PERSAMAAN KONTINYUITAS DAN GENERASI – REKOMBINASI

10.1. Proses Rekombinasi-Generasi

Selama ini kita menganalisis distribusi pembawa muatan (charge/carrier) dalam keadaan setimbang
thermodinamika. Dimana kesetimbangan melalui persamaan :

np = ni2

Ketika sistim terganggu (perturbed) dari kesetimbangan maka system berusaha menuju
kesetimbangan melalui proses Rekombinasi – Generasi.

Kita akan menghitung rate steady-state proses Rekombinasi – Generasi

Rate (R) ini akan proporsional terhadap deviasi dari kesetimbangan yaitu,

R = A (np – ni2 )

G Photo-eksitasi
 = h (enerji photon)

Generasi
Rekombinasi
Rekombinasi Langsung Ban ke Ban (Direct Band – Band Recombination

Ruang enerji (Energy Space) Ruang – direct lattice (Real Space)

R(ekombinasi) – G (enerasi) untuk Direct Band-Gap

Momentum – Enerji terkonservasi (p &  -nergy conserved)

Transisi optik hampir vertical

Rekombinasi tidak Langsung – Semikonduktor Indirect Band-Gap (melalui Trap)
Rekombinasi Tidak Langsung (Terbantu Trap- Trap /State level Asisted )
Dikenal Life time pembawa muatan, yaitu selang waktu antara pembawa muatan di Generasi –kan sampai
dengan Rekombinasi pembawa muatan :

n = lifetime elektron

p = lifetime hole
Transisi langsung ban – ke –ban
Semikonduktor ‘gap enerji langsung’ (direct bandgap)

Konsentrasi elektron dan hole dalam keadaan setimbang thermal

(thermal equilibrium)
Total konsentrasi elektron dan hole (mungkin fungsi waktu dan/atau
posisi)

‘Excess’ konsentrasi elektron dan hole (mungkin fungsi waktu dan/atau

posisi)

Rate Generasi elektron dan hole

Rate Rekombinasi elektron dan hole

Lifetime elektron dan hole

Rate rekombinasi dalam keadaan tidak setimbang equilibrium :

R = r np

Rate rekombinasi dalam keadaan setimbang equilibrium :

Ro = r nOpO = r ni

Rate rekombinasi ‘excess’ pembawa muatan :

R’ = R - RO = r ( np – ni2 )
Injeksi level-rendah (Low level injection)

Asumsi material tipe-p (pO NN nO )

( )
= [ − ( ) ( )] (∴  ( ) ≪ )

 ( )
= − ( ) ( ℎ )

 ()
= − ( ) = (0)

Waktu hidup ekses pembawa muatan :

1
=

Rate rekombinasi ekses pembawa muatan :

10.2. Persamaan Kontinyuitas

10.2.1. Penurunan dari Maxwell's Equations

(10.1)

(10.2)

(10.3)

(10.4)

Disini, is the medan listrik, medan magnetik , vektor displacement, dan kerapatan fluks
magnetik . J adalah rapat arus,  rapat muatan, and  / t adalah derivative parsial terhadap waktu.

Persamaan (10.1) mengekspresikan medan listrik terbangkitkan oleh perubahan medan magnetik (Hukum
Faraday untuk Induksi) , Persamaan (10.2) memperhitungkan ketiadaan kutub (pole) magnetic magnetic
monopoles (sumber magnetic ), Persamaan (10.3) merefleksikan bagaimana arus listrik dan perubahan medan
magnetic menghasilkan suatu Medan Magnetik (Hukum Ampere-Maxwell) dan persamaan (10.4) meng-
korelasikan Medan Listrik dengan adanya Muatan Listrik (elektron atau/dan hole) (Hukum Gauss) .

Kita menggunakan Hukum Maxwell untuk menurunkan persamaan –persamaan Material Teknik Elektro
(Semikonduktor), yang dikenal sebagai persamaan Poisson dan Persamaan Kontinyuitas.

