Mengukur Energi gap (Eg) dengan Metode Optik

Sifat konduktivitas dan konsentrasi ditentukan oleh faktor Eg/KbT , perbandingan celah energi dengan
temperatur. Ketika perbandingan ini besar, konsentrasi sifat instrinsik akan rendah dan konduktivitasnya
juga akan rendah. Nilai terbaik dari celah energi diperoleh dari penyerapan optik. Celah energi ( )
merupakan selisih antara energi terendah pada pita konduksi ( ) dengan energi tertinggi pada pita valensi
( ). Atau secara matematis dapat ditulis:

Gambar 2.11 Pita Energi pada Semikonduktor

Untuk mengukur besarnya celah energi dapat dilakukan dengan dua cara, yaitu penerapan langsung dan
penyerapan tidak langsung

Penyerapan Secara Langsung (direct)

Pada penyerapan langsung ini, elektron mengapsorbsi foton dan langsung meloncat ke dalam pita
konduksi. Besarnya celah energi sama dengan besarnya energi foton (gelombang elektromagnetik).
Secara matematis dapat dituliskan:

(2.52)

Dimana merupakan frekuensi anguler dari foton (gelombang ekektromagnetik). Untuk lebih jelasnya
dapat dilihat dari diagram berikut.

Gambar 2.12 Penyerapan Langsung

Penyerapan Secara Tidak Langsung (indirect)

Pada penyerapan tidak langsung, elektron mengapsorbsi foton sekaligus fonon. Proses ini memenuhi
hukum kekekalan energi. Sehingga selain energi foton (partikel dalam gelombang elektromagnetik)
terdapat juga fonon (partikel dalam gelombang elastik) yang dipancarkan maupun diserap, dapat ditulis

(2.53)

Dimana tanda menunjukan bahwa dalam proses penyerapan tidak langsung ini keberadaan fonon ada
yang dipancarkan (+) atau diserap (-). Jika digambarkan, akan diperoleh gambar sebagai berikut.

Gambar 2.13 Penyerapan Tidak Langsung

Mengukur Energi celah Pita Dengan Metode Touch Plot

Untuk menentukan lebar pita energi optik dari lapisan tipis, grafik ( ) terhadap diplot dengan
mensubtitusikan dimana untuk transisi langsung yang diperbolehkan, untuk transisi tak langsung yang
diperbolehkan, untuk transisi tak langsung yang dilarang dan untuk transisi langsung yang dilarang
(Pankove, 1972). Energi gap SnO2 menurun jika suhu aniling dinaikkan dan transisi foton diasumsikan
sebagai transisi langsung yang diperbolehkan (Baco, 2011). Celah pita energi optik (Eg) pada
semikonduktor dihitung menggunakan persamaan Tauc. Plot ( ) terhadap menunjukkan daerah linear
intermediet. Grafik di bawah ini menunjukkan ekstrapolasi linear yang dapat digunakan untuk
menghitung Eg dari perpotongan dengan sumbu x. Nilai Eg yang dihasilkan pada penelitian ini sekitar
3.78 eV dan 4.3 eV (Smritimala, 2010). Nilai tersebut kemungkinan berhubungan dengan pembentukan
struktur nano SnO2 dan padatan SnO2 (Naje, 2013).

Metode Tauc plot yaitu metode penentuan celah optic dengan cara melakukan ekstrapolasi dari grafik
hubungan (hυ) sebagai absis dan (αhυ)n sebagai ordinat hingga memotong sumbu energi sehingga
diperoleh nilai celah pita optik [13]
Dari hasil DRS dibuat grafik F(R) sebagai berikut

Gambar 5 Grafik F (R) vs hv

Berdasarkan grafik pada gambar 5 di atas dapat dihitung besarnya bandgap dari katalis dengan
mengekstrapolasi grafik di atas. Diperoleh besarnya energi band gap sebagaimana ditunjukkan pada
Tabel berikut ini.

Tabel 3. Energi band gap dan Panjang Gelombang Absorbansi untuk N-TiO2

Slamet dkk melaporkan bahwa besar energi band gap dari TiO2 degussa P25 adalah 3,28 eV [14].
Berdasarkan tabel 3 terlihat bahwa penambahan N pada TiO2 menyebabkan terjadinya penurunan
energi band gap TiO2 degussa P25 dari 3,28 eV menjadi 2,79 eV. Hal ini akan berimplikasi pada daerah
kerja dari fotokatalis dalam mengolah limbah mengalami pergeseran dari daerah sinar UV menjadi
daerah sinar tampak. Hal ini sangat menguntungkan karena dengan demikian TiO2 yang ditambahkan N
dapat aktif di bawah sinar matahari atau di bawah cahaya ruangan.

