Anda di halaman 1dari 35

SEMIKONDUKTOR

Bahan Elektronika Zat Padat


Bahan elektronika zat padat ada 3 jenis:
Isolator
Konduktor
Semikonduktor

> 105 -cm


< 10-3 -cm
10-3 < < 105 -cm

Bahan semikonduktor-tunggal dibentuk oleh satu


jenis atom golongan IV
Bahan semikonduktor-majemuk dibentuk oleh
atom golongan III dan golongan V atau atom
golongan II dan VI.
Silikon umum digunakan karena mempunyai
energi bandgap yang tinggi, dan mudah
dioksidasi menjadi silikon-dioksida (bahan isolator)

Ciri fisik utama bahan semikonduktor antara


lain:
Tahanan jenis menurun dengan kenaikan suhu, menurut persamaan
1; sedang tahanan jenis logam meningkat dengan kenaikan suhu,
menurut persamaan 2.
Tahanan
jenis
semikonduktor
sangat
dipengaruhi
oleh
ketidakmurnian kimiawi di dalamnya, cahaya yang menyinarinya,
medan listrik, dan medan induksi magnetik.
Pengukuran koefisien Hall dan tahanan jenis memberikan pembawa
muatan yang berpolaritas negatif (elektron) dan positif.

Bahan Semikonduktor
Semiconductor

Bandgap
Energy EG
(eV)

Carbon
(diamond)

5.47

Silicon

1.12

Germanium

0.66

Tin

0.082

Gallium arsenide

1.42

Gallium nitride

3.49

Indium
phosphide

1.35

Boron nitride

7.50

Silicon carbide

3.26

Cadmium
selenide

1.70

GAMBAR. PERBEDAAN TINGKAT ENERGI DARI MATERIAL

ELEKTRON-ELEKTRON VALENSI
Elektron-elektron dalam kulit terluar sebuah atom disebut elektron-elektron valensi. Elektronelektron tersebut menentukan sifat dasar reaksi-reaksi kimia atom dan terutama menentukan
sifat listrik material padat.

Boron
3 elektron
valensi

Silikon
4 elektron
valensi

Antimoni
5 elektron
valensi

KRISTAL SILIKON
Kristal semikonduktor tersusun dari atom-atom yang letaknya saling
berdekatan dan saling berikatan satu sama lain membentuk suatu
ikatan yang disebut ikatan kovalen

Gambaran ikatan kovalen atom silikon Pada kondisi nol


mutlak. Setiap atom Si menyumbangkan satu elektron
untuk tiap pasangan ikatan kovalen

ENERGI CELAH PITA


(BANDGAP)
Energi celah pita
(bandgap)
merupakan energi
minimum yang
dibutuhkan untuk
membebaskan
elektron dari
ikatan kovalen
dalam kristal
semikonduktor

TIPE SEMIKONDUKTOR
Semikonduktor
Intrinsik
Semikonduktor Intrinsik merupakan
semikonduktor murni yang belum diberi atom
(impuritas)
pengotor
Kerapatan elektron dalam semikonduktor
intrinsik

EG = Energi celah pita semikonduktor dalam eV


B = Konstanta Bahan (untuk Si B=1,08 x 1031 K-3 cm-6
T = temperatur (K)
k = konstanta Boltzmann 8,62 x 10-5 eV/K
ni 1010 cm-3 untuk silikon pada temperatur kamar

Apabila semikonduktor mendapatkan


energi termal, maka hal ini dapat
menyebabkan pecahnya ikatan kovalen
yang akan menghasilkan elektron bebas
Akibat ditinggalkan oleh elektron maka
pada pita valensi terdapat kekosongankekosongan yang disebut lubang (hole)

hole dapat dianggap sebagai muatan


positif yang dapat bergerak ketika
kekosongan (lubang) diisi oleh elektron
yang berasal dari pecahnya ikatan
atom
tetangga
terdekat.
kovalen
Pergerakan
hole
ini disebut
arus hole
Pada
semikonduktor
intrinsik
kerapatan hole (p) sama dengan
kerapatan elektron (n)

pn = n2

contoh :
data germanium instrinsik dimana jumlah elektron 2,4x1019 .mobilitas hole 0,39 m2/vs
dan mobilitas elektron 0,19 m2 /vs.hitunglah penghantar grmanium intrinsik?
(e=1,6x10-19)

SEMIKONDUKTOR INTRINSIK

Generasi hole
dan elektron

Gerakan hole

hole
Elektron
bebas

GAMBARAN TENTANG
PEMBENTUKAN HOLE

ARUS LISTRIK PADA BAHAN SEMIKONDUKTOR


Elektron dan hole keduanya memberi kontribusi pada aliran arus listrik dalam bahan
semikonduktor intrinsik

SEMIKONDUKTOR
EKSTRINSIK
Semikonduktor ekstrinsik merupakan
semikonduktor murni yang telah diberi atom
pengotor (impuritas)
Proses penambahan atom pengotor
(impuritas) disebut doping
Dengan proses pendopingan tersebut
memungkinkan adanya kontrol terhadap
harga resistivitas bahan
Untuk silikon, atom pengotornya
diambil dari atom golongan III dan V
dalam tabel periodik

DOPING SEMIKONDUKTOR
Penambahan atom-atom impuritas dari golongan yang berbeda dalam kisi kristal silikon
atau germanium, akan menghasilkan perubahan dramatis pada sifat-sifat listriknya dan
menghasilkan semikonduktor tipe-n dan tipe-p.

