1.

Model Gas Elektron

Bangun unsur logam baru dapat diterangkan setelah ditemukannya elektron, yang dapat
menerangkan mengapa logam mempunyai daya hantar listrik yang tinggi.
Drude (1905) mengemukakan model sepotong logam sebagai suatu kotak, dimana
didalamnya bergerak bebas suatu gas elektron. Bila pada kotak ini kemudian diletakkan
suatu medan listrik, maka elektron-elektron akan bergerak sepanjang gradien potensialnya
sehingga menimbulkan suatu arus listrik.
Asumsi Drude:
- elektron memiliki suatu jalan bebas rata-rata, dan suatu waktu bebas rata-rata, t
- daya hantar listrik, o, berkaitan dengan kerapatan arus J, yang ditimbulkan oleh medan
listrik, E
J = o E
- kerapatan arus elektron ditentukan oleh kepadatan elektron, N (jumlah elektron dalam
satu satuan volum), kecepatan bergeraknya elektron, v dan muatannya, e
J = N e v
Sehingga o = N e
E
v
= N e B
v/E = B = kemampuan gerak electron
- kecepatan rata-rata dalam medan listrik, v, merupakan perkalian antara percepatan oleh
medan listrik, E, dengan t, sedangkan percepatan adalah merupakan perbandingan
antara gaya terhadap massa, e E/m
Jadi : B = v/E = e t/2 m
Sehingga : o = N e
2
t/2 m
- bila elektron-elektron dalam logam bertindak seperti atom-atom suatu gas ideal, maka
akan memiliki juga energi kinetik rata-rata m v
2
= 3/2 kT. karena jalan bebas rata-
rata, = v t dengan m kT v / 3 = maka : o =
m
Ne
2
2

kT m 3 /
Catatan : kesukaran perhitungan daya hantar ini terletak pada harga , yang penentuannya
belum diterangkan dengan jelas, dan tidak dapat diterangkan dengan model gas elektron.
Pada percobaan penentuan melalui pengukuran daya hantar listrik film logam tipis,
didapat hal yang menarik, yaitu bila ketebalan film logam terus dipertipis sampai sama
dengan jalan bebas rata-rata elektron, maka makin tipis tebal film, daya hantar listriknya
juga akan makin berkurang.

Beda antara daya hantar listrik oleh elektron dan oleh ion, adalah :
- daya hantar oleh elektron (logam) adalah jauh lebih besar dari daya hantar listrik
oleh ion (elektrolisa)
- dengan bertambahnya temperatur, maka daya hantar arus listrik oleh eletron
bertambah, sedangkan oleh ion berkurang.
2. Paradox dari pada kalor spesifik
Bila electron-elektron dalam sebuah logam berlaku seperti atom-atom gas, maka pada
pemanasan akan menambah energi translasi (energi kinetik), yaitu 3/2 kT per electron atau
3/2 RT per mol electron. Kalor spesifiknya adalah C
v
= 3/2 R = 12 JK
-1
mol
-1
. Sedangkan
kalor spesifik Au pada 20
o
C adalah 3R = 25 JK
-1
mol
-1
.
Kesimpulan : electron-elektron tidak bersangkutan dengan kalor spesifik logam.
3. Elektron sebagai ion Fermi
- Paradox kalor spesifik berhasil dijelaskan dengan bantuan prinsip Pauli. Bagaimana
pengaruh prinsip Pauli pada elektron-elektron dalam sebuah logam?
Pengaruh ini pertama kali diselidiki oleh Sommerfeld dan diambil model gas electron
dan menghubungkannya dengan postulat-postulat kuantum mekanik yang meliputi
prinsip Pauli.
- Model gas elektron dalam kotak dipakai juga untuk menyelesaikan persamaan
Schrodinger untuk elektron-elektron yang bergerak bebas dalam logam.
Dengan model gas elektron, elektron-elektron dalam kotak dapat bergerak bebas,
tetapi tidak dapat meninggalkan kotak tersebut. Kotak ini mempunyai batas potensial
listrik |, seperti permukaan logam yang menunjukkan suatu potensial, yaitu energi
batas yang menghalangi elektron keluar dari logam (menguap). Besarnya energi batas
ini dapat ditentukan secara eksperimen sebagai suatu kerja (efek fotoelektrik).
- Untuk kotak potensial yang berdimensi satu, persamaan Schrodinger adalah :

