Fisika Devais Semikonduktor

Gejala Transport

Sifat-sifat Semikonduktor
Konduktivitas: Isolator --- semikonduktor --- Konduktor
Memiliki resistansi dengan koefisien suhu negatif,
resistansi semikonduktor menurun dengan kenaikan
suhu dan sebaliknya.
contoh, germanium menjadi isolator pada suhu rendah tetapi
merupakan konduktor yang baik pada suhu tinggi.

Ketika ketakmurnian metalik yang tepat (seperti

arsenik, gallium, dsb.) ditambahkan ke dalam
semikonduktor, maka sifat-sifat konduksi arusnya
berubah cukup besar. Inilah sifat yang paling khas dan
penting.

Pengaruh Temperatur

Konduktivitas

semikonduktor

konduktor

Suhu

Pengaruh Temperatur
Pada suhu 0 K (-273 oC) Kristal Si
dan Ge berkelakukan sebagai
isolator
Energi panas menyebabkan
atom-atom pada Kristal
bergetar
Pada suhu kamar T, beberapa
ikatan kovalen putus akibat
energi thermal sehingga ada
elektron bebas yang menjadi
muatan negatif.
Titik dimana elektron
meninggalkan tempatnya
disebut hole -> pembawa
muatan positif

Si

Si

Si

Si

Si

Si

hole

elektron bebas
4

Semikonduktor Intrinsik
Kristal Silikon yang murni, dimana setiap atomnya adalah
atom Silikon saja, disebut sebagai semikonduktor intrinsik.
Tidak terdapat pasangan elektron-hole yang cukup banyak
didalam suatu semikonduktor intrinsik untuk dapat
menghasilkan arus yang berguna.

Semikonduktor Intrinsik

2 pembawa muatan

- elektron bebas
+ lubang (hole)

---------++++++++++

elektron bebas disertai

hole bergerak sebagai
pembawa muatan
6

Semikonduktor Ekstrinsik
Sifat listrik semikonduktor dapat diubah dengan menambahkan
sejumlah atom yang berukuran hampir sama, namun dengan
jumlah elektron valensi yang berbeda.
dilakukan doping dengan memasukan atom asing bervalensi 5
atau 3 disebut semikonduktor ekstrinsik, untuk menyusun devais
elektronik yang kaya akan satu jenis pembawa muatan : hole
atau elektron saja.
Ada dua jenis semikonduktor hasil doping, yaitu semikonduktor
tipe p dan semikonduktor tipe n.

Semikonduktor Tipe N
Untuk memperoleh tambahan elektron
pada jalur konduksi, diperlukan atom
pentavalent (atom yang memiliki 5 buah
elektron valensi)
Setelah membentuk ikatan kovalen
dengan tetangganya, atom pentavalen ini
mempunyai kelebihan sebuah elektron,
yang dapat beredar pula pada jalur
konduksi
Terbentuk jumlah elektron yang cukup
banyak dan jumlah hole yang sedikit.
Keadaan ini diistilahkan dengan elektron
sebagai pembawa mayoritas dan hole
sebagai pembawa minoritas.
Semikonduktor yang di-dop seperti ini
disebut dengan semikonduktor type-n.

Pita Energi Semikonduktor tipe N

Atom donor

Semikonduktor Tipe P
Jika semikonduktor di-dop bahan
trivalent, atau atom akseptor,
akan terbentuk jumlah hole pada
jalur valensi yang banyak.
Terbentuk keadaan dimana hole
menjadi pembawa mayoritas dan
elektron
menjadi
pembawa
minoritas. Semikonduktor ini
disebut semikonduktor type-p

10

Pita Energi Semikonduktor tipe P

Atom acceptor

11

Elektron dan Hole

Elektron dan hole memiliki kecenderungan menempati energi

terendah
Elektron cenderung berada di pita energi
Hole mengambang di pita valensi seperti gelembung di air
12

SEMIKONDUKTOR INTRINSIK

SEMIKONDUKTOR EKSTRINSIK
Extra electron

Atom donor

SEMIKONDUKTOR TIPE N

Atom acceptor

SEMIKONDUKTOR TIPE P
13

SEMIKONDUKTOR INTRINSIK
Dua pembawa muatan : hole (+) dan
elektron (-)

SEMIKONDUKTOR TIPE P
(+) pembawa mayoritas
(-) pembawa minoritas

SEMIKONDUKTOR TIPE N
(-) pembawa mayoritas
(+) pembawa minoritas
14

RAPAT PEMBAWA PADA SEMIKONDUKTOR

Distribusi elektron
Dalam Fisika Statistik telah dikenal fungsi distribusi fermiDiract ( elektron termasuk fermion) yang dapat dinyatakan:

15

RAPAT PEMBAWA PADA SEMIKONDUKTOR

Konsentrasi pembawa muatan n diperoleh dengan melakukan integrasi:

N(E) adalah rapat keadaan =

f(E) fungsi distribusi Fermi Diract. Batas integrasi adalah nilai minimum
pita konduksi (diambil saja 0) sampai nilai maksimum pita konduksi (Em)
Pendekatan terhadap f(E):
Untuk E-EF > 3 kT
f(E) = exp(E - EF)/kT dan
Untuk E - EF < - 3kT f(E) = 1 - exp(E - EF)/kT yang tidak lain adalah
probabilitas hole.

