LABORATORIUM ZAT PADAT/SOLAR ENERGI II

Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam

Universitas Sumatera Utara
Jln. Bioteknologi No.1 Kampus USU, Medan 20155

BAB I

PENDAHULUAN

1.1 LatarBelakang
Semikonduktor adalah suatu benda yang tidak dapat menghantarkan arus listrik pada suhu
rendah, yang berati semikonduktor hanya dapat menghantarkan arus listrik pada suhu tinggi.
Semikonduktor disebut juga sebagai bahan setengah penghantar listrik. Suatu semikonduktor
bersifat sebagai insulator jika tidak diberi arus listrik dengan cara dan besaran arus tertentu,
namun pada temperatur, arus tertentu, tatacara tertentu dan persyaratan kerja semikonduktor
berfungsi sebagai konduktor, misal sebagai penguat arus, penguat tegangan dan penguat daya.
Untuk menggunakan suatu semikonduktor supaya bisa berfungsi harus tahu spesifikasi
dan karakter semikonduktor itu, jika tidak memenuhi syarat operasinya maka akan tidak
berfungsi dan rusak. Bahan semikonduktor yang sering digunakan adalah silikon, germanium,
dan gallium arsenide.Semikonduktor sangat berguna dalam bidang elektronik, karena
konduktansinya yang dapat diubah-ubah dengan menyuntikkan materi lain (biasa disebut
pendonor elektron). Dioda adalah komponen elektronika yang pada dasarnya adalah
mempertemukan bahan semikonduktor jenis P dan semi konduktor jenis N.
Dioda memiliki nilai resistensi yang sangat rendah hingga nilai resistansi yang tinggi
terhadap aliran arus yang melaluinya. Karakteristik ini sangat memungkinkan menggunakan
dioda dalam berbagai aplikasi sesuai kebutuhan arus yang digunakan dalam sebuah rangkaian
elektronik. Dioda dapat dilalui arus yang tidak terbatas dalam satu arah dan tidak dapat dilalui
arus dari arah sebaliknya. Selain itu, dioda akan meneruskan aliran arus listrik dari nilai
tegangan kecil yang dimasukkan. Dalam prakteknya, tegangan kecil harus dimasukkan
sebelum proses konduksi terjadi. Kebocoran arus kecil akan mengalir dalam arah sebaliknya,
kebocoran arus biasanya muncul dari arus maju.
Oleh sebab itu pada praktikum ini akan dibahas mengenai karakteristik bahan
semikonduktor yaitu germanium dan silikon pada komponen elektronika dioda, yang mana
nantinya akan dapat menentukan pengaruh arus listrik yang diberikan terhadap tegangan yang
dihasilkan dari bahan semikonduktor tersebut.

1.2 Tujuan
1. Untuk mengetahui pengaruh kuat arus pada dioda semikonduktor germanium dan silikon.
2. Untuk mengetahui karakteristik dioda semikonduktor.
3. Untuk mengetahui aplikasi semikonduktor.
 LABORATORIUM ZAT PADAT/SOLAR ENERGI II
Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam
Universitas Sumatera Utara
Jln. Bioteknologi No.1 Kampus USU, Medan 20155

