TUGAS 12 FISIKA ZAT PADAT

KRISTAL SEMIKONDUKTOR

NAMA : SYAMSIDAR

NIM : 16033032

PRODI : PENDIDIKAN FISIKA

DOSEN : Drs. Hufri, M.Si

JURUSAN FISIKA

FAKULTAS MATEMATIKA DAN ILMU PENGETAHUAN ALAM

UNIVERSITAS NEGERI PADANG

2019
 KRISTAL SEMIKONDUKTOR

A. Konduktivitas, Laju Drift, Dan Mobilitas Pembawa Muatan Dalam Semikonduktor

Pada temperature tertentu, karena pengaruh termal dan vibrasi kisi, beberapa elektron pita
valensi selalu memberikan pita konduksi dengan kata lain, pada temperature biasa,
semikonduktor intrinsik selalu terdiri dari beberapa elektron bebas dalam pita konduksi
jumlahnya sama dengan hole pada pita valensi. Pada saat tidak ada medan listrik, hole dan
elektron ini berpindah dalam arah acak dan tanpa arus. Ketika terdapat medan listrik, elektron
dan hole mendapatkan percepatan ke arah ujung yang berlawanan dari medan dan kecepatannya
mulai meningkat. Naiknya kecepatan ini, tidak kontinu tanpa batas waktu karena tumbukan dari
pembawa dengan type yang bervariasi dari hambatan seperti inti atom, fonon, dll terdapat dalam
semikonduktor. Berdasarkan lintasan bebas rata-rata, pembawa memperoleh kenaikan rata-rata
pada kecepatan yang mana hilang selama tumbukan selanjutnya. Kecepatan ekstra atau tambahan
yang diperoleh dari pembawa karena adanya medan listrik disebut kecepatan drift dan
disimbolkan dengan vd. Kecepatan drift sebanding dengan kuatnya medan listrik .

atau

(1)

dimana konstanta  disebut mobilitas pembawa muatan dan didefinisikan sebagai kecepatan
drift yang diperoleh dari pembawa per satuan medan listrik.
Pada semikonduktor intrinsik, karena elektron berpindah ke pita konduksi kosong terdekat
sedangkan hole berpindah ke pita valensi terisi terdekat, maka sifat seperti mobilitas,
konduktivitas, dll dari elektron secara umum berbeda dari hole. Misalkan vdn, n, dan n symbol
dari kecepatan drift, mobilitas, dan konsentrasi dari elektron secara berturut-turut pada pita
konduksi. Maka rapat arus dari elektron diberikan oleh
Jn = nevdn (2)
dimana e adalah muatan elektron. Kita dapat menulis persamaan (1) untuk elektron adalah
vdn = n
Maka, dari persamaan (2) kita peroleh
Jn = nen (3)
Bandingkan dengan hukum Ohm, yaitu
Jn = n
dimana n merupakan konduktvitas listrik dari material, kita peroleh
n = nen (4)
Kita bisa menulis persamaan untuk konduktivitas untuk hole pada pita valensi sebagai
p = pep (5)
dimana p dan p adalah konsentrasi dan mobilitas hole secara berurutan. Maka konduktivitas
total dari material adalah
 = n + p = e ( nn + pp ) (6)
Untuk semikonduktor intrinsik
n = p = ni
maka persamaan (6) menjadi
 = e ni ( n + p ) (7)
Catatan penting untuk semikonduktor, perpindahan dari pembawa atau aliran dari arus pada
faktanya merupakan akibat dari dua proses :
i. Drift dari pembawa dibawah efek dari adanya medan; arus yang dihasilkan disebut
sebagai arus drift.
ii. Difusi dari pembawa dibawah efek dari kemiringan konsentrasi dari dopan di dalam
semikonduktor; arus yang sesuai disebut arus difusi.
Variasi dari Konduktivitas dengan Temperatur
Misalkan mobilitas tidak bergantung terhadap temperature, temperature bergantung pada
konduktivitas yang muncul karena variasi dari konsentrasi pembawa intrinsik, ni, dengan
temperature.

(8)

Dimana mn* dan mp* adalah massa efektif dari elektron dan hole secara berurutan. Eg adalah
celah pita, k adalah onstanta Boltzmann dan T adalah temperature mutlak.Substitusi persamaan
(8) ke persamaan (7), kita peroleh

(9)
Yang mana memberikan

(10)

Bagian pertama pada sisi kanan adalah bagian yang dominan. Plot dari ln  terhadap 1/T
merupakan garis lurus.

Kemiringan dari garis memberikan perkiraan dari celah pita dari semikonduktor.
B. Konsentrasi Pembawa Dalam Semikonduktor
1. Konsentrasi elektron dalam pita konduksi
Jumlah elektron bebas tiap satuan volume dalam jangkauan energi E dan E + dE dapat
ditulis sebagai
dn = D(E) f(E) dE (11)
dimana D(E) adalah kerapatan dari bentuk yang didefinisikan sebagai jumlah total listrik
tiap satuan volume dalam semikonduktor dan f(E) adalah fungsi distribusi Fermi yang
mewakili peluang dari hal yang mendiami energi E.

