BAND GAP (PITA ENERGI) SEMIKONDUKTOR

LAPORAN AWAL

Diajukan sebagai Salah Satu Syarat untuk Memenuhi Penilaian Matakuliah

Praktikum Keahlian Fisika

YOGA PRATAMA SATYA BIMA

140310160044

PROGRAM STUDI FISIKA

FAKULTAS MATEMATIKA DAN ILMU PENGETAHUAN ALAM
UNIVERSITAS PADJADJARAN
2019
 Daftar Isi
BAB 1 ........................................................................................................................... 4

PEDAHULUAN .......................................................................................................... 4

1.1 Latar Belakang ............................................................................................. 4

1.2 Identifikasi Masalah ..................................................................................... 4

1.3 Batasan Masalah .......................................................................................... 4

1.4 Tujuan Penelitian ......................................................................................... 4

1.5 Manfaat Penelitian ....................................................................................... 5

BAB II .......................................................................................................................... 6

TINJAUAN PUSTAKA .............................................................................................. 6

2.1 Semikonduktor ............................................................................................. 6

2.1.1 N-type semikonduktor ............................................................................... 6

2.1.2 P-type semikonduktor ............................................................................... 7

2.1.3 P-N Junction Semikonduktor ................................................................... 8

2.2 Jenis-jenis atau Klasifikasi Semikonduktor .............................................. 9

2.2.1 Semikonduktor Intrinsik ...................................................................... 9

2.2.2 Semikonduktor Ekstrinsik (Tak Murni) .......................................... 11

2.3 Pita Energi Semikonduktor ....................................................................... 11

2.4 pengaruh band gap terhadap semikonduktor ......................................... 12

1
BAB III ....................................................................................................................... 14

METODE PENELITIAN ......................................................................................... 14

3.1 Alat dan bahan ........................................................................................... 14

3.2 Metode Eksperimen ................................................................................... 14

BAB IV ....................................................................................................................... 16

TUGAS PENDAHULUAN ....................................................................................... 16

4.1 Jelaskan apa yang dimaksud dengan pita energi, pita valensi, dan pita

konduksi ? .............................................................................................................. 16

4.2 Jelaskan keadan energi gap pada bahan konduktor, isolator, dan

semikonduktor ?.................................................................................................... 16

4.3 Sebutkan parameter yang mempengaruhi energi gap ?......................... 16

DAFTAR PUSTAKA ................................................................................................ 17

2
 DAFTAR GAMBAR

Figure 1. N-type semikonduktor ................................................................................... 7

Figure 2. P-type semikonduktor .................................................................................... 7

Figure 3. P-N Junction semikonduktor ......................................................................... 8

Figure 4. semikonduktor intrinsik silikon ..................................................................... 9

Figure 5. elektron valensi ............................................................................................ 10

Figure 6. semikonduktor ekstrinsik............................................................................. 11

Figure 7. pita energi semikonduktor ........................................................................... 12

Figure 8. perbedaan tingkat energi .............................................................................. 13

3
 BAB 1

PEDAHULUAN
1.1 Latar Belakang
Peralatan elektronik yang semakin modern dan banyaknya orang yang bekerja di
bidang industri kelistrikan atau elektro. Oleh sebab itu perlu adanya pemahaman dan
penjelasan mengenain asal bahan, jenis-jenis bahan, fungsi bahan, dan sifat-sifat dari
bahan sangat penting dimiliki bagi mereka yang bekerja di bidang industri dan
kependidikan teknik, bahan apa yang harus dipakai untuk suatu maksud tertentu agar
dapat mencari alternatif bahan pengganti yang efisien, fungsioner, segi ekonomis dan
dapat mengembangkannya.