2
2
dx
d
+
2
2
8
h
m t
(E V) = 0

E = total energi ; V = energi potensial elektron ; m = massa
= fungsi gelombang yang menggambarkan pergerakan elektron

- Untuk elektron-elektron yang bergerak bebas dalam kotak, V dapat dihilangkan.
Di luar kotak V = , karena elektron tidak dapat dihalangi, sehingga ada syarat
batas : = 0 untuk x = 0 dan x = a (a = panjang sisi kotak).
Kenyataannya : pada batas kotak AV = |, hal ini memberikan kesalahan hanya
kecil untuk harga E yang kecil. Dengan k =
2
2
8
h
mE k
(V = 0), didapat persamaan
diferensial
+ k
2
= 0 dan dari diferensial parsial diperoleh : = e
i k x
dan
penyelesaiannya menghasilkan fungsi trigoniometri sin(kx) dan cos (kx) :
= A sin (kx) + B cos (kx) (*)
Untuk fungsi sinus syaratnya : k a = n t dengan n = 1, 2, 3,
Sedangkan syarat untuk energi Eigen adalah :
E
n
=
m
h
2
2
2
k =
2
2
8ma
h
2
n
Dengan memasukkan syarat ini ke persamaan (*) dan hanya fungsi sinusnya
menghasilkan penyelesaian yang berarti, maka didapat fungsi eigen :

n
(x) = A sin (
a
x nt
)
Untuk nilai A harus dipenuhi syarat normalisasi :

}

*
(x) (x) dx = 1 dan diperoleh nilai A = (2/a)
1/2

Bila dibuat grafik nilai energi E terhadap vektor bilangan gelombang, maka akan
didapat gambar :





- bila tiap tingkatan energi akan ditempati oleh elektron-elektron, maka
penempatan ini harus sesuai dengan prinsip Pauli, yaitu tiap tingkatan energi
akan ditempati oleh 2 elektron yang mempunyai muatan spin yang berlawanan
- segera sesudah suatu tingkatan (n) ditempati oleh 2 elektron, maka elektron-
elektron selanjutnya akan menempati tingkatan energi yang lebih tinggi
sampai pada tingkatan yang paling atas yang ditempati oleh sepasang elektron
- tingkatan energi paling atas ini merupakan suatu energi batas dan akan
dinamakan energi Fermi (E
F
)
- penempatan elektron-elektron, f (E) atau kemungkinan suatu tingkatan dengan
energi E ditempati penuh oleh elektron adalah :

untuk E << E
F
, harus f(E) = 1
untuk E >> E
F
, harus f(E) = 0
Hal ini berlaku untuk T = 0,
dimana tidak ada elektron yang
tereksitasi.

- penempatan elektron seperti ini dinamakan penempatan / distribusi menurut
Fermi-Dirac dan berlaku untuk semua partikel elementer dengan spin 1.
Pada temperatur diatas T = 0, elektron pada tingkatan energi tertinggi akan
secara termis tereksitasi, sehingga dapat menempati tingkatan energi di atas
tingkatan energi Fermi, dimana pada E = E
F
, maka f(E) harus sama dengan .
- Distribusi Fermi-Dirac sebagai fungsi temperatur secara matematik dapat
ditulis sebagai : f (E) =
1
) (
exp
1
+

