LAPORAN PRAKTIKUM

Nama/NPM Fak/Prog. Studi Group & Kawan Kerja

: Khasan Mustofa/1306445222 : Teknik/Teknik Sipil : Group 4 . Muhammad Lazuardi R Moetia Desshinta Maharani Masayu Nadiya Z Khairina Damara Mohamad Safhire Luthfiy Muhaimin Maulina Anindita Muhammad Yudha P

No. & Nama Percobaan Minggu Percobaan Tanggal Percobaan

: LR03 - Karakteristik VI Semikonduktor : Pekan 5 : 28 Maret 2014

Unit Pelaksana Pendidikan Ilmu Pengetahuan Dasar (UPP-IPD) Universitas Indonesia Depok

I.

Tujuan Percobaan Adapun tujuan dilakukannya percobaan ini adalah untuk mempelajari hubungan antara beda potensial (V) dan arus listrik (I) pada suatu semikonduktor.

II.

Alat Setiap percobaan pastilah membutuhkan beberapa alat percobaan, pada percobaan karakteristik VI semikonduktor ini dibutuhkan alat-alat sebagai berikut 1. Bahan semikonduktor 2. Amperemeter 3. Voltmeter 4. Variable power supply 5. Camcorder 6. Unit PC 7. DAQ dan perangkat pengendali otomatis

Rangkaian tertutup semikonduktor

III.

Teori Dasar Sebuah bahan material bila dilewati oleh arus listrik akan menimbulkan disipasi panas. Besarnya disipasi panas adalah I2R. Panas yang dihasilkan oleh material ini akan

mengakibatkan perubahan hambatan material tersebut. Jika pada material semi konduktor , pertambahan kalor / panas akan mengurangi nilai hambatan material tersebut. Peristiwa dispasi panas dan perubahan resistansi bahan semi konduktor ini saling berkaitan.

Gambar 1. Rangkaian tertutup semikoduktor Bahan semi konduktor adalah bahan yang daya hantar listriknya antara konduktir dan isolator. Tahanan jenis bahan semi konduktor antara sekitar 10-3 Wm sampai dengans sekitar 10+3 Wm. Atom-atom bahan semi konduktor membentuk krristal dengan struktur tetrahedral, dengan ikatan kovalen. a. Semi konduktor instrinsik Semikonduktor instrinsik (murni) adalah semi konduktor yang tidak ataupun belum terkotori oleh atom-atom asing. Pada 0 oK pita valensi penuh, pita konduksi kosong sehingga bersifat sebagai isolator. Pada suhu yang lebih tinggi misal pada suhu kamar ada lektron pada pita valensi yang energinya melebihi energi gap sehingga dapat meloncat dari pita valensi ke pita konduksi menjadi elektron bebas dengan meninggalkan kekosongan pada pita valensi. Kekosongan ini disebut hole (lubang) dan dianggap bermuatan positif sebesar muatan elektron. Semikonduktor intrinsik pada suhu 0 oK bersifat sebagai isolator, dan pada suhu agak tinggi bersifat sebagai konduktor karena adanya pembentukan pasangan-pasangan eletron bebas hole yang keduanya berlaku sebagai pembawa ikatan. Jika konsentrasi (jumlah per volume) elektron bebas dalam semi konduktot instrinsik dinyatakan dengan ni dan konsentrasi hole dengan pi maka berlaku

ni = pi

Ketergantungan konsentrasi pembawa muatan dalam semikonduktor instrinsik nterhadap suhu dapat ditentukan berdasarkan statistik Fermi Dirac, dan menghasilkan formulasi sebagai berikut :

ni2 = AoT3 e-EGO/kT

Ao T = Tetapan tak bergantung suhu = Suhu (Kelvin) = Konstante Bolzman dalam eV/oK = 2,7

EGO = Energi gap pada 0 oK dalam eV K e

Daya hantar jenis dan tahanan jenis semikonduktor intrinsic diberikan oleh persamaan-persamaan

= eni (n + p) =
n p
1 ( + )

