Pokok Bahasan 2:

Fisika Semikonduktor
 Semikonduktor
Secara umum, semikonduktor didefinisikan berdasarkan
konduktivitas listriknya.
 Sifat Semikonduktor
Resistivitas semikonduktor kurang dari insulator tetapi lebih dari
konduktor.
Semikonduktor memiliki koefisien suhu negatif dari resistansi yaitu
resistansi semikonduktor menurun dengan kenaikan suhu dan
sebaliknya.
Misalnya, germanium sebenarnya merupakan isolator pada suhu
rendah tetapi menjadi konduktor yang baik pada suhu tinggi.
Ketika pengotor (impurity ) logam yang sesuai (misalnya arsenik,
galium dll.) ditambahkan ke semikonduktor, sifat penghantaran
(konduktansi) arusnya berubah secara signifikan.
 Ikatan Dalam Semikonduktor

a) Atom dari setiap elemen disatukan oleh ikatan elektron

valensi.
b) Ikatan ini disebabkan karena setiap atom memiliki
kecenderungan untuk menyelesaikan orbit terakhirnya dengan
memperoleh 8 elektron di dalamnya.
c) Sebagian besar zat, orbit terakhir tidak lengkap, yaitu orbit
terakhir tidak memiliki 8 elektron.
d) Hal ini membuat atom aktif melakukan tawar-menawar dengan
atom lain untuk memperoleh 8 elektron pada orbit terakhir.
 Ikatan Dalam Semikonduktor
e) Untuk melakukannya, atom dapat kehilangan, memperoleh,
atau berbagi elektron valensi dengan atom lain.
f) Dalam semikonduktor, ikatan dibentuk dengan berbagi
elektron valensi.
g) Ikatan semacam itu disebut ikatan kovalen.
h) Dalam pembentukan ikatan kovalen, setiap atom
menyumbang jumlah elektron valensi yang sama, dan elektron
yang dikontribusikan dibagi oleh atom yang terlibat dalam
pembentukan ikatan.
 Ikatan Kovalen Atom Germanium
Sebagai contoh ikatan kovalen antar atom germanium.
Sebuah atom germanium memiliki 4 elektron valensi.
Setiap atom germanium memiliki kecenderungan untuk memiliki 8 elektron
pada orbit terakhir.
Untuk melakukannya, setiap atom
germanium memposisikan dirinya
diantara empat atom germanium
lainnya.
Setiap atom tetangga berbagi satu
elektron valensi dengan atom pusat.
Atom pusat menyelesaikan orbit
terakhirnya dengan memiliki 8 elek-
tron yg berputar mengelilingi inti.
Dengan cara ini, atom pusat
membentuk ikatan kovalen.
 Diagram Ikatan Atom Germanium
Gambar berikut menunjukkan diagram ikatan atom Germanium.
Hal-hal yang perlu diperhatikan mengenai ikatan kovalen:
a) Ikatan kovalen dibentuk dengan
berbagi elektron valensi.
b) Dalam pembentukan ikatan
kovalen, setiap elektron valensi
suatu atom membentuk ikatan
langsung dengan elektron
valensi dari atom yang
berdekatan.

Dengan kata lain, elektron valensi dalam suatu semikonduktor

bukan merupakan elektron bebas.
 Kristal
Dalam ikatan kovalen ini atom-atom membentuk struktur kristal
Elektron valensi ini adalah ikatan kovalen yang menyatukan kristal,
yang membuatnya kokoh.
Semua semikonduktor memiliki struktur kristal.
Zat dimana atom atau molekul tersusun dalam pola yang teratur
disebut kristal.
 Semikonduktor yang biasa digunakan

Ada banyak semikonduktor yang tersedia, tetapi sangat

sedikit yang memiliki aplikasi praktis dalam elektronik.
Dua bahan yang paling sering digunakan adalah germanium
(Ge) dan silikon (Si).
Karena energi yang dibutuhkan untuk memutus ikatan
kovalennya (yaitu energi yang dibutuhkan untuk melepaskan
elektron dari pita valensinya) sangat kecil; menjadi sekitar 0,7
eV untuk germanium dan sekitar 1,1 eV untuk silikon.