kT
E E
F

Pada batas E
F
<< kT berlaku distribusi Maxwell-Boltzmann
- energi Fermi ini merupakan suatu kriteria yang benar untuk perilaku elektron-
elektron logam. Dapat juga dibayangkan, bahwa elektron-elektron membentuk
suatu danau, yang kedalamannya adalah fungsi energi Fermi. Pada temperatur
ruang hanya sedikit elektron yang mempunyai energi yang lebih besar dari
energi Fermi.
4. Ikatan Dalam Logam
Dengan model gas elektron, energi Fermi belum dapat menerangkan mengapa elektron-
elektron dalam logam dapat bergerak bebas sedangkan atom-atom logamnya tersusun
rapat. Bila atom-atom satu dengan lainnya saling berjauhan, maka setiap atom akan
menguasai elektronnya sendiri, seperti kasus atom yang terisolasi. Tetapi bila atom-atom
tersusun rapat, maka orbital-orbital atom dari pada elektron terluar akan saling
tumpangsuh, sehingga sistem yang demikian tidak dapat digambarkan seperti atom yang
terisolasi.
Sesuai dengan prinsip Pauli, setiap orbital 1s ditempati oleh 2 elektron dengan spin yang
berlawanan. Bila sekarang dari 2 orbital 1s terjadi 2 orbital molekul, maka tiap-tiap orbital
molekul akan ditempati oleh 2 elektron dengan spin yang berlawanan. Demikian juga bila
3 atom H disatukan, maka akan diperoleh 3 orbital molekul dst.nya. Sehingga secara
umum dapat disimpulkan, bila N atom dikombinasikan, maka akan terjadi N orbital
molekul, yang setengahnya memiliki energi yang lebih tinggi dan setengahnya lagi
memiliki energi yang lebih rendah dari energi yang dimiliki oleh orbital atom asalnya.
Suatu gambaran yang sama diperoleh bila banyak atom pembentuk logam yang menjadi
satu (karena letaknya yang sangat berdekatan), akan terbentuk sautu gabungan dari
tingkatan energi. Karena tingkatan energi dibandingkan dengan kT letaknya saling sangat
berdekatan, maka dapat dikatakan sebagai sebuah pita energi yang kontinyu.
Sebagai gambaran kualitatif : tingkatan energi elektron dalam logam merupakan pita-pita
energi dan selanjutnya elektron-elektron menjadi terdelokalisasi dan dapat bergerak bebas.
Suatu logam seperti Na, elektron-elektron dalam inti terdalam 1s, 2s dan 2p adalah
terlokalisasi dalam orbital-orbital atom Na individu. Meskipun demikian elektron-elektron
3s yang membentuk kulit valensi menempati tingkatan energi yang terdelokalisasi
keseluruh kristal logam. Tingkatan ini seperti orbital molekul raksasa, masing-masing
dapat berisi 2 elektron. Dalam prakteknya, dalam padatan harus ada sejumlah besar
tingkatan-tingkatan energi seperti ini dan yang terpisah satu dengan lainnya oleh beda
energi yang kecil.
Gambar struktur pita logam Na :










5. Model Kronig-Penney
Merupakan kotak-kotak potensial yang disusun berderetan untuk menyatakan elektron-
elektron dalam suatu periode potensial satu dimensi.





Hasil penyelesaian persamaan Schrodinger untuk elektron yang bergerak dalam ruang
(potensial = 0) dengan V
(x)
= 0 adalah
0
(x), maka dalam suatu potensial dengan perioda a
adalah merupakan hasil kali
0
(x) . u(x), dimana u(x) adalah suatu fungsi yang juga
merupakan suatu perioda dalam a.
Jadi : (x) =
0
(x) . u(x) dinamakan fungsi Bloch

0
(x) menggambarkan bagian gelombang berjalan yang tergantung pada tempat, dapat
dinyatakan sebagai fungsi sin atau fungsi cos atau dapat ditulis sebagai :
0
(x) = e
ikx
.
Dengan adanya suatu perioda potensial pengganggu akan terjadi gerakan gelombang yang
mudah berubah : (x) = e
ikx
. u(x)
Hasil penggambaran ini berisi suatu pernyataan fisik yang penting, yaitu bahwa fungsi
eigen dari elektron memiliki periodisitas kisi kristal, dimana titik-titik kisinya bekerja
sebagai titik-titik pengganggu. Dengan dasar ini, maka hanya elektron-elektron dengan
panjang gelombang yang tertentu dapat melewati suatu kristal. Jika gerakan elektron
dalam suatu perioda potensial dibatasi oleh panjang gelombang yang tertentu, maka hanya
tingkatan-tingkatan energi tertentu yang diperbolehkan. Tingkatan-tingkatan energi ini
karena letaknya yang berdekatan, maka merupakan pita-pita energi yang dipisahkan oleh
lubang-lubang energi. Lubang-lubang ini menggambarkan daerah-daerah energi yang
terlarang untuk elektron-elektron dalam suatu perioda potensial.
6. Ruang k dan zona Brillouin
Elektron-elektron valensi yang bergerak bebas dalam sebuah logam, dibawah lingkungan
tertentu mungkin mengalami difraksi oleh inti-inti yang tersusun periodik dalam struktur
kristal.
Hukum dasar difraksi adalah hukum Bragg, yang mengkaitkan panjang gelombang
partikel (elektron atau neutron) dengan jarak antar bidang datar d dan sudut difraksi u :
n = 2 d sin u
Dalam pemikiran efek difraksi internal yang berhubungan dengan elektron valensi yang
mobil dalam suatu padatan, ditemukan bahwa hal yang mungkin dari difraksi elektron
adalah adanya pembatasan pada panjang gelombang, energi dan kebebasan gerak elektron.
Ada larangan untuk elektron yang bebas pada keadaan mana saja dalam gerakannya untuk
memenuhi hukum Bragg. Elektron bebas dalam sebuah logam atau semikonduktor
mempunyai energi yang bervariasi, karena itu mempunyai panjang gelombang yang
bervariasi juga.
Energi kinetik sebuah partikel, seperti elektron bebas adalah : E = mv
2
dan persamaan
de Broglie untuk panjang gelombang adalah : = h/mv.
Bila gelombang dinyatakan dengan sebuah vektor k, yang arahnya adalah paralel dengan
arah propagasi gelombang yang besarnya berkaitan dengan kebalikan :
k = 2 t /
m
k h
E
2
2 2
8t
=
ini adalah sebuah hubungan parabola antara energi dan vektor gelombang dari sebuah
elektron :








