Anda di halaman 1dari 4

BAND GAP (PITA ENERGI) SEMIKONDUKTOR

Ressa Muhripah Novianti* (140310140021)


Silmi Nurul Utami (140310140027)
Program Studi Fisika FMIPA
Universitas Padjadjaran
Selasa, 08.00 10.00 WIB
15 November 2016

Asisten : Febrian Affandi, S.Si.

Abstrak

Semikonduktor adalah sebuah bahan dengan konduktivitas listrik yang berada diantara isolator dan
konduktor. Salah satunya adalah germanium yang dijadikan sebagai objek percobaan yang akan
dihitung nilai energi gap dan juga konduktivitasnya. Percobaan dilakukan dengan memberikan energi
termal pada germanium dan mecatat nilai tegangan yang terjadi setiap perubahan suhu 3C. Dari hasil
percobaan didapat nilai konduktivitas yang semakin besar seiring dengan bertambahnya energi termal
(suhu) namun nilai tegangan pada bahan semakin kecil hal ini karena semakin besar energi termal yang
diberikan semakin banyak elektron yang berpindah dari pita valensi ke pita konduksi dan semakin
banyak elektron pada pita konduksi maka semakin mudah germanium dalam menghantarkan arus listrik
sedangkan beda potensial yang terjadi pada bahan semakin kecil. Seiring dengan bertambahnya energi
termal yang diberikan maka energi gap bahan tersebut semakin kecil karena energi termal merupakan
energi tambahan bagi elektron untuk berpindah ke pita konduksi. Didapat nilai energi gap dan energi
gap grafik yang cukup jauh yang direpresentasikan melalui KSR yang berada pada rentang 79% sampai
96%.

Kata kunci: semikonduktor, germanium, energi gap, pita valensi, pita konduksi, konduktivitas.

I. Pendahuluan dinaikkan maka semikonduktor dapat


menghantarkan arus listrik. Ditinjau dari jenis
Semikonduktor adalah sebuah bahan dengan pembawa muatan yang menghantarkan listrik
konduktivitas listrik yang berada diantara isolator didalamnya, bahan semikonduktor dapat dibedakan
dan konduktor. Tentunya bahan semikonduktor ini menjadi bahan semikonduktor intrinsik dan
mempunyai energi band yang berbeda dari bahan semikonduktor ekstrinsik.. [1]
yang lainnya. Perbedaan energi pada pita terlarang Bahan semikonduktor intrinsik adalah
ini dipengaruhi oleh sifat dasar dari bahan dan germanium dan silikon. Elektron valensi pada
struktur atom yang menempati ruang pada bahan itu. germanium lebih mudah tereksitasi menjadi elektron
Bahan semikonduktor yang banyak dikenal adalah bebas daripada elektron valensi pada atom silikon. [1]
silicon, germanium, dan gallium arsenide.
Germanium adalah salah satu bahan yang digunakan 2.2. Konsep Pita Energi
untuk membuat bahan komponen semikonduktor. [1] Pita energi merupakan kumpulan garis pada
Adapun tujuan dari percobaan ini adalah untuk tingkat energi yang sama akan saling berimpit dan
melakukan eksperimen untuk memperoleh band gap membentuk pita. Ada 3 macam pita energi yaitu :
(pita energi) semikonduktor, menghubungkan 1. Pita Valensi
konsep band gap semikonduktor dengan kondisi 2. Pita Konduksi
intrinsic dan kondisi ekstrinsik, menghitung nilai 3. Pita Terlarang
band gap dari semikonduktor (Germanium)
berdasarkan hasil eksperimen, serta mengetahui
pengaruh suhu terhadap band gap germanium. [3]

II. Teori Dasar


2.1. Semikonduktor
Semikonduktor adalah suatu bahan yang
memiliki sifat antara isolator dan konduktor. Celah
terlarang (band gap) pada semikonduktor lebih Gambar 1. Pita Energi
sempit daripada isolator sehingga apabila temperatur
Bahan konduktor tidak mempunyai pita Percobaan ini dilakukan untuk penaikan suhu dan
terlarang, antara pita valensi dan pita konduksinya penurunan suhu, dan langkah-langkah tersebut
bisa saling bertumpuk sehingga elektron-elektron diulangi untuk arus 6 mA dan 7 mA.
dapat mudah bergerak dengan bebas. [2]
Bahan semikonduktor mempunyai pita terlarang
yang sempit. Dengan energi kecil pun elektron pada IV. Hasil dan Pembahasan
pita valensi dapat berpindah ke pita konduksi.
Sedangkan bahan isolator mempunyai pita terlarang Dari percobaan didapatkan data berupa nilai
yang cukup lebar sehingga untuk memindahkan tegangan (V) dan juga suhu (T). Dengan data
elektron dari pita valensi ke pita konduksi diperlukan tersebut dihitung nilai konduktivitas () dan nilai
energi yang cukup besar. [2] energi gap (Eg) dengan perumusan sebagai berikut :

