Miftahul Hidayah/210322607274

Resume bab 1 dan 2 buku S. Mze

BAB 1
Physics and Properties of Semiconductors
1.1 Crystal Structure
1.1.1 Primitive Cell and Crystal Plane
Sel primitif merupakan kumpulan atom kecil yang dapat diulangi dan membentuk seluruh
kristal. Banyak semikonduktor yang memiliki struktur kisi intan atau zincblende yang
mana termasuk fase tetrahedral. Kisi tersebut dapat dianggap sebagai FCC. Berikut
merupakan beberapa gambar sel primitif

Karena perangkat semikonduktor dibangun di atas atau dekat permukaan semikonduktor,

orientasi dan sifat bidang kristal permukaan menjadi penting. Metode yang mudah untuk
mendefinisikan berbagai bidang dalam kristal adalah dengan menggunakan indeks Miller.
1.1.2 Resiprocal Lattice
Kisi resiprok dapat dinyatakan dengan:

Untuk vektor kisi resiprok dapat dinyatakan dengan:

Sel primitif dari kisi resiprok dapat diwakili oleh sel Wigner-Seitz. Sel Wigner-Seitz
dibuat dengan menggambar bidang garis bagi yang tegak lurus pada kisi resiprok dari
pusat yang dipilih ke lokasi kisi timbal balik terdekat yang ekuivalen. Sel Wigner-Seitz
dalam kisi resiprok disebut zona Brillouin pertama.
1.2 Energy Bands and Energy Gap
Pada struktur pita padatan kristal, yaitu hubungan energi-momentum (E-k), biasanya
diperoleh dengan menyelesaikan persamaan Schrödinger untuk masalah perkiraan satu
elektron. Teorema Bloch menjadi salah satu teorema terpenting yang mendasari struktur pita,
yang mana menyatakan bahwa jika energi potensial (r) bersifat periodik dalam ruang kisi
lurus, maka solusi fungsi gelombang (r,k) dari persamaan Schrödinger.

Dengan fungsi Bloch

Dari teorema Bloch juga dapat ditunjukkan bahwa energi E(k) bersifat periodik dalam kisi
timbal balik, yaitu E(k) = E(k+G), dimana G diberikan oleh Persamaan. 3. Untuk zona
Brillouin untuk kisi intan dan kisi zincblende sama dengan zona FCC dan
ditunjukkan pada Gambar 3a. pada semikonduktor terdapat tiga metode teoritis yang paling
sering digunakan adalah metode gelombang bidang ortogonalisasi, metode
pseudopotensial, dan metode k.p.
Untuk setiap semikonduktor terdapat rentang energi terlarang dimana keadaan yang
diperbolehkan tidak dapat ada. Daerah energi atau pita energi diperbolehkan berada di atas
dan di bawah celah energi ini. Pemisahan antara energi pita konduksi terendah dan energi
pita valensi tertinggi disebut celah pita atau energy gap.
 Pada suhu kamar dan tekanan atmosfer normal, nilai celah pita adalah 1,12 eV untuk Si dan
1,42 eV untuk GaAs. Secara umum energi gap dapat dinyatakan dengan persamaan berikut.

1.3 Carrier Concentration at Thermal Equilibrium

Semikonduktor mempunya kemampuan untuk didoping dengan berbagai jenis dan
konsentrasi pengotor untuk memvariasikan resistivitasnya. Selain itu, ketika pengotor ini
terionisasi dan pembawanya habis, mereka meninggalkan kerapatan muatan yang
menghasilkan medan listrik dan terkadang penghalang potensial di dalam semikonduktor.
Sifat seperti itu tidak terdapat pada logam atau isolator.
Semikonduktor tipe N memiliki pengotor pentavalen sehingga dapat menjadi pendonor
elektron (karena memberikan elektron lebih). Sementara, semikonduktor tipe P memiliki
pengotor trivalen sehingga dapat menjadi akseptor elektron (karena menerima elektron dari
pita valensi).