= Daya hantar listrik = Tahan jenis = Mobilitas elektron bebas = Mobilitas hole

b. Semi konduktor tipe N Semi konduktor tipe N termasuk dalam semi konduktor ekstrinsik (tak murni). Semi konduktor ekstrinsik adalah semikonduktor instrinsik yang mendapat pengotoran (doping) atom-atom asing. Konsentrasi pengotoran ini sangat kecil, dengan perbandingan atom pengotor (asing) dengan atom asli berkisar antara 1 : 100 juta sampai dengan 1 : 1 juta. Tujuan ini adalah agar bahan kaya akan satu jenis pembawa muatan saja (Elektron bebas saja atau hole saja) dan untuk memperbesar daya hantar listrik. Semikonduktor tipe N ialah semikonduktor eksintrik, yang diperoleh dari semikonduktor intrinsik yang dikotori dengan atom asing yang bervalensi 5 seperti As, Pb, P. Karena perbandingan atom pengotor dengan atom asli sangat kecil, maka setiap atom pengotor (asing) dikelilingi oleh atom-atom asli. Elektron valensi yang ke 5 dari atom

pengotor tidak terikat dalam ikatan kovalen sehingga menjadi elektron bebas. Dengan demikian pada bahan ini jumlah elektron bebas akan meningkat sesuai jumlah atom pengotornya sehingga elektron bebas menjadi pembawa muatan mayoritas dan hole (yang terbentuk akibat suhu) menjadi pembawa muatan minoritas. Karena pembawa muatan mayoritasnya adalah elektron bebas, sedang elektron bebas bermuatan negatif, maka semikonduktor yang terbentuk diberi nama semi konduktor tipe N. Dalam hal ini N kependekan dari kata Negatif, yakni jenis muatan mayoritasnya. Jadi tidak berarti bahwa semikonduktor ini bermuatan negatif. Semikonduktor ini tetap netral. Karena atom pengotor memberikan kelebihan elektron-elektron dalam ikatan kovalen, maka disebut donor (atom donor). Setelah donor memberikan kelebihan elektronnya, maka akan menjadi ion positif. Jika konsentrasi elektron bebas pada semikonduktor tipe N ini dinyatakan dengan nn sedang konsentrasi holenya dinyatakan dengan pn dan konsentrasi atom donor dinyatakan dengan ND maka berlaku :

nn ND
Menurut hukum massa aksi hasil kali konsentrasi pembawa muatan positif dengan pembawa muatan negatif dalam keseimbangan termal merupakan suatu tetapan yang tidak bergantung pada donor dan aseptor yang besarnya n22. Maka berdasarkan hukum ini berlaku:

nn pn ND pn =
2 2

2 2

Daya hantar jenis listriknya dapat dicari dari hubungan sebagai berikut :

= e(nn n+pn n) = e(ND n+ = eND n

c. Semikonduktor P
2 2

n)

jika pn diabaikan terhadap nn maka

Semikonduktor ini diperoleh dari semikonduktor intrinsik yang dikotori dengan atom asing yang bervalensi 3, misalnya Al, atau Ga. Karena perbandingan atom pengotor dengan atom asli sangat kecil, maka setiap atom pengotor hanya bervalensi 3 maka hanya menyediakan 3 elektron dalam ikatan kovalen, sehingga ada kekurangan (kekosongan = lubang = hole). Dengan demikian pengotoran ini menyebabkan meningkatnya jumlah hole atau dengan kata lain hole sebagai pembawa muatan mayoritas. Sedang pembawa muatan moniritasnya adalah elektron bebas yang terbentuk adalah elektron bebas yang terbentuk akibat suhu. Karena pembawa muatan mayoritasnya hole, sedang hole bermuatan positif maka semikonduktor yang terbentuk disebut semikonduktor tipe P. dalam hal ini P kependekan dari kata positif, yakni jenis muatan mayoritasnya. Jadi bukan berarti semikonduktor ini bermuatan positif, tetapi semikonduktor ini tetap netral, seperti halnya semikonduktor tipe N. karena atom pengotor menyediakan kekurangan, maka disebut aseptor (atom aseptor). Hole mudah diisi oleh elektron dan elektron yang mengisi meninggalkan hole baru dan seterusnya sehingga ada gerakan hole. Setelah hole diisi oleh elektron, aseptor akan menjadi ion negatif. Jika konsentrasi elektron bebas pada semikonduktor tope P ini disebut np, konsentrasi holenya pp dan konsentrasi aseptornya N A maka analog pada semikonduktor tipe N berlaku persamaan-persamaan :

Pp NA np pp = n22 nn =
2 2 2 2

np << pp = e(NA p+ = eNAp

IV. Cara Kerja
2 2

n)

dan jika np diabaikan terhadap pp maka:

