BAB 8

SIFAT SIFAT SEMIKONDUKTOR

Beberapa dari sifat-sifat logam telah dapat dijelaskan dengan baik melalui teori
elektron bebas, dalam teori pita pembahasan sifat-sifat logam mempertimbangkan adanya
sifat dari periodisitas potensial pada kisi kristaL Pada bab ini akan dibahas sifat-sifat dari
semikonduktor dan kaitannya dengan struktur pita energinya. Pembahasan diawali melalui
gambaran kualitatif dari perilaku semikonduktor murni yang disebut semikonduktor
intrinsik, kemudian dilanjutkan membahas bagaiman perilaku ini dimodifikasi untuk
semikonduktor ekstrinsik dengan kehadiran sejumlah pengotor tertentu. Akhirnya
pembahasan dilanjutkan dengan analisa kuantitatif dari fantor-faktor yang menyusun
konsentrasi pembawa muatan semikonduktor.

8.1 Semikonduktor Intrinsik

Sebuah semikonduktor hanya menunjukkan sifat-sifat intrinsiknya yang dihasilkan
oleh kemurniannya. Tingkat kemurnian dari sebuah semikonduktor bergantung pada lebar
dari pita terlarangnya dan temperatur. Seperti Germanium yang memiliki lebar pita
terlarang 0,665 ev pada suhu kamar adalah bersifat intrinsik. Di pihak lain semikonduktor
silikon pada suhu kamar memiliki lebar pita terlarang 1,12 ev.
Konduktivitas dari sebuah semikonduktor dihasilkan oleh keadaan pita valensi dan
pita konduksinya. Seperti telah diketahui bahwa keberadaan konduktivitas sebuah
semikonduktor pada temperatur biasa yang membedakan semikonduktor dengan sebuah
isolator. Seperti telah dijelaskan pada bab terdahulu struktur pita dari semikonduktor
adalah sedemikian jumlah keadaan yang tersedia dalam pita valensi adalah cukup untuk
menampung semua elektron valensi. Pada suhu nol absolut elektron-elektron valensi dalam
semikonduktor intrinsik yang ideal akan menempati semua keadaan energi yang tersedia
dalam pita valensi, sehingga dengan demikian pita konduksinya kosong. Seperti dilukiskan
pada gambar 5.1. Dapat dijelaskan mengapa kristal tidak menjadi penghantar? Di bawah
pengaruh medan listrik luar tidak dak dapat mengubah jumlah keadaan energi dalam pita
valensi karena kerapatan keadaan hanya ditentukan oleh bentuk zone Brillouin dan struktur
elektronik dari padatan. Medan magnet luar juga tidak dapat mengubah pengisian dari

110
keadaan-keadaan energi, karena semua keadaan energi telah terisi penuh. Pertukaran
elektron antar keadaan-keadaan dalam pita velansi tidak mempengaruhi sifat fisis dari
semikonduktor secara signifikan, karena elektron merupakan partikel-partikel tak
terbedakan.

E
Pita
E E E
Ec kondu
ksi EF EF
Ev Eg
Pita
Valensi
0 S(E) 0 f(E) 1 0 g(E) 1
Gambar 8.1 Pita konduksi dan pita valensi, keadaan pengisian elektron.

Jika semikonduktor berada pada temperatur kamar, maka akan terjadi eksitasi
termal sejumlah elektron dari pita valensi atas menyebrangi pita terlarang ke dasar pita
konduksi. Pada suhu kamar nilai dari energi termal adalah sekitar 0,025 ev, dan electron-
elektron pada kristal akan menerima energi tersebut. Karena pita terlarang energinya
sekitar 0,1 sampai 2 ev maka jumlah elektron yang akan tereksitasi menuju pita konduksi
adalah sangat kecil. Eksitasi elektron dari pita valensi ke pita konduksi menentukan
konduktivitas elektron yang terjadi akibat kehadiran medan listrik. Dilain pihak akibat
adanya eksitasi elektron pada pita valensi menuju pita konduksi akan menghasilkan
konduksi kekosongan pada pita valensi yang disebut hole. Massa efektif hole akan
berbeda dengan massa efektif elektron dan keduanya akan berubah terhadap pita energi.
Karena mobilitas elektron dan hole berbeda maka kontribusi dari masing-masing pita
terhadap konduktivitas intrinsik juga akan berbeda.
Dengan menyatakan n dan p masing-masing sebagai konsentrasi elektron dan hole
dalam sebuah semikonduktor, maka konduktivitas dapat dinyatakan;
8.1
dimana e dan h, masing-masing menyatakan mobilitas ektron dan mobilitas hole. Dengan
menyatakan ni dan pi , sebagai konsentrasi intrinsik elektron dan hole , dan dapat
dinyatakan bahwa ni = pi maka persamaan 8.1 dapat dinyakan menjadi;
8.2
8.2 Semikonduktor Ekstrinsik

