DIODA SAMBUNGAN P-N

1. Semikonduktor

Pada  bagian   sebelumnya     kita  telah mempelajari   karakteristik   bahan 

semikonduktor  beserta kemampuannya untuk  menghantarkan  listrik.  Berdasarkan  tingkat 
kemurnian atom penyusunnya, terdapat dua kelompok semikonduktor yaitu intrinsik dan
ekstrinsik. Untuk kelompok  ekstrinsik terdapat dua jenis/tipe semikonduktor yaitu 
semikonduktor  tipe-p   dan  semikonduktor  tipe-n.   Bahan  semikonduktor  yang  banyak  
dipelajari  dan secara luas telah dipakai adalah bahan silikon (Si). Semikonduktor  tipe-n   dibuat 
dari  bahan   silikon  murni  dengan  menambahkan  sedikit  pengotor  berupa  unsur  valensi  
lima.  Empat  elektron  terluar  dari  “donor”  ini  berikatan kovalen dan menyisakan satu
elektron lainnya yang dapat meninggalkan atom induknya sebagai elektron bebas.      Dengan 
demikian pembawa muatan mayoritas pada bahan ini adalah elektron. Hal  yang  sama, 
semikonduktor  tipe-p  dibuat  dengan  mengotori  silikon  murni dengan    atom   valensi    tiga,
sehingga   meninggalkan      kemungkinan     untuk  menarik elektron.   Pengotor  sebagai 
“aseptor”  menghasilkan   proses  konduksi  dengan  lubang (hole) sebagai pembawa muatan
mayoritas.

2. Diode

Misalkan kita memiliki sepotong silikon tipe-p dan  sepotong silikon tipe-n dan  secara
sempurna terhubung membentuk sambungan p-n. Sesaat  setelah  terjadi  penyambungan,   pada 
daerah  sambungan  semikonduktor  terjadi perubahan.    Pada daerah tipe-n (gambar 7.1, sebelah
kanan) memiliki sejumlah elektron yang akan dengan mudah terlepas dari atom induknya. Pada
bagian kiri (tipe- p ), atom   aseptor  menarik   elektron  (atau  menghasilkan    lubang).   
Kedua    pembawa muatan  mayoritas  tersebut   memiliki  cukup  energi  untuk  mencapai  
material  pada  sisi lain  sambungan.     Pada  hal   ini   terjadi  difusi  elektron   dari   tipe-n  ke 
tipe-p  dan   difusi lubang dari tipe-p ke tipe-n. Proses   difusi   ini  tidak  berlangsung  
selamanya    karena    elektron  yang   sudah berada  di    tempatnya   akan  menolak     elektron 
yang  datang  kemudian.        Proses  difusi  berakhir saat tidak ada lagi elektron yang memiliki
cukup energi untuk mengalir.

3. Panjar Maju (Forward Bias)

Besarnya komponen arus difusi sangat sensitif terhadap besarnya potensial penghalang 
V  .  Pembawa  muatan  mayoritas  yang  memiliki  energi   lebih   besar                  dari   eV    
dapat  o                                                                                             o melewati      potensial    
penghalang.         Jika    keseimbangan          potensial    terganggu      oleh berkurangnya
ketinggian potensial penghalang menjadi   V   − V , probabilitas pembawa  o muatan mayoritas
mempunyai cukup energi untuk melewati sambungan akan meningkat  dengan drastis. Sebagai
akibat turunnya potensial penghalang, terjadi aliran arus lubang dari material tipe-p ke tipe-n,
demikian sebaliknya untuk elektron.  Dengan kata lain menurunnya potensial penghalang
memberi kesempatan pada pembawa  muatan   untuk  mengalir             dari  daerah  mayoritas 
ke  daerah  minoritas.  Jika potensial penghalang  diturunkan  dengan  pemasangan  panjar  maju 
eksternal.

