Kelompok 6

Kristal Semikonduktor
Intrinsik
Novia Silvianti 1182070044
Rifqi Abdul Hakim 1182070049
Sarah Azizah Z 1182070057
Sri Prihatini 1182070063
 Sub Pokok Pembahasan

 Kristal Semikonduktor Intrinsik

 Teknik Pengukuran Celah Energi
 Massa Efektif
 Konsentrasi Elektron dan Hole
 01
Kristal Semikonduktor
Intrinsik
Pengertian Semikonduktor
Semikonduktor merupakan bahan dengan konduktivitas listrik yang berada diantara isolator dan konduktor. Berdasarkan
konduktivitas listriknya, semikonduktor merupakan bahan yang mempunyai resistivitas antara konduktor dan isolator.
Sebuah semikonduktor akan bersifat sebagai isolator pada temperatur yang sangat rendah, namun pada temperatur ruang
akan bersifat sebagai konduktor.
Contoh bahan semikonduktor adalah:
 Silikon (Si)
 Germanium (Ge)
 Galium Arsenida (GaAs)
 Perbandingan
Resistivitas bahan
No Bahan Klasifikasi Resistivitas
1 Tembaga Konduktor yang baik
2 Germanium Semikonduktor
3 Kaca Isolator
4 Nichrome Bahan resistan

secara elektrik germanium tidak dapat dianggap sebagai konduktor atau isolator atau
sebuah bahan resistan.
Sifat Semikondutor

1 3
Resistivitas semikonduktor Ketika ketakmurnian metalik
lebih kecil dari pada isolator yang tepat (seperti arsenik,
tetapi lebih besar dari pada gallium, dsb.) ditambahkan ke
konduktor dalam semikonduktor, maka
sifat-sifat konduksi arusnya
2 berubah cukup besar.

Semikonduktor memiliki
resistansi dengan koefisien
suhu negatif
 Ikatan dalam
semikonduktor
Dalam semikonduktor, ikatan
terbentuk dengan penggunaan
bersama elektron-elektron
valensi. Ikatan itu disebut
sebagai ikatan kovalen.
 “Semikonduktor intrinsik merupakan semikonduktor yang terdiri atas

n d u kt or satu unsur saja, misalnya Si saja atau Ge saja.”

S e m ik o Menurut tori pita energi, pada pita valensi semikonduktor terisi penuh

in tr in sik elektron, sedangkan pita konduksi kosong. Kedua pita tersebut

dipisahkan oleh celah energi kecil, yakni dalam rentang 0,18 - 3,7 eV.
Pada suhu kamar Si dan Ge masing-masing memiliki celah energi 1,11
eV dan 0,66 eV.
 02
Teknik Perhitugan
Celah Energi
Bagan pita energi untuk semikonduktor
murni
 Cara untuk Mengukur Celah Energi

01
02
Teknik
Teknik penyerapan
penyerapan tidak langsung
langsung
Bagan teknik Penyerapan langsung
Teknik Penyerapan
Langsung Selanjutnya, jika energi foton
itu kita perbesar sedikit demi
sedikit sehingga mulai ada
foton yang tidak ditangkap
kristal semikonduktor oleh ditektor, maka berarti
yang akan diukur celah pada saat ini penyerapan
energinya dijatuhi foton foton oleh kristal mulai
monokromatik terjadi.

Apabila foton monokromatik

yang datang pada kristal
semikonduktor masih diteruskan
oleh kristal itu, maka berarti
penyerapan foton oleh kristal
belum terjadi.
 Kurva penyerapan sebagai fungsi energi pada
• Pada saat mulai terjadi penyerapan teknik penyerapan langsung.
foton oleh kristal berarti elektron-
rlrktron pada pita valensi mulai

. memperoleh energi yang cukup untuk

meloncati celah energi.

• Sehingga pada saat ini timbul hole

(lubang) di pita valensi dan elektron

. konduksi di pita konduksi

• Oleh karena itu, pada saat mulai

terjadinya penyerapan, energi foton
yang diserap kristal adalah tepat

. sama dengan nilai celah energi dari

kristal semikonduktor tersebut.
Teknik
penyerapan tak
selain foton, fonon mungkin
langsung diserap oleh kristal atau
timbul di dalam kristal.

Pada teknik penyerapan tak Sehingga pada proses ini

langsung di samping kita akan memperoleh tiga
melibatkan elektron dan partikel, yaitu elektron
hole juga melibatkan konduksi , hole, dan fonon
partikel lain yaitu fonon
Kurva penyerapan sebagai fungsi energi
pada teknik penyerapan tak langsung.
awal penyerapan terjadi pada saat
energi foton monokromatik ħ ω = Eg
+ ħΩ.