BAB II

LANDASAN TEORI

Sifat listrik dari logam dan isolator sangat dikenal oleh kita semua. Logam cenderung
menghantarkan arus listrik dengan baik. Inilah sebabnya mengapa kabel konektor biasa biasanya
terdiri dari seikat kawat tembaga. Sebaliknya, isolator tampaknya tidak menghantarkan arus
listrik sama sekali, dan oleh karena itu biasanya dimanfaatkan dalam bidang properti. Dapat
dilihat penggunaan isolator dibusi yang menyala pada mobil dimana kita ingin menyimpan
percikan tegangan yang sangat tinggi dari sisa blok mesin, dan dapat dilihat isolator dapat
menahan kabel listrik tegangan tinggi.
Isolator kemudian menjadi sangat baik dalam menghalangi arus listrik. Meskipun
pengalaman sehari-hari telah banyak mengajarkan kita tentang sifat listrik logam dan isolator, hal
yang sama tidak dapat dikatakan tentang semikonduktor. kita dapat dengan mudah mendapatkan
sampel logam atau isolator untuk bereksperimen untuk menemukan sifat listriknya, namun bahan
semikonduktor, seperti germanium atau silikon, tidak tersedia untuk kita. Ini bukan merupakan
penyelesaian besar bagi kita bila perbedaan konduktivitas listrik antara logam dan isolator.
Tujuannya adalah mencoba dan mencari tahu mengapa logam merupakan konduktor arus listrik
yang baik, mengapa isolator tampaknya tidak melakukan sama sekali dan seberapa baik (atau
buruknya) semikonduktor melakukannya.
Pendekatan yang akan kita gunakan untuk memahami perilaku semikonduktor, isolator
dan logam yang sangat berbeda disebut teori pita padatan. Pada suhu yang sangat rendah, pita
valensi penuh, dan pita konduksi kosong. Ingat bahwa full band tidak bisa mengencangkan
sebuah pita yang tidak bisa kosong. Pada suhu rendah, oleh karena itu semikonduktor tidak
melakukan, semikonduktor berperan seperti isolator. Jika energi dipasok untuk mengambil
elektron dari pita valensi, melintasi celah energi penghalang, naik ke pita konduksi, dari pada
elektron yang telah berhasil mencapai kondisi ini sekarang tersedia untuk konduksi. Selain itu
sekarang ada ruang elektron kosong yang tersisa di pita valensi. Keadaan kosong ini disebut
lubang dan berperilaku seperti pembawa muatan positif dengan besaran muatan yang sama
adalah elektron, namun tanda sebaliknya.
Dimana pita konduksi diisi oleh elektron yang meninggalkan jumlah yang sama dari
keadaan kosong (lubang) pada pita valensi. Ini adalah komponen penting dari semikonduktor
intrinsik atau undoped. Jumlah elektron dalam pita konduksi harus sama dengan jumlah lubang
pada pita valensi karena masing-masing elektron telah menghasilkan satu lubang. Untuk
semikonduktor ekstrinsik atau doped dimana kita dapat menempatkan n kelebihan elektron untuk
 LABORATORIUM ZAT PADAT/SOLAR ENERGI II
Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam
Universitas Sumatera Utara
Jln. Bioteknologi No.1 Kampus USU, Medan 20155

lubang ke dalam bahan, ini lebih bertahan lama. Lubang di pita valensi mampu membawa sedikit
arus dengan cara yang sama seperti elektron pada pita konduksi, kecuali lubang itu memiliki
muatan positif. Lubang itu bukan partikel bebas, hanya bisa ada di dalam padatan dimana ada
elektron yang hilang dari pita yang lain. Lubang hanyalah sebuah keadaan elektron kosong, ada
yang mengatakan elektron yang hilang.
Sehingga, tidak bisa membuat celah lubang dengan cara yang sama seperti saat kita
membuat senapan elektron karena sebuah lubang bukanlah partikel bebas. Semikonduktor berada
pada suhu yang terbatas sehingga beberapa elektron telah panas secara termal terhadap pita
konduksi yang meninggalkan keadaan kosong, lubang, di bagian atas pita valensi. Karena lapisan
sekarang penuh lagi, sehingga memungkinkan melakukan arus listrik dan inilah yang terjadi pada
lubangnya. Bila material dapat dilakukan oleh elektron dalam pita konduksi dan dengan lubang di
pita valensi kita katakan bahwa materialnya adalah konduktor bipolar (dua pembawa). Perhatikan
energi elektron yang meningkat adalah pada y-direction positif.
Kita harus menyediakan energi untuk elektron agar mereka bisa melewati celah energi
penghalang. Sebaliknya, energi lubang naik ke bawah (sedikit pemikiran akan menunjukkan
bahwa ini tidak mungkin terjadi) dan lubang yang lebih berkekuatan ditemukan lebih rendah di
pita valensi. Sehingga mengakibatkan perbedaan energi antara bagian atas pita valensi dan
bagian bawah pita konduksi disebut celah energi atau celah pita semikonduktor.
Ini mungkin merupakan parameter tunggal yang paling penting yang menggambarkan
perilaku semikonduktor dan ini memberi tahu kita banyak tentang semikonduktor. Silikon
memiliki celah pita sekitar 1.1eV pada suhu kamar (celah pita semikonduktor biasanya sedikit
berbeda dengan suhu) sehingga elektron harus memperoleh energi 1.1eV untuk melewati celah
pita. Energi termal dapat meningkatkan elektron tetap sebagai energi termal yang dapat dikurangi
pada suhu kamar hanya 25meV, hanya sedikit elektron yang akan secara khusus tertarik pada pita
konduktor pada suhu kamar. Jika berpikir bahwa tidak ada elektron yang harus mencapai pita
konduksi jika jaraknya 1.1eV dan hanya 25meV yang tersedia, dari pada kita harus sedikit lebih
dalam ke dalam teori dan mengatakan bahwa tingkat eksitasi sebanding dengan fungsi
eksponensial. Jadi, meski lajunya sangat rendah pada suhu kamar, ini adalah fungsi suhu yang
kuat dan meningkat secara eksponensial dengan meningkatnya suhu.
Untuk bahan semikonduktor umum (Si, GaAs) dan untuk medan listrik rendah, elektron
tidak dapat dipromosikan melintasi celah pita. Bidang yang dibutuhkan untuk mendapatkan
energi elektron kecil dan karena alasan ini, eksitasi oleh mekanisme ini bukanlah cara normal
untuk mempromosikan elektron. Setelah menjelaskan tentang semikonduktor pada pita valensi,
medan listrik sangat tinggi yang dapat mempromosikan elektron memang ada di beberapa
perangkat, dan beberapa perangkat memanfaatkannya. Pada kenyataannya terdapat kebanyakan
gangguan lainnya yang biasa terjadi pada bahan semikonduktor, efek semacam itu biasanya
merugikan dan bisa menghancurkan perangkat. (Parker Greg, 1994)
 LABORATORIUM ZAT PADAT/SOLAR ENERGI II
Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam
Universitas Sumatera Utara
Jln. Bioteknologi No.1 Kampus USU, Medan 20155

