Modul Elka 2.

5

AV

MEMBACA DAN MENGIDENTIFIKASIKAN KOMPONEN TRANSISTOR
Transistor adalah Komponen aktif yang dibuat dari bahan semi konduktor pada tahun 1951 ditemukan oleh seseorang yang bernama , bahan semi konduktor ini mengubah industri elektronik begitu cepat. Perkembangan pemakaian semi konduktor sebagai material pembuatan Komponen maka diciptakan rangkaian terpadu

Shockley

(Integrated Circuit/IC),
componen dasar

perkembangan dan innováis yang terus diperbaharui akhirnya diciptakan optoelektronika dan mikroprosessor yang banyak dipakai sebagai

rangkaian otomasi, robotik dan Komputer.

1). Membaca dan mengidentifikasi tipe Transistor dan kegunaannnya sebagai UJT, FET, dan Mosfet a). Bipolar Transistor tipe NPN dan PNP. B = Basis C = Kolektor E = Emitor Adalah transistor yang memiliki dua Junction yaitu penggabungan Junction PN dan NP atau NP dan PN. PN dan NP = PNP Gambar 75 : Bipolar Transistor NP dan PN = NPN
P N N P

Junction PN

Junction NP

N

P

P

N

Junction NP

Junction PN

Gambar 76 : Junction Pada Transistor PNP dan NPN

SMK N 2 KUDUS

1

Penguat.5 AV 1 = Transistorbipolar dari bahan 2 = Transistor bipolar dari bahan Silikon Germanium Gambar 77 : Transistor Bipolar Si dan Ge 1 2 Bipolar : Dinamakan bipolar karena dalam operasinya Sangat bergantung kepada dua muatan Lubang (Hole) yang terdapat mayoritas pembawa muatan listrik pada tipe P. Filter Aktif dll. Transistor jenis Bipolar merupakan andalan komponen Aktif pada rangkaian Linear. Saklar. Gambar 78 : Transistor Bipolar Silikon Si Ge Ge Ge Si Ge Si Gambar 79 : Contoh Transistor Bipolar germanium dan Silikon Si SMK N 2 KUDUS 2 .Modul Elka 2. dan Electrón yang mayoritas pembawa muatan listriknya terdapat pada tipe N.

Modul Elka 2. banyak dipakai sebagai oscilator Frekuensi Tinggi.5 b). Unit Junction Transistor (UJT) AV UJT Adalah Transistor Uni Polar yang dalam Junction Type N di adop dengan Junction type P. sinyal yang dihasilkan berbentuk gigi gergaji B2 2N2646 Gambar 81 TO-226AA UJT Dasar Pemikiran UJT Junction pada UJT Hubungan PN Janction Gambar 82 : Dasar-dasar UJT SMK N 2 KUDUS Simbol Pengaturan Bias 3 . Transistor jenis isi memiliki 3 elektroda. sehingga adop Hole dari Junction tipe P pada Juncion N akan dapat mengendalikan aliran electrón pada Junction tipe N melalui B1 dan B2. 2 Basis dan 1 Emitor seperti pada Gambar : B1 E Gambar 80 : Junction UJT dan Simbol UJT Uni Junction Transistor.

5 AV SMK N 2 KUDUS 4 .Modul Elka 2.

Modul Elka 2.5 AV Gambar 83 : Karakteristik UJT Gambar 84 : UJT sebagai waktu tunda Gambar 85 : UJT sebagai Oscillator Gambar 86 : Sinyal Osilasi pada UJT SMK N 2 KUDUS 5 .

Modul Elka 2.5 AV Gambar 87 : UJT sebagai Multivibrator Gambar 88 : UJT sebagai Pembangkit Sinyal Gambar 89 : Mengukur UJT dalam Rangkaian Gambar 90 : Tampilan VE dan VB pada UJT SMK N 2 KUDUS 6 .

Field Effect Transistor (FET)/JFET (junction Field Effect Transistor). FET disebut juga Transistor Efek Medan dalam operasinya dipengaruhi oleh tegangan-tegangan operasi.5 c). tidak seperti Transistor Bipolar yang dipengaruhi oleh arus-arus pada elektrodanya. 7. AV FET adalah masuk dalam katagore Uni Polar karena memiliki mayoritas pembawa muatan hanya salah satu. S = Source D = Drain P N P N G G = Gate S JFET tipe N Gambar 91 : Junction JFET dan Simbol JFET Tipe N JFET Tipe N = Mayoritas pembawa muatan Electrón D P N P N S = Source G D = Drain S JFET tipe P G = Gate Gambar 92 : Junction JFET dan Simbol JFET Tipe P JFET Tipe P = Mayoritas pembawa muatan Hole Pemakaian JFET : 1. 4. 5. SMK N 2 KUDUS Sebagai Saklar/ Swtch. Hole atau Elektron saja.Modul Elka 2. Penguat/Amplifier Pemilih Data/ Multiplexer Pemotong/ Choppers Pengendali Otomatis/Automatic Gain Controll Penyangga/ Buffer Pembatas Arus 7 . 3. 2. 6.

