Semikonduktor adalah bahan yang memiliki konduktivitas antara konduktor dan insulator.

Semikonduktor dapat bersifat konduktor dengan cara diberikan arus listrik tertentu, suhu tertentu,
dan tata cara serta persyaratan tertentu. Jika arus, suhu, dan tata cara tidak sesuai maka bahan
semikonduktor akan bersifat insulator. Penerapan semikonduktor dapat dilihat pada transistor,
diode, sel surya, dan mikroprosesor. Sifat-sifat dari semikonduktor yaitu:

1. Memiliki energy band gap kurang dari 3eV. Band gap lebih sempit daripada insulator tapi
lebih lebar dari konduktor
2. Medium dalam menghantarkan listrik. Tidak sebaik koonduktor, namun juga tidak seburuk
insulator. Konduktivitas listrik rendah pada suhu kamar. Konduktivitas listrik akan
meningkat seiring meningkatnya suhu
3. Resistivitas semionduktor lebih tinggi dari konduktor tapi lebih kecil dari insulator

Bahan semikonduktor yang biasanya digunakan yaitu silicon (Si), Germanium (Ge), dan Galium
Arsenida (GaAs). Ada dua jenis bahan semikonduktro berdasarkan sifat kelistrikannya, yaitu:

1. Semikonduktor instrinsik
- Yaitu bahan semikonduktor murni, contohnya seperti Si dan Ge
- Memiliki hole yang jumlahnya sama dengan electron bebas. Gerakan termal secara
terus menerus menyebabkan terbentuknya pasangan electron hole yang baru, electron
hole yang lain hilang karena adanya rekombinasi
2. Semikonduktor ekstrinsik
Semikonduktor jenis ini yaitu bahan semikonduktro yang telah di doping.
Pendopingan bertujuan untuk meningkatkan konduktivitas bahan semikonduktor. Doping
untuk semikonduktor ini terbagi menjadi dua yaitu:
- Tipe N
Pada tipe ini, bahan semikonduktor didoping dengan golongan VA, sehingga
bahan semikonduktor menjadi kelebihan jumlah electron (ada electron yang tidak
menempati hole). Electron yang berlebih ini memungkinkan pergerakan electron bebas
dalam kondisi tertentu, seperti konduktor. Karena mempunyai electron berlebih, maka
dalam tipe ini, electron sebagai pembawa muatan yang dominan.
𝑛 ≈ 𝑁𝐷
 𝑁𝑖 2
𝑝≈
𝑁𝐷
- Tipe P
Pada tipe ini, bahan semikonduktor didoping dengan golongan IIIA, sehingga
bahan semikonduktor menjadi kelebihan hole atau kekurangan electron. Konduktivitas
bahan tipe ini bergantung pada jumlah hole nya. Karena jumlah hole lebih banyak,
maka pembawa muatan yang dominan yaitu hole.
𝑝 ≈ 𝑁𝐴
𝑁𝑖 2
𝑛≈
𝑁𝐴

Dalam mempelajari semikonduktor, akan dikenal istilah Drift. Drift yaitu proses pergeseran
muatan partikel karena adanya medan listrik (muatan negative adalah electron, dan muatan positif
adalah hole). Pergerakan suatu electron akan berbanding terbalik dengan arus, sedangkan
pergerakan hole akan searah dengan arus. kecepatan semikonduktor dapat dituliskan sebagai
berikut:

𝜇0
𝑣=±
𝜇 𝐸
1 + 𝑣0
𝑠𝑎𝑡

𝑣𝑠𝑎𝑡 yaitu kecepatan maksimum suatu muatan partikel, dan ± menunjukkan (+) untuk hole dan (-
) untuk electron. Sifat dari semikonduktor sendiri berkaitan dengan resistivitas dan juga
konduktivitas. Konduktivitas semikonduktor dapat ditulis sebaga berikut:

𝜎 = 𝑞𝑝𝜇𝑝 + 𝑞𝑛𝜇𝑛

Resistivitas semikonduktor dapat ditulis sebagai berikut:

1
𝜌=
𝜎

Aplikasi semikonduktor dalam kehidupan yaitu pada dioda dan transistor. Dioda terbentuk
dari hubungan P-N.
Gambar a merupakan bias maju dan gambar b merupakan bias mundur. Pada hubungan ini,
meskipun hanya disambung saja (tidak diberi tegangan), sudah terdapat tegangan yang bergantung
pada suhu. Built-in potensial dapat dirumuskan sebagai berikut:

𝑘𝑇 𝑁𝐴 𝑁𝐷
𝑉0 = 𝑙𝑛
𝑞 𝑛𝑖 2

Band gap merupakan celah energi antara pita valensi (terisi electron) dan pita konduksi
(terisi hole). Energi band gap yaitu energi yang dibutuhkan untuk electron bereksitasi dari pita
valensi menuju pita konduksi. Pada semikonduktor, energi band gap yang dibutuhkan untuk
electron bereksitasi yaitu kurang dari 3 eV. Band gap ada dua macam yaitu:

1. Direct band gap

Pada direct band gap, electron dapat langssung bereksitasi dari keadaan tertinggi pita
valensi menuju keadaan terendah pita konduksi.

2. Indirect band gap

 Pada indirect band gap, keadan tertinggi pita valensi tidak lurus dengan keadaan terendah
pita konduksi, sehingga electron tidak dapat langsung bereksitasi, harus ada perubahan
momentum.

Pengukuran band gap untuk bahan semikonduktor, dapat digunakan Metode taue plot. Metode taue
plot dapat dijelaskan sebagai berikut (dengan mengambil n=1/2):

a. Data yang keluar adalah transmitasi (%) terhadap panjang gelombang (nm).
b. Kemudian dibuat grafik hubungan antara αhv2 terhadap hv.
c. Dengan melakukan ekstapolasi bagian linier αhv2 terhadap hv memotong absis, maka
diperoleh nilai energi yang dinamakan celah energi (band gap).