2.3. Konduktivitas .
= (1)
Konduktivitas merupakan ukuran dari .
kemampuan suatu bahan untuk menghantarkan arus
listrik dan dirumuskan dengan perumusan : L = panjang bahan = 0.02 m
1 . A = luas permukaan bahan = 0.0002 2
= = (1)
.
V = tegangan listrik (volt) Untuk menghitung energi gap didasarkan pada
I = arus listrik (ampere) perumusan :

A = luas permukaan bahan (2 ) ln = ln (2)
L = panjang bahan (m) 2
= konduktivitas (1/m)
0 = 2.17391/
= resistivitas (m)
= 0.00008617 /
Nilai konduktivitas pada bahan semikonduktor
Dan untuk membandingkan nilai energi gap
merupakan fungsi dari suhu dan dapat dinyatakan
tersebut maka dihitunglah besarnya nilai energi gap
dalam fungsi eksponensial :
grafik dari grafik konduktivitas terhadap suhu,
= 2 (2) dengan menggunakan perumusan :
Logaritma dari persamaan ini adalah :
= + (3)
ln = ln (3)
2

= (4)
2
III. Metode Percobaan
= . 2 (5)
Alat dan Bahan
Alat-alat yang digunakan yaitu modul efek Hall Sehingga didapat lah sample data sebagai
keping germanium undoped sebagai objek berikut :
semikonduktor, power supply 0-12V DC/6V, 12V
AC sebagai sumber arus rangkaian, tripod base dan Tabel 1. Untuk variasi arus 5 mA
support rod square I = 250 mm, digital multimeter I = 5 mA
untuk mengukur tegangan rangkaian secara digital, Suhu (C) V (volt) (1/m) Eg (eV) Eg grafik (eV) KSR (%)
serta kabel penghubung sebagai penghubung 30 0.094 5.319 -0.0467 -0.7412 94%
rangkaian. 33 0.091 5.495 -0.0489 -0.7485 93%
36 0.085 5.882 -0.0530 -0.7559 93%
Prosedur Percobaan 39 0.081 6.173 -0.0561 -0.7632 93%
Untuk melakukan percobaan dilakukan dengan 42 0.075 6.667 -0.0608 -0.7706 92%
menghubungkan modul efek hall keping germanium 45 0.071 7.042 -0.0644 -0.7779 92%
ke sumber tegangan 12V AC dan menghubungkan
voltmeter pada modul efek Hall keping germanium Tabel 2. Untuk variasi arus 6 mA
tersebut untuk mengukur adanya perubahan I = 6 mA
tegangan akibat adanya pengaruh penaikan dan Suhu (C) V (volt) (1/m) Eg (eV) Eg grafik (eV) KSR (%)
penurunan suhu. Mengeset nilai arus sebesar 5 mA 60 0.059 10.16949 -0.0885 -1.9002 95%
dan barulah kemudian mulai melakukan pengukuran 63 0.057 10.52632 -0.0913 -1.9173 95%
dengan menekan switch pemanas koil pada bagian 66 0.056 10.71429 -0.0932 -1.9344 95%
belakang modul efek hall keping germanium.
69 0.051 11.76471 -0.0995 -1.9515 95%
Setelah itu mengamati dan mencatat perubahan
72 0.049 12.2449 -0.1028 -1.9686 95%
tegangan yang terjadi setiap perubahan suhu senilai
75 0.047 12.76596 -0.1062 -1.9857 95%
3C dan pengukuran dilakukan sampai suhu 170C.
Tabel 3. Untuk Variasi arus 7 mA Grafik 4. Konduktivitas terhadap Penurunan Suhu
I = 7 mA I=6 mA
Suhu (C) V (volt) (1/m) Eg (eV) Eg grafik (eV) KSR (%)
135 0.033 21.21212 -0.16018 -0.885262325 82%
132 0.032 21.875 -0.16115 -0.878753043 82%
129 0.033 21.21212 -0.15782 -0.872243761 82%
126 0.033 21.21212 -0.15665 -0.865734479 82%
123 0.032 21.875 -0.15757 -0.859225198 82%
120 0.033 21.21212 -0.15429 -0.852715916 82%

Dan didapatlah grafik konduktivitas terhadap


suhu sebagai berikut :

Grafik 1. Konduktivitas terhadap Penaikan Suhu


Grafik 5. Konduktivitas terhadap Penaikan Suhu
I=5 mA
I=7 mA

Grafik 2. Konduktivitas terhadap Penurunan Suhu


I=5 mA Grafik 6. Konduktivitas terhadap Penurunan Suhu
I=7 mA

Grafik 3. Konduktivitas terhadap Penaikan Suhu


I=6 mA
Sedangkan untuk melihat hubungan tegangan
dengan suhu didapatlah grafik tegangan terhadap
suhu sebagai berikut :