Catatan :
Elektron volt adalah satuan tenaga yang besarnya sama dengan tenaga yang
diperoleh sebuah elektron apabila bergerak melalui medan listrik yang mempunyai
beda potensial satu volt di dalam ruang hampa (1 eV = 1.6 ×10-19 Joule)
 Germanium
Germanium telah menjadi substansi model di antara
semikonduktor; alasan utamanya adalah karena dapat
dimurnikan dengan relatif baik dan dikristalisasi dengan mudah.
Germanium adalah elemen tanah dan ditemukan pada tahun
1886.
Ditemukan dari abu batu bara tertentu atau dari debu asap
peleburan seng.
Umumnya, germanium hasil recovery berbentuk serbuk
germanium dioksida yang kemudian direduksi menjadi
germanium murni.
 Germanium
Nomor atom germanium adalah 32, berarti memiliki 32 proton
dan 32 elektron.
Dua elektron berada di orbit pertama, delapan elektron di orbit
kedua, delapan belas elektron di orbit ketiga dan empat elektron
di orbit terluar atau valensi.
Jelas bahwa atom germanium memiliki empat elektron valensi
yaitu unsur tetravalen.
Variasi atom germanium disatukan melalui ikatan kovalen.
Karena atom-atomnya tersusun dalam pola yang teratur, maka
germanium memiliki struktur kristal.
Atom Germanium dan Ikatan Kovalen-nya
 Silikon
Silikon adalah elemen di sebagian besar batuan umum. Pasir
sebenarnya adalah silikon dioksida.
Senyawa silikon secara kimiawi direduksi menjadi silikon yang 100%
murni untuk digunakan sebagai semikonduktor.
Nomor atom silikon adalah 14. Oleh karena itu, ia memiliki 14 proton
dan 14 elektron.
Dua elektron di orbit pertama, delapan elektron di orbit kedua dan
empat elektron di orbit ketiga.
Atom silikon memiliki empat elektron valensi yaitu unsur tetravalen.
Variasi atom silikon juga disatukan melalui ikatan kovalen.
Karena atom-atomnya tersusun dalam pola yang teratur, maka silikon
juga memiliki struktur kristal.
Atom Silikon dan Ikatan Kovalen-nya
 Pita Energi Semikonduktor
Semikonduktor dapat didefinisikan atas dasar pita energi nya.

Semikonduktor adalah zat yang memiliki pita valensi hampir penuh dan pita
konduksi hampir kosong dengan celah energi yang sangat kecil (≈ 1 eV)
yang memisahkan keduanya.
 Pita Energi Semikonduktor

Dari diagram pita energi germanium dan silikon, terlihat bahwa

forbidden energy gap sangatlah kecil, yaitu 1,1 eV untuk silikon dan
0,7 eV untuk germanium.
Oleh karena itu, dibutuhkan energi yang relatif kecil oleh elektron
valensinya untuk menyeberang ke pita konduksi.
Bahkan pada suhu kamar, beberapa elektron valensi dapat
memperoleh energi yang cukup untuk masuk ke pita konduksi untuk
menjadi elektron bebas.
Pada suhu kamar, jumlah elektron bebas yang tersedia sangat kecil,
sehingga germanium atau silikon bukanlah konduktor atau isolator
yang baik.
Deskripsi pita energi akan sangat membantu dalam memahami aliran
arus melalui semikonduktor.
 Pengaruh Suhu Pada Semikonduktor
Konduktivitas listrik semikonduktor berubah secara signifikan dengan
berubahnya suhu
a) Pada suhu nol
Semua elektron digenggam erat oleh atom semikonduktor.
Elektron orbit dalam terikat oleh inti, sedangkan elektron valensi
terikat dalam ikatan kovalen.
Pada suhu ini, ikatan kovalen sangat kuat dan tidak ada elektron
bebas, sehingga kristal semikonduktor berperilaku sebagai
insulator sempurna.
Tidak ada elektron valensi yang dapat mencapai pita konduksi
menjadi elektron bebas,sehingga semikonduktor berperilaku
sebagai isolator.

Catatan : Bahan Isolator = Insulator

 Pada suhu nol,
semikonduktor berperilaku sebagai isolator sempurna.
 Pengaruh Suhu Pada Semikonduktor
b) Pada suhu diatas nol
Ketika suhu dinaikkan maka beberapa ikatan kovalen dalam
semikonduktor putus.
Pemutusan ikatan kovalen akan membebaskan elektron-elektron
yang terikat.
Beberapa elektron valensi memperoleh energi yang cukup untuk
masuk ke pita konduksi dan menjadi elektron bebas
Beberapa elektron bebas ini dapat membentuk arus listrik kecil,
jika diberikan beda potensial pada kristal semikonduktor
Hal ini menunjukkan bahwa resistansi semikonduktor menurun
dengan kenaikan suhu yaitu memiliki koefisien resistansi suhu
negatif.
Dapat dicatat bahwa setiap kali elektron valensi masuk ke pita
konduksi, sebuah hole dibuat di pita valensi. Hole (lubang) ini juga
berkontribusi pada konduksi arus. Arus hole adalah konsep yang
paling signifikan dalam semikonduktor.
 Arus Hole (Lubang)
Pada suhu kamar, beberapa ikatan kovalen dalam semikonduktor murni
putus dan membentuk elektron bebas. Dibawah pengaruh medan listrik,
elektron bebas ini membentuk arus listrik. Pada saat yang sama, arus
lain - arus hole - juga mengalir di semikonduktor. Ketika ikatan kovalen
putus karena energi panas, pelepasan satu elektron meninggalkan
kekosongan yang disebut hole, yang bertindak sebagai muatan positif.
 Arus Hole (Lubang)
Dari gambar diatas, konduksi arus dengan hole dapat dijelaskan sbb:
Misalkan elektron valensi pada L telah menjadi elektron bebas.
Hal ini menciptakan hole pada ikatan kovalen di L.
hole tersebut menjadi pusat tarikan yang kuat untuk elektron.
Sebuah elektron valensi di M dari ikatan kovalen terdekat datang untuk
mengisi hole di L.
Hal ini menghasilkan pembentukan hole di M.
Elektron valensi di N pada gilirannya dapat meninggalkan ikatannya
untuk mengisi hole di M, sehingga menciptakan hole di N.
Jadi hole yang memiliki muatan positif telah dipindahkan dari L ke N
yaitu menuju terminal negatif suplai. Yang demikian ini yang
merupakan arus hole.
Dapat dicatat bahwa arus hole disebabkan oleh pergerakan elektron
valensi dari satu ikatan kovalen ke ikatan kovalen lainnya.
Dasar aliran arus adalah adanya hole pada ikatan kovalen. Oleh
karena itu, arus lebih tepat dianggap sebagai pergerakan hole.
 Deskripsi Pita (Band) Energi
Arus hole dapat dijelaskan kaitannya dengan pita energi.
Misalkan karena energi
panas, sebuah elektron
meninggalkan pita valensi
dan masuk ke pita konduksi
Hal ini meninggalkan
kekosongan di L. Sekarang
elektron valensi di M datang
untuk mengisi hole di L.