Bahan semikonduktor adalah jenis bahan dengan konduktivitas listrik yang

berada di antara isolator dan konduktor. Bahan ini banyak digunakan dalam
rangkaian elektronika karena sifat elektroniknya dapat diubah banyak dalam sebuah
cara terkontrol dengan menambah sejumlah kecil ketidakmurnian. Ketidakmurnian
ini disebut dopant atau dengan menyuntikan materi lain. Semikonduktor yang
terintegrasi dalam jumlah yang sangat besar dalam satu keeping silikon dinamakan
sirkuit terpadu.

Komponen semikonduktor yang paling baik terbuat dari bahan Germanium,

tetapi bahan ini sulit dalam pembuatan sehingga harganya mahal. Melainkan bahan
dari silikon, semikonduktor yang terbuat dari silikon ini banyak dijumpai, mudah
dicari dan murah harganya karena mudah dalam pembuatannya tetapi jauh berkualitas
dibandingkan dengan Germanium.

1.2 Identifikasi Masalah

1. Apa itu semikonduktor ?
2. Konsep pita energi ?
3. Pengaruh band gap terhadap semikonduktor ?
1.3 Batasan Masalah
1. Menggunakan bahan Germanium untuk menentukan nilai band gap (pita
energi) dari semikonduktor.
2. Pengukuran suhu yang dilakukan yaitu pada suhu rendah (ekstrinsik), suhu
sedang (doping), dan suhu tinggi (intrinsik).
1.4 Tujuan Penelitian

4
 1. Melakukan eksperimen untuk memperoleh band gap (pita energi)
semikonduktor.
2. Menghubungkan konsep band (pita energi) semikonduktor dengan konduksi
intrinsik dan ekstrinsik.
3. Menghitung nilai band gap (pita energi) dari semikonduktor (Germanium)
berdasarkan hasil eksperimen.
4. Mengetahui pengaruh suhu terhadap band gap (pita energi) germanium.
1.5 Manfaat Penelitian
Manfaat dari penelitian ini adalah untuk mengetahui seberapa besar pengaruh
suhu bedasarkan band gap dan mengetahui seberapa besar pengaruh objek
germanium terhadap semikonduktor.

5
 BAB II

TINJAUAN PUSTAKA
2.1 Semikonduktor
Semikonduktor adalah sebuah bahan dengan konduktivitas listrik yang berada
di antara isolator dan konduktor. Sebuah semikonduktor bersifat sebagai isolator
pada temperatur yang sangat rendah, namun pada temperatur ruangan bersifat
sebagai semikonduktor (K. Muller 1986).

Konduktivitas listrik adalah ukuran dari kemampuan suatu bahan untuk

menghantarkan arus listrik. Jika suatu beda potensial listrik ditempatkan pada
ujung-ujung sebuah konduktor, muatan-muatan bergeraknya akan perpindah,
menghasilkan arus listrik. Konduktivitas listrik 𝜎 di definisikan sebagai ratio dari
rapat arus J terhadap kuat medan listrik E.

J = 𝜎. E

Pada beberapa jenis bahan dimungkinkan terdapat konduktivitas listrik yang

anisotropik. Lawan dari konduktivitas listrik adalah resistivitas listrik 𝜌 atau biasa
disebut sebagai resistivitas saja, yaitu : 𝜌 = 1/ 𝜎. Type-type semikonduktor yaitu :

2.1.1 N-type semikonduktor

Dikatakan N-type karena Semikonduktor jenis ini pembawa muatannya (Charge
Carrier) adalah terdiri dari Elektron. Elektron adalah bermuatan Negatif sehingga
disebut dengan Tipe Negatif atau N-type.
Pada Semikonduktor yang berbahan Silicon (Si), Proses Doping dengan
menambahkan Arsenic atau Antimony akan menjadikan Semikonduktor tersebut
sebagai N-type Semikonduktor.
Terdapat 2 (dua) pembawa muatan atau charge Carrier dalam N-type Semikonduktor
yakni Elektron sebagai Majority Carrier dan Hole sebagai Minority Carrier.