Analisa Energi Band Gap (Eg)

Pengukuran energi Band gap (Eg) sebagai karakter suatu fotokatalis dengan menggunakan metode
Spektrofotometer Diffuse Reflactance Ultra Violet (DR-UV).Pengukuran ini dilakukan terhadap
TiO2/zeolit, TiO2/resin dan TiO2/karbon aktif untuk mengetahui efek imobilisasi TiO2 terhadap harga Eg.
Hasil pengukuran disajikan pada Gambar 2, yang memperlihatkan munculnya serapan tepi maksimum
(λg) untuk sampel TiO2/zeolit pada panjang gelombang 344 nm, TiO2/resin pada panjang gelombang
367 nm dan TiO2/karbon aktif pada panjang gelombang 356 nm. Harga λg ini selanjutnya digunakan
untuk menentukan harga energi band gap Eg) (Zhao dkk., 1996).Harga λg ini selanjutnya digunakan
untuk menentukan harga energi band gap (Eg) yang menggunakan persamaan 1.

Eg =

Eg = Energi Band Gap

= Panjang Gelombang

c = Kecepatan cahaya (3x108 m/s)

h = Tetapan Planck (6,62 x 10-34 J s)

sedangkan 1 eV = 1,6 x 10-19 J, sehingga harga Eg dapat ditentukan

Gambar 2 Grafik DR UV-Vis TiO2/zeolit, TiO2/resin dan

TiO2/karbon aktif

Hasil perhitungan dengan menggunakan persamaan tersebut diperoleh harga Eg untuk TiO2/zeolit
sebesar 3,608 eV, TiO2/resin sebesar 3,38 eV, sedangkan TiO2/karbon aktif adalah 3,48 eV. Harga Eg
TiO2/zeolit yang lebih besar daripada TiO2 serbuk mengindikasikan bahwa partikel TiO2 dalam
TiO2/zeolit tersebut kemungkinan mempunyai ukuran yang lebih kecil dibanding TiO2/karbon aktif dan
TiO2/resin. Penurunan ukuran TiO2 dalam TiO2/resin terjadi karena pertumbuhan partikel tersebut
terhalangi oleh kerangka struktur Zeolit. Didasarkan pada harga Eg tersebut diharapkan aktivitas
fotokatalis TiO2/zeolit lebih tinggi daripada fotokatalis yang lain. Pengujian aktivitas fotokatalis tersebut
dilakukan untuk fotoreduksi ion Hg(II).

Metode taue plot digunakan untuk menentukan celah energi (band gap) dan berlaku untuk bahan
semikonduktor. Menurut (Setiawan Aep, 2008) metode taue plot dijelaskan sebagai berikut (dengan
mengambil n=1/2):

a. Data yang keluar adalah transmitasi (%) terhadap panjang gelombang (nm).

b. Kemudian dibuat grafik hubungan antara αhv2terhadap hv.

c. Dengan melakukan ekstapolasi bagian linier αhv2 terhadap hv memotong absis, maka diperoleh nilai
energi yang dinamakan celah energi (band gap).

Gambar 2. Kurva penyerapan sebagai fungsi energi pada teknik penyerapan langsung

(http://staff.uny.ac.id/sites/default/files/pendidikan/Rita%20Prasetyowati.pdf)

Penentuan Nilai Band Gap Energy Lapisan ZnO/Al

Perhitungan nilai band gap energy pada lapisan tipis ZnO/Al dengan metode Touc Plot dilakukan dengan
beberapa tahap perhitungan sampai didapatkannya band gap energy. Prosesnya dimulai dengan
menentukan nilai transmitansi maksimum (TM) dan minimum (Tm), kemudian nilai tersebut digunakan
untuk mencari indeks bias (persamaan 2) dan ketebalan kristal lapis tipis (persamaan 3). Berikut adalah
rumus indeks bias dengan menggunakan persamaan Swanepoel (persamaan 1) untuk sampel ZnO/Al 0%:
Notasi ns adalah nilai indeks bias kaca (1.51) dan n adalah indeks bias lapis tipis. Hasil perhitungan nilai
indeks bias lapis tipis digunakan untuk menghitung nilai tebal lapis tipis menggunakan persamaan 3

