Makalah Teknologi Optoelektronika

Thin Film Transistor (TFT)

Disusun untuk Memenuhi Tugas Ujian Tengah Semester Genap

Dosen :

Dr.rer.nat. Ayi Bahtiar, S.Si., M.Si.

Disusun oleh :

Gisela Berliana Margaretha N

140310190013

UNIVERSITAS PADJADJARAN

FAKULTAS MATEMATIKA DAN ILMU PENGETAHUAN ALAM

PROGRAM STUDI FISIKA

APRIL 2021
 Daftar Isi
Makalah Teknologi Optoelektronika...........................................................................................................1
Bab 1. Pendahuluan.....................................................................................................................................3
1.1 Latar Belakang.............................................................................................................................3
1.2 Tujuan..........................................................................................................................................3
BAB 2. Tinjauan Pustaka............................................................................................................................4
2.1 Transistor.....................................................................................................................................4
2.2 Thin Film Transistor (TFT).........................................................................................................5
BAB 3. Pembahasan....................................................................................................................................6
3.1 Prinsip kerja TFT.........................................................................................................................6
3.2 Prospek masa depan TFT.............................................................................................................7
BAB 4. Penutup...........................................................................................................................................8
4.1 Kesimpulan..................................................................................................................................8
Daftar Pustaka.............................................................................................................................................9
 Bab 1. Pendahuluan
1.1 Latar Belakang
Transistor merupakan salah satu komponen elektronika yang cukup penting. Dalam
sejarahnya, transistor selalu melakukan pengembangan dalah hal bentuk dan fungsi agar lebih
efektif dan efesien. Transistor pertama kali ditemukan oleh tiga fisikawan asal Amerika Serikat
pada akhir tahun 1947, yaitu transistor bipolar. Transistor bipolar adalah Transistor yang struktur
dan prinsip kerjanya memerlukan perpindahan muatan pembawanya dimana elektron di kutub
negatif akan mengisi kekurangan elektron atau hole di kutub positif.   Bipolar berasal dari kata
“bi” yang artinya adalah “dua” dan kata “polar” yang artinya adalah “kutub”. Transistor bipolar
sering disebut juga dengan BJT yaitu Bipolar Junction Transistor. Pada transistor BJT ini
terdapat tiga terminal yaitu terminal basis, emitor, dan kolektor. Transistor NPN dan PNP
merupakan jenis dari transistor BJT. Selanjutnya perkembangan transistor dilanjutkan dengan
adanya transistor FET. Field Effect Transistor (FET) adalah jenis transistor dimana pengendalian
konduktifitasnya menggunakan aliran listrik. Aliran listrik tersebut berupa tegangan yang akan
diberikan pada terminal Gate (G) dimana aliran listrik tersebut akan mengendalikan tegangan
yang ada di terminal Drain (D) ke Source (S). Jadi pada transistor ini memiliki tiga buah
terminal juga yang saling terhubung fungsinya. FET ini juga sering disebut sebagai
transistor unipolar karena proses kerjanya hanya tergantung pada salah satu muatan
pembawanya. Muatan pembawa dari transistor ini dapat berupa electron maupun hole. Pada jenis
transistor FET ini, terdapat tiga jenis yaitu JFET, MOSFET dan UJT.

TFT (Transistor Film Tipis) merupakan jenis khusus dari MOSFET yang mana konsep ini
pertama kali diusulkan oleh Paul K Weimer pada tahun 1962. Transistor film tipis (TFT) saat ini
menjadi komponen elektronik dasar hampir semua produk tampilan konsumen maupun
profesional yaitu ponsel pinter hingga TV panel datar diagonal besar. [ CITATION SDB13 \l
1057 ].

1.2 Tujuan
 Mengetahui prinsip kerja TFT
 Mengetahui prospek masa depan (future prospect) TFT
 BAB 2. Tinjauan Pustaka
2.1 Transistor
Transistor merupakan komponen yang selalu ada disetiap rangkaian elektronik seperti radio,
handphone, dan televisi. Terdiri dari lapisan material semikonduktor tipe p yang diapit oleh dua
semikonduktor tipe n (transistor NPN) atau semikonduktor tipe n yang diapit oleh dua buah
semikonduktor tipe p (transistor PNP). Karena komposisi tersebut, maka transistor memiliki tiga
terminal yang berasal dari masing-masing bahan semikonduktor tersebut. Ketiga terminal
tersebut ialah Emitor Emitor (E), Basis (B), dan Kolektor (C).