MOSFET sering juga disebut sebagai IGFET (Insulated Gate Field Effect Transistor). Dilihat dari salurannya maka MOSFET ada dua tipe : Drain S = Source N D = Drain P Gate Substrat G D G = Gate N Source Gambar 93 : Junction dan Simbol MOSFET tipe N Drain S = Source P D N D = Drain G = Gate Gate Substrat G S P Source Gambar 94 : Junction dan Simbol MOSFET tipe P SMK N 2 KUDUS 8 .5 AV d). hal ini karena pada Gate di isolasi dari saluran mayoritas pembawa muatan hal ini mengakibatkan arus Gate sangat kecil dan tidak dipengaruhi oleh Positif atau Negatifnya Gate tersebut. MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) MOSFET disebut juga Transistor Efek Medan Oksida Logam.Modul Elka 2.

2. Terminologi Transistor : transistor untuk mengetahui posisi elektroda ketika akan mempergunakannya. kedudukan Basis. 3. alpha. Menjelaskan tentang besaran betha. Emitor dan Kolektor masingmasing posisinya Sangay beragam untuk itu diperlukan data book e). Alfa DC mengatakan lebih dari 95% arus elektron-elektron mencapai Kolektor. an tegangan Bias pada Transistor Perhatikan pada Kolektor di bias mundur/reverse sedangkan Emitor di bias maju/forward Arus Listrik Aliran Elektron Gambar 96 : Pemberian Bias pada Transistor a)Pemberi Bipolar Sehingga arus Elektron Mengalir dari Emitor Menuju Kolektor & Basis.Modul Elka 2. b. Alfa DC menunjukkan bahwa hampir kedua nilai arus Kolektor hampir sama dengan arus Emitor maka dapat di definisikan : Contoh.5 AV Pemakaian MOSFET : 1. pemberian tegangan DC dan range tegangan bias dan kegunaan lainnya. Perhatikan kedudukan masing-masing elektroda Gambar 95 : Terminologi Transistor . 2). misalkan arus mengalir pada Emitor IE = 5 SMK N 2 KUDUS mA 9 . 4. Saklar elektronik kecepatan tinggi/ High Speed Switch Pembalik Fase / Inverter Penguat Pencuplik dan Penahan / Sample & Hold Amplifier Penguat DC/ DC Amplifier Susunan elektroda/kaki Transistor.

9 mA AV b.9 / 5 = 0. IC = 4.5 Sedangkan arus pada Kolektor α dc = 4. misalkan arus mengalir pada Kolektor IC = 5 mA Sedangkan arus pada Basis IB = 50 µA α βc = 5000 / 50 = 100 β dc = 100 kali Hukum Kirchoff yang menghubungkan α dc dan β dc : β dc α dc = ( β dc + 1) Breakdown IC Saituras 6 mA Aktif 3 mA 2 mA 20 µA 1 mA VCE VCC β dc = 100 Kurfa Transistor 30 µA 10 µA SMK N 2 KUDUS 10 . Beta DC dapat di definisikan : IC β dc = IB Contoh. Beta DC adalah perbandingan arus electrón yang mencapai Kolektor dengan arus yang mengalir melalui Basis.Modul Elka 2.98 α dc = 98 % Untuk mencapai α dc setinggi mungkin maka di upayakan arus yang mengalir melalui Basis diupayakan se kecil mungkin. Transistor Ideal maka nilai α dc sama dengan 1.

Emitor Bias ( Pra Tegangan Emitor) VCC = 15 Volt R1 = RE R2 = RC 430 K Ω 910 Ω R3 = RB VCC-VBE IC = RE + RC 100 Ω β dc = 100 Gambar 99 : Pra Tegangan Emitor Bila diketahui data-data seperti gambar maka besarnya arus Kolektor dapat di hitung : 15 V – 0.25 mA VBE = Si = 0.3 V SMK N 2 KUDUS 11 . IC sama dengan = o ketika VCE = VCC d).5 Garis Beban DC Gambar 97 : Rangkaian Mengukur Karakteristik Transistor AV c) Garis beban DC : Garis yang menghubungkan IC mak dengan IC nol ketika VCE sama dengan VCC 1.7 V IC = 100 Ω + (430 K Ω/100) = 3. IC Maksimum = VCC / RC 2.Modul Elka 2. Tegangan Bias pada Transistor : VCC = V Sumber R1 = RB R2 = RC Pada rangkaian ini Transistor digunakan Sebagai saklar/Switch. Gambar 98 : Pra Tegangan Basis 1).7 V GE = 0. Base Bias (Pra Tegangan Basis) 2).

