BAND GAP (PITA ENERGI) SEMIKONDUKTOR

Ressa Muhripah Novianti* (140310140021)

Silmi Nurul Utami (140310140027)
Program Studi Fisika FMIPA
Universitas Padjadjaran
Selasa, 08.00 10.00 WIB
15 November 2016

Asisten : Febrian Affandi, S.Si.

Abstrak

Semikonduktor adalah sebuah bahan dengan konduktivitas listrik yang berada diantara isolator dan
konduktor. Salah satunya adalah germanium yang dijadikan sebagai objek percobaan yang akan
dihitung nilai energi gap dan juga konduktivitasnya. Percobaan dilakukan dengan memberikan energi
termal pada germanium dan mecatat nilai tegangan yang terjadi setiap perubahan suhu 3C. Dari hasil
percobaan didapat nilai konduktivitas yang semakin besar seiring dengan bertambahnya energi termal
(suhu) namun nilai tegangan pada bahan semakin kecil hal ini karena semakin besar energi termal yang
diberikan semakin banyak elektron yang berpindah dari pita valensi ke pita konduksi dan semakin
banyak elektron pada pita konduksi maka semakin mudah germanium dalam menghantarkan arus listrik
sedangkan beda potensial yang terjadi pada bahan semakin kecil. Seiring dengan bertambahnya energi
termal yang diberikan maka energi gap bahan tersebut semakin kecil karena energi termal merupakan
energi tambahan bagi elektron untuk berpindah ke pita konduksi. Didapat nilai energi gap dan energi
gap grafik yang cukup jauh yang direpresentasikan melalui KSR yang berada pada rentang 79% sampai
96%.

Kata kunci: semikonduktor, germanium, energi gap, pita valensi, pita konduksi, konduktivitas.

I. Pendahuluan dinaikkan maka semikonduktor dapat

Semikonduktor adalah sebuah bahan dengan
konduktivitas listrik yang berada diantara isolator
dan konduktor. Tentunya bahan semikonduktor ini
mempunyai energi band yang berbeda dari bahan
yang lainnya. Perbedaan energi pada pita terlarang
ini dipengaruhi oleh sifat dasar dari bahan dan
struktur atom yang menempati ruang pada bahan itu.
Bahan semikonduktor yang banyak dikenal adalah
silicon, germanium, dan gallium arsenide.
Germanium adalah salah satu bahan yang digunakan
untuk membuat bahan komponen semikonduktor. [1]
Adapun tujuan dari percobaan ini adalah untuk
melakukan eksperimen untuk memperoleh band gap
(pita energi) semikonduktor, menghubungkan
konsep band gap semikonduktor dengan kondisi
intrinsic dan kondisi ekstrinsik, menghitung nilai
band gap dari semikonduktor (Germanium)
berdasarkan hasil eksperimen, serta mengetahui
pengaruh suhu terhadap band gap germanium. [3]
menghantarkan arus listrik. Ditinjau dari jenis
pembawa muatan yang menghantarkan listrik
didalamnya, bahan semikonduktor dapat dibedakan
menjadi bahan semikonduktor intrinsik dan
semikonduktor ekstrinsik.. [1]
Bahan semikonduktor intrinsik adalah
germanium dan silikon. Elektron valensi pada
germanium lebih mudah tereksitasi menjadi elektron
bebas daripada elektron valensi pada atom silikon. [1]
2.2. Konsep Pita Energi
Pita energi merupakan kumpulan garis pada
tingkat energi yang sama akan saling berimpit dan
membentuk pita. Ada 3 macam pita energi yaitu :
1. Pita Valensi
2. Pita Konduksi
3. Pita Terlarang

II. Teori Dasar

2.1. Semikonduktor
Semikonduktor adalah suatu bahan yang
memiliki sifat antara isolator dan konduktor. Celah
terlarang (band gap) pada semikonduktor lebih Gambar 1. Pita Energi
sempit daripada isolator sehingga apabila temperatur
 Bahan konduktor tidak mempunyai pita
terlarang, antara pita valensi dan pita konduksinya
bisa saling bertumpuk sehingga elektron-elektron
dapat mudah bergerak dengan bebas. [2]
Bahan semikonduktor mempunyai pita terlarang
yang sempit. Dengan energi kecil pun elektron pada
pita valensi dapat berpindah ke pita konduksi.
Sedangkan bahan isolator mempunyai pita terlarang
yang cukup lebar sehingga untuk memindahkan
elektron dari pita valensi ke pita konduksi diperlukan
energi yang cukup besar. [2]
Percobaan ini dilakukan untuk penaikan suhu dan
penurunan suhu, dan langkah-langkah tersebut
diulangi untuk arus 6 mA dan 7 mA.
IV. Hasil dan Pembahasan
Dari percobaan didapatkan data berupa nilai
tegangan (V) dan juga suhu (T). Dengan data
tersebut dihitung nilai konduktivitas () dan nilai
energi gap (Eg) dengan perumusan sebagai berikut :