Eksperimen rLab ini dapat dilakukan dengan cara masuk ke http://sitrampil.ui.ac.id/elaboratory kemudian masuk ke jadwal dan mengklik LR03 karakteristik VI Semikonduktor 1. 2. 3. 4. 5. Memperhatikan halaman web percobaan karakteristik VI semi konduktor Memberikan beda potensial dengan member tegangan V1. Mengaktifkan power supply/baterai dengan mengklik radio button di sebelahnya. Mengukur beda potensial dan arus yang terukur pada hambatan Mengulangi langkah 3 hingga 5 untuk beda potensial V2 hingga V8

Catatan : data yang diperoleh adalah 5 buah data terakhir jika rangkaian diberi beda potensial tertentu ( misalkan V1) dengan interval 1 detik antara data ke satu dengan data berikutnya. V. Data Hasil Percobaan Setelah percobaan dilakukan menggunakan alat-alat yang dibutuhkan sesuai prosedur, diperolehlah data hasil pengamatan. Data tersebut kami sajikan dalam bentuk table berikut No 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 V(volt) 0.45 0.45 0.45 0.45 0.45 0.94 0.94 0.94 0.94 0.94 1.33 1.33 1.33 I(mA) 3.58 3.58 3.58 3.58 3.58 7.82 7.82 7.82 7.82 7.82 11.08 11.08 11.08 No 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 V(volt) 2.24 2.24 2.24 2.24 2.24 2.84 2.84 2.84 2.83 2.83 3.16 3.17 3.15 I(mA) 19.22 19.55 19.55 19.88 19.88 25.74 25.42 25.74 26.39 26.39 29.98 29.33 30.95

14 15 16 17 18 19 20

1.33 1.33 1.85 1.85 1.85 1.84 1.85

11.08 11.08 15.64 15.64 15.31 15.97 15.64

34 35 36 37 38 39 40

3.15 3.14 3.61 3.61 3.60 3.59 3.58

30.30 30.63 35.52 35.84 36.49 36.82 37.47

Table tersebut menunjukkan bahwa besar kuat arus berbanding lurus dengan tegangan yang diberikan, semakin besar tegangan yang kita berikan, semakin besar kuat arus akan semakin besar pula. VI. Pengolahan Data Dari data yang diperoleh pada hasil percobaan, data tersebut kemudian diolah untuk mencari hambatan dari bahan semikonduktor yang digunakan. 1. Nilai rata-rata dari V dan I Nilai rata-rata dicari dengan menggunakan rumus:
, 5 , 5

Vi=

dan

Ii =

Percobaan

Vi,i (Volt) 0.45 0.45

V ratarata (Volt)

Ii,i (mA) 3.58 3.58

I ratarata (mA)

0.45 0.45 0.45 0.94 0.94

0.45

3.58 3.58 3.58 7.82 7.82

3.58

0.94 0.94 0.94

0.94

7.82 7.82 7.82

7.82

1.33 1.33 3 1.33 1.33 1.33 1.85 1.85 4 1.85 1.84 1.85 2.24 2.24 5 2.24 2.24 2.24 2.84 2.84 6 2.84 2.83 2.83 3.16 3.17 7 3.15 3.15 3.14 3.61 3.61 8 3.6 3.59 3.58 3.598 3.154 2.836 2.24 1.848 1.33

11.08 11.08 11.08 11.08 11.08 15.64 15.64 15.31 15.97 15.64 19.22 19.55 19.55 19.88 19.88 25.74 25.42 25.74 26.39 26.39 29.98 29.33 30.95 30.3 30.63 35.52 35.84 36.49 36.82 37.47 36.428 30.238 25.936 19.616 15.64 11.08

2. Metode Least Square Apabila diperhatikan, antara V dengan I berbanding lurus dan apabila dibuat grafik akan terlihat acak tetapi hampi mirip dengan grafik linier, untuk mencari persamaan garis lurusnya menggunakan metode least square dengan rumus:
2

m=

( ) ( )( ) 2 ( )2

dan

b =

( )( ) 2 ( )2

Dengan perhitungan: Tegangan V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 = 8 xi 0.45 0.94 1.33 1.848 2.24 2.836 3.154 3.598 yi 3.58 7.82 11.08 15.64 19.616 25.936 30.238 36.428 xi2 0.2025 0.8836 1.7689 3.4151 5.0176 8.0429 yi2 12.8164 61.1524 xi yi 1.611 7.3508