111
 Kalau konduktivitas dari sebuah semikonduktor intrinsik hanya merupakan fungsi
dari temperatur, maka berbeda dengan konduktivitas dari semikonduktor ekstrinsik,
konduktivitasnya ditentukan oleh atom-atom pengotor yang terkandung di dalamnya.
Dalam semikonduktor ekstrinsik unsur-unsur pengotor tertentu ditambahkan dalam jumlah
yang ditentukan, dan konsentrasi unsur-unsur pengotor akan menentukan konduktivitas
dan tipe dari pembawa muatan yang muncul. Jika pembawa muatan sampel adalah negatif
maka disebut semikonduktor tipe-n, jika pembawa muatan bermuatan positip maka disebut
semikonduktor tipe-p.
Semikonduktor seperti Germanium memiliki ikatan kovalen tetrahedral, dalam
mana masing-masing atom memakai bersama empat elektron valensinya dengan empat
atom tetangganya. Pengaruh dari pencampuran sejumlah kecil unsur grup Va, seperti
Phospor ke dalam kristal Germanium. Dalam keadaan bebas atom Phospor memiliki 2
elektron 3s dan tiga elektron 3p sehingga dalam alloynya atom memiliki kelebihan satu
elektron untuk membentuk ikatan kovalen dengan Germanium. Pada suhu sangat rendah
mendekati nol absolut elektron ini terikat secara lemah oleh interaksi Coulomb dengan
intinya, akan tetapi jika temperatur semikonduktor naik di atas 20 K elektron ini lepas dari
ikatan interaksinya oleh energi thermal dan kemudian bergerak bebas dalam kristal. Atom-
atom pengotor demikian menyebabkan terjadinya peningkatan elektron dalam pita
konduksi, dan atom demikian disebut atom donor. Konsentrasi atom donor menentukan
konsentrasi elektron dalam pita konduksi, dan oleh sebab itu konsentrasi atom donor
meningkatkan konduktivitas semikonduktor. Sehingga semikonduktor disebut
semikonduktor ekstrinsik tipe-n.
Akan dijelaskan bahwa pada semikonduktor ekstrinsik jenis di atas p  n,
sehingga konduktivtas listrinya dinyatakan dengan;
8.3
Pada suhu rendah tataran energi atom donor berada sedikit di bawah batas bawah dari
tataran pita kondukri Germanium (sekitar 0,012 eV) sehingga dengan kenaikan temperatur
yang kecil saja elektron-elektron atom donor dapat pindak ke pita konduksi.
Pembahasan di atas hanya mempertimbangkan bagaimana pada sebuah
semikonduktor seperti Germanium dikotori dengan sejumlah tertentu atom pengotor dari

112
golongan Va. Selanjutnya akan dibahas bagaiman semikonduktor yang dikotori dengan
sejumlah tertentu atom pengotor dari golongan IIIa, seperti Boron, Aluminium, Galium
dan Indium. Dalam keadaan bebas atom-atom tersebut memiliki struktur elektronik
dengan 2 elektron pada keadaan s dan satu elektron pada keadaan p. Akibatnya bila salah
satu dari unsur ini dipakai sebagai alloy pada silikon atau Germanium, maka akan terjadi
kekurangan satu elektron pada ikatan tetrahedralnya dalam kristal sehingga terjadi
kekosongan yang disebut hole. Pada suhu sangat rendah kekosngan (hole) ini terlokalisasi
oleh interaksi medan coulomb. Akan tetapi pada temperatur biasa atom-atom pengotor
yang menghasilkan hole pada ikatan tetrahedralnya yang disebut acceptor (penerima),
menerima elektron dari atom-atom kristalnya, sehingga terjadi mobilitas elektron dan hole.
Atom-atom acceptor menjadi terionisasi menerima sebuah elektron dari elektron pita
valensi, yang secara bersamaan menghasilkan hole pada pita valensi. Energi ionisasi atom-
atom acceptor sekitar 0,01 eV pada Germanium dan 0,05 – 0,06 eV pada silikon.
Konduktivitas yang ditunjukkan oleh sampel semikonduktor yang mengandung
pengotor tipe acceptor adalah disebabkan oleh mobilitas muatan-muatan positif (hole),
semikonduktor demikian disebut semikonduktor ekstrinsik tipe-p. Konsentrasi hole p, sama
dengan konsentrasi atom acceptor, sehingg konduktivtas semikonduktor dinyatakan;
8.4
dengan h, menyatakan mobilitas hole.

8.3 Konsentrasi Pembawa Muatan Dalam Semikonduktor

Seperti telah dijelaskan bahwa konduktivitas dari sebuah semikonduktor dihasilkan
oleh lerapana pembawa muatan dan mobilitas mereka. Mobilitas pembawa muatan dalam
semikonduktor secara substansial lebih besar dari pada mobilitas pembawa muatan di
dalam logam, sebagai contoh mobilitas elektron dalam Germanium 0,39 m 2V-1s-1

sedangkan pada tembaga nilainya 0,0035 m2V-1s-1. Mobilitas elektron pada semikonduktor

bervariasi, yang paing besar yaitu pada Indium Antimonida nilainya sekitar 7,7 m2V-1s-1
Konsentransi pembawa muatan untuk semikonduktor intrinsik, dan konsentrasi
donor dan akseptor pada semikonduktor ekstrinsik merupakan fungsi dari temperatur.