Hasilnya adalah hole menghilang di L dan muncul di M.

Selanjutnya, elektron valensi di N bergerak ke hole di M. Akibatnya, hole
dibuat di N. Jelas bahwa elektron valensi bergerak di sepanjang jalur
PNML sedangkan hole bergerak ke arah yang berlawanan yaitu di
sepanjang jalur LMNP
 Semikonduktor Intrinsik
Semikonduktor dalam bentuk yang sangat murni dikenal sebagai
semikonduktor intrinsik.
Pada suhu kamar, semikonduktor intrinsik membentuk pasangan hole-
elektron.
Ketika medan listrik melintasi semikonduktor intrinsik, maka akan terjadi
konduksi arus oleh elektron bebas dan hole.
Elektron bebas diproduksi karena lepasnya beberapa ikatan kovalen
oleh energi panas. Pada saat yang sama pada ikatan kovalen terjadi
hole.
Oleh karena itu, arus total di dalam semikonduktor adalah jumlahnya
arus karena elektron bebas dan hole.
 Semikonduktor Intrinsik

Saat hole mencapai terminal negatif B, elektron memasuki kristal

semikonduktor dan bergabung dengan hole.
Sedangkan arus pada kabel eksternal sepenuhnya adalah elektron.
 Semikonduktor Ekstrinsik
Semikonduktor intrinsik memiliki sedikit kemampuan konduksi arus
pada suhu kamar.
Agar dapat berguna pada perangkat elektronik, semikonduktor murni
harus diubah sedemikian rupa sehingga dapat meningkatkan sifat
konduktornya secara signifikan.
Hal ini dapat dicapai dengan menambahkan sejumlah kecil pengotor
(impuritas) yang sesuai ke semikonduktor.
Proses penambahan pengotor ke semikonduktor dikenal sebagai
doping.
Jumlah dan jenis pengotor tersebut harus dikontrol dengan ketat
selama pembuatan semikonduktor ekstrinsik.
Umumnya, untuk 108 atom semikonduktor, satu atom pengotor
ditambahkan.
 Semikonduktor Ekstrinsik

Tujuan penambahan pengotor adalah untuk meningkatkan jumlah

elektron bebas atau hole pada kristal semikonduktor.
Jika pengotor pentavalen (memiliki 5 elektron valensi) ditambahkan
ke semikonduktor, sejumlah besar elektron bebas diproduksi dalam
semikonduktor.
Penambahan pengotor trivalen (memiliki 3 elektron valensi)
menciptakan sejumlah besar hole pada kristal semikonduktor.
Bergantung pada jenis pengotor yang ditambahkan, semikonduktor
ekstrinsik diklasifikasikan menjadi: semikonduktor tipe-n dan
semikonduktor tipe-p
 Semikonduktor tipe n
Ketika sejumlah kecil pengotor pentavalen ditambahkan ke semikonduktor
murni, itu dikenal sebagai semikonduktor tipe-n. Penambahan pengotor
pentavalen memberikan sejumlah besar elektron bebas dalam kristal
semikonduktor.
Pengotor pentavalen
adalah arsen (As) dan
antimon (Sb). Pengotor
semacam itu dikenal
sebagai pengotor donor
karena mereka
menyumbangkan atau
menyediakan elektron
bebas ke kristal
semikonduktor.
Elemen Semikonduktor Pada Tabel Periodik
 Pita Energi Semikonduktor tipe n

Penambahan pengotor pentavalen telah menghasilkan sejumlah

elektron pita konduksi, yaitu elektron bebas.
Elektron valensi sisa kelima dari atom pentavalen tidak dapat
ditampung dalam pita valensi dan bergerak ke pita konduksi.
Jumlah elektron bebas yang
disediakan oleh pengotor
pentavalen melebihi jumlah
hole.
Karena dominasi elektron atas
hole inilah yang disebut
semikonduktor tipe-n (n
singkatan dari negatif).
 Konduktivitas Semikonduktor tipe n

Konduksi arus dalam semikonduktor tipe-n didominasi oleh elektron

bebas (muatan negatif), sehingga disebut konduktivitas tipe-n atau
tipe elektron.
 Konduktivitas Semikonduktor tipe n

