PERCOBAAN II

BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR

2.1 Tujuan Penelitian

1. Memeriksa serta menentukan jenis dari BJT (NPN dan PNP).
2. Meneliti dan mempelajari karakteristik BJT.

2.2 Tinjauan Pustaka

2.2.1 Pengertian Transistor
Transistor adalah alat semikonduktor yang dipakai sebagai penguat, sebagai
sirkuit pemutus dan penyambung (switching), stabilisasi tegangan, dan modulasi
sinyal. Transistor umumnya digunakan sebagai sensor suhu dan pengubah
logaritmik. Transistor titik kontak ditemukan pada tahun 1948 oleh fisikawan
Jerman yang bernama Herbert Matare dan Heinrich Welker saat mereka bekerja
di Compagnie des Freins et SIGNAUX. Transistor dibedakan menjadi 2 yaitu BJT
dan FET
Penggunaan Transistor dalam rangkaian analog adalah digunakan
sebagai amplifier (penguat), rangkaian analog melingkupi pengeras suara, sumber
listrik stabil (stabilisator) dan penguat sinyal radio. Dalam rangkaian-rangkaian
digital, transistor digunakan sebagai saklar berkecepatan tinggi. Beberapa
transistor juga dapat dirangkai sedemikian rupa sehingga berfungsi sebagai logic
gate, memori dan fungsi rangkaian-rangkaian lainnya. Pemilihan fungsi tersebut
dilakukan sesuai kebutuhan dengan memilih jenis transistor yang ingin digunakan
sesuai dengan fungsi yang dibutuhkan. Karena banyaknya fungsi yang dimiliki
transistor tersebut, maka komponen ini banyak digunakan di rangkaian elektronika
seperti yang disebut di atas.

2.2.2 Pengertian BJT

BJT (Bipolar Junction Transistor/Transistor Pertemuan Dwikutub) adalah
salah satu jenis dari transistor.BJT adalah piranti tiga-saluran yang terbuat dari
bahan semikonduktor terkotori. BJT terdiri dari tiga daerah semikonduktor ter-
doping yang dipisahkan oleh dua sambungan PN (Positif Negatif).Ketiga daerah
tersebut adalah daerah emitor, daerah basis dan daerah kolektor. Transistor-
transistor awal dibuat dari germanium tetapi hampir .semua BJT modern dibuat
dari silikon. Beberapa transistor juga dibuat dari galium arsenid, terutama untuk
penggunaan kecepatan tinggi.

2.2.3 Jenis – Jenis BJT

Gambar 2.1 Struktur BJT NPN (kiri) dan PNP (kanan)

NPN dan PNP merupakan jenis-jenis dari BJT. NPN adalah satu tipe BJT,
dimana huruf N dan P menunjukkan pembawa muatan mayoritas pada daerah
yang berbeda dalam transistor. Hampir semua BJT yang digunakan saat ini adalah
NPN karena pergerakan elektron dalam semikonduktor jauh lebih tinggi daripada
pergerakan lubang, memungkinkan operasi arus besar dan kecepatan tinggi.
Transistor NPN terdiri dari selapis semikonduktor tipe-p di antara dua lapisan tipe-
n. Arus kecil yang memasuki basis pada tunggal emitor dikuatkan di keluaran
kolektor. Dengan kata lain, transistor NPN hidup ketika tegangan basis lebih tinggi
daripada emitor. Transistor PNP terdiri dari selapis semikonduktor tipe-n di antara
dua lapis semikonduktor tipe-p. Arus kecil yang meninggalkan basis pada moda
tunggal emitor dikuatkan pada keluaran kolektor. Dengan kata lain, transistor PNP
hidup ketika basis lebih rendah daripada emitor. Tanda panah pada simbol
diletakkan pada emitor dan menunjuk kedalam.
C C

B B

E E

Gambar 2.2 Simbol BJT PNP(kiri) dan NPN(kanan)

 BJT tetap menjadi peranti pilihan untuk beberapa penggunaan, seperti
sirkuit diskrit, karena tersedia banyak jenis BJT, transkonduktansinya yang tinggi
serta resistansi kekuasannya yang tinggi dibandingkan dengan FET. BJT juga
dipilih untuk sirkuit analog khusus, terutama penggunaan frekuensi sangat tinggi
(VHF), seperti sirkuit frekuensi radio untuk sistem nirkabel. Transistor dwikutub
dapat dikombinasikan dengan FET dalam sebuah sirkuit terpadu dengan
menggunakan proses BiCMOS untuk membuat sirkuit inovatif yang menggunakan
kelebihan kedua tipe transistor.

Berdasarkan teori, persamaan-persamaan yang digunakan untuk

menghitung arus pada basis dan collector adalah sebagai berikut.