113
Perubahan dalam konsentrasi pembawa muatan akan menghasilkan perubahan dalam
konduktivitas. Perubahan dalam konsentrasi pengotor dan temperatur direfleksikan dalam
perubahan keadaan pengisian dalam pita valensi dan pita konduksi.
Konduktivitas sebuah semikonduktor dihasilkan oleh kehadiran dari gerakan-
gerakan pembawa muatan dalam pita valensi dan pita konduksi, untuk itu dalam
pembahasan ini akan dibahas keadaan pembawa muatan dari kedua pita tersebut secara
secara terpisah. Pertama tinjaulah konsentrasi pembawa muatan dalam pita konduksi, ini
dihasilkan oleh jumlah keadaan yang tersedia dan mode pengisiannya. Pada bab terdahulu
telah dikemukakan jumlah dari keadaan yang terisi dalam interval energi E sampai E + dE
adalah N(E) dE
N(E) dE = S(E) f(E) dE 8. 5
Di mana S(E) adalah kerapatan keadaan dalam pita konduksi dan f(E) fungsi distribusi
pengisian keadaan. Oleh karena itu jumlah konsentrasi elektron dalam pita konduksi
adalah;

8.6

di mana E’C, energi puncak pita konduksi, bentuk dari fungsi kerapatan keadaan S(E) dari
pita konduksi adalah;

8.7

dengan MC merupakan jumlah ekivalen minimum dalam pita konduksi, yang bergantung
pada struktur kristal dan zone Brillouin, untuk Germanium dan silikon masing-masing
nilainya 4 dan 6, sedangkan (E – EC) adalah energi dari sebuah keadaan yang diukur dari
dasar pita konduksi. Dengan menerapkan fungsi distribusi Fermi Dirak maka jumlah
keadaan terisi dari pita konduksi diperoleh;

8.8

114
yang perlu dicatat di sini adalah dimungkinkan untuk membuat batas atas integral tak
hingga karena fungsi f(E) akan mendekati nol untuk E  EC.
Untuk konsentrasi pengotor yang besar maka bentuk integral dari persamaan 8.8
dapat diselesaikan dengan membuat penyederhanaan berikut;

8.9
persamaan ini ekivalen dengan penerapan statistik Maxwell Boltzmann, dan ini cocok
untuk kondisi
E – EF  2 kT 8.10
dengan demikian Tingkat Fermi haruslah terletak lebih dari 2 kT di bawah pita konduksi.
Kondisi ini berimplikasi bahwa konsentrasi pengotor tidak tinggi atau semikonduktor tidak
pada suhu rendah, dengan demikian elektron pada pita konduksi berkelakuan sebagai
sebuah gas klasik, sehingga Prinsip larangan Pauli tidak membatasi secara signifikan pada
pengisian tingkat-tingkat keadaan energi. Dengan menerapkan pendekatan 8.9 dan
memisalkan variabel (E – EC)/ kT = x maka bentuk persamaan 8.8 menjadi;

8.11

bentuk integral dari persamaan 8.11 merupakan salah satu bentuk integral fungsi khsus
yang memeiliki nilai sehingga hasil dari persamaan 8.11 adalah;

8.12

dengan

8.13

Persamaan 5.11menghubungkan konsentrasi elektron dalam pita konduksi dengan

posisi dari tataran Fermi. Faktor eksponensial dari persamaan 8.11 dapat dikatakan sebagai
bentuk dari faktor probabalilitas Fermi Dirac dari pengisian sebuah keadaan energi E C.
Gambaran ini mengijinkan untuk memperlakukan pita konduksi sebagai susunan keadaan-
keadaan yang terlokalisasi dalam energi EC, dan memiliki kerapatan keadaan efektif dalam

115
pita konduksi. Dengan memasukkan numerik dari konstanta yang ada dalam persamaan
8.13 diperoleh

8.14

Pada konsentrasi pengotor cukup tinggi maka kondisi yang dinyatakan oleh
persamaan 8.10 tidak berlaku maka harus digunakan penyelesaian numerik dari integral
Fermi Dirac. Tataran Fermi selanjutnya dapat bergerak ke pita konduksi. Jika kondisi
EF – EC  kT 8.15
Maka elektron dalam pita konduksi harus dipandang sebagai elektron bebas dalam logam.
Konsentrasi hole dalam pita valensi dapat diturunkan dengan cara yang sama
dengan pada penurunan konsentrasi elektron dari semikonduktor. Probablitas g(E) pada
tataran energi E yang ditempati oleh hole (berarti tidak ditempati oleh elektron);
g(E) = 1 – f(E) 8.16
sehingga diperoleh

8.17

dengan asumsi yang sama yang diterapkan pada penurunan konsentrasi elektron pada pita
konduksi dan asumsikan untuk selesih energi lebih besar dari 2 kT, maka diperoleh;

8.18

di mana NV kerapatan keadaan efektif dalam pita valensi yaitu;

8.19

harus dicatat bahwa adalah massa efektif hole yang diperoleh dari perhitungan
mencakup massa hole ringan dan massa hole berat.
Persamaan 8.13 dan 8.18 menghubungkan konsentrasi pembawa muatan dalam
sebuah semikonduktor dengan posisi tataran Fermi. Kedua persamaan di atas cocok untuk
semikonduktor intrinsik maupun semikonduktor ekstrinsik, dengan kondisi tataran Fermi
tidak mendekatai 2 kT pada batar bawah pita konduksi dan batas atas pita valensi.