1.3.1 Carrier Consentration and Fermi Level

Untuk kasus semikonduktor instrinsik, jumlah elektron yang mengisi tingkat pita
konduksi dapat dinyatakan dengan:
 Untuk fungsi distribusi Fermi-Dirac dapat dinyatakan dengan

Dengan Ef adalah energi fermi yang dapat ditentukan dari tingkat neutralitas muatan.
- Nondegenerate semiconductors, yakni konsentrasi doping lebih kecil dari Nc dan
energi ferm lebih dari beberapa KT, maka

Untuk n-type

Untuk p-type

- Degenerate semiconductors
Terjadi ketika konsentrasi p mendekati kepadatan efektif (Nc atau Nv). Energi fermi
untuk tipe-n dinyatakan dengan

Untuk tipe-p

- Intrinsic concentration
Pada suhu terbatas, terjadi agitasi termal yang menghasilkan eksitasi elektron secara
terus menerus dari pita valensi ke sisi konduksi, dan meninggalkan jumlah lubang
yang sama pada pita valensi. Proses ini diimbangi dengan rekombinasi elektron pada
pita kon doksi dengan lubang pada pita valensi. Pada keadaan tunak, hasil
akhirnya adalah n=p=ni. Maka energi fermi dinyatakan dengan

Dan konsentrasi p dan dan n

1.3.2 Donor and Acceptors

Apabila semikonduktor diberikan doping, maka akan muncul tingkat energi pengotor di
dala celah energi. Pengotor donor mempunyai tingkat donor yang didefinisikan sebagai
netral jika diisi oleh elektron, dan positif jika kosong. Sebaliknya, tingkat akseptor
bersifat netral jika kosong dan negatif jika diisi oleh elektron.
 Untuk menghitung tingkat energi ionisasi pengotor maka digunakan perhitungan model

atom hydrogen.
Maka energi ionisasi donor dapat dinyatakan dengan

Energi ionisasi untuk donor dihitung dari Persamaan. 33 adalah 0,025 eV untuk Si dan
0,007 eV untuk GaAs. Perhitungan atom hidrogen untuk tingkat ionisasi akseptor serupa
dengan perhitungan donor. Energi ionisasi akseptor yang dihitung (diukur dari tepi pita
valensi adalah 0,05 eV untuk Si dan GaAs.
1.3.3 Calculation of Fermi Level
Ketika pengotor dimasukkan ke dalam kristal semikonduktor, bergantung pada tingkat
energi pengotor dan suhu kisi, tidak semua dopan harus terionisasi. Untuk konsentrasi

ionisasi donor dapat dinyatakan dengan

sedangkan untuk akseptor adalah

1.4 Carrier-Transport Phenomena
1.4.1 Drift and Mobility

Kecepatan drift dapat dinyatakan dengan

Untuk mobilitas ionisasi pengotor adalah

Gambar 15 menunjukkan mobilitas Si dan GaAs yang diukur versus konsentrasi pengotor
pada suhu kamar. Ketika konsentrasi pengotor meningkat (pada suhu kamar sebagian
besar pengotor terionisasi) maka mobilitas menurun.
1.4.2 Resistivity and Hall Effect

Arus drift semikonduktor

Dengan konduktansi

Maka resitivitasnya adalah

Efek Hall digunakan dalam praktik umum untuk mengukur sifat-sifat tertentu
semikonduktor: yaitu konsentrasi pembawa, mobilitas, dan jenis (n atau p). untuk gaya
Lorentz pada efek Hall harus sama dengan gaya yang dikerjakan oleh medan Hall

