Semiconductor

(Semikonduktor)

Apakah Semiconductor itu?

Semi konduktor adalah bahan yang konduktivitas elektroniknya

berada diantara logam dan insulator.

Besar konduktivitas elektroniknya sekitar sampai dengan ,
tergantung pada populasi muatan bebas dan mobilitas muatan
bebas.
Konduktivitas elektronik semi konduktor bertambah tinggi jika
suhu dinaikkan, berbeda dengan metal yang konduktivitasnya
turun jika suhu di naikkan
Semi konduktor banyak dipakai dibidang elektronik seperti
mobile/smart phone, komputer, sel surya,
dan solid state
memory

Untuk memahami prinsip kerja semi konduktor, kita perlu

mempelajari tentang level-level energi yang ada pada semi
konduktor dan bagaimana cara meningkatkan populasi muatan
bebas.
ntoh material semi konduktor adalah silicon, germanium, dan galium ars

Material semi konduktor

Material semi konductor berada pada golongan IV pada periodik
tabel kimia.
Yang paling banyak digunakan adalam industri elektronik adalah
silikon (Si) dengan energi gap 1.1 eV pada suhu 300K dan
konduktivitas listrik... serta germanium (Ge) dengan energy gap
0.6 eV pada suhu 300K
dan konduktivitas listrik. Pada
germanium energi gapnya bersifat direct band gap sedangkan
pada silikon bersifat indirect band gap
Gabungan antara atom pada periode III dengan V atau II dengan
VI juga membentuk semi konduktor. Contohnya: GaAs (GaAs)
Semi konduktor murni tanpa penambahan campuran disebut
Semi kondutor
biasa
berbentukSemi
kristal,konduktor
tapi ada juga
yang doping
intrinsik
semi
konduktor.
dengan
berbentuk
amorphous.
disebut
semi
konduktor ekstrinsik.
Selain bahan inorganik yang telah disebutkan diatas, semi
Fisika Material
konduktor
bisa juga terbuat dari bahan organik
(FTG3P3)

Fisika Material
(FTG3P3)

Band gap dan energy gap

Di dalam semi konduktor terdapat
pengertian pita valensi dan pita
konduksi.
Dalam
keadaan
keseimbangan,
elektron-elektron
mengisi pita valensi dan tidak bebas
bergerak, sedangkan pita konduksinya
kosong.

Energy, eV
pita
konduksinsi

Band gap

Diantara pita valensi dan konduksi

terdapat kekosongan yang disebut band
gap
Agar terjadi arus, elektron harus
melompati band gap dan menjadi
elektron bebas. Energi yang diperlukan
untuk melompat dari pita valensi ke pita
konduksi
disebut energy gap.
Fisika Material
(FTG3P3)

Pita valensi

Energi, eV

pita
konduksi
Pita valensi

Band gap pada logam, semi

konduktor, dan insulator

pita
konduksi

pita
konduksi

Fermi Level
Pita valensi
Pita valensi

Logam,
Pita valensi
overlap
dengan
pita konduksi

Fisika Material
(FTG3P3)

Semi kondutor,
Band gap-nya
kecil, sekitar 1
eV

Insulator,
Band
gap-nya
besar,
diatas
10 eV
6

Direct and Indirect band gap

Minimal energy pada pita konduksi dan maximal energi pada pita
valensi bisa digambarkan dalam kurva momentum (k) versus
energi pada Brillouin zone.
Semi konduktor dikatakan mempunyai direct band gap minimal
energy pada pita konduksi mempunyai momentum yang sama
dengan maximal energi pada pita valensi. Jika momentumnya
E eksitasi elektron
berbeda disebut
indirect
band
gap
dan
proses
E
biasanya dibantu oleh phonon (phonon assisted process)
Eg

Direct band gap

Fisika Material
(FTG3P3)

Eg

Phonon assisted
k

Indirect band gap

Lompatan
elektron
Agar tejadi arus, elektron(electron
harus memiliki energi untuk
melompati band gap . excitation)
Elektron (muatan negatip) yang
elektroda
pita
konduksi
-

Pita valensi
elektroda

Fisika Material
(FTG3P3)

melompat ke pita konduksi

meninggalkan muatan positip
(hole) di pita valensi. Jumlah
elektron dan hole sama.
Elektron dan hole masingmasing
harus
bergerak
mencapai elektroda agar terjadi
aliran
arus.
Jika
sebelum
mencapai elektroda mereka
bersatu
kembali
(recombination) maka tidak
terjadi arus.
Energi yang diperlukan untuk
melompat dapat berasal dari
pemanasan (termal),
optik,
maupun injeksi elektrik.
8