Antimoni, Arsen,
Fosfor
(5 elektron
valensi)
Menghasilkan
semikonduktor
tipe-n oleh
kontribusi
elektron
tambahan

+ 51

+5

Boron, Aluminium,
Galium
(3 elektron valensi)
Menghasilkan
semikonduktor tipep oleh pembentukan
hole atau
kekosongan elektron

Apabila
atom
pengotor
dapat
menyumbangkan
elektron
pada
semikonduktor
murni
maka
pengotor
tersebut disebut atom donor
sebagai atom donor
pada Si diambil dari
golongan V seperti
fosfor
Atom fosfor memiliki
elektron valensi 5,
sehingga ketika
membentuk ikatan
dengan atom Si maka
akan menyumbangkan
satu elektron
Tipe semikonduktor
ekstrinsik ini adalah tipe-n

n e n N d
e= 1,6x10-19
Nd= kosentrasi atom donor

n konduktivitas

jenis n

p2
Pn
Nd
Pn = kerapatan pembawa minoritas jenis -n
p = kerapatan lubang

Apabila atom pengotor memerlukan elektron


tambahan agar dapat berikatan dengan atom
semikonduktor murni,maka pengotor tersebut
disebut atom aseptor
sebagai atom aseptor
pada Si diambil dari
golongan
III seperti
Boron
Atom Boron memiliki
elektron
valensi
3,
sehingga
ketika
membentuk
ikatan
dengan atom Si maka
akan menyumbangkan
satu hole

Tipe semikonduktor
ekstrinsik ini adalah tipe-p

MODEL ENERGI PITA PADA SEMIKONDUKTOR


EKSTRINSIK
Semikonduktor yang
telah didoping atom
donor

Atom donor memiliki


elektron bebas dengan
energi ED yang relatif
kecil, sehingga
memudahkan
perpindahan
Elektron dari atom donor

Semikonduktor yang telah


didoping atom aseptor

Ikatan yang terbentuk antara


atom
aseptor
dengan
semikonduktor
murni
akan
menghasilkan
kekosongan
dengan energi EA, Keadaan
tersebut akan memudahkan
pindahnya elektron dari pita

p e p N a
e= 1,6x10-19
Na= kosentrasi atom donor

p konduktivitas

jenis p

n2
Np
Na
Np = kerapatan pembawa minoritas jenis -n
n = kerapatan lubang

TIPE ARUS LISTRIK DALAM


SEMIKONDUKTOR

ARUS HANYUT
(DRIFT)
Ketika semikonduktor diberi medan
listrik, maka partikel-partikel bermuatan
akan bergerak atau hanyut (drift) yang
disebut arus hanyut (arus drift)
Laju drift dari partikel bermuatan
tersebut berbanding lurus dengan medan
listrik E
dan
vn dan vp adalah laju dari elektron dan hole
(cm/s)
n dan p adalah mobilitas dari elektron dan
2

Rapat arus drift

jn = qn n E (A/cm2)
jp = qp p E
(A/cm2)
jT = jn + jp = q(n n + p
p)E= E
Konduktivitas =q(n n + p p)
(1/.cm)
Resistivitas = 1/
(.cm)

ARUS DIFUSI
Arus Difusi terjadi akibat adanya
perbedaan konsentrasi muatan
pembawa
Arus Difusi mengalir dari daerah yang
memiliki konsentrasi muatan tinggi ke
daerah yang konsentrasi muatannya
rendah
Arus difusi sebanding dengan gradien
konsentrasi

Konstanta DP dan Dn adalah konstanta


difusivitas dari hole dan elektron

ARUS TOTAL DALAM


SEMIKONDUKTOR
Arus total dalam semikonduktor adalah
penjumlahan dari arus drift dan arus difusi

PEMBENTUKAN SEMIKONDUKTOR
SAMBUNGAN pn

Semikonduktor Silikon yang didoping fosfor


akan menyebabkan konsentrasi elektronnya
meningkat (tipe-n)

elektron

Atom Donor

Semikonduktor silikon yang didoping Boron


akan menyebabkan konsentrasi holenya
meningkat (tipe-p)

hole

Atom aseptor

Pembentukan sambungan pn dapat


dilakukan dengan menggabungkan
semikonduktor tipe-p dengan tipe-n
Tipe-p dengan
konsentrasi atom
aseptor NA

hole
elektr
on

Tipe-n dengan
konsentrasi
Atom donor ND

Karena adanya perbedaan konsentrasi maka:


elektron akan berdifusi dari tipe-n ke tipe-p
hole akan berdifusi dari tipe-p ke tipe-n

Ketika elektron bertemu dengan


hole maka elektron akan mengisi
hole

Daerah pertemuan elektron dengan hole


akan menjadi daerah muatan ruang
(lapisan deplesi)
Dalam daerah muatan ruang tersebut
akan terbentuk medan listrik E

Daerah muatan
positif

Daerah muatan
negatif

Peralatan Elektronika yang Menggunakan


Semikonduktor :
Alat junction (dioda) ; yaitu peralatan yang

meng-gunakan
sambungan antara semikonduktor jenis N dan jenis P.
Diode pemancar cahaya (lightemitting diode/ LED),banyak
digunakan pada display digital seperti kalkulator
Penyearah arus, yaitu untuk merubah arus bolak-balik
menjadi arus searah (direct current).

Transistor ; digunakan untuk memperkuat sinyal yang lemah


menjadi besaran yang lebih kuat dan dapat dimanfaatkan.

Transistor efek medan (field-effect transistor/FET);


Transistor junction jenis PNP dan NPN.

1. Apa yang terjadi jika tipe-N dan tipe-P digabungkan?


2.

3.

Anda mungkin juga menyukai