LAPORAN PROJEK

DC SWITCH (MOSFET dan IGBT)

DISUSUN

Febrianti Eka Suci (1 D3 EB/1103181032)

DOSEN PEMBIMBING

Dr. Agus Indra Gunawan, ST.,M.Sc

PROGRAM STUDI TEKNIK ELEKTRONIKA

DEPARTEMEN TEKNIK ELEKTRO

POLITEKNIK ELEKTRONIKA NEGERI SURABAYA

2019
 DC SWITCH (MOSFET dan IGBT)

I. KOMPONEN PERCOBAAN
 Resistor
 1 K ohm (4 buah)
 470 ohm (4 buah)
 LED merah (4 buah)
 Board PCB lubang (1 buah)
 Kabel Probe (2 buah)
 Kabel Jumper (2 buah)
 Kabel Penjepit Buaya (3 buah)
 Function Generator (1 buah)
 MOSFET IRFP460 (2 buah)
 IGBT RJP63 (2 buah)
 Oscilloscope (1 buah)

II. Dasar Teori

A. MOSFET sebagai saklar
1. Pengertian MOSFET

MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) adalah sebuah perangkat semikonduktor
yang secara luas di gunakan sebagai switch dan sebagai penguat sinyal pada perangkat elektronik. MOSFET
terdiri dari tiga kaki yaitu Drain(D), Source(S), dan Gate(G). Cara Kerja MOSFET yaitu muatan listrik masuk
melalui saluran pada source dan keluar melalui drain. Lebar saluran dikendalikan oleh tegangan pada
elektroda yaitu Gate(G). Mosfet memiliki 2 jenis yaitu :

 Depletion mode

Pada mode ini terdapat celah antara kanal semikonduktor tipe n dan semikonduktor
tipe p dimana diharapakan arus dari source mengalir melalui celah tersebut menuju drain.
Dengan memngguhubung singkat kanal p dengan source maka ketebalan lapisan deplesi yang
terbentuk akan maksimum, sehingga ketebalan lapisan deplesi selanjutnya di tentukan oleh
tegangan gate terhadap source.
Semakin negative tegangan gate terhadap source maka lapisan depleksi akan
membesar dan menutup kanal, dan arus drain akan semakin kecil bahkan mendekati 0.
Karena tegangan gate yang terisolasi, tegangan kerja vgs positif. Semakin postifi Vgs arus
electron dapat mengalir semakin besar.
 Dari kurva diatas terlihat bahwa transistor mode ini akan bekerja mulai dari
tegangan Vgs negative sampai positif. Sehingga RDS(on) = VDS / IDS. Jika tegangan VGS tetap
dan tegangan VDS terus dinaikkan, transistor akan menjadi saturasi, dan arus IDS akan
konstan.
 Enchancement mode

.
Transistor ini tipe kanal –n, dimana jika tegangan gate VGS dibuat negative atau VGS
= 0 tentu saja arus electron tidak dapat mengalir, karena tidak ada lapisan deplesi maupun
celah yang bisa dialiri electron. Sehingga pada transistor ini VGS diberi tegangan positif.
Tegangan positif ini menyebabkan electron tertarik kea rah subtract p, sehingga potensial
gate lebih positif. Jika tegangan gate positif maka tumpukan electron akan membentuk
lapiasan n sehingga arus dain source akan mengalir , lapisan ini disebut inversion layer.

Dari kurva diatas kurva dimana transistor mulai ON dan nilai VGS positif. Parameter
yang paling penting pada transistor ini adalah RDS(on), dimana besar resistor ini bervariasi
mulai dari 0.3ohm sampai puluhan ohm. Untuk aplikasi power switching semakin kecil
RDS(on) maka semakin baik transistor tersebut.
2. MOSFET sebagai switch

Fungsi MOSFET sebagai saklar yaitu untuk mengedalikan beban dengan arus yang tinggi dan biaya lebih
murah. Untuk menjadikan MOSFET sebagai saklar maka hanya menggunakan MOSFET saat kondisi
saturasi(ON) dan kondisi cut-off(OFF).
 a. Wilayah Cut-off