116
8.4 Konsentrasi Pembawa Muatan dalam Semikonduktor Intrinsik
Dalam semikonduktor intrinsik elektronelektron dapat tereksitasi secara termal
melewati pita terlarang, sehingga konsentrasi pembawa muatan (carrier) bergantung pada
temperatur dan lebar dari energi gap dari semikonduktor. Hubungan ketergantungan
konsentrasi pembawa muatan dengan temperature dan energi gap telah dinyatakan pada
pembahasan di atas. Dengan menyatakan posisi tataran Fermi dalam semikonduktor
intrinsik Ei dan konsentrasi elektron dan hole ni dan pi maka sesuai dengan persamaan
8.13 dan 8. 18 ;

8.20

dan

8.21

pembawa muatan dihasilkan secara termal dalam bentuk pasangan elektron dan hole,
sehingga ni = pi, dengan demikian dapat diperoleh;

8.22

dimana
Eg = Ec – Ev, 8.23
adalah energi gap dari semikonduktor.
Besarnya konsentrasi pembawa muatan intrinsik dapat diperoleh dari persamaan
8.22 sebagai contoh Germanium dapat ditentukan sebagai berikut; massa efektif dari
kerapatan Germanium adalah dan , maka untuk temperatur

300 K diperoleh; NC = 1,04 x 1025 m-3, dan NV = 5,64 x 1024 m-3, dengan mengambil harga

energi gap untuk Germanium 0,665 eV mapa diperoleh ni = pi = 2,0 1019 m-3. Harga ni dan

pi, yang dihasilkan dari persamaan 8.22 sangat bergantung pada nilai energi gap. Nilai
akurat dari energi gap dapat diperoleh melalui pengukuran eksperimen dengan
menggunkan absorpsi inframerah..

117
 Dalam upaya sebuah harga akurat dari energi gap maka kebergantungan dengan
temperatur harus diperhitungkan dalam pengukuran. Untuk temperatur di atas 200 K
Germanium dan Silikon energi gap menunjukkan penurunan secara linier terhadap
kenaikan temperatur, jadi untuk interval tersebut dapat dinyatakan:
Eg = E0 + T 8.24

Di mana  merupakan koefisien temperatur yang berharga negatif dan E0, merupakan nilai

ekstrapolasi dari Eg pada 0K. Persamaan mengijinkan persamaan 8.22 dinyatakan dalam
bentuk;

8.25

sehingga hubungan antara akan menjadi linier. Harga E0 untuk

Germanium dan Silikon masing-masing adalah 0,7eV dan 1,21 eV dan dengan koefisien
temperatur masing-masing; - 3,9 x 10-4 eV/K dan –2,4 x 10-4 eV/K.
Posisi dari tatarn Fermi pada semikonduktor intrinsik adalah sekitar pertengahan
energi gap. Hal ini dapat dilihat dari persamaan 8.13, 8.19, 8.20 dan 8.21 yang
menghasilkan;

8.26

suku kedua dari persamaan 8.26 secara normal adalah sangat kecil.

8.5 Konsentrasi Pembawa Muatan dalam Semikonduktor Ekstrinsik

Satu hal yang menarik dalam membahas semikonduktor ekstrinsik adalah
hubungan antara konsentrasi aliran pembawa arus dan konsentrasi atom-atom donor atau
acceptor, yang memberi peningkatan terhadap pembawa muatan. Dalam semikonduktor
tipe-n, konsentrasi elektron n akan sama dengan konsentrasi atom-atom donor Nd,
gambaran sederhana tersebut akan tidak berlaku jika konsentrasi atom donor cukup besar.

118
Untuk itu maka pertama kita gunakan hubungan yang penting yaitu dari persamaan 8.12,
8,18 dan 8.22 dapat diperoleh;

8.27

jadi jika dalam semikonduktor tipe-n konsentrasi elektron n meningkat oleh penambahan
atom-atom donor, maka konsentrasi hole p, haruslah berkurang dalam proporsi yang sama.
Ini kemuadian mengacu pada intilah pembawa muatan mayor dan pembawa muatan minor
Saling kebergantungan konsentrasi pembawa dan posisi tataran Fermi diberikan oleh
persamaan 8.12 dan 8.18. Dengan menggunakan persamaan 8.20 dan 8.21 hubungan
tersebut dapat dimodifikasi menjadi;

8.28

dan

8.29

persamaan ini cocok untuk semikonduktor intrinsik dan ekstrinsik dengan konsentrasi
pembawa muatan tidak terlalu tinggi.
Dalam sampel tipe-n terjadi ionisasi dari atom-atom donor, sehingga konsentrasi
elektron n akan sama konsentrasi atom pengotor Nd. Berdasarkan persamaan 8.28 tataran

Fermi akan bergerak ke arah batas bawah pita konduksi Ec, bila Nd naik. Begitu juga untuk

sampel tipe-p tatarn Fermi akan bergerak mendekati batas atas pita valensi Ev, bila
konsentrasi acceptor meningkat. Hubungan gerakan tataran Fermi dengan konsentrasi
donor dan acceptor ditunjukkan gambar 8.2.