𝑉𝐶𝐶
𝐼𝐵 = ......................................................(2.1)
𝑅𝐵

𝑉𝐶𝐶
𝐼𝐶 = 𝑅𝐶
.....................................................(2.2)

𝐼𝐶
𝛽= 𝐼𝐵
.......................................................(2.3)

Pada transistor BJT Voltage Divider Bias mempunyai rambatan basis

ganda, baik seri maupun paralel. Sehingga untuk mencari RB pada Voltage Divider
Bias dapat menggunakan persamaan berikut.
Untuk hambatan yang seri menggunakan persamaan:
𝑅𝐵 = 𝑅𝑡𝑜𝑡𝑎𝑙 = 𝑅1 + 𝑅2......................................(2.4)
Untuk hambatan yang paralel menggunakan persamaan:
1 1 1
𝑅𝐵 = 𝑅𝑡𝑜𝑡𝑎𝑙
= 𝑅1 + 𝑅2 ..............................................(2.5)
Atau
𝑅1𝑥𝑅2
𝑅𝐵 = 𝑅𝑡𝑜𝑡𝑎𝑙 = 𝑅1+𝑅2 ..............................................(2.6)

2.2.4 Karakteristik dan Daerah Kerja

Transistor BJT memiiliki 3 penggunaan yang berbeda, yaitu mode cut off,
mode linear amplifier, dan mode saturasi. Karakteristik dari masing-masing daerah
kerja tersebut dapat digunakan untuk menentukan fungsi transistor. Selain
digunakan untuk menentukan fungsi transistor, karakteristik juga digunakan untuk
menganalisa arus dan tegangan transistor.

Gambar 2.3 Grafik daerah kerja transistor

Karakteristik dari daerah kerja transistor tersebut adalah sebagai

berikut.
a. Cut Off
Daerah cut off merupakan daerah kerja transistor dimana transistor
menyumbat di hubungan antara collector – emitter. Daerah cut off dinamakan juga
sebagai daerah mati karena pada daerah ini transistor tidak dapat mengalirkan
arus dari collector ke emitter.
b. Saturasi
Daerah saturasi adalah keadaan dimana transistor mengalirkan arus
secara maksimum dari collector ke emitter sehingga transistor tersebut seolah-
olah terhubung pada hubungan collector – emitter.
c. Aktif
Pada daerah kerja aktif transistor biasanya digunakan sebagai penguat
sinyal. Transistor dikatakan bekerja pada daerah aktif karena transistor selalu
mengalirkan arus dari collector ke emitter walaupun tidak dalam proses penguatan
sinyal, hal ini ditujukan untuk menghasilkan sinyal keluaran yang tidak cacat.
Daerah aktif terletak antara daerah jenuh (saturasi) dan daerah mati (Cut-off).
2.3 Daftar Komponen dan Alat
1. Modul pratikum elektronika dasar.
2. Satu buah Multimeter digital.
3. Satu buah variabel Power Supply.
4. Datasheet Transistor yang digunakan.

2.4 Cara Kerja

2.4.1. Testing Kondisi BJT
1. Untuk BJT periksalah kondisi Transistor, dengan cara memeriksa dioda
emitter dan dioda collector dari Transistor.
2. Isilah tabel 2.1.

Tabel 2.1 Resistansi dioda BJT

BJT Hambatan Dioda Keterangan

AVO
No No Basis Basis keadaan Keterangan
Type Meter Baik Buruk
Seri Emiter Collector

Analog
1 BC547 NPN
Digital

Analog
2 BC557 PNP
Digital

2.4.2. Konfigurasi BJT

A. Fixed bias
1. Sebelum Transistor dirangkai, ukurlah dahulu besarnya hfe Transistor
dengan multimeter digital.
2. Buatlah rangkaian seperti pada gambar 2.4.
3. Setiap mulai mengukur, matikanlah dulu catu daya selama 5 menit
(agar Transistor dingin).
4. Kemudian on-kan catu daya dan segera ukur dan catat nilai dari IB, IC,
VCE, dan VBE.
5. Setiap 5 menit catatlah nilai dari IB, IC, VCE, dan VBE. Isi tabel 2.2
 Gambar 2.4 Konfigurasi Fixed Bias

Tabel 2.2 Hasil Pengamatan Konfigurasi Fixed bias

No IB IC VCE VBE β Keterangan

B. Voltage Divider Bias

1. Sebelum Transistor dirangkai, ukurlah dahulu besarnya hfe Transistor
dengan multimeter digital.
2. Buatlah rangkaian seperti pada gambar 2.5.
3. Setiap mulai mengukur, matikanlah dulu catu daya selama 5 menit
(agar Transistor dingin).
4. Kemudian on-kan catu daya dan segera ukur dan catat nilai dari IB, IC,
VCE, dan VBE.
5. Setiap 5 menit catatlah nilai dari IB, IC, VCE, dan VBE. Isi tabel 2.3
 Gambar 2.5. Konfigurasi Voltage divider bias

Tabel 2.3 Hasil Pengamatan Konfigurasi Voltage divider bias

No IB IC VCE VBE Β Keterangan

4
2.5 Data Hasil Percobaan
2.5.1. Testing Kondisi BJT
Dari percobaan yang dilakukan untuk melakukan testing terhadap kondisi
BJT dengan mengukur resistansi yang pada BJT tersebut. Didapatkan bahwa nilai
resistensinya seperti pada tabel 2.4 berikut ini.

