MAKALAH FISIKA ZAT PADAT

ELEKTRON DALAM LOGAM

(MODEL ELEKTRON BEBAS)

Dosen Pengajar : Alimin Mahyudin M, Si

Nama : Sixtinah Deswilan

No. BP : 1510442047
OUTLINE
MODEL EELEKTRON BEBAS
• Teori Drude tentang Elektron dalam Logam
• Model Elektron Bebas Klasik

MODEL ELEKTRON BEBAS TERKUANTISASI

• Sumbangan Elektron Bebas pada Harga CV
• Paramagnetik Pauli
• Konduktivitas Listrik dalam Logam

PERILAKU ELEKTRON DALAM LOGAM

• Hukum Matthiessen *Efek Hall
• Resonansi Siklotron *Pancaran Thermionik
MODEL EELEKTRON BEBAS

Asumsi Dasar Model Drude

1. Pada proses tumbukan, interaksi dari suatu elektron dengan elektron yang lain maupun dengan ion cenderung diabaikan
 Pengabaian interaksi elektron-elektron pada proses tumbukan dikenal sebagai independent electron approximation
Pengabaian interaksi elektron-ion pada proses tumbukan dikenal sebagai free electron approximation

2. Proses tumbukan bersifat sesaat yang secara langsung mengubah kecepatan electron
 Proses tumbukan berupa elektron yang memantul dari inti ion yang tak tertembus (bukan tumbukan antar
elektron)
1
3. Sebuah elektron mengalami tumbukan dengan peluang per satuan waktu sebesar 𝜏
 Maka, peluang sebuah elektron mengalami tumbukan pada selang waktu dt adalah dt/ 𝜏
 Besarnya 𝜏 dikenal sebagai waktu relaksasi, atau waktu tumbukan, atau waktu bebas rerata
 Sebuah elektron akan berjalan selama 𝜏 sebelum mengalami tumbukan berikutnya, atau telah berjalan
selama 𝜏 sejak tumbukan sebelumnya
Waktu tumbukan tidak bergantung pada posisi dan kecepatan electron
4. Elektron dianggap mencapai kesetimbangan termal dengan sekitarnya hanya melalui proses tumbukan
 Semakin panas daerah di mana tumbukan terjadi, elektron akan keluar dari tumbukan dengan kecepatan yang semakin
besar
MODEL EELEKTRON BEBAS

 Misalnya, terdapat medan listrik ε dalam arah sumbu-X. Percepatan  Karena hubungan 𝐽𝑥 = 𝜎𝜀, maka menurut (4) konduktivitas listrik
elektron yang timbul memiliki ungkapan
𝑒𝜀 𝑒 2 𝑛𝜏
𝑎𝑥 = − (1) 𝜎= (5)
𝜇0 𝜇0
dengan 𝑒 dan 𝜇0 , masing-masing adalah muatan dan massa efektif elektron.  Berdasarkan eksperimen arus kalor Qe tersebut sebanding dengan gradien
Jika waktu rata-rata antara dua tumbukan elektron dan ion adalah 𝜏, maka suhu ∂T/∂x
kecepatan hanyut dalam selang waktu tersebut 𝑄𝑒 = −𝐾 𝜕𝑇/𝜕𝑥 (6)
𝑒𝜀
𝑣ℎ𝑎𝑛𝑦𝑢𝑡 = 𝑣0 − 𝜏 (2)  Dari pendekatan teori kinetik gas diperoleh ungkapan konduktivitas termal
𝜇0 𝐾 = 1/3𝐶𝑣 𝑣𝑙 (7)
 Oleh karena itu rapat arus yang terjadi  Karena 𝐶𝑣 = (3/2)𝑛𝑘, (1/2)𝑚𝑣2 = (3/2)𝑘𝑇 dan 𝐴 =
𝑒𝜀 𝑣𝜏, maka konduktivitas (7) menjadi
𝐽𝑥 = −𝑒 𝑣0 − 𝜏 (3)
𝜇0 𝑛𝑘2 𝑇𝜏
𝐾 = 3/2 (8)
 Elektron bergerak secara acak, sehingga ∑𝑣0 = 0. Oleh sebab itu 𝑚0
ungkapan (3) menjadi  Perbandingan konduktivitas termal (8) dan listrik (5) adalah
2
𝑒 2 𝑛𝜏 𝐾 3 𝑘
𝐽𝑥 = 𝜀 (4) = 𝑇 (9)
𝜇0 𝜎 2 𝑒
MODEL EELEKTRON BEBAS

