Tabel Elemen Semikonduktor Periodik

P
O
L
S
R
I
P
O
L
S
R
I
 Susunan Atom

P
O
L
S
R
I
P
O
L
S
R
I
 Susunan Atom

P
O
L
S Gambar 1. Struktur 2 dimensi Kristal Silikon

R
I
P
O
L
S
R
I
P
O
L
S
R
I
P
O
L
S
R
I
P
O
L
S
R
I
P
O
L
S
R
I
 Langkah Langkah Karya Ilmiah

P
O
L
S
R
I
P
O
L
S
R
I
P
O
L
S
R
I
P
O
L
S
R
I
 1.Apa perbedaan semikonduktor intrinsik dan ekstrinsik ?
Jawab :
 Semikonduktor intrinsik adalah bahan semikonduktor murni (belum diberi
P campuran/pengotoran) dimana jumlah electron bebas dan holenya adalah sama
sehingga memungkinkan perpindahan muatan. Proses
O perpindahan muatan pada umumnya terjadi karena dua sebab yaitu :
karena adanya perpindahan elektron bebasdan karena adanya perpindahan
L hole (lubang), kedua-duanya bisa terjadi bersama-sama. Dalam
semikonduktor jenis intrinsik karena banyaknya elektron bebas sama dengan
S banyaknya hole yang terjadi. Selain itu konduktivitas semikonduktor intrinsik
sangat rendah, karena terbatasnya jumlah pembawa muatan hole maupun
R elektron bebas.
Semikonduktor ekstrinsik adalah semikonduktor yang sudah dimasukkan sedikit
I

ketidakmurnian (doping). Proses pemberian doping dimaksudkan untuk
mendapatkan elektron valensi bebas dalam jumlah lebih banyak dan
permanen, yang diharapkan akan dapat mengahantarkan listrik. Akibat doping
ini maka hambatan jenis semikonduktor mengalami penurunan.
Semikonduktor jenis ini terdiri dari dua macam, yaitu semikonduktortipe-P
(pembawa muatan hole) dan tipe-N (pembawamuatan elektron).
https://lecturer.ppns.ac.id/anggaratnugraha/2019/10/02/prinsip-dasar-dan-
pengertian-semikonduktor-semiconductor/
 2. Apa saja doping semikonduktor ?
Jawab :

P Beberapa bahan yang digunakan untuk menambahkan ketidakmurnian

semikonduktor antara lain adalah Arsenic, Indium , Antimony ,Gallium (Ga) ,
O phosporus (P) ,dan Boron (Br).
3. Bagaimana arus drift itu bisa terjadi ? Contoh arus drift ?
L Jawab :

