Nama: Thara Syahtria

NIM: 1303157013

Tugas: Kimia Material

1. Tentukan tingkat-tingkat tenaga dalam model atom hidrogen

2. Jelaskan dengan singkat:
a. Apakah perbedaan antara konduktor dan semikonduktor ditinjau dari tingkat
energi dan konduktivitasnya
b. Apakah yang terjadi dengan tingkatan energinya jika sebuah silikon diberi tak
murnian As?
c. Gambarkan tingkat fermi dari Si sebelum dan sesudah dibubuhi dengan As?

Jawab:

2.a. sifat konduktivitas yaitu kemampuan suatu bahan untuk menghantarkan listrik.
Dalam konduktivitas digunakan pita energi yang dibagi dua yaitu pita valensi dan pita
konduksi. Berikut adalah gambar dari konduktor dan semikonduktor

Pita valensi
Pita valensi
Band gap Band gap
Pita konduksi

Pita konduksi

Konduktor

Pada konduktor, jarak antara pita valensi dan pita konduksi (band gap) hampir tidak
ada atau dapat dikatakan kecil, sehingga elektron dapat dengan mudah loncat dari pita
konduksi ke pita valensi yang mengakibatkan terbentuknya arus listrik.

Semikonduktor

Pada semikonduktor, adanya jarak antara pita valensi dan pita konduksi (band gap)
atau dapat dikatakan besar, sehingga dubutuhkan energi agar elektron dapat loncat
dari pita konduksi ke pita valensi sehungga terbentuknya arus listrik.

Mobilitas dan konduktivitas

Arus listrik pada logam terjadi karena perpindahan elektron. Pada semikonduktor
bergantung pada elektron dan hole. Semikonduktor dapat diatur dengan di doping
untuk membuat hole menjadi lebih dominan dibandingkan elektron yaitu dikatakan
tipe-p. Dan sebaliknya jika elektron lebih dominan dibandingkan hole disebut tipe-n.
semikonduktor tipe-n memiliki elektron bebas lebih banyak dibandingkan tipe-p
begitu juga sebaliknya. Pada tipe-n yang bertindak membawa muatan adalah elektron
karena lebih dominan dibandingkan jumlsh hole begitu pula pada tipe-p. Untuk
memperbesar konduktivitas, semikonduktor di doping sehingga dapat diatur atau
diubah menjadi tipe-p atau tipe-n sesuai kebutuhan. Hal ini disebut semikonduktor
ekstrinsik. Adanya impurities akan muncul tingkat energi yang diperbolehkan
dibawah energi pita konduksi terendah yaitu sekitar ~0.01 ev dan ~0.05 ev (untuk Si)
sehingga pada suhu kamar hampir sama elektron donor berada pada pita konduksi.