(12)

Dimana untuk D(E) valid untuk elektron bebas

(13)

sehingga diperoleh
 (14)

Konsentrasi dari elektron, n, pada pita konduksi diperoleh dengan mengintegralkan

persamaan (15)

Temperature ruangan mendati kT = 0.026 eV. Untuk energi lebih besar daripada Ec, kita
punya

Maka

Misal

 dE = kT dx

Untuk E = Ec, x = 0

Sekarang
Peluang keberadaan dari level Ec diberikan

Maka

Bagian pertama harus menunjukkan rapat efektif dari bentuk elektron pada sisi pita
konduksi disimbolkan dengan Nc.

2. Konsentrasi hole dalam pita valensi

Jumlah hole tiap satuan volume dalam jangkauan energi E dan E + dE dapat ditulis
sebagai
dp = D(E)(1- f(E)) dE
dimana (1- f(E)) merupakan peluang untuk energi E yang tidak ditempati elektron.

Rapat bentuk per satuan volume dalam pita valensi bisa ditulis sebagai
 Misal

 dE = kT dx

C. Sambungan P – N
Bila semikonduktor tipe p ditempatkan dengan bersentuhan dengan semikonduktor tipe n
maka akan terjadi aliran elektron dari bahan tipe n ke bahan tipe p sampai tercipta suatu
keseimbangan, yaitu bila arah Fermi kedua bahan menjadi identik. Akan tetapi, elektron ini tidak
dapat merambat jauh dari daerah sambungan itu karena semikonduktor bukan penghantar yang
baik. Daerah antara kedua bahan tersebut dinamakan daerah diplesi (pengosongan) karena daerah
ini mengosongkan pembawa muatan. Elektron dari arah donor dari bahan tipe n akan mengisi
hole dari arah akseptor dari bahan tipe p. Pada daerah diplesi ini arah donor tidak memberikan
elektron untuk pita hantar dan arah akseptor tidak memberikan hole dalam pita valensi.
 Kelebihan elektron yang telah memasuki bahan tipe p itu akan menyebabkan sisi dari daerah
diplesi pada bagian ini menjadi bermuatan negatif, dan ini cenderung untuk menolak tambahan
elektron dari daerah n. Pada keseimbangan terbentuk muatan negatif yang cukup untuk
menghentikan aliran elektron sehingga dengan demikian pada daerah pertemuan ini terbentuk
suatu medan listrik. Dalam keadaan ini terdapat dua arus, yaitu arus hole dan arus elektron dalam
arah yang berlawanan sehingga saling meniadakan.
Pada ujung (ekor) distribusi Fermi dari elektron dalam pita hantar dari daerah n adalah
sejumlah kecil elektron yang berada dalam daerah p yang energinya di atas dari bagian bawah
pita hantar. Elektron-elektron ini memiliki cukup energi untuk mendaki bukit potensial ke dalam
daerah p dimana dia berkombinasi dengan hole dan inilah yang menghasilkan arus kombinasi
elektron. Arus kombinasi ini diimbangi oleh arus termal elektron dari p ke n, yaitu arus elektron-
elektron yang tereksitasi secara termal dari pita valensi k pita hantar dari bah tipe p. elektron
dipercepat oleh medan listrik ke bahan tipe.
Bila kita berikan tegangan luar Vext melintasi sambungan ini sedemikian agar bahan tipe p itu
dibuat menjadi lebih positif dari bahan tipe n, maka kutub positif baterai harus dihutbungkan
dengan kutub negatifnya dihubungkan dengan sisi n. Efek dari baterai luar ini adalah untuk
merendahkan bukit potensial sebesar Vext. Keadaan ini dinamakan memberi tegangan maju atau
member bias maju. Arus termal elektron dari pita valensi p ke pita hantar n sama sekalli tidak
dipengaruhi oleh tegangan ini. Arus ini hanya bergantung pada banyaknya elektron dari sisi p
yang bisa merambat menuruni bukit potensial. Perubahan ukuran dari bukit potensial itu tidak
mengubah tingkat pertambahan elektron yang mengalir. Akan tetapi, kemampuan elektron untuk
mengalir kembali dari pita hantar tipe n ke tipe p menjadi dipertinggi. Oleh karena itu,
keseimbangan arus yang mengalir dari arah yang berlawanan menjadi terganggu dan kontribusi
yang terakhir ini akan mempengaruhi arus neto.
Bila daerah tipe p diberi bias lebih negatif daripada tipe n maka akan terjadi keadaan
sebaliknya. Keadaan ini dinamakan pemberian bias mundur.