6
Figure 1. N-type semikonduktor

2.1.2 P-type semikonduktor

Dikatakan P-type karena Semikonduktor jenis ini kekurangan Elektron atau
disebut dengan “Hole”. Ketika pembawa muatannya adalah Hole maka
Semikonduktor tersebut merupakan Semikonduktor bermuatan Positif.

Pada Semikonduktor yang berbahan Silicon (Si), Proses Doping dengan

menambahkan Indium akan menjadikan Semikondukter tersebut sebagai P-type
Semikonduktor.
2 (dua) pembawa muatan yang terdapat dalam P-type Semikonduktor adalah Hole
sebagai Majority Carrier dan Elektron sebagai Minority Carrier).

Figure 2. P-type semikonduktor

7
2.1.3 P-N Junction Semikonduktor

P-N Junction adalah batas pertemuan antara kedua bahan semikonduktor tipe
P dan tipe N yang ada didalam sebuah kristal semikonduktor yang merupakan cikal
bakal komponen dioda, transistor, dan IC. Pada dasarnya P-N Junctionmerupakan
sebuah blok yang ada didalam komponen tersebut, misalnya sebuah dioda disusun
oleh P-N tunggal sedangkan transistor ada dua jenis yaitu P-N-P dan N-P-N.

P-N Junction terjadi karena elektron bebas pada semikonduktor tipe N

mengisi “hole” pada semikonduktor tipe P. Area pertemuan ini disebut
dengan depletion region atau Area penipisan. Ketika persimpangan P-N terbentuk,
beberapa elektron bebas dari area tipe N yang berhasil mencapai pita konduksi bebas
akan menyebar dan mengisi lubang (hole) pada area tipe P.

Figure 3. P-N Junction semikonduktor

Hal ini meninggalkan ion positif pada sisi semikonduktor tipe N. Kemudian
sebuah ruang pengisian muatan terbangun, menciptakan daerah penipisan yang
kemudian menghambat transfer elektron lanjut kecuali dibantu dengan meletakkan
bias maju di persimpangan yang disebut dengan Forward Biased. Pemberian bias
terbalik (Reverse Biased) tidak akan memicu pergerakan elektron didalam

8
semikonduktor sehingga membuat komponen semikonduktor hanya bisa dialiri arus
satu arah saja.

Prinsip dasar P-N Junction ini kemudian diterapkan pada komponen

elektronika seperti dioda yang bisa berfungsi sebagai penyearah tegangan maupun
penahan tegangan arah tertentu. Selain itu penerapan P-N junction juga bisa lebih
kompleks lagi pada komponen transistor. Disini dipasang kombinasi tiga bahan
semikonduktor, yaitu P-N-P dan N-P-N. Dengan kombinasi ini dapat diperoleh
berbagai fungsi seperti penguatan sinyal, pensaklaran elektronis dan sebagainya.

2.2 Jenis-jenis atau Klasifikasi Semikonduktor

2.2.1 Semikonduktor Intrinsik

Semikonduktor intrinsik merupakan semikonduktor yang terdiri atas satu

unsur saja, misalnya Si saja atau Ge saja. Pada Kristal semikonduktor Si, 1 atom
Si yang memiliki 4 elektron valensi berikatan dengan 4 atom Si lainnya.
Perhatikan gambar berikut :

Figure 4. semikonduktor intrinsik silikon

Pada kristal semikonduktor instrinsik Si, sel primitifnya berbentuk kubus.

Ikatan yang terjadi antar atom Si yang berdekatan adalah ikatan kovalen. Hal ini
disebabkan karena adanya pemakaian 1 buah electron bersama () oleh dua atom
Si yang berdekatan.
Menurut teori pita energi, pada T = 0 K pita valensi semikonduktor terisi
penuh elektron, sedangkan pita konduksi kosong. Kedua pita tersebut dipisahkan
oleh celah energi kecil, yakni dalam rentang 0,18 - 3,7.