Ec EF

Ei Eg

Ev

Gambar 8.2 Hubungan perubahan posisi tingkatan Fermi dengan jumlah

-Nv Nc
Nd - Na
119
 konsentrasi donor dan acceptor

untuk Nd = Na posisi tataran Fermi Ei terletak dekat dengan pertengahan energi Gap dan
untuk pengisian keadaan-keadaan dalam semikonduktor tipe-n dan tipe-p dijelaskan oleh
gambar 8.3

(i) (ii)
Gambar 8.3 Ilustrasi pengisian keadaan dalam semikonduktor
(i) konsentrasi pengotor sedemikian sehingga menghasilkan semikonduktor tipe-n
(ii) konsentrasi pengotor sedemikian sehingga menghasilkan semikonduktor tipe-n

Dari gambar 8.3 dapat dijelaskan bahwa pada semikonduktor tipe-n tingkat Fermi EF telah

bergerak ke arah EC dan daerah yang digelapkan yang dinyatakan dengan N(E)
menyatakan keadaan pada pita konduksi yang diisi elektron. Sedangkan pada
semikonduktor tipe-p tingkat Fermi EF telah bergerak ke arah EV dan kemungkinan
keadaan pengisian hole dalam pita valensi dinyatakan dengan S(E) dan keadaan yang terisi
ditunjukkan oleh N(E).
Selanjutnya dapat diberikan contoh khusus dari posisi tingkatan Fermi dalam
sampel Germanium tipe-n pada suhu kamar. Ambilah n = Nd, dari persamaan 8.28
diperoleh bahwa;

8.30

karena Nc  1025 m-3 maka tatarn Fermi akan terletak lebeih besar dari 2kT dari ujung pita
dengan anggapan bahwa Nd  1024 m-3, sehingga semikonduktor masih dapat berkelakuan
sebagai gas klasik. Konsentrasi intrinsik adalah 2 x 10 19 m-3. Untuk Nd  1024 m-3 pengotor

120
donor akan mengontrol konsentrasi pembawa dalam keadaan demikian konsentrasi
pembawa hanya dihasilkan oleh konsentrasi atom donor yang tidak bergantung temperatur.
Asumsi bahwa n = Nd, tidak berlaku pada konsentrasi atom donor yang rendah, karena
semikonduktor mendekati sifat intrinsik, dan juga pada konsentrasi atom donor tinggi
sebab pada keadaan demikian terjadi ionisasi tidak lengkap.
Asumsi yang menyatakan bahwa n = Nd akan terpatahkan pada konsentrasi donor
yang rendah, yaitu pada saat semikonduktor mendekati intrinsik dan juga pada konsentrasi
tinggi pada saat donor tidak terionisasi semua. Kondisi demikian merupakan teramati pada
saat sampel semikonduktor berada pada temperatur rendah.
Tinjaulah semikonduktor tipe-n yang mendekati intrinsik, maka pada
semikonduktor demikian akan terjadi dua jenis kontribusi terhadap kenaikan konsentrasi
elektron yaitu dari donor yang terionisasi dan dari proses generasi. Konsentrasi elektron
dapat ditentukan dengan tambahan hubungan umum berikut;

8.31

Yang dapat diterapkan untuk seluruh keadaan kesetimbangan, penjumlahan muatan

sebagai syarat netralitas juga berlaku, yaitu
n = Nd + p 8.32
ini memberikan pernyataan kuadratik menjadi

8.33

Untuk konsentrasi elektron memiliki penyelesaian berikut;

8.34

Transisi dari hantaran intrinsik ke hantaran ekstrinsik yang diberikan oleh persamaan 8.34
digambarkan pada gambar 8.3 untuk semikonduktor Germanium tipe-n. Hubungan seperti
di atas untuk konsentrasi hole dapat diturunkan, dengan prosedur yang sama untuk
mendeskripsikan semikonduktor tipe-p mendekati intrinsik.

121
 Selanjutnya tinjaulah bila baik jumlah konsentrasi donor atau jumlah akseptor
Gambar 8.3 Transisi dari konduksi intrinsic ke intrinsic dengan kenaikan Nd
adalah tinggi. Dalam kondisi demikian gerakan pembawa akseptor muatan dalam pita akan
cenderung untuk mengisi sambungan tingkat pengotor yang sama dengan atom-atom
pengotor yng terionisasai secara tidak sempurna. Pada semikonduktor tipe-n jumlah
konsentrasi donor Nd akan mendekati nilai Nc dan tingkat energi Fermi akan terletak

mendekati tingkat energi donor Ed, Walaupun statistik pengisian tingkat pengotor berbeda
dengan keadaan pita tersebut, posisi tingkat energi Fermi akan masih menggambarkan
tingkat pengisian pengotor, sebagai contoh derajat ioniusasi mereka. Untuk pengotor yang
sangat tinggi, EF dapat naik dalam pita, dan tingkat-tingkat pengotor itu sendiri
mengembang dan terjadi saling tumpang tindih pita. Pengisian dari keadaan-keadaan
tingkat energi ditentukan dengan statistik Fermi-Dirac, seperti dalam logam hanya
pembawa-pembawa muatan dekat dengan puncak distribusi yang mengambil bagian dalam
proses penghantaran.
Perubahan konsentrasi pembawa muatan dalam semikonduktor dapat disimpukan
dengan emmandang perubahan terjadi bila temperatur semikonduktor berubah dalam
interval nilai yang besar. Sebagai contoh ambilah sampel semikonduktor silikon tipe-n
yang mengandung arsenik pada sebuah tingkat konsentrasi Nd = 2 x 1021 m-3 dan

