LAPORAN R-LAB

Karakteristik V I Semikonduktor
Nama

: Annisa Salsabila

NPM

: 1206218070

Group

: B4

Fakultas/Departemen : Teknik / Teknik Sipil

No. Percobaan

: LR-03

Nama Percobaan

: Karakteristik V I Semikonduktor

Tanggal Percobaan

: 14 Maret 2012

Unit Pelaksana Pendidikan Ilmu Pengetahuan Dasar

(UPP-IPD)
Universitas Indonesia
Depok
Annisa Salsabila - LR03 - Karakteristik V I Semikonduktor

Page 1

I.

Tujuan
Mempelajari hubungan antara beda potensial (V) dan arus listrik (I) pada suatu

semikonduktor

II.

Alat
1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.

III.

Bahan semikonduktor
Amperemeter
Voltmeter
Variable power supply
Camcorder
Unit PC
DAQ dan perangkat pengendali otomatis

Teori
Semikonduktor adalah sebuah bahan dengan konduktivitas listrik yang berada di antara

isolator dan konduktor. Sebuah semikonduktor bersifat sebagai isolator pada temperatur yang
sangat rendah, namun pada temperatur ruangan bersifat sebagai konduktor. Bahan
semikonduktor yang sering digunakan adalah silikon (Si), germanium (Ge), dan gallium
arsenide.
Terdapat dua jenis semikonduktor yaitu semikonduktor intrinsik dan ekstrinsik,
semikonduktor intrinsik biasanya hanya terdiri dari Ge atau Si saja, sedangkan semikonduktor
ekstrinsik

gabungan

dari

dua

jenis

bahan

atau

lebih.

Semikonduktor sangat berguna dalam bidang elektronik, karena konduktansinya yang dapat
diubah-ubah dengan menyuntikkan materi lain (biasa disebut materi doping).
Salah satu alasan utama kegunaan semikonduktor dalam elektronik adalah sifat
elektroniknya dapat diubah banyak dalam sebuah cara terkontrol dengan menambah sejumlah
kecil ketidakmurnian. Ketidakmurnian ini disebut dopant. Pada umumnya, komponen dasar aktif

Annisa Salsabila - LR03 - Karakteristik V I Semikonduktor

Page 2

elektronika terbuat dari bahan-bahan semikonduktor misalnya dioda, transistor, dan IC

(Integreted Circuit)
Pada semikonduktor murni atau intrinsik, perpindahan muatan berarti terjadinya
pengaliran arus. Perpindahan muatan terjadi karena dua sebab yaitu : karena adanya perpindahan
elektron bebas dan karena adanya perpindahan hole (lubang), kedua-duanya bisa terjadi bersamasama. Dalam semikonduktor jenis ini banyaknya elektron bebas sama dengan banyaknya hole
yang terjadi. Atom semikonduktor murni pada suhu nol mutlak (-2730 C atau 0 Kelvin), bersifat
sama dengan isolator, tetapi apabila suhu menjadi naik, semikonduktor dapat mengalir arus,
walaupun sangat kecil sekali.
Terdapat

dua

jenis

semikonduktor

ekstrinsik,

yaitu

jenis

dan

jenis

n.

Semikonduktor jenis p adalah semikonduktor yang terdiri dari campuran atom-atom yang tidak
memiliki elektron bebas dan bersifat menerima elektron. Misalnya unsur Ge bercampur dengan
gallium (Ga). Pada semikonduktor jenis p , lubang (hole) bertindak sebagai muatan positif , oleh
karena itu komponen ini sering disebut sebagai pembawa muatan minoritas. Semikonduktor jenis
n adalah semikonduktor intrinsik yang bercampur dengan atom lain sehingga kenaikan jumlah
elektron negatif yang bebas. Misalnya unsur Si dengan arsen (Ar). Pada semikonduktor jenis n ,
lubang (hole) bertindak sebagai muatan negatif , oleh karena itu komponen ini sering disebut
pembawa muatan minoritas , sedangkan elektron sebagai muatan positif disebut pembawa
muatan mayoritas. Penggabungan semikonduktor jenis p dan jenis n pada komponen elektronika
diantaranya adalah dioda, dan transistor
Sebuah bahan material bila dilewati oleh arus listrik akan menimbulkan disipasi panas.
Besarnya disipasi panas adalah I2R. Panas yang dihasilkan oleh material ini akan mengakibatkan
perubahan hambatan material tersebut. Jika pada material semi konduktor , pertambahan kalor /
panas akan mengurangi nilai hambatan material tersebut. Peristiwa dispasi panas dan perubahan
resistansi bahan semi konduktor ini saling berkaitan.

