MIKROELEKTRONIKA

Gejala Transport dalam

Semikonduktor
D3 Teknik Komputer
Universitas Gunadarma

Kelompok 3

Rinartika Risma M.
Alif Syaiful Adam
Nia Rahmawaty
Fatichatul Nurillah L.
Bagus Dwi Prasetyo
Dian Mellati
Elisa Nuky Desiana

(14030184024)
(14030184043)
(14030184056)
(14030184067)
(14030184071)
(14030184077)
(14030184101)

MOBILITAS & KONDUKTIVITAS

Gambaran gas elektron dari logam

Bagian yang gelap menyatakan

bagian yang mempunyai muatan
total positif, berasal dari inti atom
dan elektron bagian dalam yang
terikat kuat.
Titik hitam menggambarkan
elektron luar atau elektron valensi
dari atom.
Bayangkan suatu logam dapat
dibayangkan sebagai suatu ruang
yang mengandung kisi-kisi ion
berat, yang periodik dalam tiga
dimensi, yang saling mengikat
dengan kuat dan diantaranya diisi
oleh kawanan elektron yang
bergerak kian kemari.

 TEORI GAS ELEKTRON DARI LOGAM

Elektron terus menerus bergerak yang arahnya
selalu berubah-ubah setelah mengalami tumbukan
dengan ion yang berat (yang hampir selalu diam).
Jarak rata-rata antara dua tumbukan disebut jarak
bebas rata-rata.
Gerak elektron yang acak mengakibatkan pada
suatu saat elektron yang bergerak melalui suatu
satuan luas dalam logam dalam dua arah yang
berlawanan rata-rata sama banyaknya. Oleh karena
itu arus rata-ratanya sama dengan nol.

 Kecepatan Hanyut V

Arahnya berlawanan dengan arah medan

listrik.
Kecepatan dalam waktu t antara dua
tumbukan adalah at, dimana a = q / m
adalah percepatan.
Kecepatan V berbanding lurus dengan .
V =
(m kuadrat per detik) disebut mobilitas dari
elektron.

Rapat Arus
Arus dalam ampere :
Rapat arus :

I
J
A

Nq Nqv
I

T
L
Nqv
J
LA

J dalam ampere meter kuadrat dan A adalah luas penampang

dari konduktor dalam meter kuadrat
LA adalah volume yang mengandung N elektron, sehingga :

N
n
LA

J nqv v

n adalah rapat elektron (dalam elektron per meter kubik)

nq adalah rapat muatan dalam coulomb meter kubik
dan v dalam meter per detik.

Konduktivitas

nq

adalah kondutivitas dari logam dalam (ohm meter)-1

ELEKTRON & HOLE DALAM

SEMIKONDUKTOR INTRINSIK
Konduktivitas berbanding lurus dengan
konsentrasi n dari elektron bebas.
Konduktor yang baik n = 10-28 elektron/meter
kubik
Isolator n = 107
Semikonduktor harga n diantara konduktor dan
isolator

 Ikatan Kovalen
Ikatan kovalen

Elektron valensi

Atom Germanium mempunyai

32 elektron .

Setiap atom menyumbangkan 4

elektron.
Merupakan atom tentravalen.
Mempunyai muatan listrik + 4 dalam
satuan muatan listrik elektron.
Setiap elektron valensi dari
germanium dimiliki bersama dengan
sebuah dari empat atom germanium
yang bertetangga dekat.
Struktur kristal Ge dilukiskan secara
simbolik dalam dua dimensi

Mempunyai konduktivitas yang

rendah

 Hole
Pada temperatur sangat rendah
kristal berperilaku sebagai isolator.
Pada temperatur kamar, beberapa
dari ikatan kovalen akan patah
oleh energi panas yang diberikan
kepada kristal dan konduksi
dimungkinkan.
Energi Eg yang diperlukan untuk
mematahkan ikatan kovalen :
Germanium : 0.72 eV
Silikon : 1.1 eV

Ikatan kovalen yang tidak lengkap

disebut lubang.