Untuk memahami konduktivitas tipe-n, elektron bebas yang

disumbangkan oleh pengotor dalam kristal akan diarahkan ke
terminal positif, yang merupakan arus listrik.
Karena arus yang mengalir melalui kristal adalah oleh elektron bebas
yang merupakan pembawa muatan negatif, maka jenis konduktivitas
ini disebut konduktivitas negatif atau tipe-n.
Konduksi yang terjadi pada tipe n ini sama halnya seperti pada
logam biasa seperti tembaga.
 Semikonduktor tipe p
Ketika pengotor trivalen ditambahkan ke semikonduktor murni, maka
disebut semikonduktor tipe-p. Penambahan pengotor trivalen
menghasilkan sejumlah besar hole di semikonduktor.
Contoh khas dari pengotor
trivalen adalah galium dan
indium.

Pengotor semacam itu

dikenal sebagai pengotor
akseptor, karena hole yang
dibuat dapat menerima
elektron.
 Semikonduktor tipe p
Ketika pengotor trivalen seperti galium (Ga) ditambahkan ke
kristal germanium, maka akan terdapat sejumlah hole di kristal.
Gallium adalah trivalen yang atomnya memiliki tiga elektron
valensi.
Setiap atom galium cocok dengan kristal germanium, tetapi
hanya tiga ikatan kovalen yang dapat dibentuk.
Dalam ikatan kovalen keempat, hanya atom germanium yang
menyumbang satu elektron valensi.
Oleh karena itu, untuk setiap atom galium yang ditambahkan,
maka akan terdapat satu hole.
 Pita Energi Semikonduktor tipe p
Gambar pita energi tersebut menunjukkan bahwa penambahan
pengotor trivalen telah menghasilkan banyak hole, meskipun ada
beberapa elektron di pita konduksi karena energi panas suhu kamar.

Jumlah hole tersebut jauh

melebihi jumlah elektron pita
konduksi. Karena dominasi
hole ini sehingga disebut
semikonduktor tipe-p (p
berarti positif).
 Konduktivitas Semikonduktor tipe p
Konduksi arus dalam semikonduktor tipe-p didominasi oleh hole yaitu
muatan positif dan disebut konduktivitas tipe-p atau tipe hole. Ketika
medan listrik diterapkan pada semikonduktor tipe-p, maka hole digeser
dari satu ikatan kovalen ke yang lain.
Karena hole bermuatan
positif, maka diarahkan ke
terminal negatif, yang
dikenal sebagai arus hole.
Dalam konduktivitas tipe-p,
elektron valensi berpindah
dari satu ikatan kovalen ke
yang lain, tidak seperti
tipe-n dimana konduksi
arus oleh elektron bebas.
 Muatan pada Semikonduktor tipe-n dan tipe-p
Dalam semikonduktor tipe-n, konduksi arus disebabkan oleh
kelebihan elektron, sedangkan pada semikonduktor tipe-p, konduksi
arus disebabkan oleh kelebihan hole.
Kelebihan elektron semikonduktor tipe-n ini disuplai oleh atom
pengotor donor, dan setiap atom pengotor donor netral secara
elektrik.
Ketika atom pengotor ditambahkan, istilah "elektron berlebih"
mengacu pada kelebihan yang berkaitan dengan jumlah elektron yang
dibutuhkan untuk mengisi ikatan kovalen dalam kristal semikonduktor.
Elektron ekstra adalah elektron bebas yang berfungsi untuk
meningkatkan konduktivitas semikonduktor.
Situasi yang berkaitan dengan semikonduktor tipe-p juga serupa.
Oleh karena itu, semikonduktor tipe-n dan tipe-p adalah netral secara
elektrik.
 Majority and Minority Carriers
Elektron bebas yang disebabkan oleh pengotor, tidak berhubungan
dengan hole. Sehingga, bahan tipe-n memiliki banyak elektron bebas
dan jumlah hole yang sedikit.
Elektron bebas dalam hal ini dianggap sebagai Majority Carriers
karena sebagian besar arus dalam material tipe-n adalah oleh aliran
elektron bebas - dan hole-nya adalah Minority Carriers.
 Majority and Minority Carriers
Demikian pula, pada bahan tipe-p, jumlah hole nya melebihi elektron
bebas, sehingga hole nya adalah Majority Carriers dan elektron bebas
nya adalah Minority Carriers.
 pn Junction
Ketika semikonduktor tipe-p digabungkan dengan semikonduktor tipe-n,
permukaan kontaknya disebut pn junction.
Kebanyakan perangkat
semikonduktor berisi
satu atau lebih pn
junction.
pn junction sangat
penting karena
merupakan elemen
kontrol untuk
perangkat
semikonduktor.
Pembentukan pn Junction
Salah satu metode untuk membuat pn
junction disebut paduan (alloy).
Dalam metode ini, blok kecil indium
(pengotor trivalen) ditempatkan pada
lempengan germanium tipe-n.
Sistem kemudian dipanaskan sampai
suhu sekitar 500ºC.
Indium dan sebagian dari germanium
meleleh membentuk genangan kecil
campuran germanium-indium cair.
Suhu kemudian diturunkan dan genangan
mulai mengeras.
Atom pengotor indium akan diatur dengan
tepat dalam lempengan germanium untuk
membentuk kristal tunggal.
 Pembentukan pn Junction

