Bahan Semikonduktor
Semiconductor
Bandgap
Energy EG
(eV)
Carbon
(diamond)
5.47
Silicon
1.12
Germanium
0.66
Tin
0.082
Gallium arsenide
1.42
Gallium nitride
3.49
Indium
phosphide
1.35
Boron nitride
7.50
Silicon carbide
3.26
Cadmium
selenide
1.70
ELEKTRON-ELEKTRON VALENSI
Elektron-elektron dalam kulit terluar sebuah atom disebut elektron-elektron valensi. Elektronelektron tersebut menentukan sifat dasar reaksi-reaksi kimia atom dan terutama menentukan
sifat listrik material padat.
Boron
3 elektron
valensi
Silikon
4 elektron
valensi
Antimoni
5 elektron
valensi
KRISTAL SILIKON
Kristal semikonduktor tersusun dari atom-atom yang letaknya saling
berdekatan dan saling berikatan satu sama lain membentuk suatu
ikatan yang disebut ikatan kovalen
TIPE SEMIKONDUKTOR
Semikonduktor
Intrinsik
Semikonduktor Intrinsik merupakan
semikonduktor murni yang belum diberi atom
(impuritas)
pengotor
Kerapatan elektron dalam semikonduktor
intrinsik
pn = n2
contoh :
data germanium instrinsik dimana jumlah elektron 2,4x1019 .mobilitas hole 0,39 m2/vs
dan mobilitas elektron 0,19 m2 /vs.hitunglah penghantar grmanium intrinsik?
(e=1,6x10-19)
SEMIKONDUKTOR INTRINSIK
Generasi hole
dan elektron
Gerakan hole
hole
Elektron
bebas
GAMBARAN TENTANG
PEMBENTUKAN HOLE
SEMIKONDUKTOR
EKSTRINSIK
Semikonduktor ekstrinsik merupakan
semikonduktor murni yang telah diberi atom
pengotor (impuritas)
Proses penambahan atom pengotor
(impuritas) disebut doping
Dengan proses pendopingan tersebut
memungkinkan adanya kontrol terhadap
harga resistivitas bahan
Untuk silikon, atom pengotornya
diambil dari atom golongan III dan V
dalam tabel periodik
DOPING SEMIKONDUKTOR
Penambahan atom-atom impuritas dari golongan yang berbeda dalam kisi kristal silikon
atau germanium, akan menghasilkan perubahan dramatis pada sifat-sifat listriknya dan
menghasilkan semikonduktor tipe-n dan tipe-p.
Antimoni, Arsen,
Fosfor
(5 elektron
valensi)
Menghasilkan
semikonduktor
tipe-n oleh
kontribusi
elektron
tambahan
+ 51
+5
Boron, Aluminium,
Galium
(3 elektron valensi)
Menghasilkan
semikonduktor tipep oleh pembentukan
hole atau
kekosongan elektron
Apabila
atom
pengotor
dapat
menyumbangkan
elektron
pada
semikonduktor
murni
maka
pengotor
tersebut disebut atom donor
sebagai atom donor
pada Si diambil dari
golongan V seperti
fosfor
Atom fosfor memiliki
elektron valensi 5,
sehingga ketika
membentuk ikatan
dengan atom Si maka
akan menyumbangkan
satu elektron
Tipe semikonduktor
ekstrinsik ini adalah tipe-n
n e n N d
e= 1,6x10-19
Nd= kosentrasi atom donor
n konduktivitas
jenis n
p2
Pn
Nd
Pn = kerapatan pembawa minoritas jenis -n
p = kerapatan lubang
Tipe semikonduktor
ekstrinsik ini adalah tipe-p
p e p N a
e= 1,6x10-19
Na= kosentrasi atom donor
p konduktivitas
jenis p
n2
Np
Na
Np = kerapatan pembawa minoritas jenis -n
n = kerapatan lubang
ARUS HANYUT
(DRIFT)
Ketika semikonduktor diberi medan
listrik, maka partikel-partikel bermuatan
akan bergerak atau hanyut (drift) yang
disebut arus hanyut (arus drift)
Laju drift dari partikel bermuatan
tersebut berbanding lurus dengan medan
listrik E
dan
vn dan vp adalah laju dari elektron dan hole
(cm/s)
n dan p adalah mobilitas dari elektron dan
2
jn = qn n E (A/cm2)
jp = qp p E
(A/cm2)
jT = jn + jp = q(n n + p
p)E= E
Konduktivitas =q(n n + p p)
(1/.cm)
Resistivitas = 1/
(.cm)
ARUS DIFUSI
Arus Difusi terjadi akibat adanya
perbedaan konsentrasi muatan
pembawa
Arus Difusi mengalir dari daerah yang
memiliki konsentrasi muatan tinggi ke
daerah yang konsentrasi muatannya
rendah
Arus difusi sebanding dengan gradien
konsentrasi
PEMBENTUKAN SEMIKONDUKTOR
SAMBUNGAN pn
elektron
Atom Donor
hole
Atom aseptor
hole
elektr
on
Tipe-n dengan
konsentrasi
Atom donor ND
Daerah muatan
positif
Daerah muatan
negatif
meng-gunakan
sambungan antara semikonduktor jenis N dan jenis P.
Diode pemancar cahaya (lightemitting diode/ LED),banyak
digunakan pada display digital seperti kalkulator
Penyearah arus, yaitu untuk merubah arus bolak-balik
menjadi arus searah (direct current).
3.