SEMIKONDUKTOR TIPE P DAN N

Semikonduktor merupakan bahan yang memiliki konduktivitas atau

penghantaran listrik diantara isolator(menghambat listrik) dan
konduktor(mengalirkan listrik). Semikonduktor digunakan dalam peralatan
elektronik.Seperti digunakan pada dioda, microchips ataupun IC(Integrated
Circuit) yang bahan penyusun semikonduktor dapat diperoleh dari atom
dengan Elektron Valensi bernilai 4 seperti Silikon (Si), Karbon(Ca) dan
Germanium (Ge).

Yang kemudian Semikonduktor terbagi menjadi dua jenis yaitu

Semikonduktor Intrisik dan Semikonduktor Ekstrinsik yang kemudian pada
Semikonduktor Ekstrinsik terbagi lagi menjadi Semikonduktor Tipe P dan
Semikonduktor Tipe N. Semikonduktor Ekstrinsik merupakan semikonduktor
yang telah di beri bahan pengotor atau doping sehingga terbentuk sifat
Semikonduktor Tipe P dan Semikonduktor Tipe N. Apa itu Semikonduktor
Tipe P dan Semikonduktor Tipe N mari kita ulas di penjelasan berikut.

Berikut adalah contoh dari atom silicon dan germanium :

Pengertian Semikonduktor Tipe P

Semikonduktor Tipe P adalah semikonduktor ekstrinsik dengan sifat

positif karena semikonduktor tipe terdapat hole/lubang yang lebih banyak
dibandingkan dengan jumlah elektron pada semikonduktor. Bagaimana
Semikonduktor Tipe P terbentuk? Semikonduktor tipe p terberntuk dari
semikonduktor ekstrinsik yang telah di beri bahan pengotor atau doping
atom yang berasal dari golongan 3 seperti Boron(B), Galium (Ga) dan
Aluminium(Al).

Berikut adalah contoh interaksi antara atom silicon dan gallium :

Pengertian Semikonduktor Tipe N

Pada Semikonduktor Tipe N adalah semikonduktor ekstrinsik dengan

sifat negatif karena pada semikonduktor terdapat jumlah elektron yang lebih
banyak dibandingkan dengan jumlah hole yang terdapat pada semikonduktor
Untuk dapat membentuk Semikonduktor Tipe N diperoleh dari
semikonduktor ekstrinsik yang telah diberi pengotor atau doping yang
berasal dari atom yang berasal dari golongan 5 seperti Phospor(P), Arsen(As)
dan Antimon(Sb). Dari atom golongan 5 yang mengotori semikonduktor
menyebabkan jumlah elektron lebih banyak dibandingkan dengan hole pada
semikonduktor sehingga semikonduktor dikatakan memiliki sifat negatif.Atom
pengotor pada semikonduktor tipe n disebut dengan atom donor karena
mendonorkan elektron ke semikonduktor.

Berikut adalah contoh interaksi antara atom silicon dan gallium :

ELECTRON VS HOLE FLOW

Aliran elektron mengacu pada pergerakan elektron yang bermuatan negatif

dalam bahan semikonduktor atau konduktor. Elektron memiliki muatan negatif dan
bergerak dari potensial rendah ke potensial tinggi dalam respons terhadap medan
listrik. Dalam konteks aliran arus listrik, arah aliran elektron sering kali ditentukan dari
terminal negatif ke terminal positif (seperti pada sirkuit DC). Dalam konteks aliran
elektron, elektron bergerak dari area dengan kelebihan elektron (seperti dalam
bahan semikonduktor tipe N) ke area dengan kekurangan elektron (seperti dalam
bahan semikonduktor tipe P).