Penambahan indium mengatasi kelebihan elektron dalam

germanium tipe-n sedemikian rupa sehingga menciptakan daerah
tipe-p.
Seiring berjalannya proses, campuran lelehan yang tersisa menjadi
semakin kaya akan indium.
Ketika semua germanium telah disimpan kembali, material yang
tersisa muncul sebagai tombol indium yang dibekukan ke
permukaan luar dari bagian yang mengkristal.
Tombol ini berfungsi sebagai dasar untuk menyolder timah.
 Sifat-Sifat pn Junction

Pada saat pembentukan pn-junction, elektron bebas di dekat junction

di wilayah n mulai berdifusi melintasi junction ke wilayah p di mana
mereka bergabung dengan hole.
Hasilnya adalah wilayah n kehilangan elektron bebas.
Hal ini menciptakan lapisan muatan positif (ion pentavalen) di dekat
junction.
Saat elektron bergerak melintasi junction, daerah p kehilangan hole
saat elektron dan hole bergabung.
Hasilnya adalah ada lapisan muatan negatif (ion trivalen) di dekat
junction.
Kedua lapisan muatan positif dan negatif ini membentuk daerah
depletion (depletion layer).
 Sifat-Sifat pn Junction

Istilah depletion diberikan karena wilayah tersebut kehilangan

elektron bebas dan hole.
Depletion layer terbentuk dengan sangat cepat dan sangat tipis
dibandingkan dengan daerah n dan daerah p.
Setelah sambungan pn
terbentuk dan depletion layer
terbentuk, difusi elektron bebas
berhenti.
Dengan kata lain, depletion layer
bertindak sebagai penghalang
pergerakan elektron bebas.
Muatan positif dan negatif
membentuk medan listrik.
 Sifat-Sifat pn Junction

Medan listrik adalah penghalang elektron bebas di daerah-n.

Terdapat perbedaan potensial di
seluruh depletion layer dan disebut
barrier potential (V0).
Barrier potential bergantung pada
beberapa faktor termasuk jenis
bahan semikonduktor, jumlah
doping dan suhu.
Typical barrier potential adalah mendekati :
V0 = 0,7 V (untuk silikon) dan
V0 = 0,3 V (untuk germanium).
Kurva Distribusi Potensial (V0).
 Biasing pn Junction
Ada dua kondisi dalam mencatu tegangan DC pada pn Junction atau
Biasing, yaitu Forward biasing dan Reverse biasing
1. Forward biasing
Saat Tegangan dc diberikan ke pn junction sedemikian rupa
sehingga meng-cancel barrier potential, dan mengijinkan arus
mengalir. Hal demikian disebut dengan forward bias.
Untuk menerapkan forward bias, hubungkan terminal positif
baterai ke tipe-p dan terminal negatif ke tipe-n.
Forward potential yang diberikan membentuk medan listrik yang
melawan medan karena barrier potential.
Oleh karena itu, medan resultan melemah dan ketinggian
barrier berkurang.
Forward Biasing pn Junction

Karena tegangan barrier potential

sangat kecil (0,1 - 0,3 V), maka
tegangan forward yang kecil
sudah cukup untuk mengeliminasi
tegangan barrier.
Setelah barrier potential
dieliminasi oleh tegangan
forward, resistansi junction
menjadi hampir nol dan lintasan
dengan resistansi rendah dibuat
untuk seluruh rangkaian,
sehingga arus forward mengalir di
rangkaian.
 Forward Biasing pn Junction

Dengan forward bias ke pn junction, maka diperoleh hal-hal berikut :

a) barrier potential dikurangi oleh tegangan forward, sehingga
tereliminasi.
b) Junction memberikan resistansi yang rendah (disebut resistansi
forward, Rf).
c) Arus mengalir karena resistansi rendah, yang besarnya
bergantung pada tegangan forward yang diberikan.
 Reverse Biasing pn Junction
Ketika tegangan dc dicatukan ke junction sedemikian rupa sehingga
barrier potential meningkat, disebut reverse bias. Untuk menerapkan
reverse bias, hubungkan terminal negatif baterai ke tipe-p dan terminal
positif ke tipe-n.
Reverse Biasing pn Junction

Tegangan reverse yang dicatukan akan

membentuk medan listrik yang searah
dengan medan listrik karena barrier
potential.
Oleh karena resultan medan di junction
diperkuat maka ketinggian barrier
bertambah.
Barrier potential yang meningkat
mencegah aliran muatan melintasi
junction.
Dengan demikian, lintasan resistansi
tinggi dibuat untuk seluruh rangkaian
dan karenanya arus tidak bisa
mengalir.
 Reverse Biasing pn Junction
Dengan reverse bias ke junction pn, maka diperoleh hal-hal berikut :
a) Potensi barrier meningkat.
b) Junction memberikan resistansi yang sangat tinggi (disebut
resistansi reverse, Rr).
c) Tidak ada arus yang mengalir di rangkaian karena resistansi yang
tinggi.