Gambar 1 Transistor npn dan pnp

Emitor merupakan bahan semikonduktor dengan tingkat doping yang tinggi, sedangkan
kolektor memiliki doping sedang, dan alas memiliki tingkat doping yang sangat rendah. Semakin
rendah tingkat doping material, semakin rendah konduktivitasnya. Dibandingkan dengan emitor
dan kolektor, ukuran alasnya juga sangat tipis. Rasionya sekitar 1: 150. Ukuran dasar yang
sangat sempit akan mempengaruhi pengoperasian transistor.

Pada emitor terdapat tanda panah yang merupakan arah aliran arus yang disebut arus
normal transistor. Pada transistor npn panah menunjukkan arah, sedangkan pada transistor pnp
panah menunjukkan arah. Transistor memiliki peran yang sangat penting yaitu berfungsi sebagai
saklar yang memutus atau menghubungkan arus. Tujuannya untuk mendapatkan sistem kerja
yang dibutuhkan dari rangkaian elektronik.
2.2 Thin Film Transistor (TFT)
Thin Film Transistor (TFT) merupakan salah satu tipe layar LCD (Liquid Crystal Display) yang
datar, dimana tiap-tiap pixel dikontrol oleh satu hingga empat transistor. TFT merupakan
perangkat elektronik di mana semua lapisan aktif (semikonduktor, elektroda dan lapisan
dielektrik) disimpan sebagai film tipis ke substrat pendukung (non-aktif). Peran utama substrat
dalam TFT adalah memberikan dukungan mekanis pada struktur perangkat dimana hal itu tidak
mengganggu karakteristik listrik transistor. Tujuan utama dari jenis struktur ini adalah untuk
digunakan sebagai sakelar elektronik. Ada arus antara dua elektroda (saluran dan sumber). Arus
dikendalikan (atau dimodulasi) oleh tegangan yang diterapkan ke elektroda gerbang. Tegangan
antara elektroda pembuangan dan elektroda sumber sangat terisolasi. Mengisolasi lapisan
dielektrik. TFT dapat menampilkan resolusi terbaik dari teknologi panel data. Layar dapat
menampilkan gambar yang kaya warna, tetapi harganya mahal dan permukaannya sensitif
terhadap sentuhan.