Substitusi ke dalam persamaan Bragg :
Persamaan ini memberikan nilai k dan juga E untuk kondisi Bragg untuk struktur kristal
tertentu.
Bagaimana dengan energi elektron valensi dan posisinya dalam ruang k?
Elektron-elektron yang terletak terdalam dalam pita valensi, misalnya dalam sebuah logam
atau semikonduktor, mempunyai energi yang relatif rendah dan nilai k yang rendah.
Dalam ruang k akan berada dalam zona Brillouin yang pertama, karena vektor k-nya akan
berakhir dekat zona batas. Bila energi elektron bertambah, vektor k secara bertahap
memanjang untuk mengisi zona Brillouin pertama. Situasi bahwa k berakhir pada batas
zona mengidentifikasikan adanya zona larangan. Apakah dengan makin tinggi energi
elektron, vektor k dapat melewati batas zona dan masuk ke zona kedua?
Kenyataan energi elektron yang bergerak lebih kecil dari E = h
2
k
2
/8t
2
m untuk nilai k
didalam zona batas, tetapi di luar zona menjadi lebih besar. Jadi walaupun tidak ada
diskontinuitas dalam nilai k pada batas zona, tetapi terjadi diskontinuitas energi :











Dalam kristal hipotetis dimana potensial dalam kristal tetap, elektron akan bebas bergerak
tak terpengaruh oleh efek-efek difraksi yang mungkin. Dalam kristal riil, potensial dalam
kristal adalah merupakan suatu perioda. Bentuk kurva potensial, dalamnya dan lebar
minima tergantung pada jumlah muatan yang berhubungan dengan inti. Inti yang
bermuatan positif bertanggung jawab untuk efek difraksi. Atom multivalensi mempunyai
muatan sangat besar, sehingga minima dari potensial sangat dalam dan elektron-elektron
sangat kuat terdifraksi.
Efek difraksi sekunder tidak hanya terjadi antar elektron, tetapi juga dengan gelombang
berjalan primer yang terdiri dari elektron valensi bebas. Pada tepi batas zona, dimana efek-
efek difraksi makin nyata, elektron-elektron sekunder yang digenerasi oleh lapisan-lapisan
yang berdekatan dari inti-inti atom yang bermuatan positif menjadi sefase dan
berpengaruh konstruktif satu dengan lainnya. Efek dari difraksi sekunder menyebabkan
modifikasi energi dari elektron valensi.
7. Struktur pita energi logam, isolator dan semikonduktor
Logam dikarakterisasikan oleh struktur pita energi dimana pita terluar, yaitu pita valensi
hanya sebagian terisi. Beberapa tingkatan energi sedikit di bawah tingkatan energi Fermi
kosong dan beberapa elektron menempati tingkatan lebih tinggi dari E
F
:











Untuk kasus Be, bila pita 2s dan 2p tidak tumpangsuh, maka pita 2s akan penuh dan
pita 2p kosong, sehingga Be tidak mempunyai sifat logam.
Pita valensi isolator terisi penuh dan dipisahkan oleh celah energi yang besar dari pita
energi berikutnya. Intan adalah isolator yang sangat baik dengan celah pita (band gap)
6 eV. Hanya sedikit elektron yang dapat dieksitasikan ke pita di atasnya yang kosong.