Efek termal

Ada tiga efek termal pada semikondukt

Eg
Fermi level
+
Pita valensi Ev
c. Menaikkan elektron ke

level lebih tinggi di dalam

pita valensi. Suhu yang
diperlukan untuk proses ini
setara dengan energi
Fisika Material
(FTG3P3)

a. Megubah ukuran band gap

karena
pemuaian
atau
pengkerutan,
sehingga
besarnya enegi gap (Eg)
berubah dan konduktivitas
berubah
b.jugaMeningkatkan
populasi
elektron
bebas pada pita
konduksi
sehingga
konduktivitas
meningkat.
Secara sederhana jumlah
elektron yang tereksitasi (n)
pada
suhu
T
ditentukan

n
dengan persamaan
Dengan

semi konduktor dan adalah

konstanta Boltzman
9

Eksitasi Optik

pulasi elektron bebas pada pita konduksi bisa ditambah dengan cara eks
tik atau penyinaran dengan cahaya. Contoh proses ini terjadi pada sel su

pita
konduksi

Eg

Pita valensi

Fisika Material
(FTG3P3)

Frekuensi cahaya () yang

menyinari semikonduktor harus
sebanding dengan energi gapnya.
Untuk
menimbulkan
eksitasi
elektron
diperlukan
energi sebesar

c/
dengan n adalah jumlah

elektron yang tereksitasi,

adalah panjang gelombang
cahaya yang mengeksitasi, c
adalah kecepatan cahaya, dan h
adalah konstanta Plank
10

Efek Medan Listrik Luar

Medan listrik menyebabkan munculnya elektron bebas karena
elektron mengalami gaya Coulomb pada saat ada medan
listrik luar dengan arah berlawanan dengan arah medan listrik.
Pada saat elektron berpindah dia meninggalkan hole.
Ada medan listrik luar

Tanpa medan listrik

S
i

S
i

S
i

S
i

S
i

S
i

S
i

S
i

S
i

S
i

S
i

S
i

S
i

S
i

S
i

S
i

S
i

S
i

S
i

S
i

S
i

hole S
i

S
i

S
i

S
i

S
i

Fisika Material
(FTG3P3)

S
i

S
i

S
S
i Eletron ibebas
S
i

S
i

11

Konduktivitas semi konduktor

Konduktivitas semi konduktor tergantung pada jumlah muatan
dan mobilitas muatan

Untuk semi konduktor intrinsic berlaku

konduktivitas bisa dinyatakan dalam bentuk

n=p,

sehingga

dengan
n = jumlah elekton bebas, p = jumlah hole
= mobilitas elektron = mobilitas hole

Karena jumlah muatan bebas dan mobilitas muatan tergantung

pada suhu maka kondutivitas listrik juga tergantung pada suhu.
Fisika Material
(FTG3P3)

12

Populasi elektron pada pita konduk

Jumlah elektron pada pita konduksi tergantung pada jumlah
keadaan yang tersedia pada pita konduksi (density of state)
dan probability untuk mengisi keadaan tersebut.

Semi konduktor intrinsic

Secara singkat populasi elektron (hole) bebas pada suhu T bisa
dihitung dengan persamaan

adalah
energi terendah pita konduksi dan

adalah energi level tertinggi pita val

Jumlah keadaan efektif pada ujung pita konduksi

Jumlah keadaan efektif pada ujung pita valensi

ergi Fermi pada semi konduktor instrinsik bisa ditentukan dengan persamaan

Fisika Material
(FTG3P3)

+(
13

pita
konduksi

Semi konduktor intrinsik

Tidak ada impuritas , jumlah elektron
(n) dan hole (p) sama, n=p.
Fermi level disekitar ditengah-tengah
band gap. Contoh silikon dan
germanium

Fermi level
Pita valensi

S
i

S
i

S
i

S
i

S
i

S
i

S
i

S
i

S
i

S
i

S
i

S
i

S
i

S
i

S
i

S
i

Fisika Material
(FTG3P3)

14

Efek Doping
Salah satu efek doping adalah bergesernya Fermi level dan
berubahnya jumlah elektron atau hole. Pada semi konduktor jenis
n, pembawa muatan mayoritas adalah elektron dan densitas
muatan bebas hampir sama sama dengan jumlah elektron donor.
Pada semi konduktor jenis p, pembawa muatan mayoritas adalah
hole dan densitas muatan bebas sama dengan jumlah acceptor.
Dengan demikian konduktivitas listrik
ditentukan
Semi bisa
konduktor
tipe n dengan
persamaan

Semi konduktor tipe p

Berdasarkan Joyce-Dixon approximation, posisi energi Fermi

pada semi konduktor ekstrinsik bisa ditentukan dengan
persamaan:

Fisika Material
(FTG3P3)