S Bayangkan sebuah medan listrik diberikan pada suatu semikonduktor. Medan

listrik ini akan menghasilkan gaya yang bekerja baik pada elektron bebas
R ataupun hole, yang lalu akan mengalami pergerakan dan kecepatan drift.
Perhatikan sebuah semikonduktor tipe-n dengan sejumlah besar elektron bebas
I seperti terlihat pada Gambar 1. Medan listrik E lalu diberikan pada
semikonduktor ini pada suatu arah tertentu sehingga menghasilkan gaya pada
elektron – yang karena bermuatan negatif – dalam arah yang berlawanan.
Elektron tersebut akan memperoleh kecepatan drift vdn (dalam cm/s) yang
besarnya dimana μn adalah konstanta mobilitas elektron dan diukur dalam
cm^2/V-s. Untuk silikon yang terdadah-rendah (low-doped) nilai μn ini
biasanya berkisar sekitar 1350 cm^2/V-s.
 mengindikasikan seberapa baik sebuah elektron dapat bergerak didalam
semikonduktor. Tanda negatif pada persamaan menandakan bahwa kecepatan
drift elektron berlawanan arah dengan medan listrik yang diberikan. Kecepatan
P drift ini sendiri lalu akan menghasilkan kerapatan arus drift Jn (dalam A/cm^2),
yang besarnya adalah dimana n adalah konsentrasi elektron, dan e adalah besar
O (magnitude) muatan listriknya. Arus drift konvensional memiliki arah yang
berlawanan dengan aliran muatan negatif, yang berarti arus drift pada sebuah
L semikonduktor tipe-n akan memiliki arah yang sama dengan medan listrik yang
diberikan. Selanjutnya, perhatikan sebuah semikonduktor tipe-p dengan
S sejumlah besar hole seperti terlihat pada Gambar 2. Medan listrik E lalu
diberikan pada suatu arah tertentu sehingga menghasilkan gaya pada hole-hole
R tersebut – yang karena bermuatan positif – dalam arah yang sama. Hole tersebut
akan memperoleh kecepatan drift vdp (dalam cm/s), yang besarnya adalah
I dimana μp adalah konstanta mobilitas proton dan -sekali lagi- diukur dalam
satuan cm^2/V-s. Untuk silikon yang terdadah-rendah (low-doped) nilai μp ini
biasanya berkisar sekitar 480 cm^2/V-s, atau tidak sampai setengahnya dari
nilai mobilitas elektron up. Tanda positif pada persamaan menandakan bahwa
kecepatan drift hole searah dengan medan listrik yang diberikan. Kecepatan
drift ini sendiri akan menghasilkan kerapatan arus drift Jp (kembali, dalam
A/cm^2), yang besarnya adalah dimana p adalah konsentrasi hole, dan e adalah
besar (magnitude) muatan listriknya.
 Arus drift konvensional akan searah dengan aliran muatan positif, yang berarti
arus drift pada sebuah semikonduktor tipe-n akan memiliki arah yang sama
dengan medan listrik yang diberikan. Karena sebuah material semikonduktor
P selalu mengandung baik elektron maupun hole, kerapatan arus drift total
ditentukan sebagai jumlah dari kedua komponen arus tersebut, sehingga dan
O dimana σ ini sering disebut sebagai konduktifitas dari semikonduktor dan
ρ=1/σ sebagai resistifitas dari semikonduktor. Konduktifitas ini berhubungan
L erat dengan konsentrasi elektron dan hole. Apabila medan listrik yang timbul
dihasilkan akibat sebuah perbedaan potensial (tegangan), maka persamaan
S diatas akan menghasilkan hubungan yang linier antara arus dan tegangan,
sehingga akan sesuai dengan hukum Ohm. Dari persamaan kita juga dapat
R melihat bahwa konduktifitas dapat diubah dari semikonduktor tipe-n yang kuat
dimana n>>p dengan mendadah (doping) pengotor pemberi (donor), menjadi
I semikonduktor tipe-p yang kuat dimana p>>n dengan mendadah (doping)
pengotor penerima (acceptor). Kemampuan mengendalikan konduktifitas dari
sebuah semikonduktor dengan cara memilih pendadahan yang sesuai telah
memberi kita kesempatan untuk menghasilkan berbagai jenis komponen
elektronika yang tersedia saat ini Contohnya adalah arus yang terjadi pada
bahan resistif yang dipasang pada suatu tegangan listrik.
https://blog.ub.ac.id/bleng2/2012/02/26/teori-semikonduktor/
 4. contoh arus difusi dan penerapannya ?
Jawab :
P Pada difusi, partikel akan bergerak dari daerah dengan konsentrasi yang tinggi
menuju daerah dengan konsentrasi yang rendah. Ini adalah fenomena statistikal
O dan berhubungan dengan teori kinetik. Untuk menjelaskannya, baik elektron
maupun hole pada semikonduktor selalu berada pada pergerakan yang kontinyu.