Tabel 2.4 Hasil pengamatan resistansi BJT

BJT Hambatan Dioda Keterangan

AVO
No Basis Basis keadaan Keterangan
No Seri Type Meter Baik Buruk
Emiter Collector

Karena adanya
1 BC547 NPN Digital 0.637Ω 0.635Ω √ hambatan saat
pengukuran

Karena adanya
2 BC557 PNP Digital 0.629Ω 0.629Ω √ hambatan saat
pengukuran

2.5.2. Fixed Bias

Dari percobaan yang dilakukan untuk melakukan pengukuran terhadap
BJT Fixed Bias untuk mengetahui nilai tegangan collector – emitter (VCE) dan
tegangan di base – emitter (VBE). Didapatkan bahwa nilai dari VCE dan VBE adalah
seperti pada tabel 2.5 berikut ini.

Tabel 2.5 Hasil pengamatan konfigurasi Fixed Bias.

No IB IC VCE VBE β Keterangan

1 12𝑥10−5 𝐴 8𝑥10−5 𝐴 0.0074 V 0.624 V 0.66 BC 547

2 12𝑥10−5 𝐴 8𝑥10−5 𝐴 11.98 V 12.05 V 0.66 BC 557

2.5.3. Voltage Divider Bias
Dari percobaan yang dilakukan untuk melakukan pengukuran terhadap
BJT Fixed Bias untuk mengetahui nilai tegangan collector – emitter (VCE) dan
tegangan di base – emitter (VBE). Didapatkan bahwa nilai dari VCE dan VBE adalah
seperti pada tabel 2.6 berikut ini.

Tabel 2.6 Hasil pengamatan konfigurasi Voltage Divider Bias.

No IB IC VCE VBE β Keterangan

1 0.0048 A 0.12 A 3.78 V 3.635 V 25 BC 557

2 0.0048 A 0.12 A 12.16 V 0.756 V 25 BC 547

2.6 Analisa Data Hasil Percobaan
2.6.1 Testing Kondisi BJT
Transistor BJT yang baik akan memiliki nilai hambatan ketika diukur
menggunakan Avo-meter. Untuk melakukan testing kondisi BJT ini, kita
menggunakan 2 tipe transistor BJT, yaitu tipe NPN (BC547) dan transistor tipe
PNP (BC557). Saat melakukan percobaan, avo-meter menunjukan nilai resistansi
yang kecil, hal tersebut menunjukkan bahwa transistor dalam keadaan baik.
Seperti terlihat pada tabel 2.7 berikut ini.

Tabel 2.7 Hasil pengukuran terhadap BJT BC547 dan BC557 dengan avo-meter.

BJT Hambatan Dioda Keterangan

AVO
No Basis Basis keadaan Keterangan
No Seri Type Meter Baik Buruk
Emiter Collector

Karena adanya
1 BC547 NPN Digital 0.637Ω 0.635Ω √ hambatan saat
pengukuran

Karena adanya
2 BC557 PNP Digital 0.629Ω 0.629Ω √ hambatan saat
pengukuran

Saat testing kondisi BJT Tipe NPN (BC547), kita memeriksa kondisi
transistor dengan cara mengukur hambatan (resistansi) pada dioda emitter dan
dioda collector dari transistor tersebut. Pada percobaan yang telah dilakukan,
untuk memeriksa kondisi BJT kita menggunakan avo-meter digital, dimana probe
pada avo-meter digital diletakkan pada kaki emitter dan collector. Untuk probe
bermuatan positif diletakkan pada kaki emitter dan probe bermuatan negatif pada
kaki collector.
Dari hasil percobaan untuk melakukan testing kondisi BJT tipe NPN
(BC547), didapatkan nilai hambatan basis - emitter adalah 0.637Ω, kemudian
untuk hambatan dari basis - collector adalah 0.635Ω. Seperti yang kita ketahui
bahwa transistor yang memiliki hambatan mendekati 0 (hambatan yang kecil)
menunjukkan bahwa transistor tersebut dalam kondisi baik, sehingga percobaan
sesuai dengan teori.
 Saat testing kondisi BJT Tipe PNP (BC557), kita memeriksa kondisi
transistor dengan cara mengukur hambatan (resistansi) pada dioda emitter dan
dioda collector dari transistor tersebut. Pada percobaan yang telah dilakukan,
untuk memeriksa kondisi BJT kita menggunakan avo-meter digital, dimana probe
pada avo-meter digital diletakkan pada kaki emitter dan collector. Untuk probe
bermuatan positif diletakkan pada emitter dan probe bermuatan negatif pada
collector.
Dari hasil percobaan untuk melakukan testing kondisi BJT tipe PNP
(BC557), didapatkan nilai hambatan basis ke emitter adalah 0.629Ω, kemudian
untuk hambatan dari basis ke collector adalah 0.629Ω. Seperti yang kita ketahui
bahwa transistor yang memiliki hambatan mendekati 0 (hambatan yang kecil)
menunjukkan bahwa transistor tersebut dalam kondisi baik, sehingga percobaan
sesuai dengan teori.