 Hal ini sesuai dengan penemuan empirik oleh Wiedemann-
Frans (1853). Kadang-kadang perbandingan (8) di atas
dinyatakan sebagai bilangan Lorentz
𝐾 𝑛 𝜏 ∼ 𝑇−1
𝐿= (10)
𝜎𝑇
 Dalam teori drude, lintas bebas rata-rata elektron bebas,
𝐴 = 𝜏𝑣0 , tidak bergantung suhu. Namun, karena 𝑣0 ∼
𝑇1/2 , maka keadaan mengharuskan
𝜏 ∼ 𝑇1/2
 Hal ini didukung fakta eksperimen bahwa 𝜎 ∼ 𝑇−1 ,
sehingga dari ungkapan konduktivitas listrik didapatkan
atau 𝑛 ∼ 𝑇1/2
 Ungkapan terakhir ini menunjukkan bahwa bila T naik,
maka n menurun. Hal ini tidak sesuai dengan fakta, dan
menyebabkan teori Drude tidak memadai
MODEL EELEKTRON BEBAS

Asumsi Dasar Model ELEKTRON BEBAS KLASIK

 Kristal digambarkan sebagai superposisi dari jajaran gugus ion positip (yang membentuk kisi kristal) dan elektron
yang bebas bergerak dalam volume kristal.
 Elektron bebas tersebut diperlakukan sebagai gas, yang masing-masing bergerak secara acak dengan kecepatan
termal (seperti molekul dalam gas ideal – tidak ada tumbukan, kecuali terhadap permukaan batas)
 Pengaruh medan potensial ion diabaikan, karena energi kinetik elektron bebas sangat besar.
 Elektron hanya bergerak dalam kristal karena adanya penghalang potensial di permukaan batas.
MODEL EELEKTRON BEBAS

 Misalnya, setiap atom memberikan 𝑍𝑉 elektron bebas, maka jumlah  Suseptibilitas magnetik χ mengkaitkan momen magnetik M dan
total elektron tersebut perkilomol. kuat medan magnetik H melalui ungkapan
𝑛 = 𝑍𝑉 𝑁𝐴 𝑀 = 𝜒𝐻 (14)
 Bila elektron berperilaku seperti dalam gas ideal, maka energi kinetik  Dalam hal ini hanya dibahas untuk bahan isotropik, sehingga χ
totalnya skalar. Pengaruh medan magnet luar H terhadap elektron bebas
3 3 menyebabkan setiap momen dipol μ , yang acak arahnya,
𝑈=𝑛 𝑘𝑇 = ( )𝑍𝑉 𝑅𝑇 (11) memperoleh energi magnetik
2 2
𝐸 = −𝜇 ∙ 𝐻 (15)
 sehingga kapasitas panas sumbangan elektron bebas
3  Jika distribusi momen dipol elektron bebas memenuhi statistik
(𝐶𝑉 ) = 𝑍𝑉 𝑅 (12) Maxwell-Boltzmann, yakni 𝑓 𝐸 = 𝑒−𝐸/𝑘𝑇 , maka momen
𝑒𝑙 2
dipol rata-rata dalam arah medan memenuhi
 Kapasitas panas total dalam logam, termasuk sumbangan oleh fonon, 𝜇 −𝐸/𝑘𝑇 2𝜋 sin 𝜃𝑑𝜃
𝜇 cos 𝜃𝑒
adalah 𝜇= 0 𝜇 −𝑘𝑇 (16)
3 0
𝑒 2𝜋 sin 𝜃𝑑𝜃
(𝐶𝑉 ) = (𝐶𝑉 ) + (𝐶𝑉 ) = 3 + 𝑍𝑉 𝑅 (13)
𝑓 𝑒𝑙 2
MODEL EELEKTRON BEBAS

 dimana θ adalah sudut antara μ dan H. Hasil dari persamaan (16)  Jika jumlah momen dipol magnet adalah N, maka
adalah magnetisasinya
𝜇 = 𝜇𝐿(𝑥) (17) 𝑁𝜇2
𝑀 = 𝑁𝜇 = ( )𝐻 (19)
 dengan 𝐿 = coth 𝑥 −
1
= fungsi Langevin 3𝑘𝑇
𝑥
𝜇𝐻  Dengan membandingkan (20) dan (15) diperoleh suseptibilitas
𝑥=( ) magnetik
𝑘𝑇
𝑁𝜇2
 Dengan menggunakan deret 𝜒=( ) (20)
3𝑘𝑇
1 𝑥 𝑥3 2𝑥5
coth 𝑥 = + − + +⋯  Tetapi, eksperimen tidak menunjukkan adanya kebergantungan
𝑥 3 45 294
χ terhadap T. Hal ini berarti model elektron bebas klasik tidak
Untuk 0 < 𝑥 < 𝜋 dapat menerangkan tentang mengapa χ untuk paramagnet
 maka untuk medan H tidak kuat, yakni 𝜇𝐻 ≪ 𝑘𝑇 momen elektron tidak bergantung pada T.
dipol rata-rata tersebut berharga
1 𝜇𝐻
𝜇 = 𝜇( )( ) (18)
3 𝑘𝑇
MODEL EELEKTRON BEBAS TERKUANTISASI