Notasi d adalah ketebalan lapis tipis, 1 adalah panjang gelombang pada serapan maksimum ke-1 dan
2 adalah panjang gelombang pada serapan maksimum ke-2. Hasil perhitungan ketebalan lapis tipis
digunakan untuk menghitung koefisien serap lapis tipis masing-masing panjang gelombang
menggunakan persamaan serap lapis tipis (persamaan 4).
Hasil perhitungan penentuan koefisien serap lapis tipis (α) bersama dengan nilai energi serap (foton)
lapisan tipis untuk masing-masing panjang gelombang digunakan untuk membuat grafik sesuai dengan
persamaan pada metode Tauc Plot. Berikut adalah persamaan untuk nilai energi serap cahaya/foton
(persamaan 5).

Notasi h adalah konstanta plank h = (6,63 10 . ) 34 × J s , c adalah kecepatan cahaya 3 10 m / s 8 × ,

adalah 200 nm s.d 700 nm (Achmad, 2015). Berikut adalah nilai energi serap masing panjang gelombang
lapisan tipis ZnO/Al 0% pada Tabel 2.
Nilai band gap energy yang diperoleh dengan menggunakan metode Touc Plot pada Gambar 2.

Gambar 2. Penentuan nilai

band gap energy dengan
metode Touc Plot terdiri atas (a) ZnO/Al 0%, (b) ZnO/Al 4%, (c) ZnO/Al 6%, (d) ZnO/Al 8% dan (e) ZnO/Al
10%
Definisi Semikonduktor

Pengertian Umum

Disebut semi atau setengah konduktor, karena bahan ini memang bukan konduktor
murni. Bahan ini sifatnya berada diantara insulator (isolator) dan konduktor. Bahan-bahan
logam seperti tembaga, besi, timah, disebut sebagai konduktor yang baik sebab logam
memiliki susunan atom yang sedemikian rupa sehingga elektronnya dapat bergerak bebas.

Pengertian Khusus

Semikonduktor adalah sebuah bahan dengan konduktivitas listrik yang berada diantara
insulator (isolator) dan konduktor. Sebuah semikonduktor bersifat sebagai insulator
(isolator) pada temperature yang sangat rendah, namun pada temperatur ruangan bersifat
sebagai konduktor.

Semikonduktor adalah bahan dengan konduktivitas listrik yang berada di antara insulator
dan ((konduktor. Konduktivitas semikonduktor berkisar antara 103 sampai 10-8 siemens per
sentimeter dan memiliki dan celah energinya lebih kecil dari 6 eV .
Bahan semikonduktor adalah bahan yang bersifat setengah konduktor karena celah energi
yang dibentuk oleh struktur bahan ini lebih kecil dari celah energi bahan isolator tetapi lebih
besar dari celah energi bahan konduktor, sehingga memungkinkan elektron berpindah dari
satu atom penyusun ke atom penyusun lain dengan perlakuan tertentu terhadap bahan tersebut
(pemberian tegangan, perubahan suhu dan sebagainya). Oleh karena itu semikonduktor bisa
bersifat setengah menghantar.
Bahan semikonduktor dapat berubah sifat kelistrikannya apabila temperatunya berubah. Dalam
keadaan murninya mempunyai sifat sebagai penyekat ;sedangkan pada temperatur kamar ( 27 °
C ) dapat berubah sifatnya menjadi bahan penghantar. Sifat-sifat kelistrikan konduktor maupun
isolator

tidak mudah berubah oleh pengaruh temperatur, cahaya atau medan magnet, tetapi pada
semikonduktor sifat-sifat tersebut sangat sensitif.-

Jenis-Jenis atau Klasifikasi Semikonduktor

 Berdasarkan murni atau tidak murninya bahan, semikonduktor dibedakan menjadi dua
jenis, yaitu semikonduktor intrinsik dan ekstrinsik.
Semikonduktor Intrinsik
Semikonduktor intrinsik merupakan semikonduktor yang terdiri atas satu unsur saja,
misalnya Si saja atau Ge saja. Pada Kristal semikonduktor Si, 1 atom Si yang memiliki 4
elektron valensi berikatan dengan 4 atom Si lainnya. Perhatikan gambar berikut :