Pada daerah cut-off Vin = 0 V, sehingga Id= 0 A, kondisi ini membuat tegangan VDS = VDD.
Kondisi cut-off ini di peroleh dari menghubungkan jalur input(gate) ke ground, sehingga tidak ada
tegangan input yang masuk ke rangkaian MOSFET. pada daerah ini tegangan gerbang- sumbe kurang
dari tegangan ambang (Vgs < Vth) dan MOSFET beroperasi sebagai saklar terbuka. Untuk
mendapatkan kondisi MOSFET dalam keadaan open maka tegnagan gate Vgs harus lebih rendah dari
tegangan treshold Vth dengan cara menghubungkan terminal input (gate) ke ground.
b. Wilayah Saturasi

Pada daerah saturasi ini tegangan sumber gerbang lebih besar dari tegangan ambang (Vgs > Vth). Pada
daerah ini MOSFET mendapatkan bias input (VGS) secara maksimum sehingga arus drain juga maksimum dan
membuat tegangan Vds = 0V. RDS(on) saat kondisi ini sangat rendah dan mosfet di analogi kan sebagai saklar
tertutup. Kondisi saturasi MOSFET dapat diperoleh dengan memberikan tegangan input gate yang lebih tinggi
dari tegangan tresholdnya dengan cara menghubungkan terminal input ke Vdd. Sehingga MOSFET mejadi
saturasi dan dapat dianalogikan sebagai saklar pada kondisi tertutup.

B. IGBT sebagai saklar

IGBT merupakan komponen semi konduktor dengan tiga terminal utama yang sering digunakan sebagai
switch yang mengkombinasi kecepatan switching efisiensi tinggi. Kelebihan IGBT sendiri yaitu memiliki tahanan
yang sangat besar saat tidak menghantarkan arus, dan memiliki kecepatan dan frekuensi yang lebih tinggu
dibandingkan dengan transistor pada umumnya. IGBT memiliki kurva karakteristik seperti dibawah ini :
 IGBT berubah "ON" atau "OFF" dengan mengaktifkan dan menonaktifkan terminal Gate-nya. Menerapkan
sinyal input tegangan positif melintasi Gerbang dan Emitor menjaga perangkat dalam keadaan "AKTIF".

Karakteristik IGBT sebagai Switch

Dalam IGBT ini terdapat beberapa waktu saat menjadi switch, yaitu

a. Waktu mengktifkan
- Waktu Tunda : waktu dimana arus kolektor(Ic) naik dari ICE arus bocor ke 0,1 IC( arus kolektor
akhir) dan tegangan emitor kolektor jatuh dari VCE ke 0.9 V.
- Waktu naik : dimana arus kolektor naik dari 0,1 ke IC dan tegangan emotpr kolektor turun dari
0.9 V ke 0.1 V
b. Waktu mematikan
- Waktu tunda : waktu ketika arus kolektor jatuh dari IC ke 0.9 A dan VCE mulai naik
- Waktu jatuh awal : waktu dimana arus kolektor jatuh dari 0.9 A ke 0.2 A dan tegangan emitor kolektor
naik menjadi 0.1 V
- Waktu jatuh akhir: waktu dimana arus kolektor jatuh dari 0.2 A le 0.1 A dan VCE naik dari 0.1 V ke nilai
VCE akhir.
III. Hasil Percobaan
a. Simulasi
 MOSFET sebagai saklar
  IGBT sebagai saklar

Simulasi IGBT 50 kHz:

Simulasi IGBT 1MHz

b. Produk
c. Praktikum
 MOSFET sebagai saklar
a. Amplitudo
Amplitude Indicator (lampu)
(vp-p)
1 Mati
2.5 Nyala redup
3.5 Nyala terang
5 Normal

b. Frekuensi
Keterangan : untuk gambar gelombang , gelombang pertama adalah gelombang output dan
gelombang kedua adalah gelombang input.