16

RAPAT PEMBAWA PADA SEMIKONDUKTOR

Semiconductor intrinsik
(a). Skema diagram pita. (b). Rapat keadaan.
(c). Fungsi distribusi Fermi. (d).Konsentrasi pembawa
17

RAPAT PEMBAWA PADA SEMIKONDUKTOR

Untuk E-EF > 3 kT

f(E) = exp(E - EF)/kT

Untuk E - EF < - 3kT f(E) = 1 - exp(E - EF)/kT

18

 Dalam semikonduktor intrinsik (murni) banyaknya

lubang sama dengan banyaknya elektron bebas.
Konsentrasi (rapat) lubang p harus sama dengan
konsentrasi (rapat) elektron n, sehingga :

n = p = ni
ni disebut konsentrasi atau rapat intrinsik

19

RAPAT PEMBAWA PADA SEMIKONDUKTOR

Untuk semikonduktor intrinsik maka p = n = ni

dengan ni adalah densitas pembawa intrinsik

Dengan hukum aksi massa ( n.p =ni2) diperoleh

20

RAPAT MUATAN DALAM SEMIKONDUKTOR

Rapat muatan positif =
ND + p
Rapat muatan negatif =
NA + n
Pada semikonduktor netral, besarnya muatan positif sama dengan besar
muatan negatif :

ND + p = N A + n
Pada semikonduktor tipe n, banyaknya elektron lebih besar dari banyaknya
lubang (n >> p) sehingga :
Rapat Lubang

nn = N D

semikonduktor tipe-n adalah :

pdalam
n
ni 2
pn = ---------ND

Untuk semikonduktor tipe-p adalah :

ni 2
np = ---------NA

21

Konsentrasi Pembawa Muatan

22

Konsentrasi Pembawa Muatan

23

Semikonduktor tipe N
Mayoritas pembawa adalah elektron ( d)
Tingkat energi Fermi bergeser menuju pita
konduksi oleh karena adanya tingkat energi donor.

(a). Skema diagram pita. (b). Rapat

keadaan.
(c). Fungsi distribusi Fermi.
(d).Konsentrasi pembawa

24

Semikonduktor tipe P
Mayoritas pembawa adalah hole (d)
Tingkat energi Fermi bergeser menuju pita
valensi oleh karena adanya tingkat energi
akseptor.

(a). Skema diagram pita. (b). Rapat keadaan.

(c). Fungsi distribusi Fermi. (d).Konsentrasi pembawa
25

Konduksi dalam Semikonduktor

1. Arus Difusi
suatu penghantar arus I di dalam semikonduktor
karena tidak meratanya konsentrasi hole p partikel
atau terjadi gradient konsentrasi
2. Arus Drift / Arus Hanyut
suatu partikel bermuatan dia dalam medan listrik
(elektris) akan bergerak dibawah gaya F tarik dan
tolak elektris. Idrift ~ Energi E.
3. Jumlah kedua arus disebut arus total.

26

Arus Difusi
Bila konsentrasi pembawa muatan berbeda dari satu titik ke titik yang
lain, arus akan mengalir meskipun dalam bahan semikonduktor
tersebut tidak ada medan listrik eksternal. Fenomena ini seperti halnya
tetesan tinta menyebar dalam air.
J adalah arus partikel
C konsentrasi pembawa muatan
x menyatakan posisi
D adalah koefisien difusi.

27

Arus Difusi
Elektron/hole dapat mengalir dalam semikonduktor disebabkan oleh beda
konsentrasi, sehingga timbul arus difusi
arus yang berasal dari hole,

Jp adalah arus hole

p konsentrasi hole
x menyatakan posisi
D adalah koefisien difusi.
q muatan pembawa

arus yang berasal dari elektron,

Jn adalah arus elektron
n konsentrasi elektron
x menyatakan posisi
D adalah koefisien difusi.
q muatan pembawa
28

Arus Total
Arus total yang berasal dari hole,
Arus tota yang berasal dari elektron,
Perbedaan yang mendasar antara konduktor dengan semikonduktor adalah bahwa
pembawa muatan pada logam adalah elektron (unipolar) sedangkan pada
semikonduktor pembawa muatan adalah elektron dan hole (bipolar). bila mobilitas
elektron dan hole berturut-turut n dan p , maka rapat arus j semikonduktr
diberikan oleh persamaan :

29