Hole (lubang) adalah konsep dalam bahan semikonduktor yang mewakili

kekurangan elektron atau kekosongan elektron dalam struktur kristal. Ketika atom
dopan positif (seperti boron atau galium) dimasukkan ke dalam bahan
semikonduktor (seperti silikon atau germanium), atom dopan ini menciptakan
kekosongan elektron dalam struktur kristal. Hole merupakan konsep yang digunakan
untuk menggambarkan kekosongan ini. Hole berperilaku seolah-olah memiliki
muatan positif dan bergerak ke arah berlawanan dengan aliran elektron. Dalam
konteks aliran arus listrik, hole dianggap bergerak dari potensial tinggi ke potensial
rendah, yang berlawanan dengan arah aliran elektron.
MAJORITY DAN MINORITY CARRIER

 Pembawa Muatan Mayoritas (Majority Carriers):

Pembawa muatan mayoritas adalah jenis pembawa muatan yang memiliki

konsentrasi lebih tinggi dalam bahan semikonduktor. Dalam bahan
semikonduktor tipe N, seperti silikon yang didoping dengan atom dopan
negatif, elektron menjadi pembawa muatan mayoritas karena konsentrasi
elektron yang tinggi. Sebaliknya, dalam bahan semikonduktor tipe P, seperti
silikon yang didoping dengan atom dopan positif, hole menjadi pembawa
muatan mayoritas karena konsentrasi hole yang tinggi. Pembawa muatan
mayoritas ini memberikan kontribusi utama terhadap konduktivitas listrik
dalam bahan semikonduktor.

 Pembawa Muatan Minoritas (Minority Carriers):

Pembawa muatan minoritas adalah jenis pembawa muatan yang memiliki

konsentrasi lebih rendah dibandingkan pembawa muatan mayoritas dalam
bahan semikonduktor. Dalam bahan semikonduktor tipe N, hole menjadi
pembawa muatan minoritas karena konsentrasi hole yang lebih rendah
daripada konsentrasi elektron. Dalam bahan semikonduktor tipe P, elektron
menjadi pembawa muatan minoritas karena konsentrasi elektron yang lebih
rendah daripada konsentrasi hole. Pembawa muatan minoritas ini memiliki
kontribusi yang lebih kecil terhadap konduktivitas listrik dalam bahan
semikonduktor
MEKANISME ATOM PADA DIODE TYPE PN JUNCTION

Dalam dioda tipe PN junction, terjadi interaksi antara atom-atom dalam

daerah P dan daerah N yang membentuk junction di antara keduanya.
Berikut adalah penjelasan mekanisme atom yang sederhana pada dioda PN
junction:

1. Difusi: Difusi adalah gerakan atom atau partikel dari daerah dengan
konsentrasi tinggi ke daerah dengan konsentrasi rendah. Dalam dioda
PN, elektron bergerak dari daerah N ke daerah P, sementara hole
bergerak dari daerah P ke daerah N. Hal ini terjadi karena elektron
cenderung bergerak dari tempat dengan banyak elektron ke tempat
dengan kurang elektron, dan sebaliknya untuk hole.
2. Rekombinasi: Ketika elektron dari daerah N berdifusi ke daerah P, ia
dapat bertemu dengan hole yang ada di daerah P. Ketika elektron dan
hole bertemu, mereka dapat bergabung dan saling menetralisir,
menghasilkan energi dalam bentuk panas atau cahaya. Hal ini disebut
rekombinasi. Rekombinasi membantu mengurangi jumlah pembawa
muatan di daerah P dan daerah N.
3. Lapisan Depletion: Lapisan depletion adalah lapisan tipis yang
terbentuk di sekitar junction dioda PN. Lapisan ini terdiri dari ion-ion
bermuatan positif dan negatif. Pada awalnya, ketika dioda tidak diberi
tegangan, lapisan depletion ini mencegah aliran arus dan memisahkan
daerah P dan daerah N. Namun, ketika dioda diberi tegangan maju,
lapisan depletion menjadi tipis, memungkinkan arus untuk mengalir
melalui dioda. Sebaliknya, ketika dioda diberi tegangan mundur,
lapisan depletion menjadi lebih lebar, menghambat aliran arus.
MEKANISME BIAS TERBALIK PADA DIODE TYPE PN JUNCTION