 Secara kuantum mengambil persamaan Schrodinger dengan solusi fungsi ℏ2

 Semua keadaan elektron yang berenergi 𝐸𝑘 = (𝑘2𝑥 + 𝑘2𝑦 +
electron 2𝑚0

ℏ2 2 𝑘2𝑧 ) terletak pada permukaan bola berkari-jari k yang memenuhi

− ∇ 𝜓 𝑟 = 𝐸 𝜓 𝑟 (21) 2𝑚0
2𝑚0 𝑘2 = 𝑘2𝑥 + 𝑘2𝑦 + 𝑘2𝑧 = 2 𝐸𝑘
ℏ
 Dengan solusi fungsi electron  Dengan demikian, jumlah keadaan electron
𝜓 𝑟 = 𝐴0 𝑒𝑖𝑘•𝑟 (22) 4𝜋𝑘2 𝑑𝑘 𝐿3 𝑘2
= 𝑑𝑘
 dan energi elektron 2𝜋 3 2𝜋2
ℏ2 𝑘2 𝐿
𝐸𝑘 = (23)
2𝑚0  Apabila diperhitungkan dua spin elektron, maka jumlah tersebut menjadi
𝐿3 𝑘2
 Harga k tidak dibatasi sehingga energi elektron tidak terkuantisasi. 𝑑𝑘
Tetapi bila elektron bebas tersebut bergerak dalam suatu kubus dengan 𝜋2
rusuk L, maka haruslahdipenuhi  Mengingat ungkapan 𝐸 = (ℏ2 𝑘2 /2𝑚0 ), maka jumlah keadaan
2 elektron persatuan volume yang berenergi antara E dan 𝐸 + 𝑑𝐸 adalah
2𝜋
𝑘2 = 𝑘2𝑥 + 𝑘2𝑦 + 𝑘2𝑧 = (𝑛2𝑥 + 𝑛2𝑦 + 𝑛2𝑧 ) (24) 𝑘2 1 2𝑚0
3/2
𝐿 𝑔 𝐸 𝑑𝐸 = 2 𝑑𝑘 = 2 𝐸 1/2
𝑑𝐸 (25)
𝜋 2𝜋 2
𝑛𝑥 + 𝑛𝑦 + 𝑛𝑧 = 0, ±1, ±2, … . . ℏ
MODEL EELEKTRON BEBAS TERKUANTISASI

 Prinsip Pauli digunakan pada model electron bebas terkuantisasi,Prinsip  Kristal logam digambarkan sebagai superposisi dari jajaran gugus ion
larangan ini dipenuhi oleh elektron yang mengikuti fungsi distribusi Fermi- positip (yang membentuk kisi kristal) dan elektron bebas yang bergerak
Dirac dalam volume kristal.
1
𝑓 𝐸 = 𝐸−𝐸𝐹
(26)  Elektron bebas tersebut memenuhi kaidah fisika kuantum, yaitu
1 + 𝑒 𝑘𝑇 mempunyai energi terkuantisasi dan mematuhi larangan Pauli, yang secara
 Pada suhu T=0 K, energi Fermi diungkapkan dalam bentuk 𝐸𝐹 = 0; dan menyatu dirangkum dalam ungkapan rapat electron
fungsi distribusi Fermi-Dirac 𝑑𝑛 = 𝑛 𝐸 𝑑𝐸 = 𝑓 𝐸 𝑔 𝐸 𝑑𝐸 (27)
1  Dengan mensubstitusikan (25) dan (26) diperoleh ungkapan rapat elektron
Untuk 𝐸 < 𝐸𝐹 (0) → 𝑓 𝐸 = =1 sebagai fungsi dari energi elektron dan suhu system
1+𝑒−∞
3/2
Untuk 𝐸 > 𝐸𝐹 (0) → 𝑓 𝐸 =
1
=0 1 2𝑚0 𝐸1/2
1+𝑒∞ 𝑑𝑛 = 2 2 (𝐸+𝐸𝐹 )/𝑘𝑇
𝑑𝐸 (28)
2𝜋 ℏ 1 + 𝑒
 Dengan kata lain, pada suhu T=0 K semua tingkat energi 𝐸 <
𝐸𝐹 (0)terisi penuh elektron dan 𝐸 > 𝐸𝐹 (0) →kosong. Sedangkan  Pengaruh medan ion positip dapat diabaikan karena energi kinetik elektron
pada suhu 𝑇 > 0 K berlaku bebas sangat besar.