2.6.2 Konfigurasi BJT

A. Fixed Bias
Fixed Bias adalah pemberian tegangan tahanan basis dan tahanan
collector. Rangkaian Fixed Bias untuk transistor ini cukup sederhana karena hanya
terdiri atas dua resistor RB dan RC. Kapasitor C1 dan C2 merupakan kapasitor
kopling yang berfungsi mengisolasi tegangan dc dari transistor ke tingkat sebelum
dan sesudahnya, namun tetap menyalurkan sinyal ac-nya. Untuk membuat BJT
dapat bekerja perlu diberi tegangan pada kaki-kakinya, tegangan ini disebut bias
voltage. Basis – emitter diberikan forward voltage, sedangan basis – collector
diberikan reverse voltage.
1. BJT NPN (BC547)
Untuk mencari kuat arus basis (IB) dapat menggunakan persamaan 2.1.
𝑉𝐶𝐶
𝐼𝐵 =
𝑅𝐵
12 𝑉
𝐼𝐵 =
100000 Ω
12 𝑉
𝐼𝐵 =
100000 Ω
𝐼𝐵 = 12𝑥10−5 𝐴
 Untuk mencari kuat arus pada collector (IC) dapat menggunakan
persamaan 2.2.
𝑉𝐶𝐶
𝐼𝐶 =
𝑅𝐶
12 𝑉
𝐼𝐶 =
150000 Ω
𝐼𝐶 = 8𝑥10−5 𝐴
Untuk mencari nilai 𝛽 dapat menggunakan persamaan 2.3.
𝐼𝐶
𝛽=
𝐼𝐵
8𝑥10−5
𝛽=
12𝑥10−5
𝛽 = 0,66 𝐴
2. BJT PNP (BC557)
Untuk mencari kuat arus basis (IB) dapat menggunakan persamaan 2.1.
𝑉𝐶𝐶
𝐼𝐵 =
𝑅𝐵
12 𝑉
𝐼𝐵 =
100000 Ω
12 𝑉
𝐼𝐵 =
100000 Ω
𝐼𝐵 = 12𝑥10−5 𝐴
Untuk mencari kuat arus pada collector (IC) dapat menggunakan
persamaan 2.2.
𝑉𝐶𝐶
𝐼𝐶 =
𝑅𝐶
12 𝑉
𝐼𝐶 =
150000 Ω
𝐼𝐶 = 8𝑥10−5 𝐴
Untuk mencari nilai 𝛽 dapat menggunakan persamaan 2.3.
𝐼𝐶
𝛽=
𝐼𝐵
8𝑥10−5
𝛽=
12𝑥10−5
𝛽 = 0,66 𝐴
 Dari perhitungan tersebut akan didapat data seperti pada tabel 2.8
berikut.