Mekanisme bias terbalik pada dioda PN junction adalah ketika dioda diberi
tegangan dengan polaritas yang menyebabkan lapisan depletion di junction
melebar. Dalam bahasa yang sederhana, berikut adalah penjelasan
mekanisme bias terbalik dioda PN junction:

Ketika dioda PN junction diberi tegangan bias terbalik, yakni terminal positif
dihubungkan ke daerah N dan terminal negatif dihubungkan ke daerah P,
terjadi beberapa hal:

1. Melebarnya Lapisan Depletion: Tegangan bias terbalik menyebabkan

elektron pada daerah N dan hole pada daerah P didorong menjauh
dari junction. Hal ini membuat lapisan depletion di junction melebar
karena kurangnya pembawa muatan. Lapisan depletion yang melebar
menciptakan hambatan terhadap aliran arus.
2. Arus yang Sangat Kecil: Karena lapisan depletion yang melebar dan
pembatasan arus yang dihasilkannya, arus yang mengalir melalui
dioda pada kondisi bias terbalik sangat kecil atau bahkan dapat
diabaikan. Hal ini disebabkan oleh hambatan yang dibentuk oleh
lapisan depletion dan kurangnya pembawa muatan yang berkontribusi
pada arus.
3. Efek Penahanan Arus: Bias terbalik dioda PN junction menciptakan
efek penahanan arus, yakni dioda hampir tidak mengizinkan aliran
arus dalam kondisi ini. Hanya sedikit arus yang mengalir melalui dioda
PN dalam bias terbalik, yang disebabkan oleh arus kecil pembawa
muatan minoritas yang melintasi lapisan depletion.
4. Perlindungan Terhadap Arus Mundur yang Besar: Bias terbalik dioda
PN junction memberikan perlindungan terhadap arus mundur yang
besar. Dalam kondisi bias terbalik, dioda PN junction bertindak
sebagai penghalang untuk arus yang mengalir ke arah sebaliknya dari
polaritas dioda. Ini memastikan bahwa arus mundur yang berlebihan
tidak mengalir melalui dioda, melindungi sirkuit atau komponen
elektronik lainnya.

Mekanisme bias terbalik pada dioda PN junction penting dalam memahami

sifat penahanan arus dan perlindungan dioda terhadap arus mundur yang
berlebihan.
MEKANISME BIAS MAJU PADA DIODE TYPE PN JUNCTION

Mekanisme bias maju pada dioda PN junction adalah ketika dioda diberi
tegangan dengan polaritas yang menyebabkan lapisan depletion di junction
menipis. Dalam bahasa yang sederhana, berikut adalah penjelasan
mekanisme bias maju dioda PN junction:

Ketika dioda PN junction diberi tegangan bias maju, yakni terminal positif
dihubungkan ke daerah P dan terminal negatif dihubungkan ke daerah N,
terjadi beberapa hal:

1. Menipisnya Lapisan Depletion: Tegangan bias maju menyebabkan

elektron pada daerah N dan hole pada daerah P didorong mendekati
junction. Hal ini membuat lapisan depletion di junction menipis karena
elektron dan hole yang bergerak mendekat. Lapisan depletion yang
menipis mengurangi hambatan terhadap aliran arus.
2. Arus yang Mengalir: Dalam kondisi bias maju, lapisan depletion yang
menipis memungkinkan arus untuk mengalir melalui dioda dengan
leluasa. Elektron dari daerah N bergerak ke daerah P dan bertemu
dengan hole, sehingga arus elektron dapat mengalir dari terminal
negatif ke terminal positif dioda.
3. Konduktivitas yang Tinggi: Bias maju dioda PN junction memberikan
konduktivitas yang tinggi. Dalam kondisi ini, dioda PN junction
berperilaku sebagai konduktor yang baik, mengizinkan aliran arus
listrik dengan rendahnya hambatan. Hal ini memungkinkan dioda
digunakan untuk mengendalikan aliran arus dalam sirkuit elektronik.

Mekanisme bias maju pada dioda PN junction penting dalam

memahami sifat konduktif dan kemampuan dioda untuk
menghantarkan arus listrik dalam satu arah dengan tegangan yang
lebih rendah.