untuk 𝐸 < 𝐸𝐹 → 𝑓 𝐸 < 1  Pada permukaan batas antara logam dan vakum yang mengelilinginya
terdapat suatu potensial penghalang φ yang harus diloncati oleh elektron
untuk 𝐸 = 𝐸𝐹 → 𝑓 𝐸 = 1/2 bebas paling energetik pada suhu T=0 K (energi 𝐸𝐹 ) untuk dapat
untuk 𝐸 > 𝐸𝐹 → 𝑓 𝐸 > 0 meninggalkan permukaan batas logam.
MODEL EELEKTRON BEBAS TERKUANTISASI

 Rapat elektron pada suhu 𝑇 = 0 𝐾  Sedangkan rapat energi elektron pada suhu 𝑇 > 0 𝐾
∞ ∞ 𝐸𝑓0 3 ∞ ∞ 3
1 2𝑚0 2 1 1 1 2𝑚0 2 1
𝑛= 𝑛 𝐸 𝑑= 𝑓 𝐸 𝑔 𝐸 𝑑𝐸 = 𝐸2 𝑑𝐸 𝑈= 𝐸𝑓 𝐸 𝑔 𝐸 𝑑𝐸 = 𝐸 𝐸2 𝑑
2𝜋2 ℏ2 1 + 𝑒(𝐸−𝐸𝐹 )/𝑘𝑇 2𝜋2 ℏ2
0 0
0 0 0 3 ∞
3/2
1 2𝑚0 𝐸𝑓 (0) 1 2𝑚0 2 𝐸3/2
= 2 (29) = 2 𝑑𝐸 (32)
3𝜋 ℏ2 2𝜋 ℏ2 1 + 𝑒(𝐸−𝐸𝐹 )/𝑘𝑇
0

 dan rapat energi pada suhu 𝑇 = 0 𝐾  Untuk menyelesaikan integral dalam (32) digunakan bentuk integral
∞ ∞ ∞
𝑦𝑗
𝑈0 = 𝐸 𝑑𝑛 = 𝐸𝑓 𝐸 𝑔 𝐸 𝑑𝐸 𝐹𝑗 𝑦 0 = 𝑑𝑦
1 + 𝑒(𝑦−𝑦0 )
0
0 0
𝐸𝑓0 3
3/2  yang mempunyai bentuk asymtotik untuk yo besar dan berharga positip
1 2𝑚0 2 1 1 2𝑚0
= 𝐸 2 𝐸2 𝑑𝐸 = 2 𝐸𝐹 5/2 (30) 𝑦0 𝑗+1 𝜋2 𝑗(𝑗 + 1)
2𝜋 ℏ2 5𝜋 ℏ2 𝐹𝑗 𝑦0 ≅
𝑗+1
1+
6𝑦0 2
(33)
0

 Bila dinyatakan dalam rapat elektron (3.30) di atas, maka  Diketahui bahwa ungkapan energi Fermi sebagai fungsi suhu adalah
3 𝜋𝑘𝑇 2
𝑈0 = 𝑛𝐸𝐹 (31) 𝐸𝐹 = 𝐸𝐹 (0) (34)
5 12𝐸𝐹 2 (0)
MODEL EELEKTRON BEBAS TERKUANTISASI