Kristal Germanium dengan satu

ikatan kovalen yang patah

 Dalam semikonduktor intrinsik (murni)

banyaknya lubang sama dengan banyaknya
elektron bebas.
Konsentrasi (rapat) lubang p harus sama
dengan konsentrasi (rapat) elektron n,
sehingga :

n = p = ni
ni disebut konsentrasi atau rapat intrinsik

TAKMURNIAN
DONOR DAN AKSEPTOR
Apabila kita tambahkan pada silikon atau germanium murni
(intrinsik) atom-atom yang bervalensi tiga atau lima maka terbentuk
semikonduktor yang takmurni, yang ekstrinsik.
Donor-donor
Apabila atom tak murnian mempunyai lima elektron valensi, maka atom
takmurnian akan menggeser beberapa atom germanium dari kisi-kisi
kristal.
Empat dari lima elektron valensi akan mengisi ikatan kovalen dan yang
kelima akan terlepas dan dapat digunakan sebagai pembawa arus.
Energi yang diperlukan untuk melepas elektron adalah :
Ge = 0.1 eV
Si = 0.05 eV

Contoh : antimurnian (Sb), Fosfor dan Arsenikum

Takmurnian ini memberikan kelebihan elektron sebagai pembawa muatan
negatif, dikenal sebagai donor atau tipe-n.

 Akseptor

Apabila suatu takmurnian trivalen ditambahkan pada semikonduktor

intrinsik hanya tiga ikatan kovalen yang diisi.
Kekosongan yang terjada pada ikatan keempat membentuk lubang.
Takmurnian serupa menyediakan pembawa positif oleh karen takmurnian
tersebut menciptakan lubang dan dapat menerima elektron, dikenal
sebagai akseptor atau tipe-p.

Hukum Aksi-Massa

Penambahan takmurnian tipe-n, mengurangi banyaknya lubang.

Penambahan takmurnian tipe-p, menurunkan rapat elektron bebas.
Perkalian dari rapat muatan negatif yang bebas dan muatan yang positif,
merupakan suatu tetapan dan tidak bergantung pada banyaknya donor dan
akseptor
np = n 2
i

Dalam semikonduktor tipe-n, elektron2 disebut pembawa mayoritas

sedangkan lubang adalah pembawa minoritas.
Dalam semikonduktro tipe-p, lubang merupakan pembawa mayoritas
dan elektron pembawa minoritas.

RAPAT MUATAN DALAM

SEMIKONDUKTOR
ND + p
Rapat muatan positif =
Rapat muatan negatif =
NA + n
Pada semikonduktor netral, besarnya muatan positif sama dengan besar muatan
negatif :
ND + p = NA + n
Pada semikonduktor tipe n, banyaknya elektron lebih besar dari banyaknya lubang
(n >> p) sehingga :
Rapat Lubang

nn = ND

dalam semikonduktor tipe-n adalah :

pn

ni 2

p =
---------- 2
NnDi
np = ---------NA

Untuk semikonduktor tipe-pn adalah :

SIFAT ELEKTRIK
Sifat Listrik dari Logam dan Semikonduktor :

Logam :
Bersifat unipolar, menghantar arus hanya dengan
muatan-muatan (elektron-elektron) yang menpunyai satu
tanda saja.
Semikonduktor :
Bersifat bipolar, mengandung pembawa-pembawa arus
dengan muatan yang berlawanan.

PENENTUAN KONSENTRASI PEMBAWA

Dari teori tentang Hukum Aksi-Massa maka didapat :
Bahwa dengan memberi takmurnian pada
semikonduktor intrinsik tidak hanya menaikkan
konduktivitas, tapi dapat juga digunakan untuk
menghasilkan semikonduktor dengan pembawa listrik,
sebagian terbesar lubang atau sebagian terbesar elektron

Dalam semikonduktor tipe-n, elektron-elektron disebut

pembawa mayoritas dan lubang adalah pembawa minoritas.
Dalam semikonduktor tipe-p, lubang merupakan pembawa
mayoritas dan elektron pembawa minoritas.

PERSAMAAN ALIRAN ARUS &

PERSAMAAN POISSON
Persamaan Aliran arus :

I
J
A
J dalam ampere meter kuadrat,
A adalah luas penampang dari konduktor dalam meter kuadrat

Persamaan Poisson :
d2 V

--------- = - ----dx2

adalah permitivitas.

Medan Magnet dan Efek Hall

Medan dan Gaya Magnet

Muatan yang bergerak dalam medan magnet
akan mengalami gaya magnet:
v

F qv B

Fmagnet
B

Muatan uji, +q

Besar gaya magnet:

F qvB sin

Gaya magnet pada kawat berarus

Fmagnet ILxB

Fmagnet ILB sin

Efek hall

References: 1, 4.

Ditemukan pada tahun 1879 oleh Edwin H.

Hall dan diterbitkan di media cetak "On a
New Action of the Magnet on Electrical
Current"

Jika sebuah magnet diletakan dan medan

magnet tersebut tegak lurus dengan suatu
permukaan pelat emas yang dialiri arus,
maka timbul beda potensial pada ujungujung yang berlawanan.

Tegangan yang terjadi sebanding dengan

besarnya arus yang mengalir dan densitas
fluks atau induksi magnet yang tegak lurus
tehadap pelat.