9
 Silikon dan germanium merupakan dua jenis semikonduktor yang sangat
penting dalam elektronika. Keduanya terletak pada kolom empat dalam tabel
periodik dan mempunyai elektron valensi empat. Struktur kristal silikon dan
germanium berbentuk tetrahedral dengan setiap atom memakai bersama sebuah
elektron valensi dengan atom-atom tetangganya. Gambar diatas memperlihatkan
bentuk ikatan kovalen dalam dua dimensi. Pada temperatur mendekati harga nol
mutlak, elektron pada kulit terluar terikat dengan erat sehingga tidak terdapat
elektron bebas atau silikon bersifat sebagai insulator.

Figure 5. elektron valensi

Energi yang diperlukan mtuk memutus sebuah ikatan kovalen adalah sebesar
1,1 eV untuk silikon dan 0,7 eV untuk germanium. Pada temperatur ruang
(300K), sejumlah elektron mempunyai energi yang cukup besar untuk
melepaskan diri dariikatan dan tereksitasi dari pita valensi ke pita konduksi
menjadi elektron bebas (gambar 2.2). Besarya energi yang diperlukan untuk
melepaskan elektron dari pita valensi ke pita konduksi ini disebut energi terlarang
(energy gap). Jika sebuah ikatan kovalen terputus, maka akan terjadi kekosongan
atau lubang (hole). Pada daerah dimana terjadi kekosongan akan terdapat
kelebihan muatan positif, dan daerah yang ditempati elektron bebas mempunyai
kelebihan muatan negatif. Kedua muatan inilah yang memberikan kontribusi
adanya aliran listrik pada semikonduktor murni. Jika elektron valensi dari ikatan
kovalen yang lain mengisi lubang tersebut, maka akan terjadi lubang baru di
tempat yang lain dan seolah-olah sebuah muatan positif bergerak dari lubang
yang lama ke lubang baru.

10
 2.2.2 Semikonduktor Ekstrinsik (Tak Murni)

Figure 6. semikonduktor ekstrinsik

Terbentuk dari semikonduktor murni yang dikotori oleh atom dopping sebagai
penghasil elektron konduksi atau hole. Terdiri atas dua tipe: Tipe – N (Silikon +
Phospor atau Arsenic) dan Tipe – P (Silikon + Boron, Galium atau Indium).
Semikonduktor ekstrinsik terbentuk melalui mekanisme doping, yang
dimaksudkan untuk mendapatkan elektron valensi bebas dalam jumlah lebih
banyak dan permanen sehingga diharapkan akan dapat menghantarkan listrik.
Mekanisme ini dilakukan dengan jalan memberikan atom pengotor ke bahan
semikonduktor murni sehingga apabila atom pengotor memiliki kelebihan
elektron valensi (valensi 5) akan terdapat elektron bebas yang dapat berpindah.
Karena mengandung atom-atom pengotor, pembawa muatan didominasi oleh
elektron saja atau lubang saja. Apabila semikonduktor murni diberikan pengotor
dengan valensi kurang (valensi 3) maka akan terbentuk area kosong (hole) yang
menjadi pembawa muatan.

2.3 Pita Energi Semikonduktor

Diagram pita energi untuk germanium dan silikon mirip dengan intan
dengan perbedaan celah energi hanya sekitar 1 eV. Konfigurasi atom Ge [Ar] 3d10
4s2 4p2 dan Si [Ne] 3s2 3p2 ; kedua macam atom ini memiliki 4 elektron di tingkat
energi terluarnya. Tumpang-tindih pita energi di tingkat energi terluar akan
membuat pita energi terisi penuh 8 elektron. Karena celah energi sempit maka

11
 jika temperatur naik, sebagian electron di pita valensi naik ke pita konduksi
mudah dan meninggalkan tempat kosong (hole) di pita valensi. Baik elektron
yang telah berada di pita konduksi maupun hole di pita valensi akan bertindak
sebagai pembawa muatan untuk terjdinya arus listrik. Konduktivitas listrik naik
dengan cepat dengan naiknya temperatur.