Celah energi antara tingkatan fermi dari sebuah bahan dan tingkatan vakum disebut fungsi kerja.
Dimensinya seperti energi, biasanya digunakan satuan eV. Bila energi ferminya telah rata, maka
terjadi dua daerah pada semikonduktor itu, yaitu daerah muatan ruang yang berada dekat dengan
permukaan semikonduktor dimana hanya terdapat donor yang diionisasikan, dan daerah netral
dimana terdapat jumlah muatan positif dan negatif sama. Perpindahan elektron akan berhenti bila
FF = 0, hasilnya jumlah elektron pada semikonduktor menurun, dan semikonduktor menjadi
bermuatan positif. Muatan-muatan positif mengionisasi donor yang menempati suatu lebar
tertentu pada semikonduktor terhadap bidang pertemuan semikonduktor.
Elektron lebih memasuki memasuki logam tetapi jumlahnya dapat diabaikan
dibandingkan dengan elektron-elektron dari logam itu sendiri. Terjadi medan listrik yang arahnya
dari semikonduktor menuju logam dalam daerah muatan ruang yang disebabkan oleh muatan
positif, menghalangi arus elektron yang berasal dari daerah logam.Medan listrik ini menaikkan
tegangan daerah muatan ruang, hal ini disebut tegangan barir karena menghalangi aliran elektron-
elektron bebas. Tegangan barir ini memberikan berbagai fungsi seperti sifat rektifikasi. Barir ini
disebut juga barir schottky. Pada komponen yang memiliki tegangan barir, arus mengalir dalam
berbagai jalan tergantung pada polaritas tegangan yang diberikan.
Karena tidak ada perbedaan konsentrasi, elektron-elektron yang mengalir dari logam ke
semikonuktor mempunyai konsentrasi yang sama dengan arah sebaliknya, maka arus saling
menghapuskan, yang menghasilkan arus nol. Anggap bahwa arus sebanding dengan konsentrasi
pembawa, maka dapat dimengerti bahwa dimana terdapat barir schottky besarnya arus berubah
dengan polaritas dari bias dan hubungan semacam itu mempunyai peranan pada penyearah.
Hubungan p-n merupakan dasar dari elektronik semikonduktor. Sifat hubungan p-n harus
dimengerti dengan benar, ini penting karena merupan kunci agar dapat memahami elektronik
seikonduktor.
Hubungan p-n tidak bisa dibentuk hanya dengan menghubungkan semikonduktor tipe p
dan tipe n begitu saja. Akan didapat hubungan p-n bila kita rubah sebagian dari substrat kristal
menjadi tipe n dengan menambah donor dan bagian yang lain menjadi tipe p dengan menambah
aseptor. Dengan kata lain harus mmpunya struktur kristal yang kontinu. Ada beberapa cara untuk
menghasilkan hubungan p-n yang mempunyai konsentrasi ketidak murnian.
Tinjau apa yang terjadi ketika hubungan p-n terbentuk yamg dapat menunjukkan proses
yang disederhanakan dalam bentuk bidang. Positf dan negatif menunjukkan masing-masing
aseptor yang diionisasikan dan donor yang diionisasikan. Donor dan aseptor tidak dapat
berpindah bebas pada temperatur normal, aseptor membentuk semikonduktor tipe p dan donor
membentuk tipe n yang disertai dengan jumlah hole dan elektron yang sama, dan kedua daerah
itu sifat listriknya netral. Hole dan elektron itu merupakan pembawa elektron bebas yang dapat
dinikkan tingkatnya kejalur konduksi dan juga dapat dalam jalur valensi. Pembawa-pembawa ini
berdifusi kedaerah yang mempunyai konsentrasi rendah dan berkombinasi satu sama lain.
 LABORATORIUM ZAT PADAT/SOLAR ENERGI II
Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam
Universitas Sumatera Utara
Jln. Bioteknologi No.1 Kampus USU, Medan 20155