Gambar 2 TFT LCD

Transistor film tipis (TFT) yang tersedia saat ini dapat dibagi menjadi tiga sesuai dengan bahan
semikonduktor yang digunakan: CdSe, amorf Si, dan polycrystalline Si.
 BAB 3. Pembahasan
3.1 Prinsip kerja TFT
TFT didasarkan pada penggunaan konsep kristal cair (liquid crystal) dan kristal cair nematik
dalam prinsip kerjanya. Kristal cair ada dalam tiga fase: padat, cair dan gas. Perbedaan antara
status material ini adalah tingkat keteraturan material, yang secara langsung berkaitan dengan
suhu dan tekanan sekitar. Molekul benda padat tersebar secara teratur dan posisinya tidak
berubah, sedangkan posisi dan posisi molekul cair tidak beraturan karena dapat bergerak secara
acak ke segala arah. Friedrich Reinitzer seorang ahlli botani pada tahun 1888 menemukan
hubungan fase antara fase padat dan fase cair. Molekul-molekul ini memiliki orientasi yang sama
dengan benda padat, tetapi mereka dapat bergerak bebas seolah-olah berada dalam cairan. Fasa
kristal cair lebih mendekati fasa cair, karena dengan sedikit peningkatan suhu (pemanasan) maka
fasa langsung berubah menjadi fasa cair. Properti ini menunjukkan sensitivitas tinggi terhadap
suhu. Karakteristik inilah yang menjadi dasar utama penggunaan kristal cair dalam teknologi.
Pada gambar Anda dapat melihat perbedaan antara kristal, kristal cair, dan molekul cair.
Selanjutnya, konsep kristal cair nematik. Kristal cair TN (D) ditempatkan di antara dua elektroda
(C) dan (E), dua elektroda (C) dan (E) dibungkus kembali dengan dua pelat kaca (B dan F)
(seperti sandwich), pelat kaca Sisi luar dilapisi dengan film polarisasi tipis. Lapisan A
merupakan cermin yang dapat memantulkan cahaya yang menembus lapisan sandwich LCD.
Kedua elektroda tersebut dihubungkan ke baterai sebagai sumber arus. Sudut polarisasi panel B
dan panel F adalah 90 °. Cahaya masuk melalui panel F dan karena itu terpolarisasi. Namun, bila
tidak ada arus, cahaya akan melewati semua lapisan untuk mencapai molekul TN (90 °) hingga
memantul dari cermin A. Tetapi ketika elektroda C dan elektroda E (elektroda persegi panjang
kecil yang menempel pada lapisan kaca) diberi energi, kristal cair D, yang sangat sensitif
terhadap arus, tidak lagi terdistorsi, sehingga cahaya terus terpolarisasi menuju panel B dan
terpolarisasi. menurut panel F. Panel B, yang memiliki polarisasi berbeda 90 ° dari panel F,
mencegah penetrasi cahaya secara terus menerus. Karena cahaya tidak dapat melewatinya, maka
layar akan menampilkan gambar gelap dalam bentuk persegi panjang kecil yang ukurannya sama
dengan ukuran elektroda E (artinya bagian cahaya ini tidak akan terpantul oleh cermin).
3.2 Prospek masa depan TFT
Saat ini, kinerja LCD TFT memuaskan sebagian besar konsumen. Biaya, hasil, dan keandalan
proses array area besar akan menentukan bahwa TFT oksida dapat menggantikan TFT a-Si: H
dalam aplikasi LCD. Salah satu pengembangan berdasarkan karakteristik TFT adalah bahwa
TFT dapat diproduksi pada berbagai jenis substrat yang kaku atau fleksibel, sehingga
menghilangkan kebutuhan akan wafer kristal tunggal (mahal). Selama dapat bertahan dalam
lingkungan proses produksi, tidak ada batasan pada ukuran atau sifat material substrat. Selain itu,
TFT dapat dibuat dari berbagai bahan semikonduktor dan dielektrik. Struktur dan bentuk TFT
juga bisa disesuaikan. Selain itu, bergantung pada bahan, struktur, dan proses pembuatan, TFT
mungkin memiliki mobilitas efek medan yang rendah atau tinggi, misalnya, dari 1-600 cm 2 /
Vs. Ke depan, TFT dapat terus mengembangkan karakteristik dasarnya, sehingga TFT dapat
menjadi produk elektronik yang fleksibel dengan keandalan yang tinggi.TFT dapat dibuat
menjadi rangkaian logika, memori, dan I / O yang terintegrasi dengan sensor, imagers, display,
dll. TFT dimodifikasi atau dihubungkan ke peralatan lain untuk mendeteksi atau menghasilkan
perubahan pada sifat kimia, biologi, optik, magnet, radioaktif dan lainnya dengan mengontrol
transportasi kargo, emisi foton, dll. Perangkat dapat tertanam di lingkungan padat, cair, atau gas.
Meskipun lapangan telah dieksplorasi selama bertahun-tahun, aplikasi yang lebih baru masih
dapat ditemukan setelah nanodots atau nanomaterial satu dimensi (yaitu kawat nano)
dimasukkan dalam struktur.
 BAB 4. Penutup
4.1 Kesimpulan
Transistor merupakan perangkat elektronika yang cukup penting. Setiap perangkat elektronika
pasti terdapat transistor. Penemuan pertama transistor dimulai dari transistor bipolar, yang
kemudian berkembang pada transistor FET. Pada transistor FET ini memiliki beberapa jenis,
dimana salah satunya ialah jenis MOSFET yang kemudian dikembangkan hingga TFT
(Transistor Film Tipis). TFT kini menjadi komponen elektronik dasar hampir semua produk
tampilan konsumen maupun profesional yaitu ponsel pinter hingga TV panel datar diagonal
besar. TFT akan terus dikembangkan sehingga dapat menjadi produk elektronik yang fleksibel
dengan keandalan yang tinggi.
 Daftar Pustaka
Brotherton, S. D. (2013). "Introduction to Thin Film Transistors" Physics and Technology of
TFTs. Springer International Publishing Switzerland.

E. Howard, Webster. Thin Film Transistors- A Historical Perspectiv

. eMagin Corporation, Hopewell Junction, New York, U.S.A

Cherie R. Kagan, Paul Andry. Thin-Film Transistors