122
asumsikan konsentrasi pengotor akseptor diabaikan. Pada temperatur 600 K konsentrasi
pembawa muatan intrinsik adalah 4,8 x 1021 m-3, sehingga pada keadaan ini dan pada
setiap suhu tinggi sampel adalan intrinsik. Elektron dan konsentrasi hole dalam sampel
akan menjadi sama dan akan meningkat secara eksponensial terhadap temperatur. Untuk
daerah intrinsik ini hubungan dari ln(n) terhadap 1/T dilukiskan oleh gambar 8.4 yang
memeiliki kemiringan –Eg/2k. Dalam hal ini bagian kecil dari linieritas yang disebabkan

oleh faktor T3/2 dari persamaan 8.22 diabaikan, dan juga penurunan celah pita energi
diabaikan terhadap kenaikan temperatur. Keterjalan dari kemiringan ln(n) dalam daerah
intrinsik pada suhu di bawah 600 K menghasilkan perilaku transisi agak tajam dari
intrinsik ke ekstrinsik.

Ln(n)

Daerah intrinsik

Daerah ekstrinsik

Gambar 8.4 Perubahan konsentrasi terhadap temperatur

Untuk interval penurunan temperatus yang lebar, sekitar 150 K maka konsentrasi
elektron hanya ditentukan oleh konsentrasi donor, dan bila semua donor terionisasi maka
konmsentasi pemabawa muatan akan menjadi konstan. Selama temperatur diturunkan pada

123
interval tersebut, maka tingkat energi Fermi bergerak perlahan dari pusat pita celah energi
ke arah ujung pita konduksi sesuai dengan persamaan 8.28.
Jika temperatur terus diturunkan maka konsentrasi donor yang terionisasi menurun
sehingga n < Nd . Bentuk dari perubahan konsentrasi pembawa muatan terhadap
temperature pada interval suhu rendah ini dapat ditentukan sebagai berikut. Konsentrasi
pembawa muatan disusun oleh keadaan ionisasi dari atom-atom donor, dan sebuah tingkat
donor hanya bisa menerima satu elektron yang disebabkan keadaan spin. Selanjutnya dapat
ditunjukkan bahwa kemungkinan P(E) sebuah tingkat donor terisi dinyatakan oleh.

8.35

Dengan demikian konsentrasi elektron pada pita konduksi adalah

8.36

Dengan mengasumsikan bahwa semikonduktor tidak degenarate, maka juga diperoleh

8.37

Kemudian denga mengeleminasi EF antara kedua persamaan di atas maka diperoleh;

8.38

Pad temperatir yang cukup rendah maka suku kedua dari persamaan 8.38 dapat diabaikan,
dan konsentrasi elektron selanjutnya dapat dinyatakan;

8.39

Oleh karena ini kemiringan dari grafik ln n terhadap 1/T adalah –(EC – Ed )/2k.

124
8.6 Konduktivitas Listrik dan Mobilitas Pembawa Muatan
Konsep dari mobilitas elektron dan penerapannya pada teori logam telah di bahas
pada bab 6. Penurunan konduktivitas logam terhadap kenaikan temperatur selanjutnya
dijelaskan dalam bentuk sebuah penurunan mobilitas elektron yang muncul dari adanya
kenaikan hamburan kisi pada suhu-suhu tinggi.
Untuk sebuah semikonduktor, persamaan 8.1 menghubungkan konduktivitas
dengan konsentrasi pembawa muatan dan mobilitas elektron dan hole. Jenis perubahan dari
konduktivitas terhadap temperature yang teramati secara eksperimen dalam semikonduktor
digambarkan oleh gambar 8.4 untuk beberapa sampel Germanium tipe-n. Gambar 8.4 di
atas pasangan kurve yang dinyatakan dengan (a), (b), dan (c) mengacu pada tiga sampel
terpisah yang masing-masing memiliki kandungan pengotor berbeda secara substansial.

(i) (ii)
Gambar 8.4 (i) kembergantungan temperatur dari konsentrasi pembawa muatan
(ii) kebergantungan temperatur dari konduktivitas sampel Ge

Seperti jelas terlihat pada gambar bahwa perubahan konduktivitas dalam daerah
instrinsik didominasi oleh kenaikan eksponensial dari konsentrasi pembawa muatan
terhadap temperatur. Akan tetapi pengaruh dari perubahan mobilitas tampak pada daerah
ekstrinsik di mana mobilitas jatuh terhadap kenaikan temperatur.

125
 Terdapat sejumlah mekanisme hamburan yang berbeda yang mempengaruhi hasil
pengamatan mobilitas elektron dan hole dalam semikonduktor. Penjelasan lengkap dari
perubahan mobilitas teramati terhadap temperatur dan kandungan pengotor sampel sulit
untuk ditunjukkan. Mekanisme yang dominan untuk sampel-sampel yang agak murni
adalah hamburan oleh fonon-fonon kisi, pada mana mobilitas berubah menurut T--1/2.
Pendektan kebergantungan seperti ini tampak pada sampel-sampel Germanium.
Hamburan yang disebabkan oleh atom-atom donor dan akseptor yang terionisasi
akan paling tampak bila kecepatan pembawa-pembawa muatan bebas adalah adalah
rendah, sehingga teramati pada sushu rendah saat hamburan oleh kisi juga tidak berperan.
Hamburan oleh pengotor terionisasi telah diselidiki oleh Conwell dan Weisskopf
menggunakan formulasi klasik dari hamburan Rutherford, dengan prediksi kebergantungan
hamburan terhadap temperatur adalah T3/2. Akan tetapi pada suhu sangat rendah atom-
atom donor dan akseptor tidak terionisasi oleh karenanya hamburan oleh atom-atom netral
menjadi penting.