 Dengan memakai bentuk (33), (34) dan deret binomial 1 + 𝑥 𝑝 ,  Apabila kapasitas panas elektron bebas model klasik 𝐶𝑣 𝑒𝑙
serta memperhatikan ungkapan (31) dan (30), maka rapat energi (32) di (persamaan (13)), maka ungkapan (36) untuk satu mol zat menjadi
atas dapat dihitung dan hasilnya adalah 𝜋 2 𝑘𝑇
𝐶𝑣 = 𝐶𝑣 (37)
𝑛𝜋2 𝑘2 𝑇2 𝑒𝑙
3𝐸𝐹 𝑒𝑙
𝑈 ≅ 𝑈0 + (35)
4𝐸𝐹  Pada suhu jauh di bawah suhu Debye θD dan suhu Fermi 𝑇𝐹 ,
 sehingga kapasitas panas elektron bebas kapasitas panas suatu logam dapat ditulis sebagai jumlah sumbangan
𝜕𝑈 𝑛𝜋2 𝑘2 𝑇 elektron bebas dan fonon, yakni
𝐶𝑣 𝑒𝑙 = = (36) 𝐶𝑣 = 𝛾𝑇 + 𝐴𝑇3 (38)
𝜕𝑇 2𝐸𝐹
  dimana γ dan A merupakan konstanta karakteristik bahan. Secara
eksperimen dapat dibuat grafik 𝐶𝑣 /𝑇 terhadap T2 sehingga γ dan A
bisa ditentukan.
MODEL EELEKTRON BEBAS TERKUANTISASI

∞
 Apabila terdapat suatu medan magnet luar H, maka spin elektron bebas
akan menyesuaikan diri terhadap H. Energi total elektron bebas karena 𝑀 = 𝜇𝐵 𝑑𝑛
pengaruh medan ∞
0

𝐸𝑡𝑜𝑡 = 𝐸𝑘𝑖𝑛 ± 𝜇𝐵 𝜇0 𝐻 (39) 𝑔(𝐸 + 𝜇𝐵 𝜇0 𝐻) 𝑔(𝐸 − 𝜇𝐵 𝜇0 𝐻)

= 𝜇𝐵 𝑓 𝐸 { − }𝑑𝐸 40
2 2
 Tanda positip untuk spin antiparalel dan negatip untuk spin paralel 0
terhadap medan  Bila diambil kasus untuk T=0 K, maka diperoleh
 Bila terdapat medan magnet luar H, maka secara total lebih banyak 𝜇0 𝜇𝐵 2
𝑀= 𝐻 (41)
elektron yang antiparalel terhadap H. Magnetisasi yang terjadi adalah 2𝐸𝐹0
 Suseptibilitas magnetik
𝜇0 𝜇𝐵 2
𝜒= (42)
2𝐸𝐹0
 Terlihat bahwa suseptibilitas di atas tidak bergantung secara kuat
terhadap suhu. Dengan harga 𝐸𝐹0 = 2 𝑒𝑉 didapatkan 𝜒 = 5 ×
10−6 yang sesuai dengan hasil eksperimen.

Gambar 1 Variasi tingkat energi karena aplikasi medan magnet luar H

MODEL EELEKTRON BEBAS TERKUANTISASI

 Elektron yang mempunyai mobilitas besar untuk pindah ke keadaan

elektron yang lain adalah elektron yang berenergi E sedemikian sehingga
f(E)<1. Hal ini terjadi di daerah E∼EF.
 Hubungan rapat arus J dan medan listrik ε dinyatakan oleh hukum Ohm
𝐽 = 𝜎𝜀 (43)
Gambar 2 a. Bola Fermi saat setimbang
 Bila rapat elektron n dan kecepatan hanyut elektron vd, maka rapat arus
dapat juga diungkapkan dalam bentuk b. Prgeseran bola Fermi saat dikenakan medan
𝐽 = 𝑛𝑒𝑉𝑑  Proses yang terjadi adalah adanya perubahan distribusi elektron karena
pengaruh medan luar ε dan adanya proses hamburan yang ingin
 . Kecepatan elektron bersifat acak, dan berkaitan dengan energi melalui memulihkannya ke keadaan semula. Penggabungan kedua proses ini
ungkapan menghasilkan persamaan kontinuitas
𝐸 = 1/2𝑚𝑣2 𝜕𝑛 𝑣 𝑒𝜀 𝑛 𝑣 − 𝑛0 𝑣
+ • ∇𝑉 𝑛 𝑣 + = 0 (44)
 Bila terdapat medan listrik, misalnya, εX searah sumbu-X, maka 𝜕𝑡 𝑚0 𝜏
distribusi elektron berubah menjadi n(v) . Perubahan ini mempunyai  dengan τ adalah waktu relaksasi. Ungkapan ini sering disebut persamaan
komponen posisi dan waktu. Dalam hal ini bola Fermi bergeser ke arah (- transport Boltzmann. Dalam keadaan mapan ( ∂n(v) / ∂t = 0 ) persamaan (44)
X), seperti ditunjukkan oleh Gambar 2 berikut. menjadi
𝜏𝑒
𝑛 𝑣 = 𝑛0 𝑣 − 𝜀 • ∇𝑉 𝑛 𝑣 (45)
𝑚0
MODEL EELEKTRON BEBAS TERKUANTISASI