Figure 7. pita energi semikonduktor

Konduktivitas listrik tersebut iats disebut konduktivitas intrinsik.

Konduktivitas material semikonduktor juga dapat ditingkatkan dengan
penambahan atom asing tertentu (pengotoran, impurity). Jika atom pengotor
memiliki 5 elektron terluar maka akan ada kelebihan satu elektron tiap atom.
Kelebihan elektron ini akan menempati tingkat energi sedikit dibawah pita
konduksi (beberapa perpuluh eV) dan dengan sedikit tambahan energi akan
sangat mudah berpindah ke pita konduksi dan berkontribusi pada konduktivitas
listrik. Atom pengotor ini disebut donor (karena ia memberikan elektron lebih)
dan semikonduktor dengan donor disebut semikonduktor type-n.
Jika atom pengotor memiliki 3 elektron terluar maka akan ada kelebihan satu
hole tiap atom. Kelebihan hole ini akan menempati tingkat energi sedikit di atas
pita valensi dan dengan sedikit tambahan energi akan sangat mudah elektron
berpindah dari pita valensi ke hole di atasnya dan meninggalkan hole di pita
valensi yang akan berkontribusi pada konduktivitas listrik. Atom pengotor ini
disebut akseptor (karena ia menerima elektron dari pita valensi) dan
semikonduktor dengan akseptor isebut semikonduktor type-p

2.4 pengaruh band gap terhadap semikonduktor

Untuk menjelaskan konduktivitas suatu bahan, sering digunakan konsep pita

energi. Ada dua pita energi, yaitu pita valensi dan pita konduksi. Pita valensi adalah
pita energi yang mungkin diisi oleh elektron dari zat padat hingga komplit/penuh,
sedangkan pita konduksi adalah pita energi yang merupakan tempat lain yang akan
diisi oleh elektron setelah pita valensi penuh. Pada suhu 0 K, pita konduksi terisi
sebagian untuk bahan konduktor, sedangkan isolator dan semikonduktor tidak ada
elektron yang mengisi pita konduksi. (Ponkesu, 2006)

12
Secara diagramatik pita energi dari isolator, semikonduktor, dan konduktor
ditunjukkan gambar berikut.

Figure 8. perbedaan tingkat

energi

Elektron dari pita valensi harus mempunyai energi minimum sebesar energi gap untuk
sampai ke pita konduksi. Gambar di atas memperlihatkan besar energi gap dari masing-
masing bahan. Tampak bahwa isolator mempunyai energi gap yang paling besar
sehingga electron pada pita valensi sangat sulit untuk berpindah ke pita konduksi. Pada
konduktor celah energi atau energi gap sangat kecil bahkan pada beberapa logam, pita
konduksi dan pita valensi saling over laping sehingga bisa dikatakan tidak terdapat
energi gap. Untuk bahan semikonduktor, energi gap dapat berubah sesuai suhunya.
Celah energi pada semikonduktor semakin kecil apabila dipanaskan atau dengan kata
lain suhunya dinaikkan. (Ponkesu, 2006)

13
 BAB III

METODE PENELITIAN

3.1 Alat dan bahan

Alat yang digunakan adalah modul efek hall keping germanium,
power supply, tripod base, digital multimeter untuk mengukur tegangan dan
kabel penghubung.