Semikonduktor mempunyai struktur pita energi yang mirip dengan isolator, tetapi
umumnya dengan celah energi yang tidak besar, yaitu dalam kisaran 0,5 3,0 eV.






- Isolator dan semikonduktor dibedakan berdasarkan probabilitas suatu tingkatan
energi E ditempati pada temperatur T, sesuai dengan distribusi Fermi-Dirac :
f(E) = [ e
(E-E
F
)/kT + 1]
-1

Untuk logam didefinisikan bahwa f(E) = , sehingga E
F
= E
g
/2 (di tengah-tengah
celah energi). Ini ternyata merupakan pendekatan yang cukup baik. Bila asumsi
ini dipakai untuk semikonduktor, maka dapat ditentukan probabilitas untuk
menemukan sebuah elektron di pita hantaran. Misal E = energi pada keadaan
paling bawah dari pita hantaran, maka :
E-E
F
= E
g
/2
f(E) = [ e
Eg/2kT
+ 1 ]
-1

Jika pada temperatur ruang besarnya celah energi sebesar 1 eV, sedangkan kT
hanya sekitar 0,02 eV, maka e
Eg/2kT
> 1 dan f(E) ~ [ e
Eg/2kT
]
-1
= e
Eg/2kT

Bila konsentrasi elektron dalam pita hantaran adalah n dan sebanding dengan
probabilitas, maka :
n = C e
Eg/2kT

C adalah sebuah konstanta dan diasumsikan C ~ 10
25
m
-3


- Sifat-sifat materi seperti semikonduktor atau isolator juga tergantung pada
temperatur. Konsentrasi elektron pada pita hantaran bertambah secara
eksponensial bila temperatur bertambah, yang juga meningkatkan daya hantar
listriknya.
Sebagai contoh Si pada temperatur rendah merupakan isolator yang sangat baik,
tetapi pada temperatur tinggi mempunyai hantaran yang mendekati logam. Jadi
besarnya celah energi dan temperatur merupakan faktor-faktor penting yang
menentukan sifat-sifat elektrik semikonduktor atau isolator.
- Dibedakan 2 tipe mekanisme hantaran dalam semikonduktor. Setiap elektron yang
dieksitasikan ke pita kosong yang lebih atas, yaitu pita hantaran, dipandang
sebagai pembawa muatan negatif yang akan bergerak ke kutub positif bila
diberikan suatu beda potensial. Tempat kosong yang ditinggalkan pada pita
valensi dipandang sebagai lubang positif (defek elektron), yang akan bergerak
dalam arah yang berlawanan dengan elektron.
Karena kedua partikel mempunyai polaritas muatan yang berlawanan, maka total
arus adalah jumlah dari arus elektron dan arus defek elektron, sehingga total
hantaran menjadi :
o = e (n
e
+ p
h
) = mobilitas
Bagaimana dengan konsentrasi defek elektron? Karena setiap elektron yang
meninggalkan pita valensi meninggalkan sebuah defek elektron, maka jumlah
defek elektron harus sama dengan jumlah elektron dalam pita hantaran. Hal ini
berlaku untuk semikonduktor intrinsik, yaitu semikonduktor murni (tanpa dopan).
n
i
= p
i
(i = intrinsik)

- Selain probabilitas elektron tereksitasi secara termal ke dalam pita hantaran, dapat
pula tereksitasi dengan penyinaran (dengan energi foton hv), yaitu bila energi
foton paling tidak sebesar celah energi dari semikonduktor.
Energi foton dengan frekuensi v dan panjang gelombang adalah E = h v = h c/.
Frekuensi minimum v
min
dan panjang gelombang maksimum yang sesuai,
max