10.2.2 Persamaan Poisson's

Persamaan Poisson's menghubungkan potensial elektrostatik terhadap distribusi muatan  . Persamaan ini
dapat diturunkan dari (10.4) menggunakan relasi terhadap vektor Displacement dan vektor medan listrik,

(10.5)
Dimana adalah tensor permitivitas. Relasi ini berlaku untuk material dengan permitivitas tidak tergantung
waktu. Dimana material yang digunakan dalam Devais Semikonduktor umumnya tidak memperlihatkan
anisotropi yang signifikan dalam permitivitas, ,  dapat dianggap sebagai kwantitas skalar.

Dengan  x E , medan listrik E dapat diekspresikan sebagai medan gradient dari potensial 

E = 
Dengan mengganti (10.5) dan (10.6) ke dalam (10.4) , diperoleh

∇. = .  = − →  = − (10.7)

Kerapatan ruang muatan (space charge)  terdiri atas

= ( − + ) (10.8)

Dimana q adalah muatan elektron, p dan n adalah masing-masing konsentrasi hole dan elektron, dan
adalah konsentrasi tambahan , muatan tetap. Muatan tetap (fixed charges) berasal dari dopant/
ketidakmurnian, donor (ND) dan akseptor (NA) yang terionisasi , dan trap untuk hole (p ) dan elektron (n)

= − + − (10.9)

Melibatkan trap pembawa muatan dalam suatu simulasi penting karena menunjukkan dampak degradasi
kinerja devais

Bersama persamaan (10.8) and (10.9) membawa ke persamaan Poisson's yang biasa digunakan dalam
simulasi devais semikonduktor ,

Persamaan Poisson’s :

(10.10)
10.2.3 Persamaan Kontinyuitas (Continuity Equations)

Persamaan kontinyuitas dapat diturunkan dari persamaan (10.3) dengan melakukan operasi divergence, ,
terhadap persamaan (10.3) tersebut dimana divergence curl suatu medan vektor adalah sama dengan 0

(10.11)

Dari kalkulus, ekspansi Taylor memberikan

Semikonduktor tipe - p
Fluksi dari suatu aliran pembawa muatan (elektron atau hole )
atau aliran arus ke dalam suatu batang semikonduktor,
misalkan semikonduktor tipe –p di arah-x , pada inkremen x
dan x + dx :

(10.12)

Net perubahan hole dalam diferensial volum semikonduktor tipe-p per satuan waktu adalah,

(10.13)

Komponen pertama di sebelah kanan menunjukan meningkatnya jumlah hole per satuan waktu akibat fluksi
hole, sedangkan komponen kedua menunjukan bertambahnya jumlah hole per satuan waktu oleh Generasi
hole dan komponen terakhir menunjukan berkurangnya hole per satuan waktu oleh proses Rekombinasi.
 Rate rekombinasi hole termasuk rekombinasi dan
rekombinasi dari konsentrasi ekses dalam keadaan
setimbang (thermal equilibrium)

Waktu hidup rekombinasi (recombination lifetime) pembawa

muatan termasuk pembawa muatan dalam setimbang
thermodinamik dan yang digenerasikan (excess carrier)

Persamaan Kontinyuitas untuk Hole (10.15)

Persamaan Kontinyuitas untuk Elektron

(10.16)

Memisahkan antara total Rapat Arus J kedalam arus hole dan elektron, = ̅ + ̅ , dan menggunakan
persamaan (10.4) dan (10.9) menghasilkan persamaan

(10.17)

Ketidakmurnian yang terionisasi (donor dan akseptor yang terionisasi) tidak berubah terhadap waktu dan
mengenalkan besaran R, memisahkan persamaan (10.13) ke persamaan yang terpisah untuk elektron dan
hole, diperoleh :

(10.18)
G–R

G – R2.1 (10.19)

G adalah Rate Generasi pasangan elektron dan hole, dan R adalah rate Rekombinasi elektron-hole .