Pada kristal semikonduktor instrinsik Si, sel primitifnya berbentuk kubus. Ikatan yang
terjadi antar atom Si yang berdekatan adalah ikatan kovalen. Hal ini disebabkan karena
adanya pemakaian 1 buah electron bersama () oleh dua atom Si yang berdekatan.
Menurut teori pita energi, pada T = 0 K pita valensi semikonduktor terisi penuh
elektron, sedangkan pita konduksi kosong. Kedua pita tersebut dipisahkan oleh celah
energi kecil, yakni dalam rentang 0,18 - 3,7.
Silikon dan germanium merupakan dua jenis semikonduktor yang sangat penting
dalam elektronika. Keduanya terletak pada kolom empat dalam tabel periodik dan
mempunyai elektron valensi empat. Struktur kristal silikon dan germanium berbentuk
tetrahedral dengan setiap atom memakai bersama sebuah elektron valensi dengan atom-
atom tetangganya. Gambar 2.1 memperlihatkan bentuk ikatan kovalen dalam dua dimensi.
Pada temperatur mendekati harga nol mutlak, elektron pada kulit terluar terikat dengan erat
sehingga tidak terdapat elektron bebas atau silikon bersifat sebagai insulator.
 Ikatan kovalen silikon dalam dua dimensi

Energi yang diperlukan mtuk memutus sebuah ikatan kovalen adalah sebesar 1,1 eV
untuk silikon dan 0,7 eV untuk germanium. Pada temperatur ruang (300K), sejumlah
elektron mempunyai energi yang cukup besar untuk melepaskan diri dariikatan dan
tereksitasi dari pita valensi ke pita konduksi menjadi elektron bebas (gambar 2.2). Besarya
energi yang diperlukan untuk melepaskan elektron dari pita valensi ke pita konduksi ini
disebut energi terlarang (energy gap). Jika sebuah ikatan kovalen terputus, maka akan
terjadi kekosongan atau lubang (hole). Pada daerah dimana terjadi kekosongan akan
terdapat kelebihan muatan positif, dan daerah yang ditempati elektron bebas mempunyai
kelebihan muatan negatif. Kedua muatan inilah yang memberikan kontribusi adanya aliran
listrik pada semikonduktor murni. Jika elektron valensi dari ikatan kovalen yang lain
mengisi lubang tersebut, maka akan terjadi lubang baru di tempat yang lain dan seolah-
olah sebuah muatan positif bergerak dari lubang yang lama ke lubang baru.
 Struktur kristal silikon memperlihatkan adanya sebuah ikatan kovalen yang terputus.

Proses aliran muatan ini, yang biasa disebut sebagai “arus drift” dapat dituliskan
sebagai berikut “Peristiwa hantaran listrik pada semikonduktor adalah akibat adanya dua
partikel masing-masing bermuatan positif dan negatif yang bergerak dengan arah yang
berlawanan akibat adanya pengaruh medan listrik”.

Akibat adanya dua pembawa muatan tersebut, besarnya rapat arus dinyatakan sebagai:

J npqn p

Dimana:

n dan p = konnsentrasi elektron dan lubang (m-3)

n lubang (m2 V-1 s-1) p = mobilitas elektron dandan

n p q n p konduktivitas (S cm-1)=

Karena timbulnya lubang dan elektron terjadi secara serentak, maka pada
semikonduktor murni, jumlah lubang sama dengan jumlah elektron.

Beberapa properti dasar silikon dan germanium diperlihatkan pada tabel dibawah ini :
 Properti Silikon Germanium
Energi terlarang/gap (eV) 1,1 0,67
Mobilitas elektron, (m2V-1s-1 ) 0,135 0,39
Mobilitas lubang, (m2V-1s-1 ) 0,048 0,19
Konsentrasi intrinsik, ni (m-3 ) 1,5 ´ 1016 2,4 ´ 1019
Resistivitas intrinsik, ( 9 m) 2300 0,46

Semikonduktor Ekstrinsik (Tak Murni)

