Ikatan Logam
Ikatan logam ditakrifkan sebagai
tarikan elektrostatik antara ion
logam yang bercas positif dan laut
elektron.
Dalam logam elektron valens (petala
luar) bebas bergerak diseluruh logam
ini menyebabkan logam adalah
bahan konduktor elektrik dan haba
yang baik.
Kekonduksian elektrik
Kekonduksian Elektrik
Logam dapat menkonduksi arus elektrik
kerana logam mempunyai jalur tenaga
yang separa diisikan dengan elektronelektron.
Dalam jalur tenaga logam, elektronelektron yang ada untuk pengikatan logam
tidak mengisi penuh orbital-orbital yang
disediakan. Jalur tenaga yang elektronelektronnya bebas bergerak diantara jalur
valens dan jalur konduksi.
Kekonduksian elektrik logam berkurangan
apabila suhu dinaikkan kerana
pertambahan suhu menyebabkan ion
logam bergetar lebih banyak dengan itu
rintangan bertambah dan kekonduksian
berkurangan
Penebat
Carbon dalam bentuk intan adalah penebat tetapi
dalam bentuk rod karbon adalah konduktor elektrik.
C mempunyai struktur elektronik 1s 2 2s2 2p2
Apabila orbital atom 2s dan 2p berpadu untuk
membentuk jalur valens (elektron diisi penuh) dan
jalur konduksi, satu dari jalur diisi penuh dengan
elektron dan yang lain tidak mengandungi elektron.
Dalam intan terdapat satu celah tenaga yang
besar diantara jalur valens dgn jalur konduksi. Oleh
kerana elektron tidak boleh melintasi celah tenaga
tersebut menyebabkan intan menjadi penebat.
Sebaliknya dalam rod carbon, celah tenaga
diantara jalur valens dan jalur konduksi adalah kecil
maka elektron dapat melompat ke jalur konduksi
maka ia menjadi konduktor.
Semikonduktor
Silikon (Si) dan germanium (Ge) merupakan contoh semokonduktor.
Celah tenaga antara jalur valens dan jalur konduksi juga wujud dalam
semokonduktor tetapi celah ini lebih kecil daripada penebat.
Pada suhu bilik beberapa elektron dlm semikonduktor mempunyai
tenaga yang mencukupi untuk dinaikkan ke jalur konduksi.Elekton ini
bebas bergerak dalam jalur konduksi menyebabkan ia boleh
mengkonduksi elektrik.
Semikonduktor mempunyai kekonduksian elektrik yang lebih rendah
dari logam kerana bilangan elektron yang hadir dalam jalur konduksi
lebih sedikit.