Dengan persamaan arus J adalah total Arus Drift dan Difusi masing-masing untuk elektron,

= +
Dan untuk hole : = −

Dengan membagi arus J dengan q akan sama denga Fluksi pembawa muatan elektron dan hole sebagai
berikut:

+q -q

Maka persamaan Kontinyuitas dapat diekspresikan sebagai berikut :

( )
=− + + −

( )
= + + −

( )
= +

( )
= +

=+ − + + −

=+ + + + −

Dalam keadaan setimbang thermodinamika konsentrasi : elektron no dan hole : po bukan fungsi
waktu serta untuk semikonduktor yang homogen, konsentrasi : elektron no dan hole : po konsentrasi
: elektron no dan hole : po , juga konstan bukan merupakan fungsi posisi . no hanya : no = ND
(konsentrasi donor) , dan po = NA (konsentrasi akseptor) ( pada T=temperature kamar = 300K )

Diketahui konsentrasi elektron dan hole sekarang juga termasuk ekses konsentrasi elektron n dan
n akibat proses Generasi , sehingga total konsentrasi elektron dan hole :

= +

= +
Sehingga persamaan Kontinyuitas dapat dituliskan sekarang dapat dituliskan sebagai berikut :

10.3. Transport Ambipolar

 Ketika pembawa muatan ‘excess’ (berlebihan) di-generasi-kan , dibawah medan listrik

terpasang E, elektron dan hole akan bergerak dengan arah berlawanan.
 Pemaisahan kedua partikel : elektron – hole (separation) menginduksi : Medan Listrik Internal
(EINT) dan menghasilkan gaya tarik menarik antara kedua partikel
 Medan Listrik internal, EINT , cukup untuk menjaga elektron dan hole bergerak ‘drift’ dan difusi
bersama
 Elektron dan hole tidak bergerak sendiri-sendiri, keduanya bergerak difusi dan ‘drift’ bersama,
dengan koefisien difusi dan mobilitas efektip yang sama. Fenomena ini disebut ‘transport
Ambipolar

Dalam transport Ambipolar, ‘excess’ elektron dan excess hole meng-Generasi-kan dan Rekombinasi bersama :

E
Transport Ambipolar dalam injeksi rendah (Low injection, n = p << nO (tipe – n) atau << pO (tipe=p)

Rate Generasi net :

Di semikonduktor tipe –p :
Net Rate Generasi di semikonduktor tipe-p :
Contoh 10.1 :

Semikonduktor tipe-n homogen :

Medan listrik terpasang : E = 0
Kondisi injeksi pembawa muatan yang rendah Pada t = 0,
‘Excess’ pembawa muatan merata ; g’ = 0 untuk t > 0
Tentukan konsentrasi ‘excess’ pembawa muatan sebagai fungsi waktu

Solusi :
E=0
g’= 0
( ) ( ) ( )
− + − =

( ) ( )
− =

Excess’ pembawa muatan merata, p  f(x)

( )
− =

( )= (0)

Sesuai kaidah netralitas pembawa muatan maka solusi ‘excess’ elektron :

( )= (0)

Contoh 10.2 :

Semikonduktor tipe-n homogen (konsentrasi elektron n merata , n  n(x) ).

Medan listrik terpasang : E = 0
Kondisi injeksi pembawa muatan yang rendah
Pada t > 0, dibangkitkan (generasi) ‘excess’ pembawa muatan secara merata
Tentukan konsentrasi ‘excess’ pembawa muatan sebagai fungsi waktu

Solusi : Generasi elektron & hole merata

E=0
( ) ( ) ( )
− + − =

( ) ( )
− = ⇒ + − =0

( ) = (1 − )

( ) ʹ
Pada keadaan steady-state : = 0 ⇒ ( = ∞) =
Contoh 10.3 :

Semikonduktor tipe-p homogen (konsentrasi hole, p merata , p  p(x) ).