Tabel 2.8 Hasil pengamatan konfigurasi Fixed Bias

No IB IC VCE VBE β Keterangan

1 12𝑥10−5 𝐴 8𝑥10−5 𝐴 0.0074 V 0.624 V 0.66 BC 547

2 12𝑥10−5 𝐴 8𝑥10−5 𝐴 11.98 V 12.05 V 0.66 BC 557

Seperti yang terlihat pada tabel bahwa nilai tegangan collector-emitter

(VCE) dan tegangan basis-emitter (VBE) yang didapatkan saat percobaan
menggunakan BJT BC547 secara berurutan adalah 0.0074 V dan 0.624 V.
Sedangkan pada BJT BC557, nilai VCE dan VBE yang diperoleh saat percobaan
secara berurutan yaitu 11.98 V dan 12.05 V. Untuk nilai IB, IC, dan β pada BJT
BC547 maupun BJT BC557 yang diperoleh dari perhitungan menggunakan
persamaan memiliki nilai yang sama, yaitu IB didapatkan 12 x 10-5, nilai IC
didapatkan 8 x 10-5, dan nilai β didapatkan 0.66. Namun, Kedua tipe BJT tersebut
memiliki arah arus dan polaritas tegangan yang berlawanan. Dimana pada PNP
arah arus menuju pada emitter sedangkan pada NPN arah arus menuju pada
collector.
Dari pengujian transistor BJT tipe NPN atau channel-P (BC 547) dapat
dilihat bahwa pada saat basis-emitter diberikan arus maju, yaitu probe merah
(positif) disambungkan ke basis dan probe hitam (negatif) disambungkan dengan
emitter, avo-meter menunjukkan adanya hasil. Sedangkan pada saat basis-emitter
diberikan arus mundur, yaitu probe hitam (negatif) disambungkan ke basis dan
probe merah (positif) disambungkan dengan emitter, avo-meter tidak menunjukkan
hasil. Sedangkan pada basis-collector, ketika diberikan arus maju, maka avo-
meter akan menunjukkan adanya hasil. Sedangkan jika diberikan arus mundur
pada basis-collector, avo-meter tidak menunjukkan adanya hasil. Sesuai dengan
teori bahwa hal tersebut menunjukkan bahwa transistor BJT tipe NPN tersebut
sedang dalam keadaan baik, karena sesuai dengan sifat dari BJT tipe NPN, arus
hanya akan mengalir dari basis ke emitter dan dari basis-collector (P ke N).
Sedangkan dari pengujian transistor BJT tipe PNP atau channel-N (BC
557) dapat dilihat bahwa pada saat basis-emitter diberikan arus maju, avo-meter
tidak menunjukkan adanya hasil. Sedangkan pada saat diberikan arus mundur
pada basis-emitter, avo-meter menunjukkan adanya hasil. Pada basis-collector,
ketika diberikan arus maju, maka avo-meter tidak menunjukkan adanya hasil.
Sedangkan jika diberikan arus mundur pada basis-collector, avo-meter
menunjukkan adanya hasil. Sesuai dengan teori bahwa hal tersebut menunjukkan
bahwa transistor BJT tipe PNP tersebut sedang dalam keadaan baik, karena
sesuai dengan sifat dari BJT tipe PNP, arus hanya akan mengalir dari emitter ke
basis dan dari collector ke basis (P ke N). Sehingga dapat disimpulkan bahwa
percobaan beserta hasilnya sudah sesuai dengan teori.

B. Voltage Divider Bias

Voltage divider bias atau bias pembagi tegangan merupakan rangkaian
dengan pembagi tegangan (R1 dan R2) yang terhubung di kaki basis. Rangkaian
ini umumnya digunakan untuk membuat tegangan referensi dari sumber tegangan
yang lebih besar, titik tegangan referensi pada sensor, untuk memberikan bias
pada rangkaian penguat atau untuk memberi bias pada komponen aktif. Pada
transistor jenis NPN tegangan basis dan collectornya positif terhadap emitter,
sedangkan pada transistor PNP tegangan basis dan collectornya negatif terhadap
tegangan emitter.
1. BJT NPN (BC547)
Untuk mencari kuat arus pada basis (IB) dapat menggunakan persamaan
2.1 dan untuk mencari RB dapat menggunakan persamaan 2.6
𝑉𝐶𝐶
𝐼𝐵 =
𝑅𝐵
𝑉𝐶𝐶
𝐼𝐵 =
𝑅1𝑥𝑅2
𝑅1 + 𝑅2
12
𝐼𝐵 =
10000𝑥3300
13300
12
𝐼𝐵 =
33000000
13300
12
𝐼𝐵 =
2481.2
𝐼𝐵 = 0.0048 𝐴
 Untuk mencari kuat arus pada collector (IC) dapat menggunakan
persamaan 2.2.
𝑉𝐶𝐶
𝐼𝐶 =
𝑅3
12
𝐼𝐶 =
100
𝐼𝐶 = 0.12 𝐴
Untuk mencari nilai 𝛽 dapat menggunakan persamaan 2.3.
𝐼𝐶
𝛽=
𝐼𝐵
0.12
𝛽=
0.0048
𝛽 = 25

2. BJT PNP (BC557)

Untuk mencari kuat arus pada basis (IB) dapat menggunakan persamaan
2.1 dan untuk mencari RB dapat menggunakan persamaan 2.6
𝑉𝐶𝐶
𝐼𝐵 =
𝑅𝐵
𝑉𝐶𝐶
𝐼𝐵 =
𝑅1𝑥𝑅2
𝑅1 + 𝑅2
12
𝐼𝐵 =
33000000
13300
12
𝐼𝐵 =
2481.2
𝐼𝐵 = 0.0048 𝐴

Untuk mencari kuat arus pada collector (IC) dapat menggunakan

persamaan 2.2.
𝑉𝐶𝐶
𝐼𝐶 =
𝑅3
12
𝐼𝐶 =
100
𝐼𝐶 = 0.12 𝐴
 Untuk mencari nilai 𝛽 dapat menggunakan persamaan 2.3.
𝐼𝐶
𝛽=
𝐼𝐵
0.12
𝛽=
0.0048
𝛽 = 25
Dari perhitungan tersebut akan didapat data pada tabel 2.9 berikut ini.