2.3. Konduktivitas .
= (1)
Konduktivitas merupakan ukuran dari .
kemampuan suatu bahan untuk menghantarkan arus
listrik dan dirumuskan dengan perumusan : L = panjang bahan = 0.02 m
1 . A = luas permukaan bahan = 0.0002 2
= = (1)
.
V = tegangan listrik (volt) Untuk menghitung energi gap didasarkan pada
I = arus listrik (ampere) perumusan :

A = luas permukaan bahan (2 ) ln = ln (2)
L = panjang bahan (m) 2
= konduktivitas (1/m)
0 = 2.17391/
= resistivitas (m)
= 0.00008617 /
Nilai konduktivitas pada bahan semikonduktor
Dan untuk membandingkan nilai energi gap
merupakan fungsi dari suhu dan dapat dinyatakan
tersebut maka dihitunglah besarnya nilai energi gap
dalam fungsi eksponensial :
grafik dari grafik konduktivitas terhadap suhu,
= 2 (2) dengan menggunakan perumusan :
Logaritma dari persamaan ini adalah :
= + (3)
ln = ln (3)
2

= (4)
2
III. Metode Percobaan
= . 2 (5)
Alat dan Bahan
Alat-alat yang digunakan yaitu modul efek Hall Sehingga didapat lah sample data sebagai
keping germanium undoped sebagai objek berikut :
semikonduktor, power supply 0-12V DC/6V, 12V
AC sebagai sumber arus rangkaian, tripod base dan Tabel 1. Untuk variasi arus 5 mA
support rod square I = 250 mm, digital multimeter I = 5 mA
untuk mengukur tegangan rangkaian secara digital, Suhu (C) V (volt) (1/m) Eg (eV) Eg grafik (eV) KSR (%)
serta kabel penghubung sebagai penghubung 30 0.094 5.319 -0.0467 -0.7412 94%
rangkaian. 33 0.091 5.495 -0.0489 -0.7485 93%
36 0.085 5.882 -0.0530 -0.7559 93%
Prosedur Percobaan 39 0.081 6.173 -0.0561 -0.7632 93%
Untuk melakukan percobaan dilakukan dengan 42 0.075 6.667 -0.0608 -0.7706 92%
menghubungkan modul efek hall keping germanium 45 0.071 7.042 -0.0644 -0.7779 92%
ke sumber tegangan 12V AC dan menghubungkan
voltmeter pada modul efek Hall keping germanium Tabel 2. Untuk variasi arus 6 mA
tersebut untuk mengukur adanya perubahan I = 6 mA
tegangan akibat adanya pengaruh penaikan dan Suhu (C) V (volt) (1/m) Eg (eV) Eg grafik (eV) KSR (%)
penurunan suhu. Mengeset nilai arus sebesar 5 mA 60 0.059 10.16949 -0.0885 -1.9002 95%
dan barulah kemudian mulai melakukan pengukuran 63 0.057 10.52632 -0.0913 -1.9173 95%
dengan menekan switch pemanas koil pada bagian 66 0.056 10.71429 -0.0932 -1.9344 95%
belakang modul efek hall keping germanium.
69 0.051 11.76471 -0.0995 -1.9515 95%
Setelah itu mengamati dan mencatat perubahan
72 0.049 12.2449 -0.1028 -1.9686 95%
tegangan yang terjadi setiap perubahan suhu senilai
75 0.047 12.76596 -0.1062 -1.9857 95%
3C dan pengukuran dilakukan sampai suhu 170C.
Tabel 3. Untuk Variasi arus 7 mA Grafik 4. Konduktivitas terhadap Penurunan Suhu
I = 7 mA I=6 mA
Suhu (C) V (volt) (1/m) Eg (eV) Eg grafik (eV) KSR (%)
135 0.033 21.21212 -0.16018 -0.885262325 82%
132 0.032 21.875 -0.16115 -0.878753043 82%
129 0.033 21.21212 -0.15782 -0.872243761 82%
126 0.033 21.21212 -0.15665 -0.865734479 82%
123 0.032 21.875 -0.15757 -0.859225198 82%
120 0.033 21.21212 -0.15429 -0.852715916 82%

Dan didapatlah grafik konduktivitas terhadap

suhu sebagai berikut :

Grafik 1. Konduktivitas terhadap Penaikan Suhu

Grafik 5. Konduktivitas terhadap Penaikan Suhu
I=5 mA
I=7 mA

Grafik 2. Konduktivitas terhadap Penurunan Suhu

I=5 mA Grafik 6. Konduktivitas terhadap Penurunan Suhu
I=7 mA

Grafik 3. Konduktivitas terhadap Penaikan Suhu

I=6 mA
Sedangkan untuk melihat hubungan tegangan
dengan suhu didapatlah grafik tegangan terhadap
suhu sebagai berikut :