Misalnya karena hole dalam tipe p lebih tinggi konsentrasinya daripada hole dalam tipe n, maka
berdifusi dari daerah tipe p ke tipe n. Proses yang sama terjadi pada elektron, tetapi proses ini
tidak terjadi secara terus menerus. Bila meninggalkan daerah tipe p dan hilang kedalam daerah
tipe n karena berkombinasi, sebuah aseptor akan diionisasikan menjadi negatif dalam daerah tipe
p itu, yang membentuk muatan ruang negatif.
Hal yang sama terjadi pula pada elektron yang meninggalkan muatan ruang positif pada
daerah tipe n, ini membangkitkan medan listrik yang mulai dari ruang bermuatan positif, berakhir
pada ruang bermuatan negatif.
Medan listrik ini menghambat hole untuk berdifusi dari tipe p ke tipe n, juga demikian
pada elektron terhambat berdifusi dari tipr n ke tipe p. Medan listrik bertambah kuat bila lebih
banyak pembawa berdifusi dan berkombinasi. Akhirnya aliran pembawa berhenti setelah
mendapat keseimbangan antara difusi dan hanyutan dari pembawa-pembawa yang disebabkan
oleh medan listrik yang berlawanan arahnya. Keadaan itu disebut keadaan seimbang. Dalam
keadaan seimbang didalam hubungan p-n terbentuk daerah :
• Daerah tipe p netral: daerah dimana jumlah hole sama dengan jumlah aseptor.
• Daerah muatan ruang tipe p: daerah dimana aseptor diionisasikan negatif.
• Daerah muatan ruang tipe n: daerah dimana donor diionisasikan negatif.
• Daerah tipe n netral: daerah dimana jumlah donor sama dengan jumlah elektron.
Daerah 2 dan 3 bersmama sama disebut daerah muatan ruang atau lapisan deplesi atau
dipol listrik. Dalam daerah ini terdapat medan listrik walaupun pada hubungan p-n tidak diberi
tegangan. Medan ini disebut medan dalam atau medan built-in. Dalam kedua daerah tidak
terdapat medan, medan dalam dapat ditentukan sebagai berikut: Jn adalah arus elektron, dalam
keadaan seimbang sama dengan nol. Secara ringkas, bila tipe p dan tipe n dibentuk dalam substrat
kristal tunggal, terbentuk daerah muatan ruang pada pembatasnya dan timbul medan listrik dalam
daerah itu walaupun berada pada keseimbangan panas, menghasilkan pula beda tegangan yang
disebut tegangan difusi, banyak macam cara untuk fabrikasi hubungan p-n.
Tidak ada fabrikasi yang sesuai, tetapi ada metoe sepesial yang tergantung pada tiap
bahan yang dipakai, secara umum dapat dikatakan bahwa metode paduan digunakan pada
fabrikasi Ge, sedangkan untuk Si dengan metode difusi panas. Distribusi ketidak murnian pada
hubungan p-n secara kasar terbagi dua tipe. Perbedaan ini memberikan pengaruh besar pada
karakteristik listrik dan hubungan p-n, dengan adanya perbedaan distribusi muatan ruang ini akan
terbentuklah lapisan depleksi.
Berdasarkan perbedaan distribusi muatan ruang pada bermacam-macam tipe hubungan.
Aseptor pada tipe p dan donor pada tipe n keduanya didistribusikan secara uniform, yang
menghasilkan distribusi muatan yang melangkah yang ditimbulkan pada waktu pembentukan
hubungan. Hubungan semacam ini terdapat pada metode paduan dan metode epikasi. Distribusi
muatan ruang yang dihasilkan oleh hubungan dengan distribusi konsentrasi tidak murnian donor
 LABORATORIUM ZAT PADAT/SOLAR ENERGI II
Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam
Universitas Sumatera Utara
Jln. Bioteknologi No.1 Kampus USU, Medan 20155

