Tugas

Fisika
Zat Padat

Selasa, 30 Oktober

2012

Tugas ini disusun untuk memenuhi tugas tengah semester mata kuliah
Fisika Zat Padat yang mana mempelajari bagaimana suatu bahan
semikonduktor khususnya P N Junction dapat mengahantarkan arus
listrik.

Bahan
semikonduktor
dan aplikasinya

Oleh : Yayan Prima Nugraha 093224016

Pengajar : Prof.Dr.Budi Jatmiko, M.Pd

Tugas Fisika Zat Padat

Soal soal Fisika Zat Padat

1. Apakah bahan semikonduktor itu? Berikan contoh dan gambarlah ikatan atom-atomnya!
2. Apakah yang dimaksud dengan semikonduktor intrinsik? apa pula yang dimaksud dengan
semikonduktor ektrinsik? berikan contohnya?
3. Bagaimanakah memperoleh semikonduktor jenis-n? berikan gambarnya!
4. Apa yang dimaksud dengan sambungan p-n?
5. Gambarkan sambungan p-n yang diberi: a) tegangan maju b)tegangan mundur
6. berikan kesimpulan sambungan p-n yang diberi tegangan maju dan diberi tegangan
mundur, dan gambarlah karakteristik I-Vnya.
7. Apa yang terjadi bila sambungan p-n diberi tegangan mundur yang terus dibesarkan?
8. Berikan 3 buah contoh piranti elektronika yang menggunakan bahan semikonduktor.
9. Apakah Keunggulan diode?
10. Apa beda penyearah setengah gelombang dan penyearah gelombang penuh?
11. Gambarkan susunan rangkaian diode sebagai penyearah: a) setengah gelombang b)
gelombang penuh
12. Apa yang dimaksud dengan tegangan hall!
13. Gambarkan tegangan hall yang terjadi apabila sebuah semikonduktor jenis p dialiri arus
pada arah sumbu-x berada pada medan magnet yang arahnya ke luar bidang gambar.
14. Apa yang dimaksud dengan: a) arus hanyut (driff) b) arus difusi
15. Apa yang dimaksud dengan mobilitas?
16. Apa yang dimaksud dengan waktu bebas rata-rata?
17. Apa yang dimaksud dengan jalur bebas rata-rata?
18. Berapakah besarnya arus total yangmengalir dalam semikonduktor?
19. Tuliskan hubungan konstanta antara konstanta drift dan konstanta difusi.
20. Pada suhu kamar berapakah besarnya tegangan termal?

21. Pada p-n junction berapakah besarnya tegangan built-in, Vo?

Yayan Prima Nugraha (093224016)

Page 1

Tugas Fisika Zat Padat

Jawaban Soal soal Fisika Zat Padat

1. Bahan semikonduktor ( setengah penghantar ) adalah bahan yang daya hantar listriknya
antara konduktor dan isolator, bahan selain penghantar dan penyekat yang pada
temperatur mutlak yaitu pada 0 Kelvin. Dalam keadaan murninya mempunyai sifat
sebagai penyekat, sedangkan pada temperatur kamar ( 27 C ) dapat berubah sifatnya
menjadi bahan penghantar. Bahan semikonduktor dapat berubah sifat kelistrikannya
apabila temperaturnya berubah.
Contoh: boron, carbon, silicon, aluminium, nitrogen, phosphorus, gallium, germanium,
arsenic, indium, tin, antimony.

2. Yang di maksud semikonduktor intrinsik dan extrinsic adalah

Semikonduktor intrinsik adalah bahan semikonduktor murni (belum diberi
campuran/pengotoran) dimana jumlah electron bebas dan holenya adalah sama.
Konduktivitas semikonduktor intrinsik sangat rendah, karena terbatasnya jumlah

Yayan Prima Nugraha (093224016)