 Dalam kasus di atas diambil 𝜀 = 𝜀𝑋 𝑖 sehingga persamaan (45) menjadi Mengingat bahwa
𝜏𝑒𝜀𝑋 𝜕𝑛 𝑣 1. τ = A/v, dimana A adalah lintas bebas rata-rata antara dua tumbukan,
𝑛 𝑣 = 𝑛0 𝑣 − (46)
𝑚0 𝜕𝑣𝑥
2. 𝑣2 = 𝑣𝑋 2 + 𝑣𝑌 2 + 𝑣𝑍 2, dan
 Rapat arus listrik yang terjadi 1
3. Gerak elektron secara acak sehingga 𝑣𝑋 2 = 3 𝑣2
𝐽𝑋 = 𝑒𝑣𝑋 𝑛 𝑣 𝑑𝑣𝑋 𝑑𝑣𝑦 𝑑𝑣𝑧
 maka ungkapan rapat arus (48) berubah menjadi
∞
∞ ∞ ∞
𝜏𝑒𝜀𝑋 𝜕𝑛 𝑣 4𝜋𝑒2 𝜀 𝑋 𝜕𝑛0 𝑣
= 𝑒𝑣𝑋 𝑛0 𝑣 − 𝑑𝑣𝑋 𝑑𝑣𝑦 𝑑𝑣𝑧 (47) 𝐽𝑋 = − 𝓁𝑣 𝑑𝑣 (49)
𝑚0 𝜕𝑣𝑋 𝑚0 𝜕𝑣
0
−∞ −∞ −∞

 Integral suku pertama persamaan (47) menghasilkan nol karena  Dari rapat elektron (29), setelah mengganti variabel E menjadi v , diperoleh
distribusi elektron no (v) tidak lain adalah
kecepatan rata-rata 𝑣𝑋 = 0 dalam 𝑛0 𝑣 . Dengan demikian rapat 𝑚0 3
arus (47) menjadi 𝑛0 𝑣 = 2 𝑓(𝐸) (50)
∞ ∞ ∞ ℎ
𝑒2 𝜀 𝑋 𝜕𝑛 𝑣  Substitusi persamaan (50) dan setelah diadakan perubahan variabel v menjadi
𝐽𝑋 = − 𝑣𝑋 𝑑𝑣𝑋 𝑑𝑣𝑦 𝑑𝑣𝑧 (48)
𝑚0 𝜕𝑣𝑥 E, maka rapat arus (49) menjadi
−∞ −∞ −∞ ∞
16𝜋𝑒2 𝑚0 𝜕𝑓 𝐸
𝐽𝑋 = 𝜀𝑋 𝓁𝐸 − 𝑑𝐸 (52)
3ℎ 𝜕𝐸
0
MODEL EELEKTRON BEBAS TERKUANTISASI

 Dengan demikian, mengingat hubungan (43) diperoleh konduktivitas  Dimana 𝜏𝐹 adalah waktu relaksasi sebuah elektron pada
listrik bola Fermi. Ungkapan konduktivitas listrik di atas,
∞
2
16𝜋𝑒 𝑚0 𝜕𝑓 𝐸 ternyata, bentuknya sama dengan hasil teori Drude yang
𝜎= 𝓁𝐸 − 𝑑𝐸 (53)
3ℎ 𝜕𝐸 lalu.
0
 Untuk suhu T=0 K, harga (-∂f(E)/∂E) berupa fungsi delta Dirac δ  Baik teori Drude maupun model elektron bebas
sehingga integral dalam (52) terkuantisasi mengemukakan bahwa konduktivitas listrik
∞
𝜕𝑓 𝐸 hanya berbanding lurus dengan konsentrasi elektron.
𝓁𝐸 − 𝑑𝐸 = 𝓁𝐸𝐹 𝐸𝐹
0
𝜕𝐸 Namun beberapa logam dengan konsentrasi elektron lebih
 dan dengan menggunakan ungkapan rapat elektron (30), maka ungkapan
tinggi, justru menunjukkan nilai konduktivitas lebih
konduktivitas listrik (52) di atas menjadi rendah. Disamping itu, sebenarnya fakta menunjukkan
𝑛𝑒2 𝓁𝐸𝐹 𝑛𝑒2 𝜏𝐹 nahwa konduktivitas listrik bergantung pada suhu, dan
𝜎= = (54) juga arah.
𝑚0 𝑣𝐸𝐹 𝑚0
PERILAKU ELEKTRON DALAM LOGAM