Medan listrik terpasang : E = 0
Excess pembawa muatan dibangkitkan hanya di x = 0, dalam Kondisi injeksi pembawa muatan yang
rendah. Kemudian berdifusi ke dua arah +x dan –x .
Tentukan konsentrasi ‘excess’ pembawa muatan sebagai fungsi - x

Solusi :

E=0 ( )
Steady state , =0
( ) ( ) ( )
− + − =

( )
Pada x = 0, + − = 0

( )
Pada x  0 , − = 0

( )
− = 0

Panjang difusi pembawa muatan minoritas :

Solusi persamaan diferensial ‘excess’ elektron di semikonduktor tipe-p tersebut :

Solusi umum : ( )= +

( )= (0) , ≥0

( )= (0) , ≤0
 Komsentrasi (skala log)
Tipe –p m

Contoh 10.4 :

Semikonduktor tipe-n homogen (konsentrasi elektron, n merata , n = ND (konstan)  p(x) ).

Medan listrik terpasang, E = E (x) , kearah x-positip
Excess pembawa muatan dibangkitkan di x = 0 dan pada t=0. g’ = 0 pada t >0
Tentukan konsentrasi ‘excess’ pembawa muatan sebagai fungsi – x dan t /

Solusi :

0
( ) ( ) ( )
− + − =

Rate generasi di x=0 dalam keadaan ‘steady state’

10.4. Eksperimen Haynes – Schockley

Eksperimen Haynes-Schockley adalah metoda set-up eksperimen transport ‘excess’ elektron

atau hole di dalam semikonduktor dalam rangka mengukur :

 Lifetime pembawa muatan minoritas

 Koefisien Difusi pembawa muatan minoritas
 Lifetime pembawa muatan minoritas

−( − )
( , ) = ( , ) = exp
4 4

Eksperimen Haynes-Schockley : - di semikonduktor tipe-n dirangkai dibawah ini :

 Pulsa ekses pembawa muatan diinjeksi di kontak A
 Kontak B adalah kontak penyearah dan dalam keadaan catu daya ‘reverse’
 Bagian dari ekses pembawa muatan dikoleksi di kontak B
 Pembawa muatan yang dikoleksi akan menghasilkan tegangan keluaran VO ketika
mengalir melalui resistansi R2

Pulsa ekses pembawa muatan minoritas (hole) diinjeksi di kontak A pada waktu t=0

Ekses pembawa muatan akan bergerak sepanjang semikonduktor menghasilkan tegangan

keluaran (VO di R2) sebagai fungsi waktu

Tegangan puncak pulsa akan muncul di kontak B pada t = tO . Selama perjalanan waktu dan
gerak (difusi dan drift) disepanjang semikonduktor mencapai kontak B pembawa muatan
minoritas (ekses) akan mengalami rekombinasi .

Persamaan gerak : x - vP t = 0  x - P EO t = 0 dimana d = d2 – d1 dan selang waktu mencapai

x= d2 adalah t = tO . Sehingga diperoleh mobilitas hole sebagai ekses pembawa muatan

minoritas : =
 −( − )
( , ) = ( , ) = exp
4 4

Pada t = to puncak pulsa ekses hole mencapai kontak B, dengan ekspresi : ( , ) = .

Pada t1 dan t2 konsentrasi ekses pembawa muatan sama dengan e-1 . Dikeluaran R2 aliran
ekses hole membangkitkan tegangan, VO , ditunjukan sebagai fungsi waktu gambar berikut.

Waktu

Pada t= t1 atau t= t1 ,

−( − )
( , )= = −1
4

∴: ( − ) =4 , = = ∆ = − = 2( − ) = 2( − )

Karena difusi ekses hole ke kedua arah x simetris : ∴ = = , = ,

∆
∴ −4 = − = ( ) ( − ) =( ) = 4

( ) ∆
ℎ ( ) ∶ ∴ =
16

= ( , 0)

( , 0)
( , 0) =
=
Luasan S dibawah kurva p adalah jumlah hole yang tidak rekombinasi dengan pembawa
muatan majoritas (elektron) :

−( − )
( , ) = ( , ) = exp
4 4

−
⎡ ⎤
⎢ ⎥ −
= = ⎢ ⎥ = exp
⎢ ⎥
⎣ ⎦

Plot ln (S) terhadap perubahan berupa kurva garis lurus dengan kemiringan (slope)