Grafik 7. Tegangan terhadap Penaikan Suhu


gap grafik hal ini terlihat dari perolehan nilai KSR
Grafik 8. Tegangan terhadap Penurunan Suhu (Kesalahan Relatif) yang cukup besar yaitu berapa
pada rentang 79%-96%. Hal ini dapat dikarenakan
beberapa faktor salah satu diantaranya mungkin
karena kondisi bahan yang digunakan seperti modul
efek hall keping germanium, dan multimeter yang
digunakan untuk mengukur tegangan dalam keadaan
kurang baik

V. Kesimpulan
5.1.Dapat melakukan eksperimen untuk
memperoleh band gap (pita energi)
Dari hasil percobaan tersebut didapat nilai semikonduktor dengan menggunakan
tegangan (V) yang semakin kecil seiring dengan germanium sebagai bahan semikonduktor
adanya penambahan suhu, hal tersebut pun terlihat yang diberikan energi termal dan diukur
dari grafik hubungan antara tegangan terhadap suhu nilai tegangan yang terjadi pada bahan.
dimana keduanya berbanding terbalik dari grafik 5.2. Memperoleh hubungan band gap dengan
terlihat bahwa seiring dengan adanya peningkatan kondisi intrinsik dan ekstrinsik dimana
suhu nilai tegangan pada bahan semikonduktor semakin besar energi termal yang diberikan
semakin menurun. Karena pengaruh pemberian merupakan kondisi intrinsik karena terjadi
energi termal (pemanasan) dapat menyebabkan beda peningkatan nilai konduktivitas secara
potensial yang terjadi pada bahan semakin kecil. signifikan namun nilai band gap itu sendiri
Sedangkan bila dilihat nilai konduktivitasnya tidak terpengaruh oleh kondisi intrinsik dan
(), nilai ini berbanding lurus dengan variabel suhu ekstrinsik.
hal tersebut terlihat dari tabel percobaan dan grafik 5.3. Dapat menghitung nilai energi gap
hubungan antara konduktivitas terhadap suhu. germanium dari hasil percobaan dengan
Dimana semakin panas suhu yang diberikan pada melihat pengaruh nilai konduktivitas dan
bahan germanium maka nilai konduktivitas suhu dimana semakin besar nilai suhu
germanium pun semakin meningkat sedangkan nilai mengakibatkan nilai konduktivitas yang
energi gap nya semakin kecil. Energi gap itu sendiri semakin besar namun nilai energi gap nya
merupakan energi yang dibutuhkan agar elektron semakin kecil.
dapat berpindah dari pita valensi ke pita konduksi, 5.4. Dengan memberikan energi termal pada
Karena pemberian energi termal (pemanasan) germanium dapat mengetahui pengaruh suhu
menjadi energi tambahan agar elektron pada pita terhadap band gap dimana semakin besar
valensi dapat berpindah ke pita konduksi, sehingga energi termal yang diberikan tidak
apabila energi termal ini semakin besar maka energi mempengaruhi band gap germanium hanya
gap germanium semakin kecil. Semakin besar energi mempengaruhi energi gap germanium.
termal yang diberikan akan menyebabkan semakin
banyak elektron yang berpindah dari pita valensi ke
pita konduksi, apabila semakin banyak elektron pada Daftar Pustaka
pita konduksi maka semakin besar pula kemampuan
germanium ini untuk dapat menghantarkan arus [1] Ririn, Fitriana. Band Gap Germanium diakses
listrik yang diindikasikan dengan nilai konduktivitas dari web http : // www. slideshare. Net /mobile
yang semakin besar. /gam79/ laporan-awal-band-gap pada tanggal
Kemudian pengaruh dari efek pemberian variasi 28 Oktober 2016 pukul 20.00 WIB.
arus dapat berpengaruh terhadap nilai konduktivitas [2] Dana Santika. Perbedaan Isolator Semi
germanium. Karena nilai konduktivitas ini konduktor dan Konduktor diakses dari web http
berbanding lurus dengan nilai arus seperti terlihat : //www.academia.edu/9874896/ Perbedaan
pada perumusan (1). Semakin besar arus yang Isolator Semikonduktor dan Konduktor
diberikan yang disertai dengan pemberian energi pada tanggal 28 Oktober 2016 pukul 20.05
termal yang meningkat menyebabkan bahan WIB.
germanium ini semakin konduktif atau semakin [3] Dita. Band Gap diakses dari web http : dokumen.
besar kemampuan germanium ini dalam Tips/documents/awal-band-gap-dita.html pada
menghantarkan arus listrik. Hal ini berkaitan dengan tanggal 28 Oktober 2016 pukul 20.15 WIB.
proses berpindahnya elektron dari pita valensi ke
pita konduksi.
Dilihat dari perolehan nilai energi gap didapat
nilai energi gap yang cukup jauh dengan nilai energi