Page 2

Tugas Fisika Zat Padat

pembawa muatan hole maupun elektron bebas. Contoh: Silikon Murni, dan
Germanium
Semikonduktor ekstrinsik adalah semikonduktor yang sudah dimasukkan sedikit
ketidakmurnian (doping). Akibat doping ini maka hambatan jenis semikonduktor
mengalami penurunan. Semikonduktor jenis ini terdiri dari dua macam, yaitu
semikonduktor tipe-P (pembawa muatan hole) dan tipe-N (pembawa muatan
elektron). Contoh :GaAs,
3. Semikonduktor tipe-n diperoleh dari bahan silikon murni dengan menambahkan sejumlah
kecil pengotor berupa unsur valensi lima. Empat elektron terluar dari donor ini
berikatan kovalen dan menyisakan satu elektron lainnya yang dapat meninggalkan atom
induknya sebagai elektron bebas. Dengan demikian pembawa muatan mayoritas pada
bahan ini adalah elektron. (Atom pengotor disebut atom donor, Pembawa muatan disebut
electron)
Gambar:

4. Sambungan p-n merupakan gabungan antara semikonduktor tipe p dengan tipe n,

dimisalkan sepotong silikon tipe-p dan sepotong silikon tipe-n dan secara sempurna
terhubung membentuk sambungan p-n seperti diperlihatkan pada gambar ini.

Yayan Prima Nugraha (093224016)

Page 3

Tugas Fisika Zat Padat

Sesaat setelah terjadi penyambungan, pada daerah sambungan semikonduktor terjadi

perubahan. Pada daerah tipe-n (gambar 4.1, sebelah kanan) memiliki sejumlah elektron
yang akan dengan mudah terlepas dari atom induknya. Pada bagian kiri atom aseptor
menarik elektron (atau menghasilkan lubang). Kedua pembawa muatan mayoritas
tersebut memiliki cukup energi untuk mencapai material pada sisi lain sambungan. Pada
hal ini terjadi difusi elektron dari tipe-n ke tipe-p dan difusi lubang dari tipe-p ke tipe-n.
Proses difusi ini tidak berlangsung selamanya karena elektron yang sudah berada di
tempatnya akan menolak elektron yang datang kemudian. Proses difusi berakhir saat tidak
ada lagi elektron yang memiliki cukup energi untuk mengalir.
5. Berikut penjelasan sambungan p-n jika diberi forward bias dan reverse bias

Gambar : Pemberian bias tegangan dan pita energi untuk :

a. tegangan maju b. tegangan mundur.
a) Jika diberi tegangan maju (forward bias), dimana tegangan sisi P lebih besar dari sisi
N, elektron dengan mudah dapat mengalir dari sisi N mengisi kekosongan elektron
(hole) di sisi P.

b) jika diberi tegangan balik (reverse bias), dapat dipahami tidak ada elektron yang
dapat mengalir dari sisi N mengisi hole di sisi P, karena tegangan potensial di sisi N
lebih tinggi

Yayan Prima Nugraha (093224016)

Page 4

Tugas Fisika Zat Padat

6. Sambungan p-n jika diberi :

- Tegangan maju

: akan ada arus mengalir pada rangkaian

- Tegangan mundur : arus yang mengalir sangat kecil (hampir nol

Dengan sifat-sifat tersebut, sambungan p-n digunakan sebagai : dioda (alat untuk
membuat arus mengalir pada satu arah saja).

Gambar kurva karakteristik I-V sambungan p-n

7. Elektron-elektron pada tipe-n dipaksa meninggalkan tipe-n tanpa melewati tipe-p,

sehingga daerah deplesi makin besar Medan listrik makin besar

Medan listrik akan mencegah mengalirnya arus pada rangkaian. Walaupun tegangan terus
diperbesar namun arus tetap sangat kecil.

Tegangan ini dinamakan tegangan

mundur/bias mundur (backward bias)

Jika tegangan mundur terus diperbesar maka suatu saat arus mundurnya bertambah secara
tajam. Keadaan ini dikatakan sambungan p-n bocor.