Tabel 2.9 Hasil pengamatan konfigurasi Voltage Divider Bias.

No IB IC VCE VBE β Keterangan

1 0.0048 A 0.12 A 3.78 V 3.635 V 25 BC 557

2 0.0048 A 0.12 A 12.16 V 0.756 V 25 BC 547

Seperti yang terlihat pada tabel bahwa nilai VCE dan VBE yang didapatkan
saat percobaan menggunakan BJT BC557 secara berurutan adalah 3.78 V dan
3.635 V. Sedangkan pada BJT BCT547, nilai VCE dan VBE yang diperoleh saat
percobaan secara berurutan yaitu 12.16 V dan 0.756 V. Sedangkan untuk nilai IB,
IC, dan β pada BJT BC547 maupun BJT BC557 yang diperoleh dari perhitungan
menggunakan persamaan memiliki nilai yang sama. Namun, Kedua tipe BJT
tersebut memiliki arah arus dan polaritas tegangan yang berlawanan. Dimana
pada PNP arah arus menuju pada emitter sedangkan pada NPN arah arus menuju
pada collector.
Dari pengujian transistor BJT tipe NPN atau channel-P (BC 547) dapat
dilihat bahwa pada saat basis-emitter diberikan arus maju, avo-meter
menunjukkan adanya hasil. Sedangkan pada saat diberikan arus mundur pada
basis-emitter, avo-meter tidak menunjukkan hasil. Sedangkan pada basis-
collector, ketika diberikan arus maju, maka avo-meter akan menunjukkan adanya
hasil. Sedangkan jika diberikan arus mundur pada basis-collector, avo-meter tidak
menunjukkan adanya hasil. Sesuai dengan teori bahwa hal tersebut menunjukkan
bahwa transistor BJT tipe NPN tersebut sedang dalam keadaan baik, karena
sesuai dengan sifat dari BJT tipe NPN, arus hanya akan mengalir dari basis ke
emitter dan dari basis-collector (P ke N).
Sedangkan dari pengujian transistor BJT tipe PNP atau channel-N (BC
557) dapat dilihat bahwa pada saat basis-emitter diberikan arus maju, avo-meter
tidak menunjukkan adanya hasil. Sedangkan pada saat diberikan arus mundur
pada basis-emitter, avo-meter menunjukkan adanya hasil. Sedangkan pada basis-
collector, ketika diberikan arus maju, maka avo-meter tidak menunjukkan adanya
hasil. Sedangkan jika diberikan arus mundur pada basis-collector, avo-meter
menunjukkan adanya hasil. Sesuai dengan teori bahwa hal tersebut menunjukkan
bahwa transistor BJT tipe PNP tersebut sedang dalam keadaan baik, karena
sesuai dengan sifat dari BJT tipe PNP, arus hanya akan mengalir dari emitter ke
basis dan dari collector ke basis (P ke N). Sehingga dapat disimpulkan bahwa
percobaan beserta hasilnya sudah sesuai dengan teori.
2.7 Pertanyaan dan Jawaban
2.7.1 Pertanyaan
1. Jelaskan apa yang dimaksud dengan daerah cut-off, aktif, dan
saturasi?
2. Dari percobaan karakteristik transistor dengan multimeter, buatlah
grafik,
a. IC terhadap VCE
b. VBE terhadap IB
c. hFE terhadap IC.
3. Tentukan titik Q pada BJT, pada tiap konfigurasi!
4. Berdasarkan percobaan yang sudah anda lakukan jelaskan cara kerja
BJT!
5. Sebutkan kegunaan dari BJT serta aplikasinya?
6. Apa syarat – syarat transistor yang beroperasi pada daerah cut-off, aktif
dan saturasi, jelaskan jawaban anda menurut hasil percobaan!
7. Dari keempat jenis bias pada BJT, mana yang paling stabil (pergeseran
titik kerjanya sangat kecil)? Jelaskan!
8. Menurut anda apakah definisi dan kegunaan dari bias?
9. Jika hasil percobaan anda tidak sesuai dengan teori, mungkinkah
disebabkan oleh kerusakan transistor? jelaskan jawaban anda menurut
data percobaan yang diperoleh dan data sheetnya!
10. Bandingkanlah hasil pengukuran dengan perhitungan jelaskan dan beri
kesimpulannya
11. Berikan kesimpulan anda pada tiap-tiap percobaan dan berikan
kesimpulan umumnya pada akhir percobaan.
2.7.2 Jawaban
1. Daerah kerja BJT.
a) Daerah Cut Off
Daerah cut off merupakan daerah kerja transistor dimana transistor
menyumbat di hubungan antara collector – emitter. Daerah cut off sering
dinamakan sebagai daerah mati karena pada daerah kerja ini transistor tidak dapat
mengalirkan arus dari collector ke emitter. Pada daerah cut off, transistor dapat di
analogikan sebagai saklar terbuka pada hubungan collector – emitter.
b) Saturasi
Daerah kerja transistor saat jenuh adalah keadaan dimana
transistor mengalirkan arus secara maksimum dari collector ke emitter sehingga
transistor tersebut seolah-olah short pada hubungan collector – emitter. Pada
daerah ini transistor dikatakan menghantar maksimum (sambungan CE terhubung
maksimum).
c) Aktif
Pada daerah kerja ini transistor biasanya digunakan sebagai
penguat sinyal. Transistor dikatakan bekerja pada daerah aktif karena transistor
selelu mengalirkan arus dari collector ke emitter walaupun tidak dalam proses
penguatan sinyal, hal ini ditujukan untuk menghasilkan sinyal keluaran yang tidak
cacat. Daerah aktif terletak antara daerah jenuh (saturasi) dan daerah mati (Cut-
off).
2.
3. Titik Q pada tiap konfigurasi BJT.
a. Fixed bias
Pada fixed bias titik Q terjadi saat IC saturasi mencapai maksimum
dan berpotongan dengan VCE.
b. Bias emitter terstabilkan
Pada bias emitter terstabilkan titik Q point terjadi pada perpotongan
garis Ibo dan garis yang menghubungkan VCC dan VCC / RC+RE.
c. Voltage divider bias
Pada voltage divider bais titik Q point terjadi pada pertemuan garis
dari k dan VGE.
4. Cara kerja BJT.
Transistor BJT sering digunakan untuk penguatan sinyal listrik serta
pada saklar digital, Bipolar Junction Transistor (BJT) adalah komponen
semikonduktor yang dibuat dengan tiga terminal/kaki Semikonduktor
(Basis, Kolektor dan emitor), biasanya kaki/terminal basis dan emitor
memiliki tegangan penghalang sekitar 0,5 – 0,7 V, artinya bahwa
dibutuhkan tegangan listrik minimal antara 0,5 – 0,7 volt untuk bisa
membuat arus listrik mengalir melalui kaki emitor ke basis (basis ke
emitor) dan atau kolektor ke basis (basis ke kolektor).
Secara teknis cara kerjanya adalah komponen aktif dengan tiga
terminal terbuat dari bahan semikonduktor yang berbeda yang dapat
bertindak bisa sebagai isolator atau konduktor dengan menggunakan
tegangan dan sinyal yang kecil. Kemampuan transistor membuat
komponen ini disering digunakan dalam saklar (elektronika digital) atau
penguat (elektronika analog).