dimana absorpsi dapat terjadi adalah :
v
min
= c/
max
= E
g
/h
Proses ini dikenal sebagai fotokonduktivitas, sebab seberkas sinar dengan
frekuensi yang sesuai dapat menghasilkan sejumlah besar elektron dan defek
elektron untuk menghantar arus listrik.
Proses sebaliknya juga dapat terjadi, yaitu bila elektron dari pita hantaran dapat
bergabung dengan defek elektron dalam pita valensi dengan memancarkan energi
sebagai foton. Proses ini merupakan dasar dari light-emitting ioda (LED) dan
semikonduktor laser.
Catatan : tidak semua material semikonduktor dapat menghasilkan sinar, karena
sifatelektron dan defek elektron dalam sebuah kristal ditentukan oleh energi E dan
vektor gelombang k.
- Massa elektron dalam sebuah kristal semikonduktor tidak sama dengan massa
elektron bebas. Sebagai contoh adalah perilaku sebuah elektron dalam sebuah
medan magnet yang uinform B. Teori mengusulkan bahwa elektron bergerak
dalam orbit melingkar dengan frekuensi :
e
e
m
Be
t
v
2
=
v
e
= frekuensi siklotron yang ternyata berbeda bila diukur untuk sebuah elektron
semikonduktor
Masalahnya adalah elektron dalam padatan mengalami gaya-gaya lain seperti
gaya-gaya karena ion dan elektron valensi, sehingga tidak berinteraksi dengan
cara-cara yang sama.
Karena itu elektron dalam padatan diasumsikan mempunyai massa efektif, m
e
* :

*
2
e
e
m
Be
t
v =
8. Jenis Semikonduktor
Semikonduktor dapat dikelompokkan menjadi :
a. semikonduktor intrinsik, yaitu material murni dengan struktur pita :






Banyaknya elektron, n, yang dapat berada dalam pita hantaran adalah tergantung dari
besarnya celah energi dan temperatur. Si (silisium) dan Ge (germanium) murni adalah
semikonduktor intrinsik. Struktur pita energi Si dan Ge berbeda dengan struktur pita Na
dan Mg, dimana tingkatan 3s dan 3p tumpangsuh menjadi 2 pita lebar yang mempunyai
celah energi di dalamnya :






b. semikonduktor ekstrinsik
semikonduktor ekstrinsik : tipe n dan tipe p
Sifat semikonduktor yang penting adalah dapat mengontrol hantaran material dengan
penambahan zat lain (dopan) dalam jumlah kecil (< 0,0001%) yang dapat merubah
hantaran dengan sangat drastis.
Untuk meningkatkan jumlah penghantar muatan negatif (semikontor tipe n dengan
mayoritas elektron sebagai penghantar), ditambahkan donor yang memberikan efek
doping tipe n, sedangkan doping tipe p adalah dopan akseptor untuk mengontrol
konsentrasi penghantar muatan positif (semikontor tipe p dengan mayoritas defek
elektron sebagai penghantar).
Dopan donor adalah atom yang mempunyai elektron valensi yang lebih banyak dari
atom yang digantikan, seperti P dalam Si. Tiap atom Si menggunakan keempat
elektron valensinya untuk membentuk ikatan kovalen dengan atom-atom Si
tetangganya. Bila 1 atom P menggantikan 1 atom Si, maka atom P akan membentuk
ikatan dengan 4 atom Si dan ada 1 elektron valensi sisia yang dinyatakan sebagai
donor elektron, yang dapat dianggap jauh dari inti dan mempunyai energi ikatan yang
paling kecil.
Donor elektron ini tidak mempunyai tempat pada pita valensi dan karena masih terikat
lemah pada atom P, maka tidak dapat berada pada pita hantaran. Karena itu
disimpulkan bahwa donor elektron ini harus menempati tingkatan pada energi Ed di
bawah tepi bawah pita hantaran (E
d
= 43 meV) :






Substitusi Si dengan Al menghasilkan ikatan yang tidak sempurna, yang artinya
ada defek elektron dalam pita valensi yang berasal dari eksitasi sebuah elektron
valensi ke ikatan yang tidak sempurna ini. Jadi tingkatan akseptor elektron berada
diatas tepi atas pita valensi (E
a
= 57 meV) :










