekstrinsik. Proses penambahan atom pengotor pada semikonduktor murni disebut
pengotoran (doping). Dengan menambahkan atom pengotor (impurities), struktur pita dan
resistivitasnya akan berubah.

21 n doping

Semikonduktor tipe-n menggunakan semikoduktor intrinsik dengan menambahkan atom donor yang
berasal dari kelompok V pada susunan berkala, misalnya Ar (arsenic), Sb (Antimony), phosphorus (P).

22 p doping

Pada Si dan Ge, atomnya aseptor adalah unsur bervalensi tiga (kelompok III pada susunan berkala)
misalnya B (boron), Al (alumunium), atau Ga (galium).
23 Prinsip Metode Operasi

Gambar 3.14 menunjukkan proses prinsip dalam p-n junction. Kristal kiri adalah n-doped dan yang kanan
p-doped. Kedua daerah netral secara listrik. Jadi, di sisi kiri, jumlah elektron bebas sama dengan jumlah
atom donor positif yang tetap. Sisi kanan sesuai dengan mana lubang bermuatan positif
mengkompensasikanuntukmenuguhkan muatan atom akseptor.

Mari kita asumsikan bahwa kedua daerah baru saja digabungkan. Di sisi-n ada surplus elektron bebas. Ini
menyebar karena gradien konsentrasi dari arus difusi ke kanan ke daerah p-doped, dan di sana mereka
bergabung kembali dengan lubang. Secara terbalik, lubang berdifusi dari kanan ke kiri ke daerah-n di
mana mereka bergabung kembali dengan elektron. Dengan demikian hampir tidak ada elektron dan
lubang gratis di sekitar persimpangan yang dapat dikompensasi oleh biaya tetap. Karena meningkatnya
jumlah muatan tetap yang tidak perlu di daerah persimpangan, medan listrik akhirnya muncul. Bidang
ini lagi mengarah ke elektron yang didorong ke kiri dan lubang ke kanan. Akhirnya keseimbangan baru
dibangun di mana difusi dan arus medan membatalkan satu sama lain dan wilayah biaya ruang ada di
persimpangan p-n.

Wilayah muatan ruang ini menyebabkan perbedaan potensial antara batas kanan dan kiri wilayah
muatan ruang yang disebut tegangan difusi VD.

24 DIAGRAM PITA p-n JUCNTION

• Fermi energi WF secara umum didefinisikan probabilitas untuk mencapai tingkat energi persis 50%.

Prilaku V-I tersebut dapat dipelajari melalui tiga bagian, sebutlah tegangan luar nol, bias maju, dan bias
mundur.

• a. Tegangan luar nol. Ketika tegangan luar nol, yakni rangkaian terbuka pada K, penghalang potensial
pada persambungan tidak mengijinkan arus mengalir. Sehingga arus ranglaian nol dan ditunjukkan oleh
titik O.

• b. Bias maju. Dengan bias maju pada persambungan pn, yakni tipe p dihubungkan dengan terminal
positif dan tipe n dihubungkan dengan terminal negatif, maka potensial penghalang ditiadakan. Pada
suatu harga tegangan maju (0,7 volt untuk Si dan 0,3 volt untuk Ge), maka potensial penghalang itu
seluruhnya dihilangkan dan arus mulai mengalir di dalam rangkaian. Dari keadaan ini makin maju, maka
arus meningkat dengan kenaikan tegangan maju. Kemudian, kenaikan kurva OB diperoleh dengan
pemberian bias maju. Dari watak bias maju ini terlihat bahwa yang pertama (daerah OA), arus
meningkat dengan sangat lambat dan kurva tidak linier

25

c. Bias Mundur. Dengan bias mundur pada sambungan pn, yaitu tipe p dihubungkan dengan terminal
negatif dan tipe n dihubungkan dengan terminal positif, penghalang potensial pada persambungan
meningkat. Karena itu resistansi persambungan menjadi sangat tinggi dan secara praktis tidak ada arus
yang mengalir melalui rangkaian itu.
26 KARAKTERISTIK DIODE

Untuk memperoleh karakteristik, penggunaan dibuat dari pengetahuan bahwa medan dan arus difusi
pada persimpangan p-n memiliki ukuran yang sama.

Simbol dan kurva karakteristik I / V dari dioda p-n: di arah maju dioda hanya melakukan dari ambang
tegangan VTh, dalam arah sebaliknya, ada arus tinggi jika melebihi tegangan terobosan VBr

27 Kurva karakteristik khas dari dioda p-n yang ditunjukkan pada Gambar xxx dapat diambil dari
persamaan Shockley. Fungsi eksponensial menghasilkan ketegaran yang tampak dalam karakteristik
setelah mana arus naik secara drastis. Ini terjadi pada tegangan ambang VTh yang sesuai dalam jumlah
kira-kira dengan tegangan difusi VD.

I = is (rumus)

Dimana:

IS: arus saturasi dioda

VT: tegangan termal

Arus saturasi IS ditentukan oleh

Is = A (rumus)

Dimana:

LN, LP: panjang difusi elektron atau lubang

28 Oleh karena itu tergantung pada struktur beton (doping, area persimpangan, dll.) Dari
persimpangan p-n dan biasanya di wilayah nA ke mA. Panjang difusi LN dan LP menentukan jarak rata-
rata partikel bebas di wilayah asing hingga bergabung kembali. Ukuran voltase termal VT yang
digunakan dalam Persamaan 3.16 dapat ditentukan dengan menggunakan persamaan berikut:

Vt = k.t (rumus)

29 Fenomena Penyerapan Cahaya

Prinsip penyerapan cahaya dalam semikonduktor. (Kiri); foton diserap hanya dengan pita penerangan
yang cukup yang disinkronkan dengan daya yang disinkronkan ke dalam pita konduksi. (Kanan);
insidensiallradiasi menjadi kristal semikonduktor: Karena penyerapan dalam bahan intensitas cahaya
tenggelam dengan meningkatnya kedalaman penetrasi

dapat digambarkan dengan menggunakan fungsi eksponensial yang membusuk:

E(x)=E1 (rumus)

dengan E1: radiasi pada xxxxx : koefisien penyerapan...

31

• Refleksi insidental harus dikurangi untuk mencapai tingkat efisiensi yang tinggi dalam sel surya.
Sebuah cara standar untuk melakukan hal ini dengan lapisan anti-refleksi. • Gambar 3.23 bahan
ketebalan d disisipkan antara dua media.