Kesimpulan
Dari pembahasan biasing diatas, dapat disimpulkan bahwa dengan
reverse bias ke junction, lintasan resistansi tinggi terjadi dan
karenanya tidak ada aliran arus. Di sisi lain, dengan forward bias ke
junction, lintasan resistansi rendah terjadi sehingga arus mengalir ke
rangkaian.
 Arus Dalam pn Junction Forward Bias
Bagaimana arus mengalir melintasi pn junction ketika forward bias ?
Karena pengaruh tegangan forward, elektron bebas pada tipe-n
bergerak menuju junction, meninggalkan atom bermuatan positif.
Namun kondisinya, lebih banyak elektron datang dari terminal baterai
negatif dan memasuki daerah-n untuk menggantikan tempatnya.
 Arus Dalam pn Junction Forward Bias
Saat elektron bebas mencapai junction, maka akan menjadi elektron
valensi.
Sebagai elektron valensi, mereka bergerak melalui hole di daerah p.
Elektron valensi bergerak ke kiri di daerah p yang ekivalen dengan hole
yang bergerak ke kanan.
Ketika elektron valensi mencapai ujung kiri kristal, mereka mengalir ke
terminal positif baterai.
 Mekanisme aliran arus
Mekanisme aliran arus pada pn junction forward bias adalah sbb:
a) Elektron bebas dari terminal negatif terus mengalir ke daerah tipe n
sedangkan elektron bebas di daerah tipe n bergerak menuju junction.
b) Elektron bergerak melalui daerah-n sebagai elektron bebas, yaitu
arus di daerah-n oleh elektron bebas.
c) Ketika elektron-elektron ini mencapai junction, mereka bergabung
dengan hole dan menjadi elektron valensi.
d) Elektron bergerak melalui daerah p sebagai elektron valensi yaitu
arus di daerah p melalui hole.
e) Ketika elektron valensi ini mencapai ujung kiri kristal, mereka
mengalir ke terminal positif baterai.

Kesimpulan
Pada daerah tipe-n, arus dibawa oleh elektron bebas sedangkan pada
daerah tipe-p arus dibawa oleh hole. Namun, pada kabel penghubung
eksternal, arus dibawa oleh elektron bebas.
 Karakteristik Arus - Tegangan pn Junction

Karakteristik arus-tegangan atau V-I dari pn junction (juga disebut

dioda kristal) adalah kurva antara tegangan yang melintasi junction
dan arus rangkaian.
Untuk kurvanya, tegangan diambil sepanjang sumbu x dan arus
sepanjang sumbu y.
Karakteristik dapat ditelaah melaui 3 kondisi, yaitu tegangan
eksternal nol, forward bias, dan reverse bias.

Rangkaian untuk menentukan karakteristik V-I dari pn junction

a) Tegangan eksternal nol
Ketika tegangan eksternal adalah nol (K terbuka), barrier potential di
junction tidak mengizinkan aliran arus, sehingga arus rangkaian nol
b) Forward Bias
Terminal positif terhubung ke tipe-p dan terminal negatif ke tipe-n
Ketika tegangan forward melewati barrier potential (0,7 V untuk Si
dan 0,3 V untuk Ge), maka arus mulai mengalir di rangkaian.
Arus meningkat sesuai dengan kenaikan tegangan forward, atau
kurva OB naik.
Dari karakteristik forward terlihat bahwa pada awalnya (daerah
OA) arus naik sangat lambat dan kurva tidak linier. Itu karena
tegangan yang diberikan eksternal digunakan untuk mengatasi
barrier potential. Namun, setelah tegangan eksternal melebihi
tegangan barrier potential, pn junction berperilaku seperti
konduktor biasa.
Oleh karena itu, arus naik sangat tajam dengan kenaikan
tegangan eksternal (daerah AB pada kurva). Kurva hampir linier.
c) Reverse Bias
Dengan reverse bias ke pn junction, yaitu tipe-p terhubung ke
terminal negatif dan tipe-n terhubung ke terminal positif, barrier
potential di junction meningkat.
Oleh karena itu, hambatan junction menjadi sangat tinggi dan
praktis tidak ada arus yang mengalir melalui rangkaian.
Namun, dalam praktiknya, arus yang sangat kecil (µA) mengalir di
sirkuit dengan reverse bias, seperti yang ditunjukkan pada
karakteristik reverse.
Ini disebut arus saturasi reverse (Is) dan disebabkan oleh minoritas
carrier.
Perlu diingat bahwa ada beberapa elektron bebas dalam bahan tipe-
p dan beberapa hole pada bahan tipe-n.
Elektron bebas yang tidak diinginkan dalam tipe-p dan hole pada
tipe-n disebut minoritas carrier.
Untuk minoritas carrier ini, reverse bias yang dicatukan muncul
sebagai forward bias.
Oleh karena itu, arus kecil mengalir ke arah sebaliknya.
 Jika tegangan reverse dinaikkan terus menerus, maka energi kinetik
elektron (minoritas carrier) dapat menjadi cukup tinggi untuk
melumpuhkan elektron dari atom semikonduktor.
Pada tahap ini kerusakan junction terjadi, ditandai dengan kenaikan
tiba-tiba arus reverse dan penurunan tiba-tiba dari daerah barrier.
Ini dapat menghancurkan junction secara permanen.