Silikon yang didoping dengan phosphor

Terbentuk dari semikonduktor murni yang dikotori oleh atom dopping sebagai penghasil
elektron konduksi atau hole. Terdiri atas dua tipe: Tipe – N (Silikon + Phospor atau Arsenic) dan
Tipe – P (Silikon + Boron, Galium atau Indium). Semikonduktor ekstrinsik terbentuk melalui
mekanisme doping, yang dimaksudkan untuk mendapatkan elektron valensi bebas dalam jumlah
lebih banyak dan permanen sehingga diharapkan akan dapat menghantarkan listrik. Mekanisme ini
dilakukan dengan jalan memberikan atom pengotor ke bahan semikonduktor murni sehingga
apabila atom pengotor memiliki kelebihan elektron valensi (valensi 5) akan terdapat elektron bebas
yang dapat berpindah. Karena mengandung atom-atom pengotor, pembawa muatan didominasi oleh
elektron saja atau lubang saja. Apabila semikonduktor murni diberikan pengotor dengan valensi
kurang (valensi 3) maka akan terbentuk area kosong (hole) yang menjadi pembawa muatan.
Mekanisme ini menentukan jenis semikonduktor yang dibentuk (tipe – N atau tipe – P).
Semikonduktor tipe-n

Dapat dibuat dengan menambahkan sejumlah kecil atom pengotor pentavalen

(antimony, phosphorus atau arsenic) pada silikon murni. Atom-atom pengotor (dopan)
ini mempunyai lima elektron valensi sehingga secara efektif memiliki muatan sebesar
+5q. Saat sebuah atom pentavalen menempati posisi atom silikon dalam kisi kristal,
hanya empat elektron valensi yang dapat membentuk ikatan kovalen lengkap, dan
tersisa sebuah elektron yang tidak berpasangan (lihat gambar 2.3). Dengan adanya
energi thermal yang kecil saja, sisa elektron ini akan menjadi elektron bebas dan siap
menjadi pembawa muatan dalam proses hantaran listrik. Material yang dihasilkan dari
proses pengotoran ini disebut semikonduktor tipe-n karena menghasilkan pembawa
muatan negatif dari kristal yang netral. Karena atom pengotor memberikan elektron,
maka atom pengotor ini disebut sebagai atom donor.

Secara skematik semikonduktor tipe-n digambarkan seperti terlihat pada gambar

dibawah ini :

Semikonduktor tipe-p
 Dengan cara yang sama seperti pada semikonduktor tipe-n, semikonduktor tipe-p
dapat dibuat dengan menambahkan sejumlah kecil atom pengotor trivalen (aluminium,
boron, galium atau indium) pada semikonduktor murni, misalnya silikon murni. Atom-
atom pengotor (dopan) ini mempunyai tiga elektron valensi sehingga secara efektif
hanya dapat membentuk tiga ikatan kovalen. Saat sebuah atom trivalen menempati
posisi atom silikon dalam kisi kristal, terbentuk tiga ikatan kovalen lengkap, dan
tersisa sebuah muatan positif dari atom silikon yang tidak berpasangan yang disebut
lubang (hole). Material yang dihasilkan dari proses pengotoran ini disebut
semikonduktor tipe-p karena menghasilkan pembawa muatan negatif pada kristal yang
netral. Karena atom pengotor menerima elektron, maka atom pengotor ini disebut
sebagai atom aseptor (acceptor).

Pada bahan semikonduktor yang bertindak sebagai pembawa muatan dengan sebagian
terbesar berupa lubang-lubang yang dihasilkan dengan pemasukan tak murni, dan sebagian
kecil berupa electron-elektron bebas yang dihasilkan oleh energi terminal. Dipihak lain,
dalam semikonduktor tipe-n , sebagian terbesar dari pembawa muatan adalah electron-
elektron bebas dan hanya mengandung lubang-lubang yang berjumlah kecil. Jika dipakai
secara terpisah, baik semikonduktor tipe n maupun semikonduktor tipe p, masing-masing
tidak lebih berguna dari sebuah penghambat (resistor) karbon. Tetapi, dengan memasukkan
 tak-murnian kedalam suatu kristalsedemikian rupa hingga bertipe p, maka hasilnya berupa
suatu penghantar satu arah. Pembahasan berikut ini akan menjelaskan mengapa demikian.

Kita tinjau suatu atom netral. Atom ini mempunyai elektron dan proton yang sama jumlahnya.
Misalkan bahwa ialah satu elektronnya disingkirkan. Sebagai akibatnya, atom tersebut
mempunyai suatu muatan positif dan disebut ion positif. Sebaliknya, jika suatu atom netral diberi
satu elektron tambahan, atom akan bermuatan negatif dan dikenal sebagai ion negatif.