Annisa Salsabila - LR03 - Karakteristik V I Semikonduktor

Page 3

Gambar 1. Rangkaian tertutup semikoduktor

IV.

Cara Kerja
1. Memperhatikan halaman web percobaan karakteristik VI semi
konduktor.
2. Memberikan beda potensial dengan member tegangan V1.
3. Mengaktifkan power supply/baterai dengan mengklik radio button di
sebelahnya.
4. Mengukur beda potensial dan arus yang terukur pada hambatan.
5. Mengulangi langkah 3 hingga 5 untuk beda potensial V2 hingga V8.
Catatan : data yang diperoleh adalah 5 buah data terakhir jika
rangkaian diberi beda potensial tertentu ( misalkan V1) dengan
interval 1 detik antara data ke satu dengan data berikutnya.

Annisa Salsabila - LR03 - Karakteristik V I Semikonduktor

Page 4

V.

Data Pengamatan

No

V(volt)

I(mA)

0.42

2.93

0.42

2.93

0.42

2.93

0.42

2.93

0.42

2.93

0.95

7.17

0.95

7.17

0.95

7.17

0.95

7.17

10

0.95

7.17

11

1.37

10.43

12

1.37

10.43

13

1.37

10.10

14

1.37

10.10

15

1.36

10.43

16

1.89

14.34

17

1.89

14.34

18

1.89

14.34

19

1.89

14.66

20

1.88

14.66

21

2.26

17.60

Annisa Salsabila - LR03 - Karakteristik V I Semikonduktor

Page 5

VI.

22

2.26

17.92

23

2.26

17.92

24

2.26

17.92

25

2.25

18.25

26

2.85

23.46

27

2.85

23.13

28

2.85

23.13

29

2.84

23.46

30

2.84

23.46

31

3.15

26.39

32

3.15

26.07

33

3.14

26.39

34

3.14

26.39

35

3.13

27.37

36

3.67

31.61

37

3.66

32.26

38

3.66

32.58

39

3.65

33.24

40

3.64

33.56

Pengolahan Data

Nilai rata-rata untuk V1 sampai V8

V1

Annisa Salsabila - LR03 - Karakteristik V I Semikonduktor

Page 6

No.
1
2
3
4
5

V(volt)
0,42
0,42
0,42
0,42
0,42
0,42

I(mA)
2,93
2,93
2,93
2,93
2,93
2,93

No.
1
2
3
4
5

V(volt)
0,95
0,95
0,95
0,95
0,95
0,95

I(mA)
7,17
7,17
7,17
7,17
7,17
7,17

No.
1
2
3
4
5

V(volt)
1,37
1,37
1,37
1,37
1,36
1,368

I(mA)
10,43
10,43
10,10
10,10
10,43
10,298

V2

V3

Annisa Salsabila - LR03 - Karakteristik V I Semikonduktor

Page 7

V4
No.
1
2
3
4
5

V(volt)

I(mA)

1,89
1,89
1,89
1,89
1,88

14,34
14,34
14,34
14,66
14,66

1,888

14,468

No.
1
2
3
4
5

V(volt)

I(mA)

2,26
2,26
2,26
2,26
2,25

17,60
17,92
17,92
17,92
18,25

2,258

17,922

No.
1
2
3
4
5

V(volt)

I(mA)

2,85
2,85
2,85
2,84
2,84

23,46
23,13
23,13
23,46
23,46

2,846

23,328

V5

V6

V7

Annisa Salsabila - LR03 - Karakteristik V I Semikonduktor

Page 8

No.
1
2
3
4
5

V(volt)

I(mA)

3,15
3,15
3,14
3,14
3,13

26,39
26,07
26,39
26,39
27,37

3,142

26,522

No.
1
2
3
4
5

V(volt)
3,67
3,66
3,66
3,65
3,64
3,656

I(mA)
31,61
32,26
32,58
33,24
33,56
32,65

No.
1
2
3
4
5
6
7
8

V(volt)

I(mA)

0,42
0,95
1,368
1,888
2,258
2,846
3,142
3,656

2,93
7,17
10,298
14,468
17,922
23,328
26,522
32,65

V8

V dan I rata-rata

Grafik hubungan Vrata-rata vs Irata-rata

Annisa Salsabila - LR03 - Karakteristik V I Semikonduktor

Page 9

Grafik Hubungan Vrata-rata vs Irata-rata

40
f(x) = 10.45x - 1.42

30

Hubungan V dengan I
Arus (mA)

20

Linear (Hubungan V
dengan I)

10
0
0

Tegangan (volt)

VII.