−
⎧ ⎡ ⎤⎫
⎪ ⎢ ⎥⎪ 1
ln( ) = ln( ) − ln = . ⎢ ⎥ = ( ) − .
⎨ ⎬
⎪ ⎢ ⎥⎪
⎩ ⎣ ⎦⎭

ln (G)

  EO EO  0
Contoh Soal 10.5 :

Suatu batang Silikon tipe-p digunakan dalam eksperimen Haynes-Schockley. Panjang semikonduktor
Si tersebut 1 cm. Jarum (probe) untuk injeksi pulsa dikontak 1mm dari pangkal Si, sedangkan jarum
untuk mengukur tibanya pulsa dan dihubungkan ke osiloskop untuk mendeteksi pulsa terletak 1mm
dari ujung semikonduktor. Batere dipasang antara pangkal dengan ujung batang semikonduktor Si
dengan tegangan 2V. Pulsa yang dikoleksi dari jarum (probe) diamati di osiloskop tiba 0.8ms setelah
injeksi. Pulsa menyebar pada titik koleksi dengan 1/e harga amplituda puncak adalah 405s. Hitung
mobilitas elektron dan koefisien difusi serta verifikasi apakah relasi Einstein terpenuhi.

Solusi :

Mobilitas elektron :

(1 − 0,1 − 0,1) (0,8)

 = = = = 500 [ ]
2 16.10 −
0,8. 10
1

Koefisien difusi ekses elektron (sebagai pembawa muatan minoritas):

( ) ∆ (500 2) (405. 10 )
= = = 12.8
16 16 0,8. 10

Rasio antara koefisien difusi Dn terhadap mobilitas elektron,n :

12,8
= = 0,0256 ≃ ( ℎ)
500
10.5. Level Enerji Quasi-Fermi (Imref).

Selama ini level enerji Fermi semikonduktor dalam keadaan setimbang thermal (thermal

equilibrium). Level enerji Fermi (F) menunjukan konsentrasi pembawa muatan elektron dan hole,
dimana konsentrasi elektron (n) atau/dan hole (p) dengan konsentrasi > konsentrasi intrinsik : ni = pi,
yang diperoleh dengan men-dop dengan elemen ketidakmurnian (dopant, untuk Silikon dari
golongan III : B(oron), Al(uminum) atau Ga(lium) sebagai akseptor, dan golongan V : P(hosphor),
Arsenik (As) dan Antimoni (Sb) sebagai donor). Level enerji Fermi dalam keadaan setimbang thermal,

F , konstan di dalam material semikonduktor. Konsentrasi pembawa muatan secara eksponensial

oleh level enerji Fermi, F :

( )= =


( )= =

Pada keadaan tidak setimbang thermal (non-thermal equilibrium) :

Terjadi ekses pembawa muatan baik elektron (n) maupun hole (p) , sehingga semikonduktor tidak
dalam keadaan setimbang thermal dan level enerji dalam keadaan setimbang thermal, F , tidak
berlaku lagi . Didefinisikan level enerji Fermi baru untuk keadaan tidak setimbang thermal (non-
thermal equilibrium) untuk masing-masing pembawa muatan (elektron dan hole). Dalam keadaan
tidak setimbang thermal, level enerji Fermi yang sekarang didefinisikan untuk masing-masing
pembawa muatan : dinamakan level enerji quai-Fermi (Imref ) : - untuk elektron : Fn dan untuk hole :
Fp , tidak konstan di dalam semikonduktor. Konsentrasi pembawa muatan dalam keadaan tidak
setimbang thermal, masing-masing untuk elektron dan hole sekarang :

n = no + n ; no = n (setimbang thermal)  ND , n = konsentrasi ekses elektron

p = po + p ; po = p (setimbang thermal)  NA , p = konsentrasi ekses hole

Ekses elektron (n) dan hole (p) dibangkitkan oleh generasi oleh proses photo-generasi (eksitasi
photon, seperti terjadi di sel Photovoltaic = sel surya, photodetector) , oleh thermal , tekanan
(piezoelektrik), maupun elektronik seperti injeksi melalui barier junuction seperti dari emitter ke base
transistor Bipolar atau junction ntri.