 Jika diketahui bahwa 𝜌 = 𝜎−1 sehingga berdasarkan konduktivitas  Ungkapan ini disebut hukum Matthiessen. Tampak bahwa ρ terdiri dari
(53), maka resistivitas dapat ditulis dua bentuk, yaitu
𝜇0 1
𝜌= 2 (54)  Resistivitas ideal 𝜌𝑓 𝑇 karena hamburan elektron oleh fonon,
𝑛𝑒 𝜏
sehingga bergantung pada suhu, dan
 Elektron mengalami suatu tumbukan hanya karena ketidaksempurnaan
keteraturan kisi. Ketidaksempurnaan tersebut dapat berupa (a) vibrasi  Resistivitas residual 𝜌𝑖 karena hamburan elektron oleh
kisi (fonon) dari ion di sekitar titik setimbang karena eksitasi termalnya, ketakmurnian (yang tidak bergantung pada suhu).
dan (b) semua ketidaksempurnaan statik, seperti ketidakmurnian atau
cacat kristal. Jika mekanisme keduanya dianggap saling bebas satu sama
lain, maka dapatlah diungkapkan
1 1 1
= + (55)
𝜏 𝜏𝑓 𝜏𝑖
 Dengan demikian, substitusi (55) ke dalam (34) menghasilkan ungkapan
resistivitas Gambar 3 Resistivitas ρ(T)/ρ(290) terhadap T logam Na untuk suhu rendah
𝜇0 1 𝜇0 1
𝜌 𝑇 = 𝜌𝑓 𝑇 + 𝜌𝑖 = 2 + 2 (56)  Pada T=0 K, ρ berharga kecil konstan; sedangkan untuk suhu di
𝑛𝑒 𝜏𝑓 𝑛𝑒 𝜏𝑖
atasnya ρ naik secara perlahan pada awalnya dan berikutnya secara
linier terhadap T. Pada gambar disamping ρ(290 K) = 2,1.10-8 Ωm
PERILAKU ELEKTRON DALAM LOGAM

 Efek Hall dapat dibahas dengan pendekatan model elektron bebas klasik.  sehingga diperoleh harga konstanta Hall
𝜀𝑌 1
Pada suatu balok logam bekerja 𝑅𝐻 = =− (57)
𝐵 𝑍 𝑛𝑒
dua medan yang saling tegak 𝐽 𝑋

lurus, yaitu medan listrik εX dan  Dengan mengukur 𝜀𝑌 , 𝐽 dan 𝐵𝑍 , maka rapat elektron konduksi n
medan magnet BZ. Arus 𝐼𝑋 dapat ditentukan. 𝑋

mengalir searah 𝜀𝑋 . akibat  Efek Hall dapat dipergunakan untuk menentukan

pengaruh medan𝐵𝑍 , lintasan
elektron membelok ke bawah,  Macam rapat pembawa muatan (positip atau negatip), dan
sehingga terkumpul banyak  Rapat elektron konduksi yang berperan dalam proses
elektron di bagian bawah logam. Dalam waktu bersamaan, terjadi muatan penghantaran muatan.
positip di bagian atas karena kekurangan elektron. Dengan demikian
terjadilah medan listrik Hall 𝜀𝑌 . apabila keadaan sudah stasioner, maka 𝜀𝑌  Mobilitas elektron μ didefinisikan sebagai besarnya kecepatan rambat
konstan dan elektron bergerak dalam arah 𝑣𝑌 . elektron persatuan medan listrik 𝜇 = 𝑣/𝜀. Dari rapat arus 𝐽 =
𝑛𝑒𝑣 = 𝑛𝑒𝜇𝜀 sehingga dapat dibentuk hubungan
 Dalam keadaan setimbang resultan gaya yang bekerja pada elektron (gaya 1
−𝜎𝑅𝐻 = 𝑛𝑒𝜇 = 𝜇 (58)
Coulomb dan Lorentz) sama dengan nol 𝑛𝑒
𝑒𝜀𝑌 − 𝑒𝑣𝑋 𝐵𝑍 = 0 → 𝜀𝑌 = 𝑣𝑋 𝐵𝑍
 Jadi secara eksperimen dengan mengukur konduktivitas listrik 𝜎 dan
 rapat arus dalam arah 𝜀𝑋 𝑣
𝐽𝑋 = −𝑛𝑒 𝑋
koefisien Hall 𝑅𝐻 , maka mobilitas elektron μ dapat ditentukan.
PERILAKU ELEKTRON DALAM LOGAM

 Bentuk kurva absorbsi ditunjukkan dalam Gambar 6 berikut.