L dengan kecepatan rata-rata yang ditentukan oleh suhu, dan dalam arah yang
acak oleh pengaruh struktur kristal. Secara statistik, kita dapat mengasumsikan
S bahwa untuk setiap instan manapun, sekitar setengah dari partikel pada daerah
dengan konsentrasi tinggi akan bergerak keluar dari daerah tersebut menuju
R daerah dengan konsentrasi yang lebih rendah. Kita juga dapat mengasumsikan
bahwa pada saat yang bersamaan, sekitar setengah dari partikel dari daerah
I dengan konsentrasi rendah bergerak menuju daerah dengan konsentrasi yang
lebih tinggi. Bagaimanapun juga, oleh definisi, terdapat lebih sedikit partikel
pada daerah dengan konsentrasi rendah daripada yang terdapat pada daerah
dengan konsentrasi yang lebih tinggi, Karenanya, aliran partikel akan bergerak
dari daerah dengan konsentrasi tinggi menuju daerah dengan konsentrasi yang
lebih rendah. Ini adalah proses difusi yang paling dasar.
https://blog.ub.ac.id/bleng2/2012/02/26/teori-semikonduktor/
 Sebagai contoh, perhatikan konsentrasi elektron yang bervariasi sebagai sebuah
fungsi jarak x, seperti yang terlihat pada Gambar 3. Difusi elektron dari daerah
dengan konsentrasi tinggi menuju daerah dengan konsentrasi yang lebih rendah
P menghasilkan aliran elektron dalam arah x negatif. Karena elektron bermuatan
negatif, maka arah arus konvensionalnya akan menjadi x positif.
O Kerapatan arus difusi dipandang sebagai difusi elektron dapat dinyatakan dalam
persamaan berikut . Dimana e adalah besar (magnitude) muatan elektron, dn/dx
L sebagai gradien konsentrasi elektron, dan Dn adalah koefisien difusi elektron.
Untuk hole, prinsip yang sama dapat digunakan. Pada Gambar 4, konsentrasi hole
S adalah sebuah fungsi jarak. Difusi hole dari daerah dengan koefisien tinggi ke
daerah dengan koefisien yang lebih rendah akan menghasilkan aliran hole dalam
R arah x negatif. Kerapatan arus difusi dipandang sebagai difusi hole dapat
dinyatakan dalam persamaan berikut. Dimana e adalah besar (magnitude) dari
I muatan, dp/dx sebagai gradien konsentrasi hole, dan Dp adalah koefisien difusi
hole. Perlu dicatat bahwa terjadi perubahan tanda pada kedua persamaan arus
difusi ini. Hal ini dikarenakan perbedaan dalam penandaan muatan listrik antara
muatan negatif elektron dengan muatan positif hole. Nilai mobilitas dalam
persamaan arus drift dan nilai koefisien difusi pada persamaan arus difusi
bukanlah dua kuantitas yang saling bebas. Keduanya terikat pada hubungan
Einstein, yakni (pada suhu kamar).
 1. Jelaskan apa yang dimaksud dengan donor dan akseptor pada semikonduktor ?
Jawab :
P Donor adalah jenis semikonduktor yang diberi impuritas yang bervalensi +5 (
P,As,Sb) tipe N.
O Akseptor adalah jenis semikonduktor yang diberi impuritas yang bervalensi +3
(Ln,Ga,B) tipe P.
L 2. Jelaskan prinsip semikonduktor pada LED !
S Jawab : Pembawa muatan pada sisi P dan sisi N adalak elektron dan hole. Bila arus
melalui alat, lubang dalam pita valensi bergerak melalui junction ke dalam bahan
R jenis N. Sebaliknya, elektron pita konduksi memasuki bahan jenis P berdekatan
dengan junction terdapat pembawa muatan yang berlebihan yang bergabung
I kembali dan menghasilkan perbedaan cahaya.
3. Mengapa pada semikonduktor murni atau intrinsik dapat terjadi perpindahan
muatan ?
Jawab : Perpindahan muatan terjadi karena 2 sebab yaitu : karena adanya
perpindahan elektron bebas dan karena adanya perpindahan hole. Kedua-duanya
bisa terjadi bersama-sama dalam semikonduktor jenis ini banyaknya elektron
bebas sama dengan banyaknya hole yang terjadi.
 4. Jelaskan struktur atom semikonduktor ?
Jawab : Atom menurut Bohr dimodelkan sebagai inti yang dikelilingi oleh elektron
P yang mengorbit. Inti atom memiliki muatan +, sedangkan elektron bermuatan
negatif. Inti atom cenderung menarik elektron negatif yang berputar dalam
O orbitnya. Makin besar daya tarik dari inti, kecepatan orbit elektron akan
meningkat. Orbit terdalam diisi oleh 2 elektron. Orbit kedua dari dalam diisi
L oleh 8 elektron. Dan orbit terluar diisi oleh 4 elektron, kita sebut si memiliki
konfigurasi 2-8-4. 14 elektron yang mengorbit pada inti si berputar menetralkan
S muatan dari inti atom dari luar adalah netral.