Analisis
a. Analisis Percobaan
Percobaan yang berjudul karakteristik V I semikonduktor memliki tujuan untuk
mengetahui hubungan beda potensial listrik dan arus listrik yang berkerja pada
semikonduktor. Pada percobaan ini praktikan memperoleh data beda potensial listrik dan
arus listrik yang kemudian akan dihubungkan dengan hukum ohm. Data yang diperoleh
juga dibuat grafik hubungan antara beda potensial listrik dan arus listrik untuk dapat
mengetahui hubungan antara beda potensial listrik dan arus listrik.
Pada percobaan kali ini, praktikan tidak perlu ke laboratorium secara langsung
namun hanya perlu menyediakan seperangkat alat elektronik yang terhubung dengan
jaringan internet dan dapat digunakan untuk mengakses e-laboratory yang sudah
disediakan. Praktikan harus masuk dengan nama pengguna yang sudah disimpan
di database laboratorium. Praktikan juga harus memiliki password untuk masuk dengan
nama pengguna tersebut. Setelah itu, Praktikan dapat melakukan percobaan dengan

Annisa Salsabila - LR03 - Karakteristik V I Semikonduktor

Page 10

mengakses alamat r-laboratory. Percobaan diberi waktu 600 detik untuk setiap kali
praktikan masuk ke r-laboratory tersebut. Dengan mengakses percobaan ini, maka
Praktikan dianggap telah menghadiri kelas.
Percobaan ini menggunakan delapan nilai tegangan yang berbeda-beda dari yang
kecil hingga yang besar. Bervariasinya nilai tegangan yang digunakan untuk
mendapatkan nilai arus yang berbeda-beda dan agar praktikan dapat melihat hubungan
antara V dengan I yang berbeda-beda pula.

b. Analisis Hasil
Hasil yang diperoleh berupa lima buah data tiap satu variasi tegangan. Pada
percobaan kali ini, digunakan delapan macam variasi tegangan listrik sehingga diperoleh
empat puluh data tegangan dan arus listrik. Data ini langsung dapat dilihat dan disimpan
melalu shorcut di laman.
Data yang diperoleh dari percobaan kemudian akan dilakukan
pengolahan. Untuk pengolahan data pada praktikum ini, praktikan
menghitung nilai beda potensial listrik rata-rata dan arus listrik ratarata untuk setiap V1 sampai V8. Dari data pengamatan praktikan juga
memperoleh

besar

hambatan

semikonduktor

dengan

jalan

memasukkan data-data ke dalam persamaan hukum ohm. Hukum ohm

menyatakan bahwa Kuat arus yang melalui penghantar sebanding
dengan beda potensial pada kedua ujung

penghantar. Secara

matematis, hukum ohm dapat diekspresikan dengan persamaan:

V =I . R

Dimana V adalah beda potensial listrik yang terdapat pada kedua

ujung penghantar dalam satuan Volt, I adalah arus listrik yang
mengalir dalam satuan Amprere dan R adalah nilai hambatan listrik

Annisa Salsabila - LR03 - Karakteristik V I Semikonduktor

Page 11

(resistansi) yang terdapat pada suatu penghantar dalam satuan ohm

().

c. Analisis Grafik
Praktikan juga membuat grafik hubungan antara beda potensial
dengan arus listik (V vs I) dengan menggunakan beda potensial listrik
rata-rata dan arus listrik rata-rata. Sumbu x pada grafik diisi dengan
nilai beda potensial listrik rata-rata dan sumbu y pada grafik diisi
dengan nilai arus listrik rata-rata.

VIII.

Kesimpulan

1. Tegangan dan arus saling berbanding lurus, semakin besar tegangan, arus akan semakin
besar, jika tegangan semakin kecil maka arus juga akan semakin kecil.
2. Percobaan ini dikatakan memenuhi hukum Ohm yang menjelaskan bahwa perbandingan
tegangan dengan arus listrik akan menghasilkan hambatan yang konstan dan tidak
terpengaruhi oleh arus maupun tegangan.
3. Semikonduktir dipengaruhi oleh suhu. Semakin tinggi suhu maka sifat konduktir menjadi
lenih kuat. Sebaliknya jika suhu rendah maka sifat isolator yang menjadi lebih kuat.

IX.

Referensi
Giancoli, D.C.; Physics for Scientists & Engeeners, Third Edition, Prentice Hall, NJ,
2000.
Halliday, Resnick, Walker; Fundamentals of Physics, 7th Edition, Extended Edition, John
Wiley & Sons, Inc., NJ, 2005.

Annisa Salsabila - LR03 - Karakteristik V I Semikonduktor

Page 12

X.

Link RLab

http://sitrampil7.ui.ac.id/lr03

Annisa Salsabila - LR03 - Karakteristik V I Semikonduktor

Page 13