Catatan:
Arus forward melalui pn junction disebabkan oleh mayoritas carrier
yang dihasilkan oleh pengotor. Namun, arus reverse disebabkan oleh
minoritas carrier yang dihasilkan karena lepasnya beberapa ikatan
kovalen pada suhu kamar.
 Important Terms
Dua istilah penting yang sering digunakan oleh pn junction (yaitu
dioda kristal) adalah tegangan breakdown dan tegangan knew.
a) Tegangan Breakdown.
Adalah tegangan reverse minimum di mana pn junction
menjadi rusak karena terjadinya kenaikan tiba-tiba arus
reverse.
Di bawah tegangan reverse normal, arus reverse yang sangat
kecil mengalir melalui pn junction.
Setelah tegangan breakdown nya tercapai, arus reverse yang
tinggi dapat merusak junction.
Oleh karena itu, harus diperhatikan bahwa tegangan reverse
pada pn junction harus selalu lebih kecil dari tegangan
breakdown nya.
 Important Terms
b) Tegangan Knew.
Ini adalah tegangan forward di mana arus yang melalui junction
mulai meningkat dengan cepat.
Ketika dioda forward bias, maka dioda akan menghantarkan arus
dengan sangat lambat sampai mencapai barrier potential (silikon 0,7
V dan germanium 0,3 V)
 Important Terms

Dari gambar terlihat bahwa setelah tegangan forward yang diberikan

melebihi tegangan knew, maka arus mulai meningkat dengan cepat.
Untuk mendapatkan arus yang berguna melalui pn junction,
tegangan yang diberikan harus lebih dari tegangan knew.

Catatan.
Tegangan barrier potential juga dikenal sebagai tegangan turn-on.
 Batasan Kondisi Pengoperasian pn Junction

Setiap pn junction memiliki nilai pembatas untuk maximum forward

current, peak inverse voltage dan maximum power rating.
pn junction akan memberikan kinerja yang memuaskan jika
dioperasikan dalam range nilai pembatas ini.
Namun, jika nilai ini terlampaui, pn junction dapat rusak karena panas
yang berlebihan.

a) Maximum forward current

Ini adalah arus forward sesaat tertinggi yang dapat diberikan ke pn
junction tanpa merusak. Manufacturer’s data sheet selalu
memberikan batas nilai ini.
 Batasan Kondisi Pengoperasian pn Junction

b) Peak inverse voltage (PIV)

• Ini adalah tegangan reverse maksimum yang dapat diberikan ke
pn junction tanpa merusaknya.
• Jika tegangan reverse melebihi PIV-nya, maka junction tersebut
dapat rusak karena panas yang berlebihan

c) Maximum power rating

• Ini adalah daya maksimum yang dapat didissipasikan pada
junction tanpa merusaknya.
• Daya yang hilang di junction sama dengan perkalian antara arus
junction dan tegangan yang melintasi junction
• Besaran ini sangat penting untuk dipertimbangkan, dan telah
ditentukan oleh Manufacturer’s data sheet
 Pertanyaan Pilihan Ganda

1. A semiconductor is formed by ........ bonds.

(i) covalent (iii) co-ordinate
(ii) electrovalent (iv) none of the above
2. A semiconductor has ........ temperature coefficient of resistance.
(i) positive (iii) negative
(ii) zero (iv) none of the above
3. The most commonly used semiconductor is ........
(i) germanium (iii) carbon
(ii) silicon (iv) sulphur
4. A semiconductor has generally ........ valence electrons.
(i) 2 (iii) 6
(ii) 3 (iv) 4
 Pertanyaan Pilihan Ganda
5. The resistivity of pure germanium under standard conditions is
about ........
(i) 6 × 104 Ω cm (ii) 60 Ω cm
(iii) 3 × 106 Ω cm (iv) 6 × 10-4 Ω cm
6. The resistivity of pure silicon is about ........
(i) 100 Ω cm (iii) 3 × 105 Ω cm
(ii) 6000 Ω cm (iv) 1.6 × 10-8 Ω cm

7. When a pure semiconductor is heated, its resistance ........

(i) goes up (iii) remains the same
(ii) goes down (iv) cannot say

8. The strength of a semiconductor crystal comes from ........

(i) forces between nuclei (iii) electron-pair bonds
(ii) forces between protons (iv) none of the above
 Pertanyaan Pilihan Ganda

9. When a pentavalent impurity is added to a pure semiconductor,

it becomes ........
(i) an insulator (iii) p-type semiconductor
(ii) an intrinsic semiconductor (iv) n-type semiconductor

10. Addition of pentavalent impurity to a semiconductor creates

many ........
(i) free electrons (ii) holes
(iii) valence electrons (iv) bound electrons

11. A pentavalent impurity has ........ Valence electrons.

(i) 3 (iii) 4
(ii) 5 (iv) 6
 Pertanyaan Pilihan Ganda
12. An n-type semiconductor is ........
(i) positively charged (iii) electrically neutral
(ii) negatively charged (iv) none of the above