15

Semi konduktor jenis N

Atom donor memberikan kelebihan elektron kepada semi konduktor
asalnya. Contoh doping phospor yang diberikan kepada silikon. Silikon
mempunyai 4 elektron sedangkan phospor mempunyai 5 elektron.
Fermi level dekat dengan donor level
pita konduksi
Donor level
Fermi level

Pita valensi

Fisika Material
(FTG3P3)

16

Semi konduktor jenis P

Jumlah elektron pada atom acceptor lebih sedikit. Elektron pada
pita valensi mudah dieksitasi ke level acceptor sehinggu jumlah
hole di pita valensi lebih banyak. Contoh semiconduktor jenis p
adalah silikon yang diberi doping boron. Fermi level dekat dengan
acceptor level
pita konduksi

Fermi level
Acceptor level
Pita valensi

Fisika Material
(FTG3P3)

17

Contoh Soal
1. Pada suhu 300K
silikon mempunya muatan bebas electron/Jika
mobilitas elektron adalah 0.14 dan mobilitas hole adalah 0.05
.
Berapakah konduktivitas listrik silikon?
Jawaban:
Semua besaran harus dinyatakan dalam SI agar tidak salah
menconversi.
Elektron bebas dan hole sama dalam semiconduktor instinsik yaitu n=
electron/ = electron/ . Mobilitas electon = 0.14 . Mobilitas hole = 0.05
. Muatan elektron dan hole sama yaitu q = C
Konduktivitas
persamaan

semi

konduktor

intrinsik

bisa

ditentukan

dengan

=
= 304 S
Fisika Material
(FTG3P3)

18

 Konduktivitas silicon yang didoped dengan phospor adalah 150

2.
/ohm.m. Jika mobilitas electron 0.14 , mass jenis silikon 2,33 gram/ dan
massa atomik silikon 28,09 gram/mol. Hitung berapa persen
concentrasi phospor per .
Ingat

Fisika Material
(FTG3P3)

19

3.

semi konduktor tipe n mempunyai elektron bebas sebesar

elektron/ Jika jumlah keadaan yg tersedia di pita konduksi
(density of state) ada elektron/ tentukan posisi energi Fermi
relatif terhadap energi terendah pita konduksi pada suhu 300K.
Jawaban:
Selisih energi Fermi dengan energi terendah pita konduksi bisa
dicari dengan persamaan

ubsititusikan semua nilai yang diketahui pada soal diperoleh hasil

= -0,013 eV

adi energi Fermi terletak 0,013 eV dibawah energi terendah pita konduksi.

Fisika Material
(FTG3P3)

20

Bank Soal

ernyataan berikut yang benar tentang semi konduktor adalah

a. Mempunyai energi gap sekitar 1 keV
b. Material semi konduktor murni berada pada golongan III periodik table
c. Konduktivitas listriknya tergantung pada jumlah muatan bebas
d. Pita valensi dan pita konduksinya overlap

pa efek doping pada semi konduktor

a. Mengubah posisi Fermi level
b. Menurunkan konduktivitas
c. Menurunkan mobilitas elektron
d. Memperlebar band gap

enis semi konduktor apa yang akan terbentuk jika silikon di doped dengan boron
a. Jenis p
b. Jenis n
c. Jenis pn
d. Jenis intrinsik

Fisika Material
(FTG3P3)

21

4. Apa yang kemungkinan akan terjadi jika semi konduktor dipanaskan

a. Konduktivitas listriknya turun
b. Semakin banyak elektron bebas
c. Level energi ferminya tidak berubah
d. Jumlah keadaan pada pita konduksi turun
5. Berikut ini adalah cara menaikkan konduktivitas semi konduktor kecuali
a. Semi konduktor disinari cahaya yang energy lebih besar dari pada energi gap
b. Semi konduktor dihubungkan dengan sumber tegangan listrik
c. Semi konduktor didinginkan
c. Semi konduktor diberi doping
6. Pernyataan berikut menjelaskan sifat semi konduktor intrinsik kecuali
a. Jumlah elektron sama dengan jumlah hole
b. Fermi level berada lebih dekat dengan pita konduksinya.
c. Populasi elektron bebas naik jika suhu dipanaskan
d. Konduktivitasnya tergantung pada mobilitas elektron dan hole
7. Material berikut adalah semi konduktor, kecuali
a. GaAs
b. Ge
c. Si
d. NaCl

Fisika Material
(FTG3P3)

22

Berdasarkan gambar di samping, perkirakan

Fermi energi dari semi konduktor instrinsik tersebut
a. 2 eV
b. 1 eV
c. 0.5 eV
d. 0 eV

