Pn junction merupakan batas pertemuan antar bahan semi konduktor tipe p dan tipe n yang berada dalam

sebuah Kristal semikonduktor

Dioda tanpa bias
Pada gambar a menunjjukan diode tanpa baias dimana sisi p mempunyai banyak holr dan sisi n mempunyai
banyak pita konduktif. Diode tanpa bias berarti tidak ada tengangan luar yang dikenakan.

Sisi p mempunyai banyak hole dan sisi n banyak elektronpita konduksi.

Tidak ada tegangan luar disebut dioda tanpa bias

.

Lapisan pengosongan
-Elektron pada sisi n berdifusi(tersebar) ke segala arah.
-Beberapa berdifusi melewati junction.
Elektron yg masuk ke daerah p, merupakan pembawa minoritas.
-Elektron akan jatuh ke dalam hole, hole lenyap dan elektron pita konduksi menjadi elektron valensi.
-Elektron yg berdifusi melalui junction menciptakan sepasang ion.
-Pasangan ion positif dan negatif disebut dipole.
-Medan antara ion ekivalen dgn perbedaan potensial. Disebut potensial barier.
-Pembentukan sejumlah dipole mengakibatkan daerah dekat junction dikosongkan dari muatan yg bergerak.
Daerah kosong muatan disebut lapisan pengosongan (depletion layer).

Potensial Barier
-Medan antara ion ekivalen dgn perbedaan potensial. Disebut potensial barier.
Tiap dipole mempunyai medan listrik.
-Anak panah menunjukkan arah gaya pada muatan positif.
-Kekuatan medan bertambah dengna berpindahnya tiap elektron.
-Beberapa pembawa minoritas bergesar melewati junction. Mengurangi medan yg menerimanya.
-Beberapa pembawa mayoritas berdifusi melewati junction dan mengembalikan medan pada harga semula.
Potensial barier :
0,3 V utk dioda germanium
0,7 V utk dioda silikon