Pembawa-
pembawa mayoritas dan ion-ion. Gb.1.lubang-lubang dan ion-ion negative. Gb.2.
elektron-elektron bebas dan ion-ion positif

Gambar tersebut menunjukkan suatu semikonduktor tipe p. Masing-masing tanda plus

lambang dari suatu lubang, sedangkan masing-masing tanda minus yang dilingkari itu
merupakan representasi suatu atom akseptor yang mengandung bahan lubang-lubang
tersebut. Secara bersama lubang dan atom akseptor merupakan satuan yang netral. Namun
bila suatu lubang menghilang karena terjadi rekombinasi dengan suatu elektron, maka
atom akseptor bersangkutan akan mengandung muatan negatif yang berlebihan dan
menjadi ion negative. Dalam keadaan yang ditunjukkan gambar1, bahan tipe p tersebut
netral karena jumlah tanda plus sama dengan jumlah tanda minus.

Begitu pula dalam gambar 2 telah ditunjukkan semikonduktor tipe n. Disini tanda
minus melambangkan elektron bebas, tanda plus melambangkan elektron bebas, sedangkan
tanda yang dilingkari itu melambangkan atom donor yang mengandung elektron bebas
dalam orbitnya. Setiap elektron bebas bersama dengan atom donor bersangkutan
 merupakan satuan yang netral. Jika salah satu elektron tersebut meninggalkan orbitnyadari
sekeliling atom donor dan pindah ke orbit atom lain, maka atom donor itu menjadi ion
positif. Berbeda dari elektron-elektron bebas, ion-ion positif ini tidak dapat bergerak
leluasa karena terikat dalam struktur kristalnya. Tipe n itu bersifat netral karena
mengandung tanda minus dan tanda plus yang jumlahnya sama.

Kita dapat memasukkan pengotor berupa atom-atom dari kolom tiga atau lima dalam tabel
periodik (memberi doping) ke dalam silikon atau germanium murni.

Elemen semikonduktor beserta atom pengotor yang biasa digunakan diperlihatkan pada berikut:

Elemen semikonduktor pada tabel periodik

Susunan Atom Semikonduktor

Bahan semikonduktor yang banyak dikenal contohnya adalah Silicon (Si), Germanium
(Ge) dan Gallium Arsenida (GaAs). Germanium dahulu adalah bahan satu-satunya yang
dikenal untuk membuat komponen semikonduktor. Namun belakangan, silikon menjadi
popular setelah ditemukan cara mengekstrak bahan ini dari alam. Silikon merupakan bahan
terbanyak ke dua yang ada di bumi setelah oksigen (O2). Pasir, kaca dan batu-batuan lain
adalah bahan alam yang banyak mengandung unsur silikon. Dapatkah anda menghitung
jumlah pasir di pantai.Struktur atom kristal silikon, satu inti atom (nucleus) masing-masing
memiliki 4 elektron valensi. Ikatan inti atom yang stabil adalah jika dikelilingi oleh 8
elektron, sehingga 4 buah elektron atom kristal tersebut membentuk ikatan kovalen dengan
ion-ion atom tetangganya. Pada suhu yang sangat rendah (0oK), struktur atom silikon
divisualisasikan seperti pada gambar berikut.

Gb. struktur dua dimensi kristal Silikon

Ikatan kovalen menyebabkan elektron tidak dapat berpindah dari satu inti atom ke inti
atom yang lain. Pada kondisi demikian, bahan semikonduktor bersifat isolator karena tidak
ada elektron yang dapat berpindah untuk menghantarkan listrik. Pada suhu kamar, ada
beberapa ikatan kovalen yang lepas karena energi panas, sehingga memungkinkan elektron
terlepas dari ikatannya. Namun hanya beberapa jumlah kecil yang dapat terlepas, sehingga
tidak memungkinkan untuk menjadi konduktor yang baik.

Ahli-ahli fisika terutama yang menguasai fisika quantum pada masa itu mencoba
memberikan doping pada bahan semikonduktor ini. Pemberian doping dimaksudkan untuk
mendapatkan elektron valensi bebas dalam jumlah lebih banyak dan permanen, yang
diharapkan akan dapat menghantarkan listrik. Kenyataannya demikian, mereka memang iseng
sekali dan jenius.
 Mengenai sifat dari semikonduktor, berikut table dari sifat bahan semikonduktor :