8.7 Pengukuran Konduktivitas dan Mobilitas

Konduktivtas sampel padatan semikonduktor biasanya ditentukan dengan metode
probe empat titik yang pertama kali dijelaskan oleh Valdes seperti gambar 8.4 berikut.

S1 S2 S3

I U I

r A B C D

Sample semikonduktor
dr

Gambar 8.4 Pengukuran konduktivitas dengan metode Probe emapt titik

126
Keempat pegas probe termuati dihubungkan pada kepala probe yang menekan permukaan
sampel semikonduktor, yang selanjutnya arus dan tegangan pada masing-masing unit
diukur secara terpisah. Pasangan probe terluar A dan D merupakan merupakan pembawa
arus yang melewati pasangan dalam B dan C yang memungkinkan mengukur potensial
jatuhnya. Untuk mmemperkecil pengaruh dari kontak-kontak no-ohmik maka digunakan
sebuah permukaan semikonduktor yang telah digores-gores, dan potensial jatuh diukur
secara potensiometri.
Hubungan antar konduktivitas sampel σ, arus sampel I, dan potensial jatuh U dapat
ditentukan sebagai berikut. Berdasarkan pada gambar di atas potensial jatuh yang terjadi
antara sisi elemen setengah bola dengan jejari r dengan tebal dr karena arus probe pada A
adalah;

8.40

Persamaan ini dapat diselesaiakan menjadi

8.41

Potensial jatuh antara B dan C juga akan terjadi disebabkan arus probe kedua pada D,
sehingga jumlah keseluruhan potensial jatuh U menjadi;

8.42

Biasanya S1 = S2 = S3 = S, dengan S dapat memiliki sebuah nilai ~0,5 sampai 1,0 mm,
sehingga konduktivitas menjadi;

8.43

Formulasi di atas dapat diterapkan hanya untuk sampel-sampel yang memiliki dimensi
jauh lebih besar dibandingkan dengan permukaan probe.
Terdapat teknik lainnya yang sama untuk menentukan konduktivitas dari pelat tipis
dan lapisan permukaan. Mobilitas arus pembawa muatan dapat ditentukan dengan
menyuntikkan pembawa-pembawa muatan berlebihan, melalui tegangan pulsa dan sebuah

127
kontak logam dalam batang sampel dari semikonduktor ekstrinsik. Sebuah medan listrik
menyapu pembawa-pembawa minoritas sepanjang batang yang dideteksi sebagai sebuah
pulsa. Kelajuan mobilitas yang terukur dengan cara ini memnghasilkan mobilitas
konduktivitas (μh atau μe ) semikonduktor yang tidak mendekati intrinsik.
Sebuah metode yang lain untuk menentukan konsentrasi pembawa muatan dalam
sebuah sampel semikonduktor adalah melalui sebuah pengukuran effek Hall. Pada metode
ini medan listrik longitudinal dan sebuah mendan listrik transversal dikerjakan secara
bersamaan pada sebuah sampel semikonduktor yang berbentuk balok segipanjang. Arus
pembawa muatan mengalami sebuah gaya Lorentz yang tegak lurus pada medan listrik
maupun pada medan magnet, seperti digambarkan pada gambar 8.5. Sebuah keadaan
kesetimbangan tercapai dengan sebuah medan listrik transversal berlawanan dengan aliran
transversal pembawa muatan. Tegangan yang teramati disebut dengan tegangan Hall. Perlu
dicatat bahwa arah dari gaya yang bekerja pada pembawa-pembawa muatan disusun oleh
arah arus, sehingga jelas bahwa arah dari tegangan Hall memungkinkan arus pembawa
muatan dapat diindentifikasi apakah dari jenis elektron atau jenis hole.

Bz

+ + + +

Ey Jx

- - - -

Gambar 8.5 Pengukuran efek Hall

Pertama sebagai contoh pandanglah sebuah sampel semikonduktor ekstrinsik tipe-n.
Berdasarkan diagram di atas induksi magnet Bz pada arah sudut kanan dari aliran arus,

menghasilakan gaya transversal Bz.e.vx yang bekerja pada elektron, dengan vx menyatakan

kecepatan aliran eketron. Medan dari efek Hall Ey adalah sedemikian sehingga

memberikan gaya penyeimbang e.Ey di mana berlaku;

128
 e.Ey = - Bz.e.vx 8.44
rapat arus listrik dalam sampel dinyatakan dengan
8.45
Di mana σ adalah konduktivitas listrik dari sampel, selanjutnya dari persamaan 8.43 dan
8.45 diperoleh;
8.46
dengan