13. A trivalent impurity has ........ valence electrons.

(i) 4 (iii) 6
(ii) 5 (iv) 3

14. Addition of trivalent impurity to a semiconductor creates many ........

(i) holes (iii) valence electrons
(ii) free electrons (iv) bound electrons

15. A hole in a semiconductor is defined as ........

(i) a free electron (iii) a free proton
(ii) the incomplete part of an electron pair bond (iv) a free neutron
 Pertanyaan Pilihan Ganda
16. The impurity level in an extrinsic semiconductor is about ........ of pure
semiconductor.
(i) 10 atoms for 108 atoms (iii) 1 atom for 104 atoms
(ii) 1 atom for 108 atoms (iv) 1 atom for 100 atoms

17. As the doping to a pure semiconductor increases, the bulk resistance

of the semiconductor ........
(i) remains the same (iii) decreases
(ii) Increases (iv) none of the above

18. A hole and electron in close proximity would tend to ........

(i) repel each other (iii) have no effect on each other
(ii) attract each other (iv) none of the above
 Pertanyaan Pilihan Ganda

19. In a semiconductor, current conduction is due ........

(i) only to holes (iii) to holes and free electrons
(ii) only to free electrons (iv) none of the above

20. The random motion of holes and free electrons due to thermal
agitation is called ........
(i) diffusion (iii) ionisation
(ii) Pressure (iv) none of the above

21. A forward biased pn junction has a resistance of the ........

(i) order of Ω (iii) order of MΩ
(ii) order of kΩ (iv) none of the above
 Pertanyaan Pilihan Ganda

22. The battery connections required to forward bias a pn junction

are ........
(i) +ve terminal to p and −ve terminal to n
(ii) −ve terminal to p and +ve terminal to n
(iii) −ve terminal to p and −ve terminal to n
(iv) none of the above

23. The barrier voltage at a pn junction for germanium is about ........

(i) 3.5 V (iii) zero
(ii) 3V (iv) 0.3 V

24. In the depletion region of a pn junction, there is a shortage of

..........
(i) acceptor ions (ii) holes and electrons
(iii) donor ions (iv) none of the above
 Pertanyaan Pilihan Ganda
25. A reverse biased pn junction has ........
(i) very narrow depletion layer (iii) very low resistance
(ii) almost no current (iv) large current flow

26. A pn junction acts as a ........

(i) controlled switch (iii) unidirectional switch
(ii) bidirectional switch (iv) none of the above

27. A reverse biased pn junction has resistance of the........

(i) order of Ω (iii) order of MΩ
(ii) order of kΩ (iv) none of the above

28. The leakage current across a pn junction is due to ........

(i) minority carriers (iii) junction capacitance
(ii) majority carriers (iv) none of the above
 Pertanyaan Pilihan Ganda
29. When the temperature of an extrinsic semiconductor is increased,
the pronounced effect is on ........
(i) junction capacitance (iii) majority carriers
(ii) minority carriers (iv) none of the above
30. With forward bias to a pn junction, the width of depletion layer ........
(i) Decreases (iii) remains the same
(ii) Increases (iv) none of the above
31. The leakage current in a pn junction is of the order of ........
(i) A (iii) kA
(ii) mA (iv) µA
32. In an intrinsic semiconductor, the number of free electrons ........
(i) equals the number of holes (iii) is less than the number of holes
(ii) is greater than the number of holes (iv) none of the above
 Pertanyaan Pilihan Ganda
33. At room temperature, an intrinsic semiconductor has ........
(i) many holes only (iii) many free electrons only
(ii) a few free electrons and holes (iv) no holes or free electrons

34. At absolute temperature, an intrinsic semiconductor has ........

(i) a few free electrons (iii) many free electrons
(ii) many holes (iv) no holes or free electrons

35. At room temperature, an intrinsic silicon crystal acts approximately

as ........
(i) a battery (iii) an insulator
(ii) a conductor (iv) a piece of copper wire
 Review Topics
1. Apa yang Anda pahami tentang semikonduktor? Diskusikan beberapa
sifat penting dari semikonduktor.
2. Manakah semikonduktor yang paling umum digunakan dan mengapa?
3. Berikan deskripsi tentang pita energi dari semikonduktor.
4. Diskusikan pengaruh suhu pada semikonduktor.
5. Berikan mekanisme aliran arus hole dalam semikonduktor.
6. Apa yang Anda pahami tentang semikonduktor intrinsik dan ekstrinsik?
7. Apa yang dimaksud dengan pn junction? Jelaskan pembentukan barrier
potential pada pn junction.
8. Diskusikan perilaku pn junction untuk forward bias dan reverse bias.
9. Gambarkan dan jelaskan karakteristik V-I dari pn junction.
10. Tuliskan catatan singkat tentang berikut ini:
(a) Tegangan Breakdown
(b) Tegangan Knee
(c) Batasan dalam pengoperasian pn junction
 Discussion Questions

1. Mengapa semikonduktor merupakan isolator pada suhu biasa?

2. Mengapa electron carriers ada dalam semikonduktor tipe-p?
3. Mengapa silikon lebih disukai daripada germanium dalam
pembuatan perangkat semikonduktor?
4. Apa pentingnya tegangan peak inverse?