KRISTAL SEMIKONDUKTOR

OLEH: KEL 6
DINA SURBAKTI
NABILA SYAFA FATTIYA
NORA SITOMPUL
RIO ANDIKA
 PENGERTIAN SEMIKONDUKTOR

Semikonduktor merupakan BAHAN TOR Silikon (Si)

K
ONDU
bahan dengan konduktivitas SEMIK
listrik yang berada diantara
isolator dan konduktor

KT Si umumnya
IKO N
OR DU
M HA

digunakan
N
SE BA

sebagai devais
elektronik,
Ge (Germanium) seperti dioda,
Galium Arsenida
(GaAs) transistor, IC
(integrated
circuit)

GaAs memiliki potensi yang besar

untuk digunakan sebagai devais
elektronika pada masa datang,
terutama ditujukan untuk
beroperasi pada frekuensi tinggi
 PRINSIP DASAR SEMIKONDUKTOR

• Yang pertama ada jalur valensi Penyebab terbentunya

Jalur valensi jalur valensi adalah, karna adanya ikatan atom-atom
yang membangun kristal

• Jalur konduksi adalah tempat electron-electron

Jalur konduksi dapat bergerak bebas karena pengaruh gaya Tarik
inti tidak diperlihatkan lagi

• Adalah jalur pemisah antara

Jalur larangan jalur valensi dngan jalur
konduksi
Energi Gap (Eg)

Energi yang diperlukan oleh electron untuk memecahkan

ikatan kovalen sehingga dapat berpindah jalur dari jalur
valensi ke jalur konduksi

− 𝟏𝟗
𝟏 𝒆𝑽 =𝟏 , 𝟔𝟎 𝒙𝟏𝟎
 
𝑱𝒐𝒖𝒍𝒆
 • Arus yang ditimbulkan oleh mengalirnya muatan-
Arus Drift
muatan yang disebabkan oleh perbedaan potensial

• Arus yang tidak disebabkan oleh adanya perbedaan

tegangan, melainkan akibat gerak random dari
Arus difusi
partikel-partikel bermuatan yang disebabkan oleh
energi panas
 Semikonduktor Intrinsik
Semikonduktor intrinsik merupakan semikonduktor yang terdiri
atas satu unsur saja, misalnya Si saja atau 2e saja. Pada kristal
semikonduktor Si, I atom Si yang memiliki 4 elektron valensi
berikatan dengan 4 atom Si lainnya. Perhatikan gambar berikut :
Menurut teori pita energi, pada T-O K pita valensi semikonduktor
terisi penuh elektron, sedangkan pita konduksi kosong. Kedua
pita tersebut dipisahkan oleh celah energi kecil, yakni dalam
rentang 0,18 - 3,7.
Silikon dan germanium merupakan dua jenis semikonduktor yang
sangat penting dalam elektronika. Keduanya terletak pada kolom
empat dalam tabel periodik dan mempunyai elektron valensi
empat.
KLASIFIKASI SEMIKONDUKTOR

Semikonduktor intrinsik
 Semikonduktor Ekstrinsik (Tak Murni)
Terbentuk dari semikonduktor murni yang dikotori oleh atom
dopping sebagai penghasil elektron konduksi atau hole. Terdiri
atas dua tipe: Tipe -N (Silikon + Phospor atau Arseni) dan Tipe -P
(Silikon + Boron, Galium atau Indium. Semikonduktor ekstrinsik
terbentuk melalui mekanisme dipping, yang dimaksudkan untuk
mendapatkan elektron valensi bebas dalam jumlah lebih banyak
dan permanen sehingga diharapkan akan dapat menghantarkan
listrik.
Apabila semikonduktor murni diberikan pengotor dengan valensi
kurang (valensi 3) maka akan terbentuk area kosong (hole) yang
menjadi pembawa muatan. Mekanisme ini menentukan jenis
semikonduktor yang dibentuk (tipe - N atau tipe - P)