dan aseptor yang bervariasi secara linier. Hubungan semacam ini terbentuk bila ketidak murnian
aseptor dimasukkan kedalam wafer Si tipe n yang didoping dengan nonor uniform, yang
didifusikan secara panas dari satu sisi. (S.Reka Rio, 1999)
Sebuah dioda pemancar cahaya (LED) adalah sebuah dioda kontinyu P-N bias maju yang
dipancarkan khusus yang memancarkan cahaya tampak saat diberi energi. Ketika dioda juksi bias
maju, elektron dari sisi n dan lubang dari sisi p bergerak menuju daerah penipisan dan mereka
bergabung kembali.
Selama proses berlangsung, energi dilepaskan karena elektron melakukan transisi dari
ikatan konduksi (tingkat energi yang lebih tinggi) ke ikatan valensi (tingkat energi yang lebih
rendah). Pada awalnya lapisan tipe-N ditanam pada substrat dan kemudian lapisan tipe-P
diendapkan di atasnya oleh proses difusi. Kontak logam (anoda) dibuat di tepi luar lapisan-P
sehingga permukaan lebih atas dibiarkan bebas agar cahaya bisa lepas. untuk membuat
sambungan katoda, sebuah film logam (lebih disukai emas) dilapisi di bagian bawah substrat.
Film ini juga memantulkan cahaya sebanyak mungkin ke permukaan perangkat.
LED dapat digunakan dalam display numerik seperti seven segment display. Unit display
seven segment. itu dibuat dengan menggunakan sejumlah LED. Dengan mengaktifkan kombinasi
LED yang sesuai pada unit ini, setiap digit dari 0 sampai 9 dapat ditampilkan olehnya. Misalnya,
beralih pada segmen 1,6,7,3,4 menampilkan angka 5. Bila semua segmen ON, digit yang
ditampilkan adalah 8. jika hanya segmen 7 yang mati, digit yang ditampilkannya nol.
Dioda yang beroperasi di daerah kerusakan terbalik dengan tegangan breakdown yang
tajam disebut dioda Zener.
Ini adalah dioda persimpangan P-N biasa, kecuali bahwa itu benar diolah untuk memiliki rincian
yang sangat tajam dan hampir vertikal. Ini dioperasikan secara eksklusif dalam kondisi reverse
bias. Ini dirancang untuk beroperasi di wilayah kerusakan tanpa kerusakan. Dengan
menyesuaikan level doping, dimungkinkan untuk menghasilkan dioda Zener dengan tegangan
tembus mulai dari 2V hingga 800V.
Dioda zener terutama tergantung untuk bekerja pada Zener Effect. Dalam diode yang
berat diolah, daerah penipisan sangat sempit. Bila tegangan bias terbalik dioda meningkat, medan
listrik melintasi daerah penipisan menjadi sangat kuat. Bila bidang ini ~ 3x10 ^ 7 V / m, elektron
ditarik keluar dari ikatan kovalen. Sejumlah besar pasangan elektron-lubang dengan demikian
dihasilkan. Arus balik naik tajam. Ini Zener Effect.
Tegangan diterapkan eksternal mempercepat pembawa minoritas di wilayah penipisan.
Pembawa ini mendapatkan energi yang cukup untuk mengionisasi atom dengan tabrakan.
Elektron yang diproduksi dengan demikian mempercepat kecepatan yang cukup besar untuk
dapat mengionisasi atom lain. Ini menciptakan semacam reaksi berantai. Efek kumulatif dari
reaksi berantai ini adalah efek longsoran. (R. Murugeshan, 2004)
 LABORATORIUM ZAT PADAT/SOLAR ENERGI II
Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam
Universitas Sumatera Utara
Jln. Bioteknologi No.1 Kampus USU, Medan 20155