VBE IC = RC + RB/ β dc Gambar 100 : Pra Tegangan Kolektor Keuntungan Pra Tegangan Kolektor Transistor tidak jenuh. Transistor adalah Komponen aktif yang mempunyai tiga elektroda 2). Voltage Devider Bias ( Pra Tegangan Pembagi Tegangan) R1 = RE R2 = RB2 R3 = RB1 R4 = RC R1. SMK N 2 KUDUS 12 .VCC R1+R2 IE = VTH .VBE r’e = 25 mV / IE A = RC/r’e V Out = A.5 AV 3). Emitor dan Kolektor Transistor Bipolar ada dua tipe yaitu PNP dan NPN.Modul Elka 2. Transistor dibagi menjadi 4 macam : a). Bipolar Transistor dengan elektroda Basis. atau dapat ditentukan bahwa R Basis terpasang besarnya RB = RC. Rangkuman 5 1). V In c. β dc 4). R2 RTH = R1 + R2 Gambar 101 : Pra Tegangan Pembagi Tegangan R2 VTH = . Colector Bias (Pra Tegangan Kolektor) R1 = RC R2 = RB VCC .

Transistor Efek Medan yang mempunyai tiga elektroda Source. Pemberian Bias/Prategangan pada Bipolar Transistor dibagi menjadi empat yaitu. Besarnya penguatan pada Transistor sebagai penguat dinyatakan dengan huruf. Colector Bias & Voltage Devider Bias. c). Basis 1. rata-rata besarnya β dc pada transistor diatas 100. a b Gambar 102 : Transistor Sebagai Saklar Bila Saklar di ON maka LED Nyala SMK N 2 KUDUS 13 . dengan elektroda. Drain dan Gate. bahkan untuk ideal = 1.5 AV b). Emitor Bias. MOSFET banyak dipakai sebagai Switch berkecepatan tinggi. Basis 2 dan Emitor. ada dua tipe yaitu tipe P dan tipe N.Modul Elka 2. Transistor JFET d). MOSFET adalah Transistor FET yang terisolasi pada saluran Gate sehingga bekerjanya tidak dipengaruhi oleh polaritas Gate. JFET/FET adalah tergolong uni polar. Perbandingan arus Kolektor dengan arus Basis disebut β dc . Perbandingan antara arus Kolektor dengan arus Emitor disebut α dc besarnya α dc setiap Transistor lebih dari 95%. Transistor Uni Junction Transistor (UJT). 4). pada rangkaian Para Tegangan A = RC/r’e 6). 5). MOSFET ada dua tipe yaitu tipe Pdan tipe N. 3). Base Bias.

Persiapkan Function Generador i). 2 K ς. 4).Modul Elka 2. 4K7 ς. 10 K ς) masing2 c). Transistor ( BC 108. Tugas 5 1). C 828. Resistor ( 100 ς. Mengukur V Kolektor Emitor d. Mengukur V Basis c. Ukur besarnya β dc masing-masing dengan Transistor Cheker. Persiapkan Oscilosscope j). Project Board g). FCS 9013. Catu Daya regulasi h). C 945 ) masing 1 Buah b).5 AV a. Gambar Transistor masing-masing tentukan Terminologinya ! No 1 2 SMK N 2 KUDUS Spesifikasi BC 108 C 828 14 Jenis PNP/NPN β dc Terminologi 1 Buah 2 Buah 1 Unit 1 Unit 1 Unit 1 Unit 1 Unit 1 Unit masing- . Mengukur V Kolektor b. Persiapan Alat dan Bahan : a). kabel Penghubung secukupnya 2). Tentukan Jenis Transistor PNP/NPN dengan Multimeter ¡ 3). ELCO 1 µ F d). Transistor Cheker e). Multemeter f). FCS 9012. Mengukur B Basis-Emitor Gambar 103 : Mengukur Tegangan Pada Transistor d. D 313.