Frekuensi (Hz) Amplitude (vp-p) Indicator (lampu) Gelombang

5 mili 5 Lampu nyala mati
selang waktu
cukup lama

5 5 Lampu menyala
flip-flop

1k 5 Lampu menyala
terang

10 k 5 Lampu menyala
terang
 50 k 5 Lampu menyala
terang

100 k 5 Lampu menyala

terang

500 k 5 Lampu menyala

terang

1M 5 Lampu menyala
terang

2M 5 Lampu mati Gelombang tidak bisa terbaca

 IGBT sebagai saklar

a. Amplitudo
Amplitude Indicator (lampu)
(vp-p)
1 Mati
2 Nyala redup
3.5 Nyala terang
5 Normal

b. Frekuensi
Keterangan : untuk gambar gelombang , gelombang pertama adalah gelombang output dan
gelombang kedua adalah gelombang input.

Frekuensi (Hz) Amplitude (vp- Indicator Gelombang

p) (lampu)
5 5 Lampu
menyala flip- Gelombang berjalan cepat
flop
1k 5 Lampu
menyala
terang

10 k 5 Lampu
menyala
terang

50 k 5 Lampu
menyala
terang

100 k 5 Lampu
menyala
terang

500 k 5 Lampu
menyala
terang

1M 5 Lampu
menyala
terang

2M 5 Lampu nyala Gelombang tidak bisa terbaca

redup
3M 5 Lampu mati Gelombang tidak bisa terbaca
IV. Analisa

Dari percobaan kali ini MOSFET sebagai Switch , dimana untuk input di dapat dari function generator ,
dan output dilihat dari oscilloscope dan lampu. Untuk tegangan Vcc tetap konstan 10V, indicator rangkaian
mulai menyala saat diberi tegangan 2.5 vp-p , lalu akan normal setelah 5 vp-p. pada saat input diberi 10kHz
rangkaian masih berjalan dengan normal, input juga berjalan dengan normal , begitupun 50 kHz saat
dinaikkan 100kHz rangkaian mulai saturasi sehingga gelombang menjadi cacat. Dan saat mulai dinaikkan
menjadi 500kHz gelombang sudah cacat baik input maupun output, hal ini dikarenakan nilai resistor gain
besar , sedangkan dalam data sheet Irfp460 nilai resistor gain sebesar 4.3 ohm apabila digunkan untuk
frekuensi 1Mhz. saat rangkaian diberi 2Mhz lampu akan mati dikarenakan IRFp460 hanya bisa bekerja
pada 1Mhz.

Dan untuk percobaan kedua yaitu IGBT sebagai switch, dimana input rangkaian ini juga berasala dari
function generator. Untuk vcc tetap konstan 10 V, sebelum diberi input FG lampu akan menyala saat
tegangan vcc 2V, dan saat sudah diberi input FG lampu menyala saat di beri amplitude 2vp-p. saat
rangkaian diberi input sekitar 1kHz-100Khz gelombang input dan output masih stabil,dan rangkaian terlihat
saturasi. Pada saat diberi input sekitar 500kHz-1Mhz gelombang output sudah cacat , hal ini kemungkinan
juga dikarenakan nilai RG yang terlalu besar, karena pada data sheet igbt ini akan bekerja dalam 1 Mhz
apabila nilai RG 5 ohm, ic=35 A, Rl=8.5 ohm,Vge =15 V.IGBT ini standartnya hanya bisa bekerja paa
frekuensi 1Mhz, tetapi lampu akan mati saat frekuensi 3MHz.

V. Kesimpulan

Pada praktikum ini dapat disimpulkan bahwa :

1. Rangkaian MOSFET bisa digunakan sebagai switch dengan memanfaatkan daerah saturasi dan cut off
2. Rangkaian IGBT bisa digunakan sebagai switch dengan memanfaatkan tegangan gain.
3. Rangkaian MOSFET dan IGBT mempunyai kemampuan switching yang cepat dari pada transistor BJT
4. Rangkaian MOSFET dan IGBT masih mampu menjadi switch pada frekuensi tinggi.
VI. Daftar Pustaka

https://mikroavr.com/pengertian-mosfet-dan-manfaat-nya/

http://kardus99.blogspot.com/2011/03/cara-kerja-mosfet.html

https://elektronika-dasar.web.id/mosfet-sebagai-saklar/

http://myelectronicnote.blogspot.com/2018/06/insulated-gate-bipolar-transistor-igbt.html