R https://www.scribd.com/doc/185933865/Contoh-Soal-Dan-Jawabn-Semikonduktor

I
 1. Apa yang dimaksud dengan doping dan contoh doping pada bahan
semikonduktor ekstrinsik ?
Jawab : Dalam produksi semikonduktor, doping menunjuk ke proses yang
bertujuan menambah ketidakmurnian kepada semikonduktor sangat murni
P dalam rangka mengubah sifat listriknya. Ketidakmurnian/ doping dimaksudkan
untuk mendapatkan elektron valensi bebas dalam jumlah lebih banyak dan
O permanen, yang diharapkan akan dapat menghantarkan listrik. Contoh : P, As,
B,Ga.
L 2. Sebutkan kelebihan dan kekurangan penggunaan Germanium sebagai
S semikonduktor !
Jawab :
R Kelebihan : Dalam semikonduktor sangat berguna dalam transistor dan
berbagai perangkat elektronik , konduktivitas tinggi, digunakan untuk dioda
I dan transistor, daya rendah dan sedang.
Kelemahan : Germanium kurang mengandung logam dan bersifat terbatas.
3. Sebutkan kelebihan dan kelemahan penggunaan Silikon sebagai semikonduktor !
Jawab :
Kelebihan : Memiliki sifat listrik yang lebih unggul dan lebih stabil pada suhu
tinggi, Digunakan untuk dioda dan transistor daya tinggi dan ketahanan termal
 Lebih tinggi daripada Germanium.
Kelemahan : membutuhkan titik jenuh yang jauh yang lebih tinggi,
P Konduktivitas lebih rendah dari Germanium.
4. Sebutkan perbedaan Silikon dan Germanium !
O Jawab:

L Silikon :
1. Memiliki arus bocor yang lebih rendah
S 2. keberadaannya di alam melimpah

R 3. Menghantar dengan tegangan maju kira-kira 0,6 V

Germanium :
I 1. Memiliki arus bocor yang lebih besar
2. Keberadaannya di alam lebih sedikit
3. Menghantar dengan tegangan maju kira-kira 0,2 V
http://yandi-sage.blogspot.com/2009/11/perbandingan-silikon-dan-
germanium.html
 1. Semikonduktor berfungsi sebagai konduktor jika diberi arus litrik tertentu, suhu
tertentu dan persyaratan tertentu. Jelaskan !
Jawab : Semikonduktor adalah sebuah bahan yang memiliki sifat konduktivitas
listrik yang tingkatannya ada di bawah konduktor, namun di atas insulator
P (isolator), atau dapat dikatakan berada di antara konduktor dan isolator.
Semikonduktor bersifat insulator (isolator) jika tidak diberi arus listrik dengan
O cara dan besaran arus tertentu. Namun, pada temperatur, arus, tata cara, dan
persyaratan kerja tertentu semikonduktor berfungsi sebagai konduktor, misal
L sebagai penguat arus, penguat tegangan dan penguat daya. Untuk
menggunakan suatu semikonduktor supaya bisa berfungsi harus tahu spesifikasi
S dan karakter semikonduktor itu, jika tidak memenuhi syarat operasinya maka
akan tidak berfungsi dan rusak.
R 2. Mengapa semikonduktor tidak sebaik bahan konduktor, tidak sebaik arus litrik
I pada konduktor ?
Jawab : Semikonduktor merupakan material yang memiliki sifat isolator dan
konduktordengan perbandingan 1:1, sehingga sifatnya ada di antara isolator da
n konduktor. Bahan semikonduktor merupakan material yang memiliki sifat
penghantar arus listrik yang paling bagus dikarenakan tidak memiliki
hambatan/ resistansi ataupun nilai resistansi mendekati nol. Sebuah
semikonduktor akan bersifat sebagai isolator pada temperatur yang sangat
rendah,akan tetapi pada temperatur ruang akan bersifat sebagai konduktor.
 Semikonduktor elementalterdiri atas unsur-unsur pada sistem periodik
golongan IV A seperti silikon (Si), Germanium(Ge) dan Karbon (C). Karbon
semikonduktor ditemukan dalam bentuk kristal intan semikonduktor.
P 3. Mengapa silikon termasuk kedalam bahan semikonduktor, apa yang
O menyebabkan silikon menjadi bahan semikonduktor ?
Jawab :
L Silikon lebih banyak digunakan daripada Gemanium karena sifatnya yang lebih
stabil pada suhu tinggi, Silikon terdapat paling banyak di muka bumi setelah
S oksigen. Namun, yang menjadi masalah adalah pemurniannya untuk dapat
digunakan menjadi bahan yang bersifat semikonduktor. Proses pemurniannya
R sulit, karena memerlukan titik leleh yang tinggi, seperti yang kita ketahui jika
struktur silikon termasuk dalam struktur kovalen raksasa, di mana sifat dari
I struktur kovalen raksasa adalah hanya akan meleleh pada suhu yang sangat
tinggi (di atas 1000oC). Silikon banyak digunakan dalam pembuatan penyearah
arus, dan transistor sebagai bahan semikonduktor.
https://wisnuanggia.blogspot.com/2016/07/semikonduktor.html
https://www.academia.edu/9874896/Fisika_Zat_Padat_Perbedaan_Isolator_Semik
onduktor_dan_Konduktor
 1. Apa perbedaan dari arus drift dan arus difusi ?
Jawab :
 Arus drift adalah arus yang ditimbulkan oleh mengalirnya muatan-muatan yang
P disebabkan oleh perbedaan potensial.
Sedangkan arus difusi, partikel akan bergerak dari daerah dengan konsentrasi
O