Amati perbandingan V Out dan V In. Hubungkan titik A dengan Function Generador dan CH 1 Oschilosscope. Gambar bentuk tampilan Output pada Chanel 2. berapa penguatannya ? 12). Ukur V TH ( Tegangan Basis) = ? 9).5 AV 3 4 5 6 FCS 9012 FCS 9013 D 313 C 945 Tabel 12 : Praktik Menentukan Jenis Transistor dan Terminologi 5). Setel Output Funcion pada gelombang Sinus 1 K Hz 1 mV p-p. Rangkailah Komponen-komponen berikut pada Project Boroad Out A BC 108 In B Gambar 104 : Rangkaian Penguat 1 Transistor 6). Ukur Tegangan Emitor / VE = ? 10). dan Titik B dengan Chanel 2 Oschilosscope 7).Modul Elka 2. Ukr Arus Emitor/ IE = ? 11). SMK N 2 KUDUS 15 . amati Output pada titik B dengan Oschilosscope Chanel 2 8).

sebutkan ! 2. Ada empat macam : Bipolar. Diketahui arus Emitor = 1 A. sebutkan elektrodanya ! 5. Gambarkan dua tipe Transistor Bipolar dan beri nama-nama Elektrodanya ! 3. FET/JFET dan MOSFET.5 AV 105 106 Gambar 105 :TRANSISTOR CHECKER Gambar 106 : Pin Out terminology Transistor Checker Gambar 107 : PROJECT BOARD (Papan Percobaan) e. Gambarkan Simbol MOSFET tipe P dan N. UJT. Gambarkan Simbol UJT dan beri nama-nama Elektrodanya ! 4. Gambar Transistor Bipolar : B = Basis E = Emitor C = Kolektor SMK N 2 KUDUS 16 . Ada berapa macam Transistor. Kunci jawaban Tes formatif 5 1.Modul Elka 2. Gambarkan Simbol JFET tipe P dan N. Tes formatif 5 1. sebutkan Elektrodanya ! 6. sedangkan arus Kolektornya 985 mA Hitung berapakah besarnya α dc = ? 7. 2. Sebutkan beberapa kegunaan Transistor dalam rangkaian ! c. Apabila arus Basis = 50 uA dan arus Kolektornya 10 mA β dc = ? 8.

sebutkan Elektrodanya D G G S D = Drain G = Gate G S = Source G S D SMK N 2 KUDUS 17 .Modul Elka 2.5 Gambar 108 : Simbol Transistor Bipolar 3. Gambar Simbol Transistor JFET berikut Elektrodanya D G G S Gambar 110 : JFET Tipe N G = Gate S = Source D = Drain D G G S S = Source D = Drain G = Gate Gambar 111 : JFET Tipe P 5. Gambarkan Simbol MOSFET tipe P dan N. Gambar Simbol Transistor UJT berikut Elektrodanya B1 = Basis 1 B2 = Basis 1 E = Emitor UJT AV Gambar 109 : Simbol Transistir UJT. 4.

Modul Elka 2. MOSFET tipe P AV Gambar 112 : Simbol MOSFET tipe N dan Tipe P 6. Penguat/ Amplifier. d. 1) 2) 3) 4) Tentukan Tipe masing-masing Transistor dengan Multimeter ! Tentukan nilai β dC masing-masing Transistordan dengan Transistor Cheker! Tentukan terminologi masing-masing Transistor dan gambar ! Masukkan hasilnya kedalam table ! No 01 02 03 04 05 06 SMK N 2 KUDUS Spesifikasi BC 109 C 945 C 829 BD 241 BF 258 BFS 17 18 Tipe β dC Terminologi . Alat dan Bahan : a).5 % 7. Transistor Cheker 1 Unit. Lembar kerja 5 1). BD 241. C 536) masing-masing 1 Buah. Filter Aktif. Pemilih Data/ Multiplexer Pemotong/ Choppers Pengendali Otomatis/Automatic Gain Controll g. b. C 829. BC 547. BSF 17. C 945. D 313. f. c. Besarnya α dc = 985/1000 = 98. e. Multimeter Sanwa 2 SP 20 D 1 Unit . MOSFET tipe N b.5 a. BC 109. b). c). g. BF 258. Pemakaiannya antara lain : a. Penyangga/Buffer. Saklar/ Switch. Transistor ( BC 108. Besarnya β dc = 10 mA/ 50 uA = 200 8.

5 AV 07 08 09 10 D 313 BC 108 BC 547 C 536 Tabel 13 : Kegiatan menentukan tipe dan terminologi Transisor SMK N 2 KUDUS 19 .Modul Elka 2.

Sign up to vote on this title
UsefulNot useful