Pada proses ini berarti fonon muncul di

dalam kristal semikonduktor bersamaan
dengan munculnya hole di pita valensi dan
elektron di pita konduksi

Jika nilai ħ ω = Eg - ħ Ω, maka

berarti bahwa fonon bersama foton
diserap oleh kristal semikonduktor.
 03
Masa Efektif
 fe kt if
a sa E
M o n
El e ktr

Massa efektif elektron merupakan massa elektron dalam pita

energi ketika mengalami gaya atau percepatan. Besarnya massa
efektif elektron ditentukan dari persamaan gerak elektron.
langkah-langkah
menentukan besarnya
massa efektif
 04
Konsenterasi Elektron
dan Hole
Konsentrasi Elektron dan Hole
Pada keadaan , semua electron yang berada dipita konduksi akan turun ke pita valensi, sehingga pita
konduksi menjadi kosong dan pita valensi menjadi penuh. Dan pada saat ini semikonduktor berubah
menjadi isolator. Sebaliknya pada keadaan suhu yang tinggi, electron – elektron di pita valensi akan
loncat ke pita konduksi, sehingga pita konduksi akan diisi oleh banyak elektron. Akibatnya, pada suhu
tinggi konduktivitasnya menjadi besar, dan semikonduktor berubah menjadi isolator. Pada saat elektron
– elektron tersebut loncat ke pita konduksi, di pita valensi timbul kekosongan. Kekosongan ini sering
disebut lubang (hole). Dalam semikonduktor intrinsik, jumlah electron konduksi adalah sama dengan
jumlah hole.

Konsentrasi electron konduksi di pita konduksi (hole di pita valensi) adalah berganutng pada energi
luar dan pada celah energi .
Menghitung konsentrasi electron konduksi dengan menggunakan fungsi distribusi Fermi-Dirac. Fungsi ini menentukan besar kecilnya
peluang electron untuk tereksitasi ke tingkat yang lebih tinggi bila suhu suatu zat padat bertambah.

Untuk pita konduksi dalam sebuah semikonduktor kita misalkan pada suhu kamar , sehingga Artinya nilai 1 dalam penyebut persamaan
diatas dapat diabaikan.

Energi sebuah electron di dalam sebuah pita konduksi dapat di nyatakan dengan :

Tingkat energi sebanding dengan akar kuadrat dari energi itu sendiri, sehingga

Rapat keadaan dalam pita konduksi dan batas bawah pita konduksi, maka persamaan diatas harus di tulis :
Selanjutnya …
Jumlah electron konduksi dalam pita konduksi dapat dihitung sebagai berikut :

Dengan menggunakan persamaan dan persamaan , kita peroleh nilai N sebagai berikut :

Konsentrasi (n) electron konduksi didefinisikan sebagai jumlah electron konduksi persamaan satuan volume. Jadi n dapat ditulis :

Dengan menggunakan Teknik perubahan variabel,

Persamaan diatas menyatakan konsentrasi electron konduksi sebagai fungsi suhu dan sebagai fungsi energi potensial kimia
Fungsi distribusi Fermi-Dirac (peluang) untuk hole yang berada di tingkat energi pada pita valensi dapat dihubungkan dengan fungsi
distribusi Fermi-Dirac (peluang) untuk electron f di tingkat energi yang sama melalui persamaan berikut :

Dimana adalah peluang untuk menemukan electron ditingkat energi E pada pita valensi. Jika f (E) = 1, maka . artinya, electron
masih berada di pita valensi belum loncat ke pita konduksi, sehingga hole tidak terbentuk. Secara matematik dapat ditulis sebagai
berikut :

Pembilang dan penyebut pada persamaan diatas kita bagi dengan , sehingga persamaan tersebut menjadi :
Jika , maka nilai , sehingga angka 1 pada penyebut dalam persamaan diatas dapat diabaikan.

Persamaan diatas menyatakan nilai peluang (fungsi distribusi Fermi-Dirac) untuk menemukan hole di tingkat energi E pada pita valensi.
Selanjutnya kita tentukan rapat keadaan untuk hole. Karena hole dianggap sebagai partikel yang bermassa dan energi maksimum untuk
hole adalah , maka rapat keadaan dapat ditulis :

Dengan menggunakan persamaan diatas, kita dapat menghitung konsentrasi hole (p) di pita valensi dengan menggunakan prosedur yang
sama dengan prosedur menghitung konsentrasi electron di pita konduksi. Sehingga konsentrasi hole (p) dapat dihitung :
P = H/V
Dimana H = jumlah hole di pita valensi dan V = volume. Nilai H dapat dihitung dari persamaan berikut :
Selanjutnya …
Dengan menggunakan Teknik perubahan variabel, kita dapat
memperoleh jumlah hole sebagai berikut :

Jadi konsentrasi hole dapat diperoleh dengan menggunakan

persamaan :
Persamaan diatas menyatakan konsentrasi electron
atau hole sebagai fungsi suhu (T) dan sebagai
fungsi celah ().
Persamaan diatas menyatakan konsentrasi hole sebagai fungsi
suhu dan energi potensial kimia . Namun bukan merupakan
fungsi dari energi celah dan suhu.