5. Kegunaan dari BJT diantaranya berfungsi sebagai saklar. Satu contoh

di mana transistor dipakai sebagai saklar adalah dalam rangkaian
elektronika digital. Dalam elektronika digital biasanya hanya terdapat
dua keadaan, yaitu voltase ada dan voltase nol atau dengan kata lain
hanya terdapat keadaan on dan off.
Kegunaan dari JFET salah satunya adalah penguat pemotong.
Membangun sebuah penguat tergandeng langsung dengan mangambil
kapasitor penggandeng dan bypass kapasitor serta manghubungkan
keluaran tiap tingkatan langsung pada input dari tingkatan berikutnya.
dengan cara ini tegangan dc digandeng, seperti tegengan ac.
Rangkaian yang dapat menguatkan sinyal ac dinamakan dengan
penguat dc. Keuntungan utama dari penggandengan langsung adalah
drift yaitu, pergeseran rendah tempat tegangan keluaran dc akhir
dihasilkan dengan perubahan kecil pada tegangan catu, parameter
transistor, dan variasi suhu.

6. Syarat transistor beroperasi pada daerah cut-off adalah arus kolektor

kecil, maka titik cut-off hamper menyentuh ujung bawah garis beban.
 Titik cut-off menyatakan tegangan kolektor emitter maksimum yang
mungkin dalam rangkaian. VCE maksimum yang mungkin sekitar 15 V,
yaitu tengangan catu kolektor.
Daerah saturation : Pada semua kondisi sering dipilih hambatan Basis
yang menghasilkan gain arusnya 10. Karena di sana lebih dari cukup
arus Basis untuk menjenuhkan transistor.
Daerah Aktif : Pada daerah ini transistor sebagai garis aliran amplifier
(IC = B * IB). Beta adalah salah satu dari parameter transistor, bagian
dari base transistor.Dimana nilainya berkisar dari 50 – 200, tapi bisa
juga sampai 800. Berada pada daerah aktif VBE = 0.6 – 0.7 V .