Konsentrasi elektron dalam keadaan ‘non-thermal equilibrium’ dengan Imref (quasi Fermi : Fn ) :

( )= + = =

Konsentrasi hole dalam keadaan ‘non-thermal equilibrium’ dengan Imref (quasi Fermi : Fp ) :


( )= + = =

Dalam keadaan non-thermal equilibrium, ntri ‘ Mass action’ tidak memenuhi :

np  ni2

Contoh Soal 10.6 :

Suatu semikonduktor tipe – n dengan konsentrasi merata pada temperature kamar, T=300K .
Konsentrasi elektron pada thermal equilibrium : nO = 1015 [cm-3] , konsentrasi ntrinsic : ni = 1,1.1010
[cm-3] dan pO = 1,2.105 [cm-3]. Dalam keadaan tidak setimbang thermal ,n=p= 1013 [cm-3]. Tentukan
level enerji Quasi-Fermi .
Solusi :

= ⟹ − = = 0,0256 ln =0,2923eV
, .

= + = ⟹ − = ⟹ − =

10 + 10
− = 0,0256 = 0,2926
1.1 10

= + = ⟹ − =

,
− = 0,0256 = 0,1744
.

0,2923eV
0,2923eV
0,2926eV

0,1744eV

Dapat disimpulkan dari contoh soal diatas :

 Karena pembawa muatan mayoritas (elektron) tidak berubah secara signifikan dari keadaan
setimbang thermodinamika (thermal equilibrium), maka level enerji quasi-Fermi ε =
0,2923eV + tidak berbeda banyak terhadap level enerji Fermi dalam keadaan setimbang
thermodinamika, ε = 0,2923eV +
 Untuk pembawa muatan minoritas (hole), level enerji quasi-Fermi sangat signifikan
menunjukan konsentrasi ekses hole memberikan banyak perubahan disbanding konsentrasi
dalam keadaan setimbang thermodinamika.
10.5. Rekombinasi Schockley Read Hall (SRH)

Dalam semikonduktor sempurna (ideal), di daerah terlarang (gap enerji) tidak terdapat states (level
enerji). Di semikonduktor riel :

 Cacat (trap) terdapat dalam Kristal, menciptakan ‘states’ level enerji diskrit atau ban enerji
ketidakmurnian dalam daeraj terlarang (Gap Enerji)

 ‘States’ cacat ketidakmurnian ini menjadi efek dominan dalam menentukan waktu hidup
(lifetime) pembawa muatan dalam semikonduktor.

Rekombinasi SRH melalui trap do dalam gap enerji sebagai pusat rekombinasi (Recombination Center),
sebagai entitas yang menangkap (Capturing) elektron dan hole dengan probabilitas yang hampir sama.

Teori Schockley-Read-Hall :

 Diasumsikan suatu pusat rekombinasi tunggal dengan enerji  terdapat dalam enerji gap
 Bila suatu trap adalah trap – menyerupai akseptor (acceptor like trap) maka akan bersifat
muatan negatip ketika mengandung suatu elektron dan bersifat netral ketika mengandung
suatu elektron.

Trap terisi elektron

g g (bermuatan negatip)

Trap /states dalam keadaan

tidak terisi (netral)
Proses rekombinasi SRH terdapat 4 (empat) macam proses dasar : (bermuatan negatip)

Proses 1 : Tangkap (‘Capture’) elektron Proses 2 : Emisi elektron

g g

Proses 3 : Tangkap (‘Capture’) hole Proses 4 : Emisi hole

g
 Proses 1 : Capture Electron

Rate Capture elektron : = . . 1− ( ) .