1.4.3 High-Field Properties

Pada medan listrik rendah, kecepatan drift dalam semikonduktor sebanding dengan
medan dan konstanta proporsionalitasnya adalah mobilitas yang tidak bergantung pada
medan listrik. Namun, ketika medannya cukup besar, ketidaklinieran dalam mobilitas
dan, dalam beberapa kasus, kejenuhan kecepatan penyimpangan dapat diamati.
Pada medan yang cukup tinggi, peristiwa hamburan yang paling sering terjadi adalah
emisi fonon akustik. Dengan demikian, pembawa rata-rata memperoleh lebih banyak
energi energi daripada yang dimilikinya pada kesetimbangan termal. Ketika medan
meningkat, energi rata-rata pembawa juga meningkat dan mereka memperoleh suhu
efektif yang lebih tinggi dari suhu kisi.
Pada kesetimbangan termal, pembawa memancarkan dan menyerap fonon dan laju
pertukaran energi bersih adalah nol. Sedangkan pada medan yang cukup tinggi, peristiwa
hamburan yang paling sering terjadi adalah emisi fonon akustik. Dengan demikian,
pembawa rata-rata memperoleh lebih banyak energi energi daripada yang dimilikinya
pada kesetimbangan termal. Ketika medan meningkat, energi rata-rata pembawa juga
meningkat dan mereka memperoleh suhu efektif yang lebih tinggi dari suhu kisi.
 Gambar 20a menunjukkan kecepatan drift suhu ruangan yang diukur versus medan listrik
untuk Si dan GaAs dengan kemurnian tinggi (konsentrasi pengotor rendah). Untuk
doping pengotor tingkat tinggi, kecepatan penyimpangan atau mobilitas di medan rendah
berkurang karena penghamburan pengotor. Namun, kecepatan pada medan tinggi pada
dasarnya tidak bergantung pada doping pengotor, dan mendekati nilai saturasi. Gambar
20b menunjukkan ketergantungan suhu pada kecepatan saturasi elektron. Dengan
meningkatnya suhu, kecepatan saturasi Si dan GaAs menurun.
1.4.4 Recombination, Generation, and Carrier Lifetimes
Apabila proses thermal-equilibrium terganggu, maka ada sebuah proses untuk
mengembalikan sistem pada kesetimbangan. Proses rekombinasi terjadi ketika pn>ni 2 dan
pembangkitan termal pn<ni2.
 Energi elektron dalam transisi dari pita konduksi ke pita valensi dipertahankan melalui
emisi foton (proses radiasi) atau dengan transfer energi ke elektron atau lubang bebas
lainnya (proses Auger). Proses pertama adalah kebalikan dari penyerapan optik langsung,
dan proses kedua adalah kebalikan dari ionisasi tumbukan.
1.4.5 Diffusion
Setiap kali terdapat gradien konsentrasi pembawa, proses difusi terjadi dimana pembawa
bermigrasi dari daerah dengan konsentrasi tinggi ke daerah dengan konsentrasi rendah,
untuk mendorong sistem menuju keadaan keseragaman dapat dirumuskan dengan

Untuk tipe-n

Untuk tipe-p
1.4.6 Thermionic Emission
Thermionic emission merupakan arus pembawa mayoritas dan selalu dikaitkan dengan
penghalang potensial. Agar emisi termionik menjadi mekanisme pengendali, kriterianya
adalah tumbukan atau proses difusi penyimpangan dalam lapisan penghalang dapat
diabaikan. Selain itu, setelah pembawa disuntikkan melewati penghalang, arus difusi di
wilayah tersebut tidak boleh menjadi batasnya.

1.4.7 Tunneling
 Tunneling Effect adalah keadaan dimana kuantum elektron dapat menerobos potensial
penghalang meskipun energinya lebih kecil dari pada potensial penghalangnya
(Christyaningsih, 2020).

Untuk menghitung probabilitas efek tunneling dapat digunakan persamaan Schrodinger

1.4.8 Space-Charge Effect

Muatan ruang dalam semikonduktor ditentukan oleh konsentrasi doping dan konsentrasi

free-carrier.
Untuk daerah semikonduktor netral maka n=ND dan p=NP maka muatan ruangnya sama
dengan nol. Dengan adanya efek muatan-ruang, jika arus didominasi oleh komponen
penyimpangan pembawa yang diinjeksikan, maka disebut arus terbatas muatan-ruang.
Muatan ruang ditentukan oleh carrier sehingga mendapatkan persamaan Poissson

1.5 Phonon, Optical, and Thermal Properties

1.5.1 Phonon Spectra
Fonon adalah kuanta gerak kisi yang dihasilkan dari energi panas kisi dan memiliki
karakteristik frekuensi dan bilangan gelombang. Dengan frekuensi osilasi
1.5.2 Optical Properties
Pengukuran optik digunakan untuk menentukan struktur pita semikonduktor. Selain itu,
dapat juga digunakan untuk mempelajari getaran kisi (fonon). Untuk material celah pita
langsung, transisi sebagian besar terjadi antara dua pita dengan nilai k yang sama
sedangkan untuk transisi tidak langsung, fonon terlibat untuk mengubah momentum.