122.766 14.7364 244.61 28.9027

384.787 43.9398 672.676 73.5545

9.94772 914.337 95.3707 12.9456 1327 131.068

16.396 150.338 42.2239 3740.14 396.534

m= b =

( ) ( )( ) 2 ( )2
2 2 ( )2

8x396.534 16.396x150.338 8x42.2239 16.396 2

= 10.26 = -2.23

( )( )

42.2239x150.33816.396x396.534 8x42.223916.3962

Sehingga persamaan garisnya adalah y = 10.26x 2.23 Grafik antara tegangan (V) dengan arus (I)

Grafik antara V dengan I

40 35 30 Arus (mA) 25 20 15 10 5 0 v1 v2 v3 v4 v5 v6 v7 v8 Hubungan antara V rata-rata dengan I rata-rata Linier antara v rata-rata dengan I rata-rata

Tegangan (Volt)

Sedangkan untuk mencara hambatan (R) digunakan rumus:

R=

Sehingga apabila dimasukkan V rata-rata (volt) dan I rata-rata (Ampere) pada percobaan 1 hingga percobaan 3 dibuat dalam table adalah sebagai berikut Percobaan 1 2 3 4 5 6 7 8 V (volt) 0.45 0.94 1.33 1.848 2.24 2.836 3.154 3.598 I (mA) 2.387 7.4144 11.4158 16.73048 20.7524 26.86736 30.13004 34.68548 R () 188.5211563 126.7803194 116.5051946 110.4570819 107.9393227 105.5555886 104.6795822 103.7321669

Dari hasil perhitungan tersebut, dicarilah nilai rata-rata dari nilai-nilai hambatan yang ditemukan, hasilnya adalah 120.5213016 VII. Analisis 1. Analisis Grafik

Dari grafik yang terbentuk terlihat bahwa setiap titik koordinat cenderung konstan naik, meskipun apabila disambungkan hanya garis-garis yang acak dan tidak membentuk suatu garis lurus. Meskipun bukan merupakan garis lurus, namun hasil ini juga merupakan parabolik, sehingga bukan merupakan persamaan eksponen. Apabila dilihat lebih teliti lagi, garis-garis acak itu hampir membentuk suatu garis lurus, sehingga dapat dikatakan merupakan garis lurus. Untuk mencari persamaannya digunakan metode least square dan hasilnya persamaan garis lurusnya adalah y = 10.26x-2.23. 2. Analisis Hasil Setelah percobaan dilakukan dan diperoleh data hasil percobaan, data tersebut kemudian diolah untuk menghasilkan nilai hambatan (R) dari bahan semikonduktor yang digunakan. Pertama dengan mencari nilai rata-rata dari V dan I untuk setiap percobaan. Kemudian dari setiap nilai rata-rata tersebut dibentuk persamaan least square. Setelah persamaan least square didapat, dicarilah nilai I setiap percobaan dari setiap nilai V melalui persamaan tersebut. Nilai V dan I berdasarkan persamaan least square sudah ada kemudian nilai R bisa dicari tentunya dengan merubah satuan I yang tadinya miliampere menjadi ampere. Karena perbobaan yang dilakukan ada 8 percobaan dengan nilai V yang berbeda-beda, jadi nilai R pun ada 8 yang hamper identik, sehingga untuk mencari nilai R sesungguhnya dibuatlah rata-rata sehingga didapat hasil R = 120.5213016 . VIII. Kesimpulan Dari proses percobaan hingga pengolahan data dapat disimpulkan: 1. Nilai hambatan dari bahan semikonduktor yang digunakan pada percobaan ini adalah 120.5213016 . 2. Nilai hambatan bahan semikonduktor relatif besar, sebab arus akan lebih mudah mengalir pada bahan yang hambatannya relatif kecil. 3. Apabila suatu grafik membentuk suatu garis acak yang cenderung naik atau turun, untuk mempermudah perhitungannya maka dicari persamaan garis lurusnya melalui metode least square. IX. Referensi http://sitrampil.ui.ac.id/elaboratory/kuliah/view_experiment.php?id=9611&exp=53

Millman, J., Halkias, C. C. Integrated Electronics. Tokyo : Mc Grawkogakusha, Ltd. 1979. Yohanes, H. C. Dasar-Dasar Elektronika. Jakarta : Ghalia Indonesia, 1979