4. Panjar Mundur (Reverse Bias)

Jika potensial penghalang dinaikkan menjadi  V  + V  dengan memasang panjar mundur  

o sebesar  V , maka probabilitas pembawa muatan  mayoritas memiliki cukup  energi untuk 
melewati potensial penghalang akan turun  secara drastis.    Jumlah pembawa  muatan 
mayoritas  yang  melewati                  sambungan  praktis  turun   ke  nol  dengan memasang
panjar mundur sebesar sekitar sepersepuluh volt. Pada kondisi panjar  mundur, terjadi  aliran 
arus mundur   (I )  yang  sangat  kecil   r dari pembawa muatan minoritas. Pembawa muatan
minoritas hasil generasi termal di dekat  sambungan  akan  mengalami  “drift”  searah  medan 
listrik. Arus  mundur  akan mencapai harga jenuh -Io          pada harga panjar mundur yang
rendah. Harga arus mundur dalam keadaan normal cukup rendah dan diukur dalam µA  (untuk   
germanium)  dan   nA         (untuk    silikon).     Secara  ideal,  arus  mundur         seharusnya
berharga  nol,  sehingga  harga  -Io         yang  sangat  rendah   pada  silikon  merupakan              
faktor keunggulan  silikon   dibandingkan   germanium.                Besarnya Io       berbanding 
lurus  dengan laju  generasi   termal     g = rn2      dimana  harganya  berubah  secara  
eksponensial   terhadap   i perubahan temperatur.

 
 

5. Karakteristik Umum Diode

Dioda

Dioda ditemukan oleh J.A Fleming pada tahun 1904, seorang ilmuwan dari inggris
(1849-1945). Mungkin bagi anda seorang yang hobby dengan elektronika atau seorang sarjana
elektro, mungkin anda sudah sangat familiar dengan komponen elektronika yang
namanyadioda. Bahkan untuk memahami cara kerjanya mungkin sangat mudah sekali bagi anda.
Dioda adalah salah satu komponen yang sangat sering digunakan seperti halnya resistor dan
kapasitor. Secara sederhana sebuah dioda bisa kita asumsikan sebuah katup, dimana katup
tersebut akan terbuka manakala air yang mengalir dari belakang katup menuju kedepan,
sedangkan katup akan menutup oleh dorongan aliran air dari depan katup. Atau untuk bisa lebih
mengetahui teori dasar dari dioda, berikut saya kan membahasnya.

I. Simbol Umum Dioda

Dioda disimbolkan dengan gambar anak panah yang pada ujungnya terdapat garis yang
melintang. Simbol tersebut sebenarnya adalah sebagai perwakilan dari cara kerja dioda itu
sendiri. Pada pangkal anak panah disebut juga sebagai anoda (kaki positif = P) dan pada ujung
anak panah disebut sebagai katoda (kaki negative = N).

II. Struktur Dioda Untuk Pertama Kalinya

Plate dirancang mengelilingi katoda, didalam katoda ditanam sebuah heater, dimana pada
saat katoda dipanaskan maka, electron yang ada pada katoda akan bergerak menuju plate.

III. Bias Maju Dioda

Lapisan yang melintang antara sisi P dan sisi N diatas disebut sebagai lapisan deplesi
(depletion layer), pada lapisan ini terjadi proses keseimbangan hole dan electron. Secara
sederhana cara kerja dioda pada saat diberi bias maju adalah sebagai berikut, pada saat dioda
diberi bias maju, maka electron akan bergerak dari terminal negative batere menuju terminal
positif batere (berkebalikan dengan arah arus listrik). Elektron yang mencapai bagian katoda (sisi
N dioda) akan membuat electron yang ada pada katoda akan bergerak menuju anoda dan
membuat depletion layer akan terisi penuh oleh electron, sehingga pada kondisi ini dioda bekerja
bagai kawat yang tersambung.

 
 

IV. Bias Mundur Dioda

Berkebalikan dengan bias maju, pada bias mundur electron akan bergerak dari terminal
negative batere menuju anoda dari dioda (sisi P). Pada kondisi ini potensial positif yang
terhubung dengan katoda akan membuat electron pada katoda tertarik menjauhi depletion layer,
sehingga akan terjadi pengosongan pada depletion layer dan membuat kedua sisi terpisah. Pada
bias mundur ini dioda bekerja bagaikan kawat yang terputus dan membuat tegangan yang jatuh
pada dioda akan sama dengan tegangan supply.

Berikut adalah beberapa macam dioda yang sering ditemukan :

1. Dioda Bridge (4 buah dioda penyearah)

2. Dioda Zener (Sebagai penstabil tegangan)
3. LED (Light Emiting Dioda)
4. 7 – Segment
5. dll

Pada umunya dioda dibuat dari bahan semikonduktor sbb :

1. Silicon, tegangan yang jatuh pada saat bias maju adalah 0,7 volt.
2. Germanium, tegangan yang jatuh pada saat bias maju adalah 0,3 volt