7. Dari keempat jenis bias BJT di atas yang paling stabil adalah Bias
pembagi tegangan. Karena berdasarkan pada prototype bias emitter
disebut dengan bias pembagi teganyan. Kita dapat mengenalinya
dengan adanya pembagi tegangan pada rangkaian Basis.

8. Bias ada dua macam yaitu Forward bias (bias maju) adalah hubungan
yang dihasilkan oleh pusat sumber negatif dihubungkan dengan beban
tipe-n dan pusat positif dihubungkan dengan beban tipe-p. Reverse
Bias adalah hubungan yang terjadi saat pusat negative baterai
dihubungkan pada sisi-dan pusat positif baterai dihubungkan dengan
sisi-n.

9. Jika hasil yang didapat setelah percobaan tak sesuai dengan teori,
dapat disebabkan karena rusaknya transistor. Kerusakan ini
diakibatkan oleh kurangnya perawatan yang baik atau mungkin
kerusakan ini disebabkan oleh faktor umur alat yang sudah lama.
Kerusakan transistor bisa saja terjadi karena transistor telah melewati
daerah breakdown.

10. Hasil dari pengukuran yang telah dilakukan pada saat percobaan
memberikan hasil yang berbeda dari hasil perhitungan berdasarkan
teori yang ada. Hal ini kemungkinan disebabkan oleh kesalahan
didalam pembacaaan skala pada alat ukur multimeter.
11. Kesimpulan dari hasil percobaan.
A. Kondisi BJT
BJT dapat dikatakan baik jika memiliki hambatan diode atau
hambatan diodenya dapat dihitung.

B. Karakteristik BJT
Penambahan VCE secara konstan tidak menyebabkan perubahan
IC atau perubahan IC sangat kecil (tidak signifikan).Besar β
ditentukan oleh besar IC dan IB.Besar arus colektor dan Emiter
adalah sama.
C. Konfigurasi BJT
Nilai IB, IC, VBE, dan β tetap konstan walaupun terjadi perubahan
waktu tetapi VCE mengalami perubahan nilai (tidak signifikan).
2.8 Simpulan
1. BJT adalah salah satu transistor yang memiliki 2 tipe yaitu tipe NPN dan
PNP. BJT tersusun atas tiga material semikonduktor ter-doping yang
dipisahkan oeh sambungan PN ( Positif Negatif) Ketiga daerah tersebut
adalah daerah emitor, daerah basis, dan daerah kolektor.
2. Cara mengetahui kondisi dari BJT adalah melakukan pengukuran
dengan menggunakan avo-meter terhadap resistensi BJT tipe PNP dan
NPN. Jika avo-avometer menunjukkan nilai resistani yang mendekati 0,
maka bisa dikatakan bahwa BJT tersebut dalam kondisi baik. Jika nilai
resistansi yang ditunjukkan besar dalam artian tidak mendekati 0 maka
dapat disimpulkan bahwa BJT tersebut dalam keadaan buruk atau rusak.
3. Setelah dilakukan perhitungan pada BJT Fixed Bias untuk mencarip IB,
IC, dan β, ternyata hasil yang didapatkan antara BJT tipe PNP dan NPN
adalah sama. Sedangkan saat melakukan pengukuran untuk mencari VBE
dan VCE, ternyata hasilnya menunjukkan bahwa nilai dari BJT tipe PNP
memiliki VBE dan VCE yang lebih besar dibandingkan dengan VBE dan VCE
pada tipe NPN.
4. Pada BJT Voltage Divider Bias, setelah dilakukan percobaan didapatkan
nilai IB, IC, dan β antara BJT tipe PNP dan NPN adalah sama. Namun,
nilai dari VBE pada BJT tipe PNP lebih besar dibandingkan dengan VBE
pada BJT tipe NPN, sedangkan untuk VCE pada BJT tipe PNP lebih kecil
dibandingkan dengan VCE pada BJT tipe NPN.
 DAFTAR PUSTAKA

Tanoto, Eko. 2010. Bipolar Junction Transistor

https://tanotocentre.wordpress.com/2010/10/26/bipolar-junction-transistor-bjt/
Diakses 18 Maret 2017
Sari, Novita. 2013. BJT
http://tiyaranofitasari.blogspot.co.id/2013/05/bjt-dan-fet.html
Diakses 19
Fairchild. Datasheet BC547.
htpps://www.sparkfun.com/datasheet/Components/BC547.pdf
Diakses 18 Maret 2017

Multicomp. Datasheet BC557. http://www.farnell.com/datasheets/296678.pdf

Daikses 18 Maret 2017
LAMPIRAN