Umumnya dioda yang digunakan pada rangkaian elektronika adalah sebagai penyearah, yaitu
seperti pada penyearah gelombang arus bolak-balik (AC) menjadi arus searah DC. Lambang
dioda tersebut memperlihatkan arah arus mengalir dan terdiri dari dua kutub yaitu kutub anoda
adalah kutub positif (+) dan katoda dengan kutub negatif (-).
Komponen dioda umumnya berbentuk silinder kecil dan mempunyai lingkaran yang
berwarna hitam untuk menunjukkan posisi garis seperti pada lambang dioda. Sedangkan untuk
dioda yang lain, posisi garis tidak ada sehingga untuk menentukan kutub-kutubnya harus dilihat
pada lembaran data (Data Sheet).
Sifat dioda secara pendekatan umum dapat dikatakan bahwa hanya dapat mengalirkan
arus listrik satu arah saja yaitu dari kutub anoda ke katoda. Hal ini terjadi, apabila kutub anoda
mendapat tegangan yang lebih positif daripada katoda maka arus listrik dapat mengalir tanpa
banyak hambatan, puluhan ohm, dan hal ini disebut dioda dibias maju, forward bias dan
kebalikannya disebut bias mundur, reserve bias, yaitu apabila polaritas tegangan dibalik maka
arus tidak akan mengalir karena hambatan dioda menjadi sangat besar. Jika tegangan lebih kecil
daripada batas tegangan operasional maka sebenarnya ada arus kecil yang mengalir yang disebut
arus bocor namun dapat diabaikan pada aplikasi yang tidak mementingkan ketelitian yang tinggi.
Semikonduktor adalah merupakan elemen dasar dari semua komponen elektronika seperti
dioda, transistor dan berbagai IC (Intergrated circuit) seperti mikroprossesor, mikrokontroler dan
sebagainya. Semikonduktor terdiri dari dua kata yaitu semi dan konduktor. Semi atau setengah
dan konduktor atau penghantar arus yang baik. Jadi semikonduktor adalah bahan yang sifat
elektriknya berada diantara konduktor dan isolator. Germanium adalah salah satu elemen dasar
semikonduktor yang memiliki 4 elektron valensi.
Namun, elemen tersebut memiliki beberapa kelemahan dalam hal arus bocor yang tinggi,
sehingga para pakar beralih ke bahan semikonduktor seperti pada bahan Silikon dan yang lain.
Bahan semikonduktor yang telah dikenal akhir-akhir ini adalah Germanium (Ge), Silikon (Si),
dan Galium Arsenida (Ga As).
Struktur atom kristal silikon, satu inti atom (nucleus) masing-masing memiliki 4 elektron
valensi. Ikatan inti atom yang stabil adalah jika dikelilingi oleh 8 elektron, sehingga 4 buah
elektron atom kristal tersebut membentuk ikatan kovalen dengan ion-ion atom tetangganya. Pada
suhu yang sangat rendah (0 K).
Ikatan kovalen akan menyebabkan elektron tidak dapat berpindah dari satu inti atom ke
inti atom yang lain. Pada kondisi demikian, bahan semikonduktor bersifat isolator karena tidak
ada elektron bebas yang dapat berpindah untuk menghantarkan muatan listrik. Akan tetapi, pada
suhu kamar, ada beberapa ikatan kovalen yang lepas karena energi panas, sehingga
memungkinkan elektron terlepas dari ikatannya. Namun hanya beberapa jumlah kecil yang dapat
terlepas, sehingga tidak memungkinkan untuk menjadi konduktor yang lebih baik.
(Kerista Tarigan, 2016)
 LABORATORIUM ZAT PADAT/SOLAR ENERGI II
Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam
Universitas Sumatera Utara
Jln. Bioteknologi No.1 Kampus USU, Medan 20155