8.47

Atau dengan menggunakan persamaan 8.4 diperoleh

8.48

R merupakan konstanta Hall atau koefisien Hall dan penentuan eksperimen

memungkinkan untuk menentukan konsentrasi elektron dari sampel. Hasil penentuan
konduktivitas sampel memungkinkan untuk menghitung mobilitas elekrton sampel. Perlu
dicatat bahwa pengukuran eksperimen juga dapat dijelaskan dalam sudut Hall θ yang
didefinisikan sebagai arah dari resultan medan listrik Er sesuai dengan;

8.49

Perlakuan yang sama dapat dikembangkan untuk sebuah sampel semikondutor ekstrinsik
tipe-p. Hasil dari R adalah

8.50

dan medan listrik transversal yang berlawanan dengan medan listrik transversal yang
teramati pada sampel tipe-n akan teramati.
Akan tetapi persamaan 8.47 dan 8.50 tidak eksak, karena pada penurunan kedua
persamaan secara implisit diasumsikan bahwa waktu relaksasi pembawa muatan τ adalah
tetap, sedangkan dalam praktiknya τ adalah sebuah fungsi dari kecepatan pembawa
muatan, dan secara eksperimen harga R yang diperoleh berbeda dari perhitungan diberikan
oleh faktor numerik. Akan tetapi besaran;

129
 8.51

Dapat digunakan untuk mendefinisikan sebuah mobilitas Hall (μh ) yang berbeda mobilitas

konduktivitas μe . perbandingan μh/μe memiliki harga antara 1 sampai 2 bergantung pada

mekanisme hamburan yang dominan dalam sampel.
Terakhir untuk semikonduktor yang mendekati intrinsik Koefisien Hall dinyatakan
dengan persamaan;

8.52

Karena mobilitas elektron biasanya lebih besar dari mobilitas hole, maka kostanta Hall dari
sebuah semikonduktor intrinsik adalah negatif. Ini sesuai dengan kontribusi elektron yang
lebih besar terhadap konduktivitas intrinsik.

Soal Latihan
1. Tentukan konduktivitas dari semikonduktor intrinsik dari Germanium pada suhu
kamar. Berapa proporsi dari atom-atom Germanium yang menghasilkan kenaikan
terhadap konduksai elektron?
2. Sebuah sampel Germanium mengandung pengotor donor dengan konsentrasi Nd = 2,0

x 1021 m-3. Asumsikan bahwa tidak ada konpensasi pengotor akseptor, tentukan
konsentrasi hole p dan konduktivitas sampel.
3. Tentukan posisi dari Tingkat Fermi dalam Germanium untuk Nd : ni = 102 : 104.
Nyatakan hasilk yang diperoleh dalam tingkat Fermi dari Germanium intrinsik dan
asumsikan pada suhu kamar.
4. Massa efektif elekrton dan hole dalam indium antimonide masing-masing adalah
0,013 me dan 0,18 me . Tentukan posisi dari tingkat Fermi terhadap titik tengah pita
celah energi dalam semikonduktor intrinsik pada suhu 300 K. Hasil yang diperoleh
harus dibandingkan dengan tingkat energi 0,16 eV untuk daerah pita celah energi dari
semikonduktor pada suhu yang sama.
5. Sebuah sampel silikon didoping dengan arsenik pada sebuah tingkat perhitungan yang
menghasilkan resistivitas 0,03 Ω m . Karena efek konpensasi sampel diperoleh sebuah

130
 semikonduktor tiipe-p yang memiliki resistivitas 0,04 Ω m. Tentukan persentase dari
konsentrasi donor dan akseptor.
6. Data konduktivitas dari Morin dan Maita pada silikon dinyatakan dengan

sebagai variasi perubahan konsentrasi pembawa

intrinsik terhadap temperatur, dengan mengasumsikan nilai mobilitas pembawa adalah

tetap, tentukan konsentrasi pembawa dan konduktivitasnya pada suhu-suhu 300 K;
600 K dan 900 K.
7. Tunjukkan bahwa pada setiap suhu tertentu sebuah semikonduktor memiliki sebuah

konduktivitas minimum dan tentukan konsentrasi pembawa

muatan bersangkutan dalam konsentrasi intrinsik ni.

8. Hitunglah konstanta Hall dan mobilitas Hall dar logam Sodium dengan data: kerapatan
0,97 x 10-3 kg m-3, energi Fermi 3,1 eV dan konduktivitas listrik 2,1 x 10 -7 Ω-1m-1 dan
tentukan juga harga konstanta Hall untuk sampel Germanium tipe-p yang memiliki
konduktivitas 100 Ω-1m-1 dan jelaskan perebedaan hasil yang diperoleh dengan
konduktivitas dari logam.
9. Jelaskan mengapa Konstanta Hall Ri dari sebuah semikonduktor intrinsik tidak sama

dengan nol. Turunkan dari persamaan 8.52 sebuah pernyataan untuk Ri dalam ,

dan hitung nilai dari Ri untuk semikonduktor intrinsik Germanium.

10. Tentukan konstanta Hall dari sebuah sampel germanium tipe-n yang memiliki
konduktivitas 50 Ω-1m-1 , jika sampel merupakan persegipanjang dengan ukuran 1,5
cm x 1,5 mm. Tentukan tegangan Hall antara sisi dari lebar sampel untuk arus listrik
yang mengalir sebesar 2 mA dan kuat medan magnet 10-1T.

131