Potensial pada keadaan ini

dinamakan potensial rusak (breakdown voltage)

Yayan Prima Nugraha (093224016)

Page 5

Tugas Fisika Zat Padat

8. Contoh dari piranti elektronika yang menggunakan bahan semikonduktro adalah Mosfet,
Diode, Microcontroler.
9. Diode memiliki fungsi sebagai versi elektronik dari katup searah. Dengan membatasi arah
pergerakan muatan listrik, dioda hanya mengijinkan arus listrik untuk mengalir ke satu
arah saja dan menghalangi aliran ke arah yang berlawanan dengan kata lain diode
berfungsi sebagai penyearah arus.
10. Rangkaian Penyearah 1/2 Gelombang

Tegangan masukan (V in ) adalah sebuah tegangan sinussioda .

Asumsikan sebuah perilaku dioda ideal, pada setengah sinyal positif dioda mendapat
pemberian bias maju (forward bias) sehingga menyebabkan setengah sinyal positif
muncul pada RL atau beban.
Kondisi ini membuat dioda berlaku sebagai penghantar. Pada setengah putaran negatif,
dioda mendapat bias mundur (reverse bias), sehingga dioda dalam kondisi tidak
menghantar, oleh karena itu rangkaian memotong sinyal setengah negatif.

Tegangan output (V out ) setengah gelombang merupakan sebuah tegangan DC yang

bergerak naik sampai maksimum dan menurun sampai nol, dan tetap nol selama sinyal
negatif.
Yayan Prima Nugraha (093224016)

Page 6

Tugas Fisika Zat Padat

Rangkaian Penyearah Gelombang Penuh

Rectifier gelombang penuh sama dengan rectifier gelombang sehingga masing-masing

rectifier gelombang penuh memiliki tegangan yang sama (equal) dengan setengah
tegangan sekunder D1 menghantar ke sinyal setengah positif, dan dioda D2 menghantar
ke sinyal setengah negatif. Hasilnya arus beban rectifier mengalir selama setengah sinyal
bersama-sama.
Rectifier gelombang penuh berbuat sama dengan dua kali bolak-balik pada rectifier
setengah gelombang.

11. Berikut gambar penyearah gelombang dengan menggunakan diode

(a) Rangkaian penyearah setengah gelombang

(b) Rangkaian penyearah gelombang penuh.

12. Tegangan Hall merupakan perbedaan potensial antara 2 piranti, yaitu ketika ada arus
listrik yang mengalir pada divais efek Hall yang ditempatkan dalam medan magnet yang
arahnya tegak lurus arus listrik, pergerakan pembawa muatan akan berbelok ke salah satu

Yayan Prima Nugraha (093224016)

Page 7

Tugas Fisika Zat Padat

sisi dan menghasilkan medan listrik. Medan listrik terus membesar hingga gaya Lorentz
yang bekerja pada partikel menjadi nol.
Tegangan Hall atau potensial hall (Vh) terjadi karena adanya gaya lorentz pada pembawa
muatan yang sedang bergerak dalam medan magnet (B),
FL = q.v.B

....(1)

Dengan:
FL = gaya lorentz
q = pembawa muatan
v = kecepatan muatan
B = medan magnet

13.

14. Berikut adalah keterangan tentang arus difusi dan arus drift
a. Arus drift terjadi karena adanya pergerakan pembawa muatan minoritas yang
melewati sambungan p-n yang arahnya berlawanan dengan arah pergerakan pembawa
muatan mayoritas. Tidak seperti pembawa muatan mayoritas, konsentrasi pembawa
muatan minoritas tidak tergantung pada tegangan dan temperatur.
b. Arus difusi adalah arus yang terjadi karena adanya aliran pembawa muatan mayoritas
pada sambungan p-n. Pembawa sambungan mayoritas terdiri dari elektron ( berada
pada pita konduksi ) bergerak melewati sambungan dari tipe-n ke tipe-p dan hole (
berada pada pita valensi ) bergerak melewati sambungan dari tipe-p ke tipe-n.