9. Sifat-sifat listrik
- Efek termoeletrik
Pada sambungan antara 2 logam yang tidak sama akan terbentuk secara otomatis
suatu beda potensial, yang besarnya tergantung pada jenis logam dan temperatur.
Bila pada sepanjang batang logam terdapat gradien temperatur, maka besarnya emf
yang terbentuk tergantung pada jenis logam dan gradien temperatur.
Efek-efek ini dinamakan efek termoelektrik dan ada beberapa tipe.
- Efek Thomson
Misalkan pada sebuah konduktor homogen (sepotong logam) diberikan suatu gradien
temperatur, maka gradien potensialnya akan naik sebesar AV, yang dikenal sebagai
efek Thomson.
Efek Thomson dapat diterangkan menggunakan teori pita. Elektron-elektron pada sisi
panas mempunyai energi termal yang lebih tinggi, sehingga lebih banyak elektron
tereksitasi ke tingkatan energi yang lebih tinggi dari E
F
, sedangkan pada sisi dingin
lebih sedikit. Karena elektron-elektron pada sisi panas menempati tingkatan energi
yang lebih tinggi, maka terjadi net aliran elektron dari sisi panas ke sisi dingin yang
besarnya tergantung pada AT :
E = o . AT o = koefisien Thomson
Semikonduktor juga memberikan efek Thomson dan tanda emf dapat digunakan
untuk membedakan semikonduktor tipe n dan tipe p. Bila semikonduktor tipe n, maka
sisi dingin menjadi negatif. Untuk semikonduktor tipe p, pembawa muatan adalah
defek elektron dan sisi dingin menjadi bermuatan positif. Hal ini terjadi karena lebih
banyak elektron yang dieksitasikan dari pita valensi ke tingkatan akseptor pada sisi
panas dari pada pada sisi dingin.









- Efek Peltier
Pada sambungan antara 2 konduktor yang berbeda, seperti besi dan tembaga, kalor
akan diabsorpsi bila arus mengalir ke satu arah dan dibebaskan bila arus mengalir ke
arah sebaliknya. 2 logam yang berbeda pada umumnya mempunyai tingkatan energi
Fermi yang tidak sama, sehingga pada sambungan dua logam yang berbeda terjadi
suatu sumber emf dan dikenal sebagai efek Peltier, t, yang besarnya tergantung pada
jenis kedua logam dan temperatur pada sambungan. Struktur pita pada sambungan
sebuah logam dan semikonduktor tipe n adalah :









Supaya elektron dapat mengalir dari kiri ke kanan melewati sambungan, maka energi
sebesar U dibutuhkan untuk menaikkan elektron dari pita valensi logam ke pita
hantaran semikonduktor dan juga energi ekstra sebesar 3/2 kT supaya elektron-
elektron bebas memiliki energi kinetik. Elektron-elektron ini mengambil energi dari
logam, sehingga menghasilkan suatu pendinginan pada sambungan. Jadi saat arus
elektron I mengalir dari kanan ke kiri, kalor Q dibebaskan pada sambungan, yiatu :
Q = t I =
) 2 / 3 (
1
0
kT U e +

Emf Peltier biasanya dalam besaran beberapa mV, paling besar dengan logam Sn dan
Bi dan dengan beberapa senyawa semikonduktor.
- Efek Seebeck
Bila 2 konduktor A dan B membentuk suatu sirkuit tertutup dengan sambungannya
pada temperatur T
1
dan T
2
, maka suatu gradien temperatur timbul pada kedua logam
dan emf Thomson pada masing-masing logam. Emf Peltier timbul pada sambungan,
tetapi mempunyai harga yang tidak sama karena temperatur kedua sambungan
berbeda. Net emf adalah jumlah kedua emf thomson dan kedua emf Peltier :
E = (o
A
- o
B
) AT + (t
AB,T2
t
AB, T1
)
Arus tetap mengalir dalam sirkuit selama sambungan pada temperatur berbeda. Hal
ini dikenal sebagai efek Seebeck, dan merupakan dasar kerja termocouple.












Koefisien Seebeck atau kekuatan termoelektrik, o adalah didefinisikan sebagai :

T
t
o =
o dalam besaran V/
o
C dan pada semikonduktor sampai 1mV/
o
C

- Termocouple
Dipakai untuk mengukur temperatur dengan kisaran yang sangat besar sampai titik
leleh logam. Terdiri dari 2 kawat dari material berbeda, yang disambungkan pada
ujungnya sehingga terbentuk sebuah hubungan tertutup. Pada sirkuit tertutup ini
ditempatkan sebuah milivoltmeter :