1.5.3 Thermal properties

Apabila suhu diterapkan maka kepadatan arus total adalah

dengan P adalah daya thermoelektrik,

yang dapat dirumuskan . Daya

thermoelektrik bernilai negative untuk tipe-n dan positif untuk tipe-p.
1.6 Heterojunctions and Nanostructures
Heterojunction adalah persimpangan yang terbentuk antara dua semikonduktor yang berbeda.
Heterojungsi telah banyak digunakan di berbagai aplikasi perangkat. Fisika yang mendasari
heterojungsi epitaksi adalah pencocokan konstanta kisi. Ternyata jika konstanta kisi tidak
sangat tidak cocok, heteroepitaxy berkualitas baik masih dapat tumbuh, asalkan ketebalan
lapisan epitaksi cukup kecil.

Heterojunction dapat diklasifikasikan menjadi 3 macam:

- Tipe-I atau straddling heterojunction
- Tipe-II atau staggered heterojunction
- Tipe-III atau broken-gap heterojunction
Untuk rapat muatan dapat dicari dengan
BAB 2
p-n Junctions
2.1 Depletion Region
2.1.1 Abrupt Junction
Built-in Potential and Depletion-Layer Width. Terjadi ketika pengotor dalam
semikonduktor berubah dari akseptor ke donor.

Built potential dapat dinyatakan dengan

Untuk semikonduktor nondegenerate

Apabila salah satu junction mengalami degenerate, maka statistic Boltzmann tidak dapat
digunakan untuk menghitung energi fermi dan built potential-nya. Sehingga mendapatkan

persamaan Poisson

Untuk wilayah depletion menjadi

2.1.2 Linearly Graded Junction
Ketika lebar deplesi berakhir dalam wilayah transisi, profil doping dapat didekati dengan
fungsi linear. Maka persamaan Poisson adalah
 Maka untuk built potential adalah

Dengan
2.1.3 Arbitary Doping Profile
Dengan membatasi sisi-n pada p-n junction, perubahan net potensial pada junction dapat
diberikan dengan mengintegralkan total medan di seluruh wilayah deplesi.

Maka didapatkan kapasitansi dari depletion-layer adalah

2.2 Current-Voltage Characteristics

2.2.1 Ideal Case
Karakteristik tegangan-arus yang ideal didasarkan pada empat asumsi:
(1) Tegangan potensial dan tegangan terpasang didukung oleh lapisan dipol dengan batas
tiba-tiba, dan di luar batas tersebut semikonduktor dianggap netral;
(2) Pendekatan Boltzmann
(3) Kepadatan pembawa minoritas yang disuntikkan lebih kecil dibandingkan dengan
kepadatan pembawa mayoritas;
 (4) Tidak ada arus rekombinasi pembangkitan di dalam lapisan penipisan, dan arus
elektron dan lubang adalah konstan di seluruh lapisan penipisan.
Persamaan Shockley untuk hukum diode ideal dapat dirumuskan dengan

Persamaan Shockley cukup memprediksi karakteristik tegangan arus sambungan p-n

germanium pada kerapatan arus rendah. Namun, untuk sambungan p-n Si dan GaAs,
persamaan ideal hanya dapat memberikan persetujuan kualitatif. Penyimpangan dari
kondisi ideal terutama disebabkan oleh: (1) pembangkitan dan rekombinasi pembawa
pada lapisan yang terkuras, (2) kondisi injeksi tinggi yang mungkin terjadi bahkan pada
bias maju yang relatif kecil, (3) penurunan IR yang disebabkan oleh parasit terhadap
resistansi seri, (4) tunneling pembawa antar keadaan dalam celah pita, dan
(5) efek permukaan.
2.2.2 Generation-Receombination Process
Laju generation pasangan elektron-hole dapat dinyatakan dengan

Dengan total arus balik

Untuk semikonduktor dengan nilai ni yang besar (seperti Ge), komponen difusi akan
mendominasi pada suhu kamar dan arus balik akan mengikuti persamaan Shockley; tetapi
jika ni kecil (seperti Si), arus generation mungkin mendominasi.
2.2.3 High-Injection Condition
 Pada gambar menunjukkan hampir seluruh potensi penurunan terjadi di persimpangan.
Konsentrasi lubang di sisi-n kecil dibandingkan dengan konsentrasi elektron. Pada 10
A/cm² konsentrasi elektron di dekat junction jauh melebihi konsentrasi donor. Penurunan
potensial ohmik muncul pada sisi-n.
2.2.4 Diffusion Capacitance
Kapasitansi difusi terjadi ketika dibias maju, terdapat kontribusi yang signifikan terhadap
kapasitansi persimpangan dari penataan ulang kepadatan pembawa minoritas. Kapasitansi