Berikut adalah penjelasan gambar tentang rancangan diagram alir

penelitian yang dilakukan :
1. Tahap pertama adalah perancangan perangkat keras smart-gitrd yang meliputi
sensor-sensor yan akan digunkan, baterai, beban, sumber, dan lain-lain.
2. Kedua adalah pengujian dari tiap bagian yang telah di rancang sebelumnya,
contohnya adalah pengukuran arus dan tegangan sumber PV menggunakan
sensor

3. Ketiga adalah, perancangan perangkat lunak pada Android dan PC untuk

interface perangkat keras dengan pengguna

4. Keempat, pengujian bagian – bagian smart-grid terintegrasi bertahap dari mulai

satu bagian, dua bagian, hingga keseluruhan
5. Kelima adalah pengujian dengan beban lokal.

6. Terakhir adalah penulisan hasil dan pembahasan serta kesimpulan dari

penelitian

3.2 Metode Eksperimen

Alat dirangkai seperti gambar 2 Tombol display ditekan kembali

untuk menunjukan display temperatur

Dimasukkan sampel tes yang Pengukuran dimulai ketika sudah

terpasang pada PCB menekan tombol pemanas koil

14
 Dicatat tegangan untuk penurunan dan

Modul dihubungkan ke sumber kenaikan temperatur tiap 3◦ c dari

tegangan
suhu 34-172◦ c
Modul dihubungkan dengan voltmeter Diulangi percobaan untuk variasi arus

6mA dan 7mA

Tombol display ditekan untuk

menunjukan display arus dan putar

rotary switch untuk menggeser arus

sebesar 5mA

15
 BAB IV

TUGAS PENDAHULUAN

4.1 Jelaskan apa yang dimaksud dengan pita energi, pita valensi, dan pita
konduksi ?
Jawaban :
• Pita energi adalah kumpulan garis pada tingkat energi yang sama
akan saling berimpit dan membentuk pita. Tingkat-tingkat energi pada
digambarkan dengan cara yang sama dengan atom tunggal. Interaksi antar
atom pada kristal hanya terjadi pada elektron bagian luar, sehingga tingkat
energi elektron pada orbit pada bagian dalam tidak berubah
• Pita valensi adalah pita energi yang mungkin diisi oleh elektron dari
zat padat hingga komplit.
• Pinta konduksi adalah pita energi yang merupakan tempat lain yang
akan diisi oleh elektron setalah pita valensi komplit.
4.2 Jelaskan keadan energi gap pada bahan konduktor, isolator, dan
semikonduktor ?
Jawaban :
Pada bahan konduktor pita konduksi konduktor terisi sebagian oleh
elektron. Jika ada medan listrik luar, maka elektron akan memperoleh
tambahan energi untuk berpndah dari pita valensi ke pita konduksi.
Sedangkan pada isolator pita konduksi maksimum dan pita valensi
maksimum. Pada keadaan ini, pita konduksi isolator kosong, tidak terisi
elektron, sehingga konduktivitasnya rendah. Dan pada semikonduktor pita
valensi dapat berpindah ke pita konduksi. Karena ada elektron pada pita
konduksi, maka sifat ini bersifat semikonduktif.
4.3 Sebutkan parameter yang mempengaruhi energi gap ?
Jawaban :
l = panjang bahan yang akan diujikan (m)
A = luas permukaan dari bahan yang diujikan (m2)
I = arus listrk (A)
U = tegangan listrik (V)

16
 DAFTAR PUSTAKA
(A, 2006)A, P., 2006. semikonduktor dan isolator. lingua kata, yogyakarta.
Kusuma, alifka alan, 2015. No Title [WWW Document]. URL
https://www.academia.edu/5527941/Pita_konduksi_dan_valensi
mei handita cholil, 2016. No Title [WWW Document]. URL
https://www.academia.edu/29303671/MAKALAH_semi_konduktor_didit_new
Muflikha, siti ainun, 2015. No Title [WWW Document]. URL
https://www.academia.edu/17992916/Makalah_Semikonduktor
Santika, I.G.D., 2014. No Title [WWW Document]. URL
https://www.academia.edu/9874896/Fisika_Zat_Padat_Perbedaan_Isolator_Sem
ikonduktor_dan_Konduktor

17