( ) =

g

Proses 1 : Tangkap (‘Capture’) elektron Proses 2 : Emisi elektron

Rate Emisi elektron : = .[ . ( )]

Bagaimana relasi antara Rate ‘Capture’ elektron dengan Rate Emisi elektron

Dalam keadaan setimbang thermal (thermal equilibrium) :

= ( ℎ )

. . 1− ( ) . = .[ . ( )]

1− ( ) . 1.
. = ⇒ . −1 . =
( ) ( )

− − −
. 1+ −1 . exp − = ⇒ = − .

− −
= ⇒ ∶ = − =

Relasi antara konstanta emisi dan konstanta ‘capture’ berlaku di semua kondisi termasuk ketika level
Fermi terletak pada level enerji trap, dimana trap menjadi proses yang dominan dalam memberikan
elektron konduksi. Emisi elektron meningkat secara eksponensial ketika enerji trap terletak dekat
Ban Konduksi.

Demikian juga bagaimana relasi antara ‘Capture’ hole dengan emisi hole :
Proses 3 : Rate ‘Capture’ hole : = . . ( ) .

Proses 4 : Rate emisi hole : = . . 1− ( )

Dalam keadaan setimbang thermal (thermal equilibrium) : =

1
( ) =
−
1 + exp

= . . ( ) . = = . . 1− ( )

1
. . ( ) . = . . 1− ( ) ⇒ . = . −1
( )

− − −
. − = . 1+ −1 = .

−
− −
= . = . ⇒ = . ′
−

Dimana : p’= =

Konstanta ‘Capture’ : Cn (untuk elektron) dan Cp (untuk hole) :

o Konstanta Capture ditentukan oleh kecepatan thermal vth dan luas penampang capture trap (cross-
section) : n (untuk elektron) dan p (hole capture cross-section area).
Sehingga konstanta capture untuk elektron :
Cn = vth . n ,

Dan konstanta Capture untuk hole : Cp = vth . p

Konstanta Emisi : En (untuk elektron) dan Ep (untuk hole) , ditentukan oleh konstanta ‘Capture’ dan
konsentrasi pembawa muatan dengan level Fermi, F= t (level enerji trap) :
− −
= . , = − =
− −
= . , = − =

Emisi elektron meningkat secara eksponensial dengan level enerji trap (Et , trap states) mendekati ban
Konduksi, sementara emisi hole meningkat secar eksponensial dengan level enerji trap (Et ) mendekati Ban
Valensi.
= . . 1 − ( ) . = . . ( ) .
= . [ . ( )] = . . 1− ( )
Dalam keadaan tidak setimbang thermodinamika (non-thermal equilibrium) :
Net rate ‘Capture’ elektro pada trap akseptor :

= −

= − = . . 1− ( ) . – .[ . ( )]

= . . 1− ( ) − ′. ( ) , dengan = − =

Net Rate ‘Capture’ hole pada trap akseptor (Proses 3 dan proses 4 ) :

− −
= . . ( )− 1− ( ) , ’= =

Dalam keadaan ‘steady-state’ : =

. . 1− ( ) − ′. ( ) = = . . ( )− 1− ( )

+
( ) =.
( + ′) + ( + ′)

Hukum Mass Action untuk emisi elektron dan emisi hole dari level trap berlaku seperti dalam keadaan
setimbang thermal :

− −
= =

Sehingga Rate Capture untuk elektron maupun hole dapat di ekspresikan :

−
= =. =
( + ′) + ( + ′)

Rn

Rp

Rekombinasi didominasi proses Rekombinasi SRH, rate Rekombinasi ekses pembawa muatan sebagai
berikut :
−
= =
( + ′) + ( + ′)
Rekombinasi SRH dalam keadaan injeksi rendah (low injection) :

Kasus I :

Semikonduktor tipe-n dengan trap enerji dalam (dekat i) pada injeksi rendah

≫ ( − )

≫ ( ℎ )

≫ , ≫ ( ) ⇢ ( − )>3 ℎ )
− ( )
= = ≈ =
( + ′) + ( + ′)

= =

Untuk semikonduktor tip-n dengan level enerji trap dalam (‘deep trap , ( − )>3 ,

ε lebih dekat ke ε , tengah gap enerji ) , net rate rekombinasi dibatasi oleh proses tangkap (capture) hole
(pembawa muatan minoritas) selama rekombinasi SRH. Rekombinasi ditentukan oleh waktu paruh (lifetime)
pembawa muatan minoritas (hole).