BAB III

METODOLOGI PERCOBAAN

3.1 Peralatan dan Fungsi

1. Analog Design Unit
a. Resistor 2 buah (100 Ω, 1 kΩ)
Fungsi : Sebagai hambatan pada rangkaian.
b. Dioda Silikon IN4003
Fungsi : Sebagai komponen yang diukur tegangannya.
c. Dioda Germanium IN60
Fungsi : Sebagai komponen yang diukur tegangannya.
d. Digital Meter
Fungsi : sebagai alat untuk mengukur tegangan pada dioda silikon dan germanium.
2. Multimeter Digital
Fungsi : sebagai alat untuk mengukur arus.
Cok Sambung
Fungsi : untuk menghubungkan analog design unit dengan arus listrik.
Jumper
Fungsi : Untuk menghungkan komponen dengan peralatan dan penghubung antar
komponen.
Kabel Analog
Fungsi : Untuk menghubungkan analog design unit dengan PLN

3.2 Prosedur Percobaan

a. Untuk Dioda Germanium
1. Disediakan peralatan yang akan digunakan dalam percobaan.
2. Disusun rangkaian sesuai dengan gambar berikut
 LABORATORIUM ZAT PADAT/SOLAR ENERGI II
Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam
Universitas Sumatera Utara
Jln. Bioteknologi No.1 Kampus USU, Medan 20155

+
3 4 100 k Ω

1kΩ 6
5
2
7
1kΩ
9
Ext VR

* IN4003 IN60

1 8 10
*

1kΩ G

3. Diatur tegangan awal sebesar 12 V yang akan ditunjukkan oleh voltmeter.

4. Diatur arus masukan dengan menggunakan multimeter sebesar 0,1 A.
5. Diukur tegangan yang dihasilkan dengan menggunakan multimeter digital.
6. Dicatat hasil yang tertera pada multimeter digital.
7. Dilakukan cara yang sama untuk variasi arus 0,2 A; 0,3 A; 1 A; 2 A; 3A.
8. Dicatat hasil yang tertera pada multimeter digital.

b. Untuk Dioda Silikon

1. Disediakan peralatan yang akan digunakan dalam percobaan.
2. Disusun rangkaian sesuai dengan gambar berikut
+
3 4 100 k Ω

1kΩ 6
5
2
7
1kΩ
9
Ext VR

* IN4003 IN60

1 8 10
*

1kΩ G

3. Diatur tegangan awal sebesar 12 V yang akan ditunjukkan oleh voltmeter.

4. Diatur arus masukan dengan menggunkan multimeter sebesar 0,1 A.
5. Diukur tegangan yang dihasilkan dengan menggunakan multimeter digital.
6. Dicatat hasil yang tertera pada multimeter digital.
7. Dilakukan cara yang sama untuk variasi arus 0,2 A; 0,3 A; 1 A; 2 A; 3A.
8. Dicatat hasil yang tertera di multimeter digital.
 LABORATORIUM ZAT PADAT/SOLAR ENERGI II
Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam
Universitas Sumatera Utara
Jln. Bioteknologi No.1 Kampus USU, Medan 20155

DAFTAR PUSTAKA

Murugeshan, R. 2004. Applied Physics. India: S. Chand & Company Ltd.

Pages : 259-260
Parker, Greg. 1994. Introductory Semiconductor Device Physics.London: Redwood Books.
Pages : 8-16
Rio, S. Reka. 1999. Fisika dan Teknologi Semikonduktor. Jakarta: PT. Pradnya Paramita.
Halaman : 55-62
Tarigan, Kerista. 2016. Elektrodinamika Dasar 1. Medan: Universitas Sumatera Utara.
Halaman : 9-10, 36-37

Medan, 23 Maret 2018

Asisten Praktikan

( Henry Wahyu Putra Siahaan ) ( Chairani Putri Harahap )

 LABORATORIUM ZAT PADAT/SOLAR ENERGI II
Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam
Universitas Sumatera Utara
Jln. Bioteknologi No.1 Kampus USU, Medan 20155