Medan magnet menyebabkan
elektron bergerak melingkar
berlawanan arah jarum jam
dalam bidang normal medan.

Gambar 5 Gerakan siklotron

 Frekuensi gerak siklotron yang terjadi
𝑒𝐵
𝜔𝑐 = (59) Gambar 6 Sketsa koefisien absorbsi terhadap frekunsi
𝜇0
 Dari kurva absorbsi dapat diperoleh frekuensi siklotron ωC. Dengan
 Kecepatan absorbsi terbesar terjadi saat frekuensi sinyal benar-benar demikian massa elektron m* dapat diukur.
sama dengan frekuensi siklotron
𝜔𝑐 = 𝜔 (60)
 Jika 𝜔 ≠ 𝜔𝑐 , maka absorbsi sinyal hanya terjadi pada sebagian gerak
elektron. Agar gerakan elektron tetap melingkar, maka elektron harus
mengembalikan energi yang telah diserapnya.
PERILAKU ELEKTRON DALAM LOGAM

Pada T=0 K semua tingkatan terisi  distribusi rapat elektron (62) menjadi
2 2 +𝑣 2
sampai tingkat energi Fermi EF. Di atas 𝑚0 3 𝐸𝐹 −
𝑚0 𝑣𝑋 +𝑣𝑌 𝑍
𝑛 𝑣𝑋 , 𝑣𝑌 , 𝑣𝑍 𝑑𝑣𝑋 𝑑𝑣𝑌 𝑑𝑣𝑍 = 2 𝑒 𝑘𝑇 𝑒 2𝑘𝑇
tingkat EF terdapat tingkat energi ℎ
𝑑𝑣𝑋 𝑑𝑣𝑌 𝑑𝑣𝑍 (63)
penghalang eφ sampai permukaan,
yang dikenal sebagai fungsi kerja  Rapat elektron dalam arah-X yang berkecepatan antara 𝑣𝑋 dan
logam. Dengan demikian untuk dapat (𝑣𝑋 + 𝑑𝑣𝑋 )
∞ ∞
meninggalkan logam, misalkan dalam
𝑛 𝑣𝑋 𝑑𝑣𝑋 = 𝑛 𝑣𝑋 , 𝑣𝑌 , 𝑣𝑍 𝑑𝑣𝑌 𝑑𝑣𝑍 𝑑𝑣𝑋
arah-X. Gambar 7 Pancaran thermionic
−∞ −∞
 Elektron harus memiliki energy 4𝜋𝑚0 2 𝑘𝑇 𝐸𝐹 𝑚 𝑣 2
− 0 𝑋
2 = 3
𝑒 𝑘𝑇 𝑒 2𝑘𝑇 𝑑𝑣𝑋 64
𝑃𝑋 ℎ
≥ 𝐸𝐹 + 𝑒∅ (61)
2𝑚0  Rapat arus total dalam arah-X
∞
2 𝑘𝑇 𝑚 𝑣 2
 Dalam statistik Fermi-Dirac, rapat elektron yang berkecepatan antara 𝐽𝑋 =
4𝜋𝑚0
1−𝑟 𝑒
𝐸𝐹
𝑘𝑇
− 0 𝑋
𝑒 𝑣𝑋 𝑒 2𝑘𝑇 𝑑𝑣𝑋
3
𝑣𝑋 , 𝑣𝑌 , 𝑣𝑍 sampai (𝑣𝑋 + 𝑑𝑣𝑋 , 𝑣𝑌 + 𝑑𝑣𝑌 , 𝑣𝑍 + 𝑑𝑣𝑍 ) ℎ
𝑣𝑋
adalah sama dengan ungkapan distribusi (50), yaitu −𝑒∅
2 𝑘𝑇
−1 =𝐴 1−𝑟 𝑇 𝑒 (65)
𝑚0 3 𝑚0 𝑣𝑋 2 + 𝑣𝑌 2 + 𝑣𝑍 2
𝑛 𝑣𝑋 , 𝑣𝑌 , 𝑣𝑍 𝑑𝑣𝑋 𝑑𝑣𝑌 𝑑𝑣𝑍 = 2 1 + 𝑒𝑘𝑠𝑝
ℎ 2𝑘𝑇
𝑑𝑣𝑋 𝑑𝑣𝑌 𝑑𝑣𝑍 (62)
TERIMAKASIH