Yayan Prima Nugraha (093224016)

Page 8

Tugas Fisika Zat Padat

Besarnya konsentrasi pembawa muatan mayoritas yang melewati sambungan p-n

tergantung pada tegangan dan temperatur.
15. Mobilitas adalah besarnya kecepatan drift per satuan energi:

Mobilitas didefinisikan berharga positif untuk elektron maupun hole. Meskipun kecepatan
driftnya berlawanan. Dengan menuliskan e atau h untuk mobilitas elektron dan hole
kita dapat membedakan antara sebagai potensial kimia dan sebagai mobilitas. Dalam
semikonduktor intrinsik ideal, mobilitas ditentukan dengan tumbukan diantara elektron
dan fonon.
16. Waktu bebas rata-rata antara waktu rata-rata antara dua benturan electron dengan sebuah
ion dengan benturan berikutnya.
17. Jalur bebas rata-rata antara satu benturan electron dengan sebuah ion dengan benturan
berikutnya
18. Berikut aalah arus Total yang mengalir dalam sebuah semikonduktor

Karena pada saat kondisi setimbang terjadi I drift e = - I drift e dan I drift h = - I drift h
maka persamaan (1) dapat ditulis :

Secara ringkas persamaan (2) dapat ditulis menjadi :

Nilai I drift e + I drift h merupakan arus jenuh dari sistem dan diberi simbol Is. Sehingga
persamaan (3) dapat ditulis menjadi :

Yayan Prima Nugraha (093224016)

Page 9

Tugas Fisika Zat Padat

dimana e adalah muatan elektron (1.6 x 10-19 J), V adalah tegangan (volt), KB adalah
konstanta Boltzmann (1.38 x 10-23 J/K ), T adalah temperatur (Kelvin), adalah faktor
ideal dari sambungan p-n. Faktor ideal merupakan fenomena fisik seperti efek
permukaan, rekombinasi dan tunneling. Untuk anjar maju dimana

, maka

persamaan (4) dapat ditulis menjadi :

19. Meskipun arus hanyut dan arus difusi terlihat berbeda proses, namun ada hubungan antara
konstanta mobilitas dan konstanta difusi . Ini karena kedua parameter ini ditentukan oleh gerak
termal dan penyebaran pembawa bebas. Untuk melihat hubungan ini dapat digunakan konsep
energy Fermi pada kesetimbangan fermal

...................................... (1)

.......................................(2)

Tipe-n ; x = 0 ; Ei (0) = EF ; karena semikonduktor intrinsik

EF - Ei (x) = Ei (0) - Ei (x) = q ................................(3)
(x) potensial antara x dan 0
n(x) = ni exp

..............................................(4)

substitusi pers. (4) ke pers. (3)

Yayan Prima Nugraha (093224016)

Page 10

Tugas Fisika Zat Padat

n(x) = ni exp

..............................................(4)

............. (5)

Substitusi pers. (5) ke pers. (1)

.
Sehingga hubungan Einstein dalam menghitung rapat arus pada
semikonduktor tipe-n dan tipe-p adalah :

20. Diket

: T = 300 K (suhu kamar)

k = 1.38 10 -23 J/K

Ditanya

:E

Dijawab

:E=kT
= 1.38 10-23 J/K . 300 K
= 4.14 10-21 J

; 1 eV = 1.6 10 -19 J

= 2.5 10 -2 eV
= 25 meV
21. Gambar dibawah menunjukan dua macam kurva, yakni dioda germanium (Ge) dan dioda
silikon (Si). Pada saat dioda diberi bias maju, yakni bila VA-K positip, maka arus ID akan
naik dengan cepat setelah VA-K mencapai tegangan cut-in (Vg). Tegangan cut-in (Vg)
ini kira-kira sebesar 0.2 Volt untuk dioda germanium dan 0.6 Volt untuk dioda silikon.
Dengan pemberian tegangan baterai sebesar ini, maka potensial penghalang (barrier
Yayan Prima Nugraha (093224016)

Page 11

Tugas Fisika Zat Padat

potential) pada persambungan akan teratasi, sehingga arus dioda mulai mengalir dengan
cepat.

Yayan Prima Nugraha (093224016)

Page 12