1 eV

Masih menggunakan gambar pada soal no 8

erapa minimal energi dari cahaya yang harus digunakan
gar elektron dari pita valensi ke pita konduksi
a. 2 eV
b. 1 eV
c. 0.5 eV
d. 0 eV
Jika semi konduktor pada soal no 8 di doped sehingga menjadi jenis n, berapakah
energi Fermi yang mungkin?
a. 0.2 eV diatas level terendah pita konduksi
b. 0.2 eV dibawah level terendah pita konduksi
c. 0.2 eV diatas level tertinggi pita valensi
d. 0 .2 eV dibawah level tertinggi pita valensi

Fisika Material
(FTG3P3)

23

11.
Jika konduktivitas suatu semi konduktor adalah 100 S/m, mobilitas elektron
adalah 0.2 /Vs, dan mobilitas hole adalah 0.05 /Vs, maka jumlah muatan hole pada
semikonduktor itu adalah
a. 2,5
c. 1,6
b. 2,5
d. 1,6
12. Jika energi gap semi konduktor intrinsik adalah 1,2 eV. Dimanakah letak energi
Fermi pada suhu 300K. Diketahui massa efektif hole 0.4 m0 dan massa efektif
elektron 0.5 m0 dengan m0 adalah massa diam elektron.
a. 0,596 eV dibawah energi tertinggi pita valensi
b. 0.596 eV dibawah energi tertinggi pita konduksi
c. 0.596 eV diatas energi tertinggi pita valensi
d. 0.596 eV diatas energi terendah pita valensi
13. Semi konduktor tipe n mempunyai jumlah elektron donor Jika konduktivitas
listriknya 320 S/m. Tentukan mobilitas elektron
a. 200
c. 0,02
b. 2
d. 0,002

Fisika Material
(FTG3P3)

24

14. Berapa panjang gelombang cahaya yang diperlukan untuk mengeksitasi

elektron dari pita valensi ke pita konduksi jika direct energi gap semi
konduktor adalah 1,5 eV
a. 827 m
c. 1316 m
b. 827 nm
d. 1316 nm

15. Berapa power yang diperlukan untuk mengeksitasi elektron pada semi
konduktor yang energi gapnya 3,1 eV jika cahaya dengan panjang gelombang
400 nm dipaki untuk mengeksitasi elektron-elektron tersebut dalam waktu
satu detik.
a. 0,496 mW
c. 3,1. mW
b. 0,496 W
d. 3,1. W
16. Tentukan jumlah muatan bebas pada semi koduktor silikon pada suhu 300
K jika total jika total keadaan yang dimilikinya adalah /band gapnya 1.1 eV dan
Fermi energinya . Diketahui konstanta Boltzmann 8,62eV/K.
a. 0,6./
c. /
c. 1,1./
d. 5,9. /

Fisika Material
(FTG3P3)

25

17. Semi koduktor silikon mempunyai muatan bebasnya elektron/

pada suhu 300 K. Jika band gapnya 1.1 eV dan Fermi energinya
Tentukan jumlah muatan bebas pada suhu 400K.
a. 2,02. elektron/
c. 2,02. elektron/
b. 2,02. elektron/
d. 1,01.elektron/
18. Semi koduktor silikon di doped dengan phospor sehingga menjadi
semi konduktor tipe p. Jika jumlah keadaan yang tersedia (density of
state) ada / , konsetrasi muatan bebasnya /
dan band gapnya 1.1
eV. Tentukan dimana letak energi Fermi pada suhu 300K
a. 0.08 eV diatas energi tertinggi pita valensi
b. 0.08 eV dibawah energi terendah pita konduksi
c. 0.55 eV diatas energi tertinggi pita valensi
d. 0.55 eV dibawah energi terendah pita konduksi

Fisika Material
(FTG3P3)

26


19.
Berapa konduktivitas listrik dari semi konduktor germanium pada
suhu 400K. Jika diketahui konduktivitas pada suhu 300K adalah 100
S/m dan energi gapnya 0,9 eV. Diasumsikan mobilitas elektron tidak
berubah terhadap suhu dan energi Fermi
a. 0,203.
c. 0,203. S/m
b. 2,03. S/m
d. 2,03. S/m
20. Berapa energi gap semi konduktor intrinsik jika energi Fermi pada
suhu 300K adalah 0,8 eV. Diketahui massa efektif hole 0.4 m0 dan
massa efektif elektron 0.5 m0 dengan m0 adalah massa diam elektron
a. 0.8 eV
c. 2,399 eV
b. 1,599 eV
d. 3,198 eV

Fisika Material
(FTG3P3)

27

Kunci Jawaban
1. c, 2.a, 3. a, 4.b, 5. c, 6. b, 7. d, 8. c, 9. b, 10. b, 11. a, 12. c, 13.
d, 14. b, 15. a, 16.d, 17. b, 18.a, 19.d, 20.b

Fisika Material
(FTG3P3)

28