yang tinggi menuju daerah dengan konsentrasi yang rendah. Ini adalah fenomena
statistikal dan berhubungan dengan teori kinetik.
L 2. Pada peralatan listrik apa kegunaan dari bahan silikon ?
S Jawab : Komponen alat elektronik yang sering kita gunakan pada umumnya sudah
menjadikan silikon menjadi bahan utama sebagai penyusunnya. Transistor, diode,
R dan thermistor adalah contoh komponen alat elektronik yang memiliki peran
untuk menjalankan alat elektronik tersebut. Sirkuit terpadu (Bahasa inggris: IC
I atau Integrated Circuit) merupakan komponen yang berperan sebagai otak dari
alat elektronik. IC yang paling kompleks disebut mikroprosesor, biasa terdapat
dalam komputer yang kita kenal sebagai prosesor. Komponen ini juga dibentuk
dari silikon, karena didalamnya terdapat transistor. Selain itu pengaplikasian
silikon juga dibentuk dalam skala yang lebih besar, yaitu panel surya. Panel surya
merupakan alat yang mampu merubah energi cahaya menjadi energi listrik. Alat
ini digunakan sebagai salah satu cara pemanfaatan energi baru terbarukan yang
bersumber dari cahaya matahari.
 Panel surya menggunakan silikon sebagai bahan penyusunnya. Silikon yang
digunakan yaitu kristal silikon murni yang dipercaya dapat membuat efisiensi
dari panel surya ini cukup tinggi.
P https://blog.ub.ac.id/bleng2/2012/02/26/teori-semikonduktor/
O 3. Perbedaan Semikonduktor Intrinsik dan Ekstrinsik !
Jawab :
L  Semikonduktor intrinsik adalah bahan semikonduktor murni (belum diberi
S campuran/pengotoran) dimana jumlah electron bebas dan holenya adalah sama
sehingga memungkinkan perpindahan muatan. Germanium (Ge) dan Silicon
R (Si) mempunyai 4 elektron valensi.
 Semikonduktor ekstrinsik adalah semikonduktor yang sudah dimasukkan sedikit
I ketidakmurnian (doping), Pemberian doping dimaksudkan untuk mendapatkan
elektron valensi bebas dalam jumlah lebih banyak dan permanen, yang
diharapkan akan dapat mengahantarkan listrik. Akibat doping ini maka
hambatan jenis semikonduktor mengalami penurunan. Contoh Phosporus (P),
Arsenic (As), Boron (B), Galium (Ga).
https://blog.ub.ac.id/bleng2/2012/02/26/teori-semikonduktor/