1. Semikonduktor tipe - N
Dibuat dengan menambahkan sejumlah kecil atom pengotor
pentavalen (antimony, phosphorus atau arseni).
2. Semikonduktor tipe - P
Dibuat dengan menambahkan sejumlah kecil atom pengotor
trivalen (aluminium, boron, galium atau indium).
Semikonduktor ekstrinsik tipe-n
Semikonduktor ekstrinsik tipe-p
Semikonduktor ekstrinsik paduan
 PERSAMAAN GERAK ELEKTRON DALAM SEBUAH PITA ENERGI

Kecepatan kelompok untuk beberpa fungsi gelombang dengan vector gelombang k adalah :

ω = Frekuensi sudut
 Jika frekuensi sudut dihubungkan dengn energi dari fungsi gelombang €
adalah ω = €/h,dengan mensusbtitusi ke dalam persamaan untuk
kecepatan grup maka :

•  

Pengaruh Kristal di dalamgerak electron

diberikandalamhubungandispersi : є = (k)
Usaha yang dilakukanolehmedanlistrikpada electron adalah
Maka diperoleh
Persamaan untuk gaya listrik yang dialami oleh electron karena berada dalam medan listrik E
Akhirnya diperoleh

Persamaan gerak elektron dalam pita energi

Pembawa ekstrinsik dengan doping
tingkat pengotor:
Model atom Bohr

• Atom pengotor terionisasi memiliki potensial seperti hidrogen,

(m → me, ε0 → ε)
e 4 me  13.6 me 
Ed  2 2   2  eV
2    m
Konstanta dielektrik Si = 11.7 (Ge=15.8, GaAs=13.13),
Massa efektif untuk Si = 0.2 m.
• Oleh karena itu, energi ionisasi donor = 20 meV.
• Jari-jari bohr elektron donor:

  2  0.53 
ad  2
 A
me e  me / m 
Untuk Si, nilainya sekitar 50 A (membenarkan penggunaan konstanta ε).
 MASSA EFEKTIF

Massa efektif elektron merupakan massa elektron dalam pita energi ketika mengalami gaya atau percepatan.
langkah-langkah menentukan besaarnya massa efektif adalah sebagai berikut.
Dari persamaan sebelumnya kita tahu bahwa perumusan untuk kecepatan elektron adalah

Apabila kecepatan grup ini kita turunkan terhadap waktu, maka akan kita peroleh
Atau dapat dituliskan dalam bentuk

Dari persamaan gerak kita ketahui bahwa

 Dengan mensubstitusi persamaan gerak ini ke persamaan sebelumnya, sehingga diperoleh

atau dapat ditulis menjadi

Dari persamaan ini, ruas kiri merupkan percepatan, dan ruas kanan merupakan sesuatu dikalikan gaya F. Berdasarkan hukum II
Newton kita ketahui bahwa:
Sehingga diperoleh

 
∗ 2 1
𝑚 =ℏ 2
𝑑 ∈
2
𝑑𝑘

Persamaan untuk massa massa efektif

 APLIKASI DAN PENGEMBANGAN BAHAN SEMIKONDUKTOR

 Transistor
Transistor adalah semikonduktor yang dipakai sebagai penguat, pemotong (switching), stabilisasi tegangan,
modulasi sinyal

Kita bisa melihat beberapa




Dioda
Dioda berfungsi membatasi arah pergerakan muatan listrik,
dioda hanya mengijinkan arus searah untuk mengalir ke
satu arah saja dan menghalangi aliran ke arah yang
berlawanan.
Sel Surya
Sel surya adalah sebuah alat semikonduktor yang terdiri dari sebuah wilayah-
besar dioda p-n junction , di mana, dalam cahaya matahari mampu menciptakan
energi listrik yang berguna.
Mikroprosesor
Mikroprosesor (disingkat μP atau uP) adalah sebuah
sentral procesing unit (CPU) elektronik komputer yang
terbuat dari transistor mini dan sirkuit lainnya di atas
sebuah sirkuit integrasi semikonduktor