Grafik 7. Tegangan terhadap Penaikan Suhu


Grafik 8. Tegangan terhadap Penurunan Suhu
Dari hasil percobaan tersebut didapat nilai
tegangan (V) yang semakin kecil seiring dengan
adanya penambahan suhu, hal tersebut pun terlihat
dari grafik hubungan antara tegangan terhadap suhu
dimana keduanya berbanding terbalik dari grafik
terlihat bahwa seiring dengan adanya peningkatan
suhu nilai tegangan pada bahan semikonduktor
semakin menurun. Karena pengaruh pemberian
energi termal (pemanasan) dapat menyebabkan beda
potensial yang terjadi pada bahan semakin kecil.
Sedangkan bila dilihat nilai konduktivitasnya
(), nilai ini berbanding lurus dengan variabel suhu
hal tersebut terlihat dari tabel percobaan dan grafik
hubungan antara konduktivitas terhadap suhu.
Dimana semakin panas suhu yang diberikan pada
bahan germanium maka nilai konduktivitas
germanium pun semakin meningkat sedangkan nilai
energi gap nya semakin kecil. Energi gap itu sendiri
merupakan energi yang dibutuhkan agar elektron
dapat berpindah dari pita valensi ke pita konduksi,
Karena pemberian energi termal (pemanasan)
menjadi energi tambahan agar elektron pada pita
valensi dapat berpindah ke pita konduksi, sehingga
apabila energi termal ini semakin besar maka energi
gap germanium semakin kecil. Semakin besar energi
termal yang diberikan akan menyebabkan semakin
banyak elektron yang berpindah dari pita valensi ke
pita konduksi, apabila semakin banyak elektron pada
pita konduksi maka semakin besar pula kemampuan
germanium ini untuk dapat menghantarkan arus
listrik yang diindikasikan dengan nilai konduktivitas
yang semakin besar.
Kemudian pengaruh dari efek pemberian variasi
arus dapat berpengaruh terhadap nilai konduktivitas
germanium. Karena nilai konduktivitas ini
berbanding lurus dengan nilai arus seperti terlihat
pada perumusan (1). Semakin besar arus yang
diberikan yang disertai dengan pemberian energi
termal yang meningkat menyebabkan bahan
germanium ini semakin konduktif atau semakin
besar kemampuan germanium ini dalam
menghantarkan arus listrik. Hal ini berkaitan dengan
proses berpindahnya elektron dari pita valensi ke
pita konduksi.
Dilihat dari perolehan nilai energi gap didapat
nilai energi gap yang cukup jauh dengan nilai energi
gap grafik hal ini terlihat dari perolehan nilai KSR
(Kesalahan Relatif) yang cukup besar yaitu berapa
pada rentang 79%-96%. Hal ini dapat dikarenakan
beberapa faktor salah satu diantaranya mungkin
karena kondisi bahan yang digunakan seperti modul
efek hall keping germanium, dan multimeter yang
digunakan untuk mengukur tegangan dalam keadaan
kurang baik
V. Kesimpulan
5.1.Dapat melakukan eksperimen untuk
memperoleh band gap (pita energi)
semikonduktor dengan menggunakan
germanium sebagai bahan semikonduktor
yang diberikan energi termal dan diukur
nilai tegangan yang terjadi pada bahan.
5.2. Memperoleh hubungan band gap dengan
kondisi intrinsik dan ekstrinsik dimana
semakin besar energi termal yang diberikan
merupakan kondisi intrinsik karena terjadi
peningkatan nilai konduktivitas secara
signifikan namun nilai band gap itu sendiri
tidak terpengaruh oleh kondisi intrinsik dan
ekstrinsik.
5.3. Dapat menghitung nilai energi gap
germanium dari hasil percobaan dengan
melihat pengaruh nilai konduktivitas dan
suhu dimana semakin besar nilai suhu
mengakibatkan nilai konduktivitas yang
semakin besar namun nilai energi gap nya
semakin kecil.
5.4. Dengan memberikan energi termal pada
germanium dapat mengetahui pengaruh suhu
terhadap band gap dimana semakin besar
energi termal yang diberikan tidak
mempengaruhi band gap germanium hanya
mempengaruhi energi gap germanium.
Daftar Pustaka
[1] Ririn, Fitriana. Band Gap Germanium diakses
dari web http : // www. slideshare. Net /mobile
/gam79/ laporan-awal-band-gap pada tanggal
28 Oktober 2016 pukul 20.00 WIB.
[2] Dana Santika. Perbedaan Isolator Semi
konduktor dan Konduktor diakses dari web http
: //www.academia.edu/9874896/ Perbedaan
Isolator Semikonduktor dan Konduktor
pada tanggal 28 Oktober 2016 pukul 20.05
WIB.
[3] Dita. Band Gap diakses dari web http : dokumen.
Tips/documents/awal-band-gap-dita.html pada
tanggal 28 Oktober 2016 pukul 20.15 WIB.