1
= = = ⇒ ∶ = ( ℎ − )

Rn

Rp

Bila konsentrasi ‘trap’ (Nt) meningkat probabilitas rekombinasi ekses pembawa muatan meningkat, maka
waktu paruh (lifetime, PO ) menjadi lebih singkat.

Kasus II :

Semikonduktor tipe-p dengan trap enerji dalam (dekat i) pada injeksi rendah

≫ ( − )
 ≫ ( ℎ )

≫ ′, ≫ ′, ( )

− ( )
= = ≈ =
( + ′) + ( + ′)

= =

Untuk semikonduktor tipe-p dengan level enerji trap dalam (‘deep trap , ( − )>3 ,

ε lebih dekat ke ε , tengah gap enerji ) , net rate rekombinasi dibatasi oleh proses tangkap (capture) elektron
(pembawa muatan minoritas) selama rekombinasi SRH. Rekombinasi ditentukan oleh waktu paruh (lifetime)
pembawa muatan minoritas (elektron).

1
= = = ⇒ ∶ = ( ℎ − )

Rn
t
Rp F

1
= = = ⇒ = ( − , ℎ)

Bila konsentrasi ‘trap’ (Nt) meningkat probabilitas rekombinasi ekses pembawa muatan meningkat, maka
waktu paruh (lifetime, nO ) menjadi lebih singkat

Kasus III :

Semikonduktor tipe-p/n dengan ‘deep trap’ (enerji dalam lebih dekat i)

−
= = ( )
( + ′) + ( + ′)

−
= = ( )
( + ′) + ( + ′)
Contoh Soal 10.6 :

= = , = + , = +

Asumsi ‘deep trap’ dengan level enerji trap dekat level enerji intrinsik

= = , ℎ = = ( ) ( )

Solusi :

( + )( + ) − (2 )( )
= =
( + + )+ ( + + ) + (2 + )

Dalam keadaan injeksi rendah (low injection) :

≪ = = ; = +

Lifetime pembawa muatan meningkat dengan berubahnya semikonduktor dari semikonduktor

ekstrinsik ke intrinsik.

Contoh arus dioda p-n (IDEAL)

Dalam daerah quasi – netral, persamaan kontinyuitas

−
= −

Kondisi ‘steady state’ : =0

−
0= −

Solusi persamaan excess muatan minoritas (pn') ,

− −
( )= exp − +

Dimana : A dan B adalah konstanta ditentukan syarat batas :

= = ℎ
 -XB XE

DIODA BASE – PANJANG

xB >> Lp
xE >> Ln
(B dan E mewakili dioda junction Base – Emitter di transistor Bipolar pnp)

Pn' (x) = Pno ( e qV/kT – 1) e – (x – xn) / Lp

Arus hole di daerah netral tipe-n dioda pn (pn junction)(xn+XE) ,

Arus elektron diinjeksikan sebagai pembawa muatan minoritas di daera tipe-p (-XB- Xp),

ni2
Jn (x) = q Dn ( e qV/kT – 1 ) e (x-x ) / Ln
p
NA Ln
Arus total pembawa muatan minoritas di x = - xp dan x = xn (“Governing equation”):
Disamping Rekombinasi SRH (Schockley – Read – Hall), rekombinasi juga terjhadi di/disebabkan :

1. Permukaaan : Surface Recombination

2. Rekombinasi Auger
PR

A p-type Si sample is used in the Haynes-Shockley experiment. The length of the sample is 2 cm and the two
measurement probes are separated by 1.9 cm. The voltage applied across the two ends of the sample is 5 V. A
pulse arrives at the collection point 0.608 msec after its injection at the injection point, and the spread of the
pulse t at the collection point is 180 sec. Calculate the electron mobility and diffusion coefficient, and verify
whether Einstein relation is satisfied.