difusi dapat dirumuskan dengan

2.3 Junction Breakdown
2.3.1 Thermal Instability
Kerusakan karena ketidakstabilan termal menjadi akibat atas kekuatan dielektrik
maksimum pada sebagian besar isolator pada suhu kamar, dan juga merupakan efek besar
pada semikonduktor dengan celah pita yang relatif kecil. Karena pembuangan panas yang
disebabkan oleh arus balik pada tegangan balik yang tinggi, suhu sambungan meningkat.
Peningkatan suhu ini, akan meningkatkan arus balik dibandingkan dengan nilainya pada
tegangan yang lebih rendah. Umpan balik positif inilah yang menyebabkan kerusakan.
2.3.2 Tunneling
Ketika medan mendekati 106 V/cm dalam Si, arus yang signifikan mulai mengalir
melalui proses penerowongan pita-ke-pita. Untuk memperoleh medan setinggi itu,
sambungan harus memiliki konsentrasi pengotor yang relatif tinggi pada sisi p dan n.
Mekanisme kerusakan pada sambungan p dengan tegangan rusaknya kurang dari 4Eg/q
disebabkan oleh efek tunneling.
2.3.3 Avalanche Multiplication
Tegangan avalanche breakdown memberikan batas pada bias balik untuk Sebagian besar
dioda, tegangan kolektor transistor bipolar, dan tegangan pembuangan MESFET serta
MOSFET. Selain itu, dapat juga digunakan untuk menghasilkan tenaga gelombang

mikro. Arus hole adalah

Voltage breakdown dapat dinyatakan dengan

2.4 Transient Behavior and Noise

2.4.1 Transient Behavior
 Transisi dari bias maju ke mundur serta sebaliknya dengan waktu transien yang cepat
diperlukan untuk penerapan switching. Meskipun pada p-n junction cukup cepat, tetapi
respon dari maju ke mundur dibatasi oleh penyimpanan muatan pembawa minoritas.
Tegangan sekitar junction dapat dirumuskan dengan

2.4.2 Noise
Noise mengacu pada fluktuasi spontan pada arus yang melewati atau tegangan yang
dihasilkan pada bahan semikonduktor. Noise dapat diklasifikasikan menjadi 3, yaitu:
a. Noise termal atau Johnson, disebabkan oleh Gerakan termal acak pembawa arus
dengan tegangan open-circuit mean-square

b. Flicker noise dengan sumber utamanya adalah efek permukaan.

c. Shot noise disebabkan oleh keleluasaan pembawa muatan yang berkontribusi
terhadap aliran arus.
2.5 Terminal Function
2.5.1 Rectifier
Penyearah merupakan dua terminal yang memberikan resistansi yang rendah dalam alirah
arus satu arah dan memberikan resistansi tinggi di arah aliran arus yang lain. Penyearah
dapat digunakan untuk mengubah sinyal AC menjadi gelombang yang berbeda. Dengan
resistansi maju

Dan resistansi balik

2.5.2 Zener Diode

Dioda Zener mempunyai tegangan breakdown yang terkontrol dengan baik yang disebut
tegangan Zener, dengan karakteristik kerusakan yang tajam pada daerah bias balik.
Kebanyakan dioda Zener terbuat dari Si, karena arus saturasi yang rendah pada dioda Si
karena tegangan breakdown Si melebihi 7 V.
2.5.3 Varistor
Varistor (resistor variabel) adalah perangkat dua terminal yang menunjukkan perilaku
nonohmik. yaitu resistansi yang bergantung pada tegangan. Penerapan varistor yang
menarik adalah penggunaannya sebagai pembatas tegangan pecahan simetris (≈ 0,5 V)
dengan menghubungkan dua dioda secara paralel, kutub berlawanan. unit dua dioda akan
menunjukkan karakteristik I-V maju di kedua arah. Varistor digunakan dalam modulasi
gelombang mikro, pencampuran, dan deteksi (demodulasi).
2.5.4 Varactor
Varactor (reaktor variabel) merupakan perangkat yang reaktansi (atau kapasitansi) dapat
divariasikan secara terkendali dengan bias tegangan DC. Dioda Varactor banyak
digunakan dalam amplifikasi parametrik, pembangkitan harmonik, pencampuran, deteksi,
dan penyetelan variabel tegangan.
Wilayah lebar deplesi dan kapasitansi dapat dirumuskan dengan

2.5.5 Fast-Recovery Diode

Perangkat yang dirancang untuk memberikan kecepatan peralihan yang sangat tinggi.
Fast-recovery diode dapat diklasifikasikan menjadi dua jenis: dioda sambungan pn dan
dioda logam-semikonduktor. Total waktu pemulihan (t1+t2) untuk dioda p-n junction
dapat dikurangi secara signifikan dengan memperkenalkan pusat rekombinasi, seperti Au
dalam Si, untuk mengurangi lifetime dari pembawanya. Dioda semikonduktor logam
(dioda Schottky) menunjukkan karakteristik berkecepatan sangat tinggi karena
merupakan perangkat pembawa mayoritas dan efek penyimpanan pembawa minoritas
dapat diabaikan.
2.5.6 Charge-Storage Diode
Digunakan untuk mengurangi fase peluruhan tanpa memperpendek fase penyimpanan.
Kebanyakan dioda penyimpan muatan terbuat dari Si dengan masa pakai pembawa
minoritas yang relatif lama berkisar antara 0,5 hingga 5 µs. Mekanisme untuk
mengurangi fase peluruhan adalah dengan profil doping khusus sehingga muatan yang
disuntikkan lebih dekat ke junction.
2.5.7 p-i-n Diode
Merupakan sambungan p-n dengan lapisan intrinsik (wilayah-i) yang diapit di antara
lapisan-p dan lapisan-n. Fitur khususnya adalah mempunyai lapisan intrinsik lebar yang
memberikan sifat unik seperti kapasitansi rendah dan konstan, tegangan breakdown pada
 bias balik, dan yang paling menarik, sebagai variolosser (attenuator variabel) dengan
mengendalikan resistansi perangkat yang bervariasi kira-kira linier
dengan arus bias maju. pada diode p-i-n, sinyal kecil pada frekuensi tinggi (>1/2𝜋𝜏) di
mana pembawa yang disimpan dalam lapisan intrinsik tidak sepenuhnya tersapu oleh
sinyal RF atau oleh rekombinasi. Dengan resistansi RF

2.6 Heterojunctions
Merupakan wilayah antarmuka dua semikonduktor berbeda yang membantu untuk
menurunkan celah pita dan mencegah rekombinasi pembawa muatan karena banyaknya
pita valensi dan konduksi (Shetgaonkar et al., 2023).
2.6.1 Anisotype Heterojunction
Merupakan junction antara dua semikonduktor dengan jenis konduktivitas yang
berlawanan. Ketika junction terbentuk antara semikonduktor, profil pita energi pada
kesetimbangan adalah seperti yang ditunjukkan pada gambar b di bawah untuk
heterojungsi anisotipe n-p di mana, dalam contoh ini, material celah pita
sempit adalah tipe-n.

Untuk lebar deplesi dan kapasitansi dapat dirumuskan dengan

2.6.2 Isotype Heterojunction

Merupakan junction antara dua lapisan semikonduktor yang berbeda, di mana keduanya
didoping baik tipe p maupun n (Gil, 2013). Oleh karena fungsi kerja semikonduktor celah
 pita lebar lebih kecil, pita energi akan dibengkokkan berlawanan dengan pita
energi pada kasus n-p seperti pada gambar.

Kuat medan dapat dirumuskan dengan

Referensi
Christyaningsih, R. Y. (2020). “Tunneling Effect” Sebagai Pengaplikasian Fisika Kuantum-
Potensial Bervariasi.
Gil, M. (2013). Analytical Modelling of Isotype Heterojunctions. In Mcmaster University.
Galson, J.S. (2019). Solid State Physics: An Introduction to Theory. Academic Press
Sze, S. M. (2007). Physics of Semiconductor Devices. John Wiley&Sons, Inc
Shetgaonkar, S. S., Naik, A. P., Naik, M. M., & Morajkar, P. P. (2023). Chapter 1 - Coupling of
photocatalytic and bioremediation processes for enhanced mitigation of xenobiotic
pollutants from wastewater. In P. Morajkar & M. B. T.-A. in N. and B. Naik (Eds.),
Progress in Biochemistry and Biotechnology (pp. 3–38). Academic Press.
https://doi.org/https://doi.org/10.1016/B978-0-323-95253-8.00001-2