Dasar fenomena fisika

Ketika sebuah elektron bergerak dalam arah tegak lurus ke medan magnet
diterapkan , ia akan mengalami gaya ( Lorentz kekuatan ) bertindak normal
kedua arah dan bergerak dalam menanggapi gaya ini ( lihat di bawah untuk
tipe-n semikonduktor )
Lorentz Force
F=-ev x B

Coordinate
System
z

B
v

V=0

F
I

ed
V-VH

References: 2, 3.

arus konstan I ( mengalir

sepanjang sumbu x ) di hadapan
medan magnet B ( z - axis )
menyebabkan Lorentz gaya F ( y
- axis )
Penyebab jalur elektron
menekuk ke arah negatif y - axis
gaya membangun pada
permukaan sisi sampel , dan
potensi penurunan di dua sisi
sampel dikenal sebagai tegangan
Hall (VH)

Efek Hall
Gaya magnet pada partikel
pembawa muatan dalam
konduktor berarus akan
menimbulkan beda potensial
(efek hall)
qvB qEH
I nqvA

E H vB
I
I
v

nqA nqd .t

Potensial Hall:
Koefisien Hall:

IBRH
VH EH d vBd
t
I
t
RH
nq
d

V
+ +

A=d.t

Persamaan penting
Jumlah elektron konduksi per satuan volume ( N ) :
dimana Ix= arus Bz= medan magnet,
d= tebal lempengan, e= biaya,
VH= tegangan di sumbu-y

The Hall Resistance, or Hall constant, (RH) didefinisikan :

Dengan demikian , tegangan Hall ( VH ) dapat

ditulis sebagai :

Kemudian , mobilitas Hall () dapat ditentukan :

edVH

1
RH
Ne

Ix Bz
Bz
VH
Ix R H
Ned
d

Di mana Rs adalah resistansi lembar ,

dengan mudah ditentukan dengan metode van der Pauw

Ix Bz

VH
1

RsIx Bz RsNde

Efek Hall pada Semikonduktor

Apabila suatu medan listrik E diaplikasikan

sepanjang sumbu x positif (mendatar) pada keping
semikonduktor jenis-p, dan suatu medan magnet
diaplikasikan sepanjang sumbu z (masuk dalam
bidang gambar), maka karena medan magnet tsb.
akan timbul gaya Lorentz pada lubang yang arahnya
dari bawah ke atas F = qv x B (= qvxBz).

Gaya Lorentz ini menyebabkan terjadi penumpukan

lubang pada sisi atas sehingga timbul medan listrik
yang arahnya dari sisi atas ke bawah Ey (= qEy).

References: 1, 4.

Selama tidak ada arus mengalir sepanjang arah y pada keadaan

setimbang, gaya listrik sepanjang arah y sama dengan gaya Lorentz.
qEy= qvxBz
Ey= vxBz

Pada keadaan seperti ini, medan listrik diketahui sebagai efek Hall
disebut medan Hall, dan tegangan terminal disebut tegangan Hall,
VH = E y d
dengan d adalah tebal semikonduktor jenis-p di atas.

References: 1, 4.

Gaya Lorentz ini menyebabkan terjadi penumpuan lubang pada sisi

atas sehingga timbul medan listrik yang arahnya dari sisi atas ke
bawah Ey (= qEy).

Untuk kerapatan arus lubang

Jp = Ip/A = qpvp= qppE
dengan A adalah luas penampang semikonduktor dan p
menyatakan mobilitas lubang, maka terdapat hubungan
Ey= [Jp/qp] Bz= RH Jp Bz
RH= 1/qp
disebut koefisien Hall.

Untuk semikonduktor jenis-n dihasilkan

RH= -1/qn

References: 1, 4.

Penghitungan tegangan Hall untuk arus dan medan magnet yang diketahui
dihasilkan:
p = 1/qRH = Jp Bz /qEy = [(I/A)Bz/q(VH/d)] =[Ibzd/qVHA]

Soal
Sebuah sampel silikon didoping dengan Pospor 10 16 atom/cm3. Tentukan
tegangan Hall pada sampel dengan ketebalan d = 500 m, A = 2,5 x 10-3
cm2 , I = 1 mA, dan Bz = 10-4 Wb/cm2.

References: 1, 4.

Jawab
RH= -1/qn = - (1/1,6x10-19 x1016) = - 625 cm3/C

Tegangan Hall
VH= Ey d = [RH (I/A)Bz]d
VH = [-625 (10-3/2,5x10-3)10-4] 500x10-4
VH = - 1,25 